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掩膜板設(shè)計(jì)中劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方法

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掩膜板設(shè)計(jì)中劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法,特別是涉及一種掩膜板設(shè)計(jì)中劃 片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是在掩膜板設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)中繼產(chǎn)品設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)輸入檢查之后,EB處理和 掩模板制作之前所進(jìn)行的設(shè)計(jì),其中EB處理為層演算生成用于掩模板制作的數(shù)據(jù)。主要是 根據(jù)掩模板的尺寸規(guī)格按照芯片的尺寸進(jìn)行切割線的版圖排列設(shè)計(jì),同時(shí)切割線上放置制 品工程所需的各種光刻對(duì)準(zhǔn)和測(cè)試用的圖形,最后生成掩膜板制作前的最終版圖數(shù)據(jù)。
[0003] 隨著掩膜板設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)中涉及到的工藝不斷增多,檢查劃片槽數(shù)據(jù)中的對(duì)準(zhǔn)測(cè)試標(biāo) 記是否放置完整以及滿足放置要求等工作也隨之變得更加復(fù)雜和易于出錯(cuò)。每一層光刻都 需要其相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)圖形,一個(gè)新的工藝通常會(huì)有共計(jì)上百個(gè)甚至幾百個(gè)對(duì)準(zhǔn)或測(cè)試圖形, 以 0· 13 μ m 工藝為例:BOX MARK 44 個(gè),ROT MARK 8 個(gè),WAM 51 個(gè),LSA 15 個(gè),F(xiàn)IA 32 個(gè), PCM 65個(gè),共計(jì)215個(gè),其中BOX MARK是在一片硅片(Wafer)曝光完成之后用來(lái)檢測(cè)曝光 質(zhì)量的測(cè)試圖形,ROT MARK用于第一步光刻工程的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,WAM是一種晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記, LSA是激光步對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,F(xiàn)IA是場(chǎng)成像對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,PCM是用于檢測(cè)工藝所需各種特性參數(shù)的 測(cè)試圖形,都是半導(dǎo)體集成電路制造使用到的不同種類的對(duì)準(zhǔn)或測(cè)試圖形。按照現(xiàn)有的檢 查方法,需要工程師通過(guò)檢查表與實(shí)際數(shù)據(jù)相比較,需要花費(fèi)大量的時(shí)間,且易出錯(cuò),導(dǎo)致 光刻對(duì)準(zhǔn)或測(cè)試圖形漏放,不能保證正確性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種掩膜板設(shè)計(jì)中劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方 法,能縮短檢查時(shí)間、提高工作效率并有效降低失誤率。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供的掩膜板設(shè)計(jì)中劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方法, 其特征在于,包括如下步驟:
[0006] 步驟一、為每一種工藝制定一個(gè)對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)配置文件,所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件中設(shè)置 有對(duì)應(yīng)的工藝的劃片槽的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形的信息。
[0007] 步驟二、將各所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件導(dǎo)入到數(shù)據(jù)庫(kù)中進(jìn)行存儲(chǔ),所述數(shù)據(jù)庫(kù)中的各所 述標(biāo)準(zhǔn)配置文件按照對(duì)應(yīng)的工藝的名稱區(qū)分。
[0008] 步驟三、根據(jù)實(shí)際的工藝需要進(jìn)行掩膜板設(shè)計(jì),在所述掩膜板設(shè)計(jì)中的劃片槽結(jié) 構(gòu)設(shè)計(jì)完成后,采用圖形用戶界面方式提取需要檢查的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù),解析 所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)的各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和測(cè)試圖形的信息,然后從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇 所述掩膜板設(shè)計(jì)中的工藝所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件,將解析的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù) 據(jù)的各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信息和所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信息進(jìn)行對(duì)比操 作,將解析的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)的各類測(cè)試圖形的信息和所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置 文件中的測(cè)試圖形的信息進(jìn)行對(duì)比操作,并將所述對(duì)比操作的檢查結(jié)果輸出。
[0009] 步驟四、分析所述圖形用戶界面上輸出的檢查結(jié)果并將所述檢查結(jié)果文件保存。
[0010] 步驟五、根據(jù)對(duì)所述檢查結(jié)果的分析確認(rèn)所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是否合格:如果所 提取的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)的各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和測(cè)試圖形的信息和對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn) 配置文件中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形的信息一致,則所提取的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)的 各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和測(cè)試圖形的信息符合劃片槽設(shè)計(jì)規(guī)則,判定所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合格;否 貝1J,判定所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合格。
[0011] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟一中為各工藝制定對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件包括如下步 驟:
[0012] 步驟11、確定對(duì)應(yīng)工藝所支持的最低和最高金屬層數(shù)。
[0013] 步驟12、確定對(duì)應(yīng)工藝包含多少個(gè)可選層次。
[0014] 步驟13、結(jié)合電子文檔規(guī)格書(shū)查找對(duì)應(yīng)工藝的劃片槽的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形 的信息。
[0015] 步驟14、結(jié)合步驟11所確定的所述最低和最高金屬層數(shù)、步驟12確定的所述可選 層次以及步驟13所得到的信息進(jìn)行算法組合形成所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件所要求格式的各所述 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或各所述測(cè)試圖形的信息。
