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檢測方法及檢測裝置的制作方法

文檔序號(hào):6901153閱讀:303來源:國知局
專利名稱:檢測方法及檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種檢測方法,且特別是有關(guān)于一種用以檢測一圓盤 的檢測方法及檢測裝置。
背景技術(shù)
隨著數(shù)字電子時(shí)代的來臨,半導(dǎo)體芯片已廣泛地應(yīng)用在各式各樣的電 子裝置中,而市場上對(duì)于半導(dǎo)體芯片的需求也日益殷切。因此,對(duì)于能夠 以便宜成本生產(chǎn)大量半導(dǎo)體芯片的技術(shù)也不斷尋求改良的方式。 一般在半 導(dǎo)體芯片的制造工藝中,包括有利用一檢測裝置進(jìn)行檢測的步驟,是于晶
片(wafer)的生產(chǎn)過程中檢測晶片表面,以通過檢測結(jié)果來顯示目前工藝 的狀況。進(jìn)一步可于工藝中反映出工藝質(zhì)量的異常,藉以監(jiān)控工藝品質(zhì)。 因此,晶片表面上用以進(jìn)行晶片表面檢測的測量點(diǎn)位置的決定,便會(huì)直接 影響檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。
請(qǐng)參照?qǐng)D1,其繪示現(xiàn)有晶片表面上測量點(diǎn)分布的示意圖。為了方便 決定多個(gè)測量點(diǎn)13于晶片表面10的位置,目前業(yè)界常用的決定方式,是 將晶片表面10上的測量點(diǎn)13依同心圓分布,并且以對(duì)稱的方式配置。此 外,當(dāng)檢測多個(gè)晶片表面10時(shí),每一次檢測晶片表面10的測量點(diǎn)13的 配置方式均相同。
然而,由于測量點(diǎn)13是依同心圓分布,且每一片晶片的測量位置均 相同,所以測量結(jié)果只能反映同心圓的狀況,無法完整表達(dá)整體制造工藝 的狀況,進(jìn)而無法有效地實(shí)時(shí)監(jiān)控制造工藝的質(zhì)量。此外,測量點(diǎn)13的 位置及數(shù)目,無法有效地與欲達(dá)到的檢測敏感度配合。也就是說,現(xiàn)有的 檢測方法及檢測裝置,無法有效地通過對(duì)應(yīng)調(diào)整測量點(diǎn)13的位置及數(shù)目 來改變檢測敏感度,大大限制了檢測方法及檢測裝置的應(yīng)用靈活性
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種檢測方法及一種檢測裝 置,用以檢測一圓盤。檢測方法是將圓盤的表面分割為多個(gè)面積相等的區(qū) 域,并且在這些區(qū)域中決定出多個(gè)測量位置,使得檢測位置可以涵蓋圓盤 表面上不同半徑及不同圓心角,藉以可提升圓盤檢測的準(zhǔn)確性。
根據(jù)本發(fā)明,提出一種檢測方法,用以檢測一圓盤。首先,將對(duì)應(yīng)于 圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。接著,于此多個(gè)區(qū)域中決 定多個(gè)測量位置。其次,經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于 圓盤的多個(gè)測量位置組。然后,依照此多個(gè)測量位置組檢測圓盤。
根據(jù)本發(fā)明,另提出一種檢測方法,用以檢測一圓盤。首先,由多個(gè) 區(qū)域提供多個(gè)測量位置組,此多個(gè)區(qū)域是通過根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓 心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面而形成。而后,利用抽出不放回的 方式,由此多個(gè)測量位置組中取出多個(gè)測量位置組,以組成一個(gè)測量位置 組集合。然后,依照取出的測量位置組集合檢測圓盤。
根據(jù)本發(fā)明,再提出一種檢測裝置,用以檢測一圓盤。檢測裝置包括 一分割單元、 一決定單元、 一轉(zhuǎn)換單元以及一檢測單元。分割單元用以將 對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相同面積的多個(gè)區(qū)域。決定單元用以 于此多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測量位置。轉(zhuǎn)換單元用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此 多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的多個(gè)測量位置組。檢測單元用以依照此 多個(gè)測量位置組檢測圓盤。
根據(jù)本發(fā)明,更提出一種檢測裝置,用以檢測一圓盤。檢測裝置包括 一取出單元以及一檢測單元。取出單元用以由多個(gè)測量位置組中利用抽出 不放回的方式取出多個(gè)測量位置組,以組成一個(gè)測量位置組集合。此多個(gè) 測量位置組是由根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于圓盤的 一坐標(biāo)平面而形成的多個(gè)區(qū)域所獲得。檢測單元用以依照取出的測量位置 組集合檢測圓盤。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉較佳的實(shí)施例,并配 合所附圖式,作詳細(xì)說明如下。


圖1繪示現(xiàn)有晶片表面上測量點(diǎn)分布的示意圖;圖2繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測裝置的功能方塊圖3繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法的流程圖4繪示半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)的坐標(biāo)圖5繪示分割為面積相等的多個(gè)測量區(qū)域的一圓盤的示意圖6繪示各晶片表面檢測值的平均值與真實(shí)平均值的差值的曲線以及
圖7繪示各晶片表面檢測值的標(biāo)準(zhǔn)差與真實(shí)標(biāo)準(zhǔn)差的差值的曲線圖。
主要元件符號(hào)說明
10:晶片表面
13、 43(1) 43(6):測量點(diǎn)
