專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于數(shù)碼照相機(jī)和手機(jī)等中的半導(dǎo)體器件，例如半導(dǎo)體攝
像元件、光電IC等的光接收元件；或LED、激光等的發(fā)光元件，及其制造
方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著電子設(shè)備的小型化、薄型化且輕量化，提高了對(duì)半導(dǎo)體 器件的高密度封裝化的要求。進(jìn)一步地，提出了與因微細(xì)加工技術(shù)的進(jìn)步 所產(chǎn)生的半導(dǎo)體元件的高集成化相結(jié)合、直接對(duì)芯片尺寸封裝或裸芯片的 半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝的、所謂的芯片封裝技術(shù)的方案。
例如，作為半導(dǎo)體器件的已有技術(shù)(例如參照WO2005/022631號(hào)公報(bào))， 有在半導(dǎo)體攝像元件中利用粘接劑將透明板貼合到半導(dǎo)體元件的攝像區(qū)域 上、來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體攝像元件的薄型化與低成本化的元件結(jié)構(gòu)及制造方法。
如圖3所示，該方法是在具有攝像區(qū)域21的半導(dǎo)體元件22上，利用 粘接劑23固定玻璃等保護(hù)構(gòu)件24，在半導(dǎo)體元件22的電極25的正下方形 成貫通孔26，在貫通孔26內(nèi)壁及半導(dǎo)體元件22的背面形成絕緣層27以后， 利用導(dǎo)體層28電連接電極25與形成于半導(dǎo)體元件22的背面的外部電極 30，通過(guò)這樣得到半導(dǎo)體攝像元件。這樣，半導(dǎo)體攝像元件的外形尺寸與 半導(dǎo)體元件22等同，實(shí)現(xiàn)了與所謂芯片尺寸同等的小型化。
但是，上述那樣的已有的半導(dǎo)體器件的情況中，產(chǎn)生如下問(wèn)題，作為 在半導(dǎo)體元件形成貫通孔的方法，采用等離子體蝕刻或RIE(Reactive Ion Etching:反應(yīng)離子蝕刻)等的干法蝕刻，但半導(dǎo)體晶片的厚度約為50 200jiim左右，由于需要蝕刻這樣的深度，在制造工序中需要較多的時(shí)間， 結(jié)果成為產(chǎn)品成本高的主要原因。
另外，產(chǎn)生如下問(wèn)題，由于貫通孔的長(zhǎng)寬比大，在貫通孔形成之后的工序中在貫通孔內(nèi)形成絕緣膜時(shí)，絕緣膜的厚度在貫通孔的底側(cè)變薄，在 貫通孔內(nèi)利用電鍍處理形成導(dǎo)體層時(shí)，電鍍液不易浸入貫通孔底面附近從 而導(dǎo)體層形成得不均勻，作為產(chǎn)品得不到所要的電氣特性，發(fā)生成品率的 下降等，與上述同樣地，結(jié)果成為作為產(chǎn)品成本高的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述已有的問(wèn)題，其目的在于提供縮短制造工序所需要 的時(shí)間，并且能抑制產(chǎn)品成品率的下降，既能抑制產(chǎn)品的成本上升，又可 實(shí)現(xiàn)高可靠性且產(chǎn)量高的元件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，具有在1主面形成連接突 起部的多個(gè)電極部的半導(dǎo)體元件；及對(duì)前述半導(dǎo)體元件利用透明粘接構(gòu)件 進(jìn)行粘接的光學(xué)部件、使其覆蓋前述突起部和前述電極部，前述光學(xué)構(gòu)件 與前述突起部連接，前述透明粘接構(gòu)件的相對(duì)于應(yīng)力的位移量相比前述突 起部要大，而且，前述多個(gè)電極部通過(guò)形成于前述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)通用貫 通孔，與形成于前述半導(dǎo)體元件的另一面的外部電極電連接。