[0016] 步驟15、整理步驟14進(jìn)行算法組合形成的各所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或各所述測(cè)試圖形的 信息,每一行對(duì)應(yīng)于一個(gè)各所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或各所述測(cè)試圖形的信息記錄,由對(duì)應(yīng)工藝的所 有的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述測(cè)試圖形的信息記錄組成對(duì)應(yīng)的工藝的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件。
[0017] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟二中還能根據(jù)需要對(duì)存儲(chǔ)于所述數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述標(biāo)準(zhǔn)配置 文件進(jìn)行修改、追加或刪除。
[0018] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,當(dāng)步驟三中的所述掩膜板設(shè)計(jì)所對(duì)應(yīng)的實(shí)際工藝為以前所沒(méi)有 使用過(guò)的新工藝時(shí),該新工藝所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件不存在于所述數(shù)據(jù)庫(kù)中,需要進(jìn) 行步驟一和二將該新工藝所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件導(dǎo)入到所述數(shù)據(jù)庫(kù)。
[0019] 當(dāng)步驟三中的所述掩膜板設(shè)計(jì)所對(duì)應(yīng)的實(shí)際工藝為以前使用過(guò)的舊工藝時(shí),該舊 工藝所對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件存在于所述數(shù)據(jù)庫(kù)中,此時(shí)需要比較所述實(shí)際工藝和所述 舊工藝相比是否增加了或刪除了相應(yīng)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形,如增加了或刪除了 相應(yīng)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形則需要在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中對(duì)所述舊工藝的所述標(biāo)準(zhǔn)配 置文件進(jìn)行相應(yīng)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形的增加或刪減;如果需要比較所述實(shí)際工 藝和所述舊工藝相比所對(duì)應(yīng)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形都相同,則不需要對(duì)所述舊工 藝的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件進(jìn)行修改。
[0020] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟二中所述數(shù)據(jù)庫(kù)為sqlite數(shù)據(jù)庫(kù)。
[0021] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟四中分析所述圖形用戶界面上輸出的檢查結(jié)果包含所述劃 片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)的各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或各類測(cè)試圖形的的使用數(shù)量,名稱,物理含義。
[0022] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟三中在所述掩膜板設(shè)計(jì)中的劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)完成后、采用 圖形用戶界面方式提取需要檢查的所述劃片槽結(jié)構(gòu)的版圖數(shù)據(jù)之前,還包括進(jìn)行所述劃片 槽的襯底檢查的工藝步驟,所述劃片槽的襯底檢查包括:
[0023] 步驟31、檢查所述劃片槽結(jié)構(gòu)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形是否為于所述劃片 槽的中心。
[0024] 步驟32、檢查所述劃片槽結(jié)構(gòu)上的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或所述測(cè)試圖形之間是否存在交 疊。
[0025] 進(jìn)一步的改進(jìn)是,步驟五中判定所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合格時(shí),對(duì)錯(cuò)誤類型進(jìn)行 分析和判斷:如何判斷所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)正確則對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件中存在偽錯(cuò) 項(xiàng),此時(shí)需要在數(shù)據(jù)庫(kù)中消除對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件的偽錯(cuò)項(xiàng),所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)判 定結(jié)果改為合格;如果對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件的正確,則所述劃片槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不正確,此 時(shí)需要回到步驟三并重復(fù)步驟三、四和五。
[0026] 本發(fā)明完全實(shí)現(xiàn)了對(duì)劃片槽結(jié)構(gòu)的自動(dòng)檢查,并對(duì)非正常的放置報(bào)出錯(cuò)誤,同時(shí) 生成日志文件,便于工程師進(jìn)行復(fù)查,大大縮短了檢查的時(shí)間,提高了工作效率,并有效降 低了人工目視檢查的失誤率。
[0027] 本發(fā)明采用可視化的操作界面使用起來(lái)非常方便,其中的算法也具有很好的拓展 型,可以方便的將之拓展到各個(gè)工藝。另外,數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)容維護(hù)方法也簡(jiǎn)單實(shí)用,易于批處理 化。
【附圖說(shuō)明】
[0028] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0029] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖;
[0030] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例方法步驟一中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形應(yīng)用于金屬層的算法示 意圖;
[0031] 圖3A-圖3D是本發(fā)明實(shí)施例方法劃片槽襯底檢查中劃片槽上的測(cè)試圖形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 如圖1所示,是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖;本發(fā)明實(shí)施例掩膜板設(shè)計(jì)中劃片槽結(jié) 構(gòu)設(shè)計(jì)的檢查方法包括如下步驟:
[0033] 步驟一、為每一種工藝制定一個(gè)對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)配置文件,所述標(biāo)準(zhǔn)配置文件中設(shè)置 有對(duì)應(yīng)的工藝的劃片槽的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形的信息。為各工藝制定對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn) 配置文件包括如下步驟:
[0034] 步驟11、確定對(duì)應(yīng)工藝所支持的最低和最高金屬層數(shù)。如令所對(duì)應(yīng)的工藝名為 CZ6H,最低2層鋁,最高4層鋁。
[0035] 步驟12、確定對(duì)應(yīng)工藝包含多少個(gè)可選層次即option mark。如工藝CZ6H中可選 層次包括:CODEP、METALC、P0LYR 和 R0MC0DE。
[0036] 步驟13、結(jié)合電子文檔規(guī)格書(shū)(Accessory block list)查找對(duì)應(yīng)工藝的劃片槽的 所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形的信息。如下表一所示,為CZ6H工藝中所采用的類型為BOX Mark 的兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試圖形的信息。
[0037] 表一
[0039] 上述表一中,SCB002C1和SCB036為兩個(gè)用于檢測(cè)曝光質(zhì)量的圖形簡(jiǎn)稱Box mark 的名稱,Remark表示哪兩種光刻工程間的對(duì)準(zhǔn)關(guān)系。Size表示對(duì)應(yīng)的m
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