31:區(qū)域 33:測量位置 41:測量區(qū)域 100:檢測裝置 110:分割單元 130:決定單元 150:轉(zhuǎn)換單元 170:檢測單元 190:取出單元 400:圓盤 A、 B、 C、 D:曲線
rl r6:徑向分割的部分 ei e6:圓心角分割的部分
具體實(shí)施例方式
依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法及檢測裝置,用以檢測一圓盤
(disk)。檢測方法中是將圓盤的表面分割為面積相同的多個(gè)區(qū)域,并于決
定出多個(gè)測量位置(measuring location)之后,利用坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測 量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的一測量位置組(set of measuring locations )。以下是提出一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明,實(shí)施例僅用以作為范例說明,并不會(huì)限 縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外,實(shí)施例中的圖式是省略不必要的元件,以 清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2,其繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測裝置的功能方塊圖。
檢測裝置100是用以檢測圓盤,其是包括一分割單元110、 一決定單元 (determining unit) 130、 一轉(zhuǎn)換單元(transferring unit) 150以及一檢測 單元170。分割單元110是用以將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相 同面積的多個(gè)區(qū)域。決定單元130用以于此多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測量位 置。轉(zhuǎn)換單元150用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓 盤的多個(gè)測量位置組。檢測單元170用以依照此多個(gè)測量位置組檢測圓盤。
本實(shí)施例的檢測方法是輔以圖3進(jìn)行說明如下。圖3繪示依照本發(fā)明 較佳實(shí)施例的檢測方法的流程圖。本實(shí)施例的檢測方法首先執(zhí)行步驟Sl, 是將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。于本實(shí)施例 中,坐標(biāo)平面為由一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)所構(gòu)成的坐標(biāo)平面,且 坐標(biāo)平面是由分割單元IIO依據(jù)半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)進(jìn)行分割,以 對(duì)應(yīng)將圓盤分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。實(shí)際應(yīng)用上,檢測方法可于步驟 Sl之前,先進(jìn)行設(shè)定一檢測敏感度(sensitivity)的步驟,分割單元110 是用以依照檢測敏感度來分割坐標(biāo)平面。檢測敏感度是用以決定分割的區(qū) 域的數(shù)目。請(qǐng)參照?qǐng)D4,其繪示半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)的坐標(biāo)圖。本 實(shí)施例的檢測方法是于步驟Sl中,依照檢測敏感度將半徑平方參數(shù)均等 分割為n等份,并將圓心角參數(shù)均等分割為n等份,其中n為正整數(shù)。通 過這樣,可將半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)所構(gòu)成的坐標(biāo)平面分割為112個(gè)區(qū) 域31。并且利用例如是極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換,將112個(gè)區(qū)域31對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換為圓盤表面 上的面積相等的多個(gè)測量區(qū)域。
本實(shí)施例中,是以將半徑平方參數(shù)均等分割為6等份,并將圓心角參 數(shù)均等分割為6等份為例。請(qǐng)參照?qǐng)D5,其繪示分割為面積相等的多個(gè)測 量區(qū)域的一圓盤的示意圖。經(jīng)過極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換之后,是對(duì)應(yīng)將圓盤400于徑 向分割為6個(gè)部分rl r6,并且將圓盤400的圓心角分割為6部分01 06, 藉以將圓盤400分割為36個(gè)面積相等的測量區(qū)域41。另外一方面,本實(shí) 施例中是以將半徑平方參數(shù)均等分割為6等份,并將圓心角參數(shù)均等分割
9為6等份為例,然而參數(shù)的分割數(shù)目是不限制于此。本實(shí)施例的檢測方法 可依照不同的檢測敏感度設(shè)定,將此兩參數(shù)分別分割為小于或大于6等份,
例如分別分割為5等份、7等份或9等份。
接下來,本實(shí)施例的檢測方法進(jìn)行步驟S3,于此多個(gè)區(qū)域31中決定 多個(gè)測量位置(measuring locations) 33。本實(shí)施例中較佳地是由決定單元 130通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法(Design Of Experiment, DOE)的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù) (space-filling design methodology),于此多個(gè)區(qū)域31中決定多個(gè)測量位 置33。此多個(gè)測量位置33分別對(duì)應(yīng)于不同等份的半徑平方參數(shù)以及不同 等份的圓心角參數(shù),使得此多個(gè)測量位置33分別對(duì)應(yīng)位于不同的區(qū)域31 中,如圖4所示。本實(shí)施例中,圓心角參數(shù)為坐標(biāo)平面的縱坐標(biāo),半徑平 方參數(shù)為坐標(biāo)平面的橫坐標(biāo)。然而,圓心角參數(shù)及半徑平方參數(shù)也可分別 為坐標(biāo)平面的橫坐標(biāo)及縱坐標(biāo),如此可在不增加測量位置33數(shù)量的條件 下,取得不同分布方式的測量位置33。