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，具有在半導(dǎo)體晶片內(nèi)假 想等間隔地分割、形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在前述半導(dǎo)體晶片的1主 面上對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體元件形成多個(gè)電極部的工序；將突起部連接到每個(gè)電極 部的工序；對(duì)前述半導(dǎo)體晶片利用透明粘接構(gòu)件粘接光學(xué)構(gòu)件、使其覆蓋 前述電極部和前述突起部且與前述突起部連接的工序；研磨前述半導(dǎo)體晶 片的另一面的工序；在前述半導(dǎo)體晶片的另一面的前述電極部正下方附近 形成導(dǎo)通用貫通孔的工序；在前述導(dǎo)通用貫通孔的內(nèi)壁和半導(dǎo)體晶片的另 一面形成絕緣膜的工序；通過(guò)在前述導(dǎo)通用貫通孔內(nèi)壁的絕緣膜上和與導(dǎo) 通用貫通孔內(nèi)壁連接的前述半導(dǎo)體晶片的另一面的絕緣膜上的一部分形成 導(dǎo)體層、以前述導(dǎo)體層的前述半導(dǎo)體晶片的另一面一側(cè)作為外部電極，通 過(guò)前述導(dǎo)體層與前述電極部進(jìn)行電連接的工序；及通過(guò)將前述半導(dǎo)體晶片 按每個(gè)半導(dǎo)體元件進(jìn)行分割切斷、使半導(dǎo)體器件單片化的工序。
根據(jù)上述，半導(dǎo)體元件研磨時(shí)的加壓力通過(guò)突起部，在電極部正下方 的半導(dǎo)體元件部加壓力變高，研磨后該部分局部地變薄。因此，在半導(dǎo)體元件的研磨后形成導(dǎo)通用貫通孔時(shí)，能縮短蝕刻時(shí)間， 可提供成本低的產(chǎn)品。
另外，由于半導(dǎo)體元件與光學(xué)構(gòu)件的粘接結(jié)構(gòu)是突起部成為襯墊的結(jié) 構(gòu)，因此透明粘接構(gòu)件固化時(shí)的收縮應(yīng)力起作用，使用該半導(dǎo)體器件時(shí)， 即使周圍溫度上升，透明粘接構(gòu)件的厚度也不發(fā)生變化，能夠提高光學(xué)特 性的品質(zhì)。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件其在上述半導(dǎo)體器件中，前述導(dǎo)通用貫通 孔位于前述電極部的正下方，作為前述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與前述半導(dǎo)體 元件的前述1主面形成的角度，在1個(gè)導(dǎo)通用貫通孔中具有2個(gè)不同的角 度。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件其在上述半導(dǎo)體器件中，前述導(dǎo)通用貫通 孔位于前述電極部的正下方，作為前述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與前述半導(dǎo)體 元件的前述1主面形成的角度，在1個(gè)導(dǎo)通用貫通孔中具有2個(gè)不同的角 度，這些角度中，靠近前述半導(dǎo)體元件的另一面一側(cè)的前述導(dǎo)通用貫通孔 的側(cè)面所形成的角度較小。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法其在上述半導(dǎo)體器件的制造方 法中，研磨前述半導(dǎo)體晶片的另一面時(shí)，在前述突起部正下方的前述半導(dǎo) 體晶片形成成為前述導(dǎo)通用貫通孔的一部分的凹部。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法其在上述半導(dǎo)體器件的制造方 法中，使前述導(dǎo)通用貫通孔位于前述電極部的正下方，作為前述導(dǎo)通用貫 通孔的側(cè)面與前述半導(dǎo)體元件的前述1主面形成的角度，前述凹部的側(cè)面 與前述導(dǎo)通用貫通孔的凹部以外的部分是不同的角度。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法其在上述半導(dǎo)體器件的制造方 法中，使前述導(dǎo)通用貫通孔位于前述電極部的正下方，作為前述導(dǎo)通用貫 通孔的側(cè)面與前述半導(dǎo)體元件的前述1主面形成的角度，前述凹部的側(cè)面 與前述導(dǎo)通用貫通孔的凹部以外的部分是不同的角度，前述凹部的該角度較小。
根據(jù)上述，研磨時(shí)所形成的半導(dǎo)體元件的凹部成為研缽形狀，形成導(dǎo) 體層時(shí)的電鍍液容易浸入導(dǎo)通用貫通孔內(nèi)部，能提高電鍍處理中的成品率。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件其在上述半導(dǎo)體器件中，前述突起部是對(duì)
