專利名稱：光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的制造工藝，特別涉及一種半導(dǎo)體芯片制 造中光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法。
背景技術(shù)：
集成電路制造過程中，光刻是一個重要的工藝流程，其通過涂膠和曝 光將設(shè)計的圖形通過光刻膠復(fù)制到硅片上。在光刻過程中，對準(zhǔn)是通常是 在硅片上設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記，光刻對準(zhǔn)標(biāo)記包括光刻對位標(biāo)記和光刻套刻對準(zhǔn) 標(biāo)記?，F(xiàn)有工藝中一般是利用在硅片上刻蝕形成淺溝槽作為對準(zhǔn)標(biāo)記的。 其基本的工藝流程為
(1) 在硅襯底上淀積氧化硅(見圖la和圖lb);
(2) 涂光刻膠，光刻顯影定義出溝槽的圖案(見圖1C);
(3) 刻蝕硅襯底形成淺溝槽(見圖ld);
(4) 去除光刻膠以及氧化硅(見圖le)。
從上述工藝流程上看，現(xiàn)有光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的形成需要對硅襯底進行刻 蝕，而且隨著后續(xù)外延層厚度的增加，刻蝕的溝槽深度也硬隨之增加，深
度甚至可以達(dá)到0. 5微米，這對產(chǎn)能是種浪費。而且對位以及光刻套刻標(biāo)
記會隨著外延層加厚而逐漸模糊，存在精確性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其能有效避免因外延層加厚而帶來的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記變模糊的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其制作在 硅襯底中，包括
(1) 在硅襯底上淀積一氧化層；
(2) 用光刻膠光刻顯影，保留光刻對準(zhǔn)標(biāo)記處的光刻膠；
(3) 以步驟(2)中形成的光刻膠圖案為刻蝕掩膜，刻蝕曝出的氧化 層至硅表面，最后去除光刻膠層；
(4) 進行硅外延生長，使外延層表面高度大于氧化層表面高度，形成 光刻對準(zhǔn)標(biāo)記。
本發(fā)明的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，利用不同材料間存在的選擇性外 延的特性，對光刻對位和套刻標(biāo)記形成的方式作出修正，避免了傳統(tǒng)的標(biāo) 志所需要的深溝，同時避免了外延后標(biāo)志清晰度下降的問題。利用氧化層 來形成突出的外延前標(biāo)記，外延時氧化層阻擋硅在標(biāo)記處堆積，最終形成 類似傳統(tǒng)的開槽式的光刻對位標(biāo)記和光刻套刻對準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明的制備方 法具有生產(chǎn)成本低，工藝控制的簡單，工藝能力窗口擴大，且對準(zhǔn)精度高 的優(yōu)點。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明
圖la至圖le為現(xiàn)有的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記制備示意圖2為本發(fā)明的制備方法流程示意圖3a至圖3d為本發(fā)明的具體制備示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，用于硅襯底的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記制備 中，其利用在氧化層表面不能進行外延生長的這一特性，形成標(biāo)記的圖形。 本發(fā)明的一個具體實施例(見圖2)，包括
(1) 先在硅襯底上制備一氧化層(見圖3a)，該氧化層的厚度可以較 薄，厚度沒有具體限定，最簡單的制備方法為放入爐管中熱生長氧化層；
(2) 涂光刻膠，曝光顯影，保留光刻對準(zhǔn)標(biāo)記處的光刻膠(見圖3b
和圖3C);
(3) 以步驟(2)中形成的光刻膠圖案為刻蝕掩膜，刻蝕掉曝出的氧 化層至硅表面(見圖3c)，最后去除光刻膠層；
(4) 進行硅外延生長，使外延層表面高度大于氧化層表面高度，形成
光刻對準(zhǔn)標(biāo)記(見圖3d);在進行外延生長之前還可以對硅片表面進行清
洗，以使硅外延生長更順利，因氧化層表面無法進行硅外延生長，故最終
得到類似溝槽狀的圖形，其中溝槽底部為氧化層表面；此處硅外延生長的 工藝和參數(shù)等與現(xiàn)有工藝中采用的相同，可以采用硅垸作為反應(yīng)氣體。
權(quán)利要求
1、一種光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其制作在硅襯底中，其特征在于，包括(1)在硅襯底上制備一氧化層；(2)用光刻膠光刻顯影，保留光刻對準(zhǔn)標(biāo)記處的光刻膠；(3)以步驟(2)中形成的光刻膠圖案為刻蝕掩膜，刻蝕曝出的氧化層至硅表面，最后去除光刻膠層；(4)進行硅外延生長，使外延層表面高度大于氧化層表面高度，形成光刻對準(zhǔn)標(biāo)記。
2、 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于所述的光刻對準(zhǔn)標(biāo) 記包括光刻對位標(biāo)記和光刻套刻標(biāo)記。
3、 按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于所述步驟(4) 之前還包括對硅片表面進行清洗的步驟。
4、 按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于所述步驟(4) 硅外延生長采用硅烷作為反應(yīng)氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻對準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其用于在硅襯底上制備光刻對準(zhǔn)標(biāo)記，包括在硅襯底上制備一氧化層；用光刻膠光刻顯影，保留光刻對準(zhǔn)標(biāo)記處的光刻膠；以形成的光刻膠圖案為刻蝕掩膜，刻蝕曝出的氧化層至硅表面，最后去除光刻膠層；進行硅外延生長，使外延層表面高度大于氧化層表面高度，形成光刻對準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明的制備方法，避免了原有基于溝槽刻蝕的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記制備方法中，因外延層加厚所帶來的標(biāo)記模糊的問題，同時具有生產(chǎn)成本低，工藝控制的簡單，工藝能力窗口擴大，且對準(zhǔn)精度高的優(yōu)點，適用于集成電路制造中。
文檔編號G03F7/20GK101452211SQ200710094318
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者濤 熊, 嘯 羅, 瑜 陳, 陳華倫, 陳雄斌 申請人:上海華虹Nec電子有限公司