再來,如步驟S5所示,經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測量位置33轉(zhuǎn)換為 對(duì)應(yīng)于圓盤400的一測量位置組(set of measuring locations)。本實(shí)施例中, 較佳地是由轉(zhuǎn)換單元150進(jìn)行轉(zhuǎn)換的動(dòng)作。每一測量位置組較佳地包含多 個(gè)(本實(shí)施例中例如為6個(gè))圓盤400上的測量點(diǎn)43(1) 43(6)。由于此 多個(gè)測量位置33分別對(duì)應(yīng)位于不同的區(qū)域31中,因此此多個(gè)測量點(diǎn) 43(1) 43(6)分別對(duì)應(yīng)位于圓盤400的不同的測量區(qū)域41中。本實(shí)施例中, 例如是利用極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換的方式將此多個(gè)測量位置33轉(zhuǎn)換為圓盤400上的 此多個(gè)測量點(diǎn)43(1) 43(6)。更詳細(xì)地來說,本實(shí)施例的轉(zhuǎn)換此多個(gè)測量 位置33的方法,首先例如是于圓盤400上設(shè)定一起始圓心角,并且接著 經(jīng)由檢測裝置100的轉(zhuǎn)換單元150從起始圓心角開始,依序?qū)⒋硕鄠€(gè)測量 位置33轉(zhuǎn)換為圓盤400上的此多個(gè)測量位置組。
本實(shí)施例的檢測方法接著執(zhí)行步驟S7,依照此多個(gè)測量位置組檢測圓 盤400。本實(shí)施例中,是由檢測裝置100的檢測單元170進(jìn)行檢測的動(dòng)作。
另外一方面,本實(shí)施例的檢測裝置100更包括一取出單元190。本實(shí) 施例的檢測方法中,是可重復(fù)執(zhí)行步驟S3及步驟S5數(shù)次,直到獲得此多 個(gè)數(shù)目的測量位置組。接著由取出單元190利用抽出不放回的方式,從此 多個(gè)測量位置組當(dāng)中取出多個(gè)測量位置組,以組成一測量位置組集合(collection of sets),并且由檢測單元170依照取出的測量位置組集合檢測 圓盤400。由于每一次執(zhí)行步驟S3時(shí)均通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技 術(shù)決定多個(gè)測量位置,可使每一次由步驟S5對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換出的測量位置組均 不相同。再者,每一次執(zhí)行步驟S5時(shí),可選擇性地改變起始圓心角,也 可使得對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換出的測量位置組均不相同。如此一來,可使圓盤400分別 對(duì)應(yīng)由不同的測量位置組來進(jìn)行檢測。
以下是根據(jù)模擬檢測結(jié)果來進(jìn)行說明??蓱?yīng)用于圓盤400的范例是包 括一晶片(wafer)。在模擬的步驟中,首先利用統(tǒng)計(jì)方法隨機(jī)產(chǎn)生晶片編 號(hào)1至晶片編號(hào)100的100片具有工藝缺陷圖案的晶片映像數(shù)據(jù)(wafer mapping data),用以作為真實(shí)的測量值的計(jì)算基礎(chǔ)。接著,依據(jù)現(xiàn)有的檢 測方法,于每一個(gè)晶片表面上取得9個(gè)位于同心圓上且對(duì)稱的測量點(diǎn),并 進(jìn)行檢測以取得測量值。另外,依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法,于每 一個(gè)晶片表面上取得9個(gè)測量點(diǎn)進(jìn)行檢測,以取得測量值。再來,將各晶 片表面上的測量點(diǎn)所取得的測量值的平均值與真實(shí)測量值的平均值的差 值,繪制成曲線圖,并且將各晶片表面上的測量點(diǎn)所取得的測量值的標(biāo)準(zhǔn) 差與真實(shí)測量值的標(biāo)準(zhǔn)差的差值,繪制成曲線圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6,其繪示各 晶片表面檢測值的平均值與真實(shí)平均值的差值的曲線圖。曲線A代表依照 本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法的檢測值,曲線B代表依照現(xiàn)有檢測方法的 檢測值。由圖5可知,相較于曲線B,曲線A實(shí)質(zhì)上更接近真實(shí)的平均值。 請(qǐng)參照?qǐng)D7,其繪示各晶片表面檢測值的標(biāo)準(zhǔn)差與真實(shí)標(biāo)準(zhǔn)差的差值的曲 線圖。曲線C代表依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法的檢測值,曲線D 代表依照現(xiàn)有檢測方法的檢測值。由圖6可知,相較于曲線D,曲線C實(shí) 質(zhì)上更接近真實(shí)的標(biāo)準(zhǔn)差。根據(jù)上述模擬實(shí)驗(yàn)的檢測結(jié)果可知,依照本發(fā) 明較佳實(shí)施例的檢測方法取得的檢測值的平均值及標(biāo)準(zhǔn)差,相較于現(xiàn)有檢 測方法取得的檢測值的平均值及標(biāo)準(zhǔn)差,更接近真實(shí)的檢測值。因此,依 照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法更可表達(dá)制造工藝的真實(shí)狀況,有效提升 檢測的準(zhǔn)確性。