形成于由Au構(gòu)成的金屬細(xì)線的前端的球形金屬進(jìn)行接合的結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法其在上述半導(dǎo)體器件的制造方 法中，前述突起部是對(duì)形成于由Au構(gòu)成的金屬細(xì)線的前端的球形金屬進(jìn)行 接合的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述，可容易地對(duì)半導(dǎo)體元件的電極部形成突起部，能夠?qū)崿F(xiàn)成 本低的產(chǎn)品。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，形成突起部、該突起部具有相比將光學(xué)構(gòu)件 固定于半導(dǎo)體元件的電極部的透明粘接構(gòu)件的剛性要大的剛性，通過(guò)這樣 使研磨半導(dǎo)體元件時(shí)的加壓力通過(guò)突起部、集中于電極部正下方的半導(dǎo)體 元件部，研磨后該部分局部地變薄。
由此，在研磨半導(dǎo)體元件后形成導(dǎo)通用貫通孔時(shí)，能縮短蝕刻時(shí)間， 能夠提供成本低的產(chǎn)品。
另外，研磨時(shí)所形成的半導(dǎo)體元件的凹部為研缽形狀，形成導(dǎo)體層時(shí) 的電鍍液容易浸入導(dǎo)通用貫通孔內(nèi)部，能得到電鍍處理的成品率高的產(chǎn)品。
另外，由于半導(dǎo)體元件與光學(xué)構(gòu)件的粘接結(jié)構(gòu)是突起部成為襯墊的結(jié) 構(gòu)，因此透明粘接構(gòu)件固化時(shí)的收縮應(yīng)力起作用，使用該半導(dǎo)體器件時(shí)， 即使周圍溫度上升，透明粘接構(gòu)件的厚度也不發(fā)生變化，能夠提高光學(xué)特 性的品質(zhì)。
上述的結(jié)果，使制造工序所需要的時(shí)間縮短，并且作為產(chǎn)品能抑制成 品率的下降，既能抑制產(chǎn)品的成本上升，又可實(shí)現(xiàn)高可靠性且產(chǎn)量高的元 件結(jié)構(gòu)。


圖1示出本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序類別的概 要剖視圖。
圖2示出本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通用貫通孔部分的詳 細(xì)圖。
圖3示出已有的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖4A示出作為本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件用于發(fā)光元件的LED 時(shí)的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖4B示出作為本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件用于發(fā)光元件的LED 時(shí)的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖具體說(shuō)明表示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件及其制 造方法。此外，附圖中標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)的部分，有時(shí)也省略其說(shuō)明。另外， 附圖中為易于理解，以各自的構(gòu)成要素為主體圖解表示，并未正確地表示 其形狀等。
首先，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，以光接受元件的一種的半導(dǎo)體 攝像元件為例進(jìn)行說(shuō)明。
圖1示出作為本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體攝像元件的制 造方法的工序類別的概要剖視圖。圖2是作為本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體 器件的半導(dǎo)體攝像元件中的導(dǎo)通用貫通孔部分的詳細(xì)圖。