上述依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法及檢測裝置,是將圓盤(例如 為晶片)表面分割為面積相等的多個(gè)測量區(qū)域,并且利用坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將多個(gè) 測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)圓盤表面的一個(gè)測量位置組。此外,檢測方法是于獲得多個(gè)測量位置組之后,利用抽出不放回的方式從此多個(gè)測量位置組中取 出多個(gè)以組成一個(gè)測量位置組集合,并且依照測量位置組集合檢測圓盤。 本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測方法中,可依照預(yù)先設(shè)定的檢測敏感度,決定圓 盤上測量點(diǎn)的數(shù)量,具有良好的檢測靈活性。再者,由于每次檢測圓盤的 測量位置組均不相同,且每一個(gè)測量位置組均涵蓋不同的半徑與圓心角區(qū) 域,是可提升檢測的準(zhǔn)確性,進(jìn)而使測量結(jié)果更能充分反映工藝現(xiàn)況。此 外,檢測方法可應(yīng)用于在線的檢測系統(tǒng)中,通過檢測系統(tǒng)自動(dòng)取得圓盤表 面上的檢測點(diǎn),可于工藝中實(shí)時(shí)進(jìn)行圓盤表面的質(zhì)量檢測,以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)圓 盤質(zhì)量的異常,提升檢測效率。
綜上所述,雖然本發(fā)明己以一較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限 定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán) 利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種檢測方法,用以檢測一圓盤,其特征在于,該方法包括將對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域;于該多個(gè)區(qū)域中決定多個(gè)測量位置;經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將該多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于該圓盤的多個(gè)測量位置組;以及依照該多個(gè)測量位置組檢測該圓盤。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟中,該坐標(biāo)平面是依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)進(jìn)行分 割的。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法,其特征在于,該半徑平方參數(shù) 及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的坐標(biāo)軸項(xiàng)目。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,于決定該多個(gè)測 量位置的該步驟中,該多個(gè)測量位置是由實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù) 決定的。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,于決定該多個(gè)測 量位置的該步驟中,該多個(gè)測量位置分別對(duì)應(yīng)于不同的該多個(gè)區(qū)域。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟前,該方法更包括設(shè)定一檢測敏感度,以決定該多個(gè)區(qū)域的數(shù)目。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測方法,其特征在于,于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟中,該坐標(biāo)平面是依照該檢測敏感度將該半徑平方參數(shù)均等分 割為n等份,并將該圓心角參數(shù)均等分割為n等份,其中n為正整數(shù)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測方法,其特征在于,于決定該多個(gè)測 量位置的該步驟中,該多個(gè)測量位置分別對(duì)應(yīng)不同等份的該半徑平方參數(shù) 及不同等份的該圓心角參數(shù),使得該多個(gè)測量位置分別對(duì)應(yīng)位于不同的該 多個(gè)區(qū)域中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,轉(zhuǎn)換該多個(gè)測量 位置的該步驟包括設(shè)定一起始圓心角;及由該起始圓心角依序?qū)⒃摱鄠€(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為 該多個(gè)測量位置組。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,更包括-重復(fù)執(zhí)行決定該多個(gè)測量位置的該步驟及轉(zhuǎn)換該多個(gè)測量位置的該步驟,直到獲得該多個(gè)測量位置組;及利用抽出不放回的方式,由該多個(gè) 測量位置組中取出多個(gè)測量位置組,以組成一測量位置組集合,并依照取 出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,該圓盤包括一晶片。
12、 一種檢測方法,用以檢測一圓盤,其特征在于,該檢測方法包括 由多個(gè)區(qū)域提供多個(gè)測量位置組,該多個(gè)區(qū)域是通過根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面而形成;利用抽出不放回的方式,由該多個(gè)測量位置組中取出多個(gè)測量位置組,以組成一個(gè)測量位置組集合;以及依照取出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測方法,其特征在于,于提供該多個(gè) 測量位置組的該步驟中,該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平 面的一縱坐標(biāo)及一橫坐標(biāo)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測方法,其特征在于,于提供該多個(gè) 測量位置組的該步驟中,該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平 面的一橫坐標(biāo)及一縱坐標(biāo)。