圖1和圖2中，l為半導(dǎo)體晶片，2為攝像區(qū)域，3為電極部，4為突 起部，5為切斷線，6為半導(dǎo)體元件，7為光學(xué)構(gòu)件，8為粘接劑(透明粘 接構(gòu)件)，9為凹部，IO為貫通孔，11為貫通孔導(dǎo)體部(導(dǎo)體層)，12為外部 電極(導(dǎo)體層)，13為焊錫球，14為絕緣膜，15為導(dǎo)通用貫通孔。
首先，如圖1所示，在半導(dǎo)體晶片內(nèi)假想等間隔地分割，形成多個(gè)半 導(dǎo)體元件6，在各半導(dǎo)體元件6上的預(yù)定位置配置形成攝像區(qū)域2和電極部 3。接著，在半導(dǎo)體元件6上的電極部3形成突起部4。此處，作為半導(dǎo)體 晶片1，例如使用由硅、鍺或化合物半導(dǎo)體材料(例如GaAs、 InP、 GaN、 SiC等)等構(gòu)成，厚度為200 80(Him左右，尺寸為2英寸0) 15英寸O左 右的圓盤形的半導(dǎo)體基板。
對(duì)電極部3的突起部4的形成方法，是稱之為所謂碰珠的方法，用引 線接合器，以超聲波熱壓等方法將形成于Au金屬細(xì)線(Au絲)前端的球形 突起物接合到半導(dǎo)體元件6上的電極部3。所用的Au絲的直徑為15 30pmO左右，形成于Au絲前端的球形突起物的尺寸為30 卯nmO左右。Au的球形突起物重量為10 100g左右，加熱溫度為80 15(TC左右。如此 形成的突起部4的尺寸，其直徑為40 150pm左右，厚度為10 80nm左右。
根據(jù)該方法，由于能非常高精度地形成突起部4的尺寸，所以此后能 使粘接到半導(dǎo)體元件6上的光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體元件6上的攝像區(qū)域2之 間的距離均勻，作為半導(dǎo)體攝像元件能得到偏差較小的高品質(zhì)的結(jié)構(gòu)。另 外，作為突起部4的其他形成方法，還有利用電鍍將Ni、 Au、 Cu等形成 于電極部3的方法，和利用光刻技術(shù)將感光性樹(shù)脂有選擇地形成于電極部3 上的方法。在任一種形成方法中，該突起部4其剛性都大于此后粘接光學(xué) 構(gòu)件7的粘接劑8。
艮P，粘接劑8的相對(duì)于應(yīng)力的位移量大于突起部4而構(gòu)成。如本實(shí)施 例那樣，通過(guò)釆用Au等金屬，突起部4的彈性模數(shù)為10GPa 300GPa左 右，粘接劑8通常是不含填充料的環(huán)氧、硅、丙烯系等，其彈性模數(shù)通常 為0.01 10GPa左右，因此容易使粘接劑8的相對(duì)于應(yīng)力的位移量較大。
接著，如圖l(b)所示，利用粘接劑8對(duì)半導(dǎo)體晶片1固定玻璃等光學(xué) 構(gòu)件7，使其覆蓋形成于半導(dǎo)體晶片1內(nèi)的各半導(dǎo)體元件6上的攝像區(qū)域。 光學(xué)構(gòu)件7的材質(zhì)是玻璃或樹(shù)脂等，厚度為0.05 1.0mm左右。光學(xué)構(gòu)件7 的尺寸與半導(dǎo)體晶片l相同，為2英寸0 15英寸(D左右。粘接劑8為環(huán) 氧、硅、丙烯系等的樹(shù)脂。
對(duì)于固定光學(xué)構(gòu)件7的方法，首先，將粘接劑8涂布到半導(dǎo)體晶片1 上。作為涂布的方法，有利用滴涂器的涂布、或印刷方法、利用旋轉(zhuǎn)器的 旋轉(zhuǎn)涂布等的方法。然后，將光學(xué)構(gòu)件7設(shè)置于半導(dǎo)體晶片l上。此時(shí)， 加壓光學(xué)構(gòu)件7，使光學(xué)構(gòu)件7與突起部4連接。
上述的突起部4的形成方法，是在設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7之前將突起部4形 成于電極部3的方法，但也可為在設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7時(shí)，將預(yù)先形成在位于 電極部3的部分的突起部4設(shè)置到半導(dǎo)體晶片1的方法。
另外，作為將粘接劑8涂布到半導(dǎo)體晶片1的順序，說(shuō)明了在涂布粘 接劑8之后設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7的方法，但也可為在涂布粘接劑8之前，將光 學(xué)構(gòu)件7設(shè)置到半導(dǎo)體晶片1，臨時(shí)固定后，將粘接劑8注入到在由突起部4形成的、半導(dǎo)體晶片1與光學(xué)構(gòu)件7之間的間隙中的方法。此時(shí)，通過(guò)在 真空中注入，能在不發(fā)生氣泡的短時(shí)間內(nèi)將粘接劑8形成于半導(dǎo)體晶片1 上。