15、 一種檢測裝置,用以檢測一圓盤,其特征在于,該檢測裝置包括 一分割單元,用以將對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相同面積的多個(gè)區(qū)域;一決定單元,用以于該多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測量位置; 一轉(zhuǎn)換單元,用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將該多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于該 圓盤的多個(gè)測量位置組;以及一檢測單元,用以依照該多個(gè)測量位置組檢測該圓盤。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,該分割單元用 以依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)將該坐標(biāo)平面分割為該多個(gè)區(qū)域。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢測裝置,其特征在于,該半徑平方參 數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的一縱坐標(biāo)及一橫坐標(biāo);或者該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的一橫坐標(biāo)及一 縱坐標(biāo)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,該決定單元是 通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù)決定該多個(gè)測量位置。
19、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,該多個(gè)測量位置分別對(duì)應(yīng)于不同的該多個(gè)區(qū)域。
20、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,該分割單元是 依照一檢測敏感度分割該坐標(biāo)平面,以決定該多個(gè)區(qū)域的數(shù)目。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的檢測裝置,其特征在于,該分割單元是 用以依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)將該坐標(biāo)平面分割為該多個(gè)區(qū) 域,該分割單元是用以將該半徑平方參數(shù)均等分割為n等份,并將該圓心 角參數(shù)均等分割為n等份,其中n為正整數(shù)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的檢測裝置,其特征在于,該多個(gè)測量位 置分別對(duì)應(yīng)不同等份的該半徑平方參數(shù)及不同等份的該圓心角參數(shù),使得 該多個(gè)測量位置分別對(duì)應(yīng)位于不同的該多個(gè)區(qū)域中。
23、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,該轉(zhuǎn)換單元是 用以由一起始圓心角依序?qū)⒃摱鄠€(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為該多個(gè)測量位置組。
24、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置,其特征在于,更包括 一取出單元,用以由該多個(gè)測量位置組中,利用抽出不放回的方式取出多個(gè)測量位置組,以組成一測量位置組集合;其中,該檢測單元用以依照取出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
25、 一種檢測裝置,用以檢測一圓盤,其特征在于,該檢測裝置包括 一取出單元,用以由多個(gè)測量位置組中利用抽出不放回的方式取出多個(gè)測量位置組,以組成一個(gè)測量位置組集合,該多個(gè)測量位置組是由根據(jù) 一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面而形成 的多個(gè)區(qū)域所獲得;以及一檢測單元,用以依照取出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的檢測裝置,其特征在于,該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的坐標(biāo)軸項(xiàng)目。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測方法及檢測裝置。檢測裝置包括一分割單元、一決定單元、一轉(zhuǎn)換單元以及一檢測單元。檢測方法包括以下步驟。首先,將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。其次,于此多個(gè)區(qū)域中決定多個(gè)測量位置。接著,經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的多個(gè)測量位置組。然后,依照此多個(gè)測量位置組檢測圓盤。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101630649SQ200810169190
公開日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2008年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月16日
發(fā)明者周宗賢, 涂凱文, 潘文森, 王仁宏 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司
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