接著，固化完成粘接劑8。對(duì)于粘接劑8的固化方法，在粘接劑8為紫 外線固化型的情況中，可通過(guò)光學(xué)構(gòu)件7對(duì)粘接劑8照射紫外線來(lái)進(jìn)行。 另外，在粘接劑8為熱固化型的情況中，通過(guò)利用固化爐、加熱板、紅外 線燈等加熱粘接劑8到50 20(TC，使其固化。
接著，如圖l(c)所示，研磨半導(dǎo)體晶片1的背面，減小半導(dǎo)體晶片1 的厚度。研磨后的半導(dǎo)體晶片1的厚度為10 500)Lim左右。半導(dǎo)體晶片1 的研磨，利用一邊加壓半導(dǎo)體晶片1 一邊旋轉(zhuǎn)的磨具進(jìn)行機(jī)械研磨，或干 法蝕刻等方法來(lái)進(jìn)行。進(jìn)行機(jī)械研磨時(shí)，由于是突起部4其剛性大于粘接 劑8的構(gòu)成，所以因加壓半導(dǎo)體晶片1所引起的負(fù)重，集中加到突起部4 的正下方的半導(dǎo)體晶片1部，因此，突起部4的正下方的半導(dǎo)體晶片1的 研磨量比其他區(qū)域的研磨量要多，由此在半導(dǎo)體晶片1中突起部4的正下 方形成凹部9。凹部9的直徑為10 200pm，深度為3 lOOpm左右。
接著，如圖l(d)所示，半導(dǎo)體晶片1中，在半導(dǎo)體元件6的電極部3 的正下方形成達(dá)到電極部3的貫通孔10。對(duì)于貫通孔10的形成方法，在半 導(dǎo)體晶片1的背面有選擇地形成抗蝕劑等，利用等離子體蝕刻或濕法蝕刻 等將半導(dǎo)體晶片l背面露出的部分進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，也除去存在于電極部3 下部的Si或絕緣膜，露出電極部3的背面。
另外，此時(shí)，由于研磨時(shí)在半導(dǎo)體元件6的電極部3的正下方的半導(dǎo) 體晶片1部形成凹部9，所以作為形成貫通孔10時(shí)的蝕刻時(shí)間，可在短時(shí) 間內(nèi)完成，能提供成本低的半導(dǎo)體攝像元件，并且由于貫通孔10的深度淺， 可減小貫通孔10的直徑，在結(jié)構(gòu)上也容易微細(xì)化，對(duì)電極部3的多引腳化 也有效。另外，此時(shí)可得到含有貫通孔10和凹部9的導(dǎo)通用貫通孔15。
接著，如圖l(e)所示那樣，雖未圖示，在半導(dǎo)體晶片1的凹部9內(nèi)部 及貫通孔10的內(nèi)壁及半導(dǎo)體晶片1的整個(gè)背面，形成硅氧化膜等的絕緣膜 之后，利用光蝕刻等方法除去位于貫通孔IO底部的絕緣膜。然后，在凹部 9內(nèi)部、貫通孔10內(nèi)部及半導(dǎo)體晶片1的背面有選擇地形成導(dǎo)體層11、 12。導(dǎo)體層12成為外部電極12，在該區(qū)域形成焊錫球13。
圖2是導(dǎo)通用貫通孔15部分的詳細(xì)剖視圖，作為上述圖l(e)中說(shuō)明的 絕緣膜14的形成方法，通過(guò)使用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)的硅氧化膜 形成方法、或旋轉(zhuǎn)涂布的聚酰亞胺等的樹(shù)脂形成方法，可容易地進(jìn)行。
萬(wàn)一絕緣膜14也形成在貫通孔10的底部，所以需利用光刻法有選擇 地形成光致抗蝕劑之后，利用等離子體蝕刻或濕法蝕刻等除去位于貫通孔 10的底面的絕緣膜。
對(duì)導(dǎo)通用貫通孔15的導(dǎo)體層11的形成，利用濺射法等蒸鍍Ti/Cu膜 之后，采用由電解電鍍形成Ni、 Cu、 Au等的金屬膜的方法等。金屬膜的 厚度為0.1 2pm左右。在用濺射法的金屬膜蒸鍍前，利用干法蝕刻或濕法 蝕刻將導(dǎo)通用貫通孔15底面的電極部3蝕刻得薄些，使得貫通孔10底面 的電極部3與蒸鍍的金屬膜能以低電阻連接。此時(shí)，由于電極部3的厚度 薄到lpm左右，即使導(dǎo)通用貫通孔15底面的電極部3因過(guò)蝕刻消失，也還 有突起部4，所以不發(fā)生成品率的下降。
然后，利用電鍍形成導(dǎo)體層ll。電鍍使用電解電鍍、無(wú)電解電鍍等方 法。此時(shí)，由于貫通孔10形成于凹部9的底部，所以長(zhǎng)寬比小，電解液也 容易浸入貫通孔10的內(nèi)部，因此能容易地對(duì)貫通孔10內(nèi)部進(jìn)行導(dǎo)體層11 的形成。圖1中，導(dǎo)體層11是充填貫通孔10及凹部9的整個(gè)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)， 但也可為只充填貫通孔10的內(nèi)壁、凹部9的內(nèi)表面所形成的結(jié)構(gòu)。
接著，如圖l(f)所示，通過(guò)沿切斷線5將半導(dǎo)體晶片1分離成單個(gè)的半 導(dǎo)體元件6，使半導(dǎo)體攝像元件單片化。對(duì)于半導(dǎo)體攝像元件從半導(dǎo)體晶片 1的分離，使用利用切割法等同時(shí)切斷光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體晶片1的方法等。
完成后的半導(dǎo)體攝像元件，由于粘接劑8是至少在厚度方向上具有收 縮應(yīng)力的結(jié)構(gòu)，因此，以后因裝入設(shè)備后的周圍溫度變化不會(huì)使光學(xué)構(gòu)件7 與半導(dǎo)體元件6的攝像區(qū)域面間的尺寸發(fā)生變化，其光學(xué)特性的品質(zhì)優(yōu)良。
至此，作為半導(dǎo)體器件，以一種光接收元件的半導(dǎo)體攝像元件為例加 以說(shuō)明，但作為光接收元件，除半導(dǎo)體攝像元件之外，雖未圖示，還可舉 出光電IC等作為一個(gè)例子。
此外，上述的實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體器件，以半導(dǎo)體攝像元件或光電IC等的光接收元件的情況為例加以說(shuō)明，但作為發(fā)光元件的一種，在具
有平面形狀如圖4A所示、圖4A中箭頭所指的剖面形狀如圖4B所示那樣 的結(jié)構(gòu)、并在光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體元件6之間形成發(fā)光區(qū)域HR1的LED、 或未圖示的激光器發(fā)光元件等的情況中，也能夠同樣地實(shí)施，可得到同樣 的效果。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有在1主面形成有連接突起部的多個(gè)電極部的半導(dǎo)體元件；以及對(duì)所述半導(dǎo)體元件利用透明粘接構(gòu)件進(jìn)行粘接的光學(xué)構(gòu)件、使其覆蓋所述突起部和所述電極部，所述光學(xué)構(gòu)件與所述突起部連接，所述透明粘接構(gòu)件的相對(duì)于應(yīng)力的位移量相比所述突起部要大，而且，所述多個(gè)電極部通過(guò)形成于所述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)通用貫通孔，與形成于所述半導(dǎo)體元件的另一面的外部電極電連接。
2. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述導(dǎo)通用貫通孔位于所述電極部的正下方；作為所述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與所述半導(dǎo)體元件的所述1主面形成的 角度，在l個(gè)導(dǎo)通用貫通孔中具有2個(gè)不同的角度。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述導(dǎo)通用貫通孔位于所述電極部的正下方，作為所述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與所述半導(dǎo)體元件的所述1主面形成的 角度，在l個(gè)導(dǎo)通用貫通孔中具有2個(gè)不同的角度，這些角度中，靠近所述半導(dǎo)體元件的另一面一側(cè)的所述導(dǎo)通用貫通孔 的側(cè)面所形成的角度較小。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述突起部是對(duì)形成于由Au構(gòu)成的金屬細(xì)線的前端的球形金屬進(jìn)行接合的結(jié)構(gòu)。
5. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有 在半導(dǎo)體晶片內(nèi)假想等間隔地分割、形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序； 在所述半導(dǎo)體晶片的1主面上對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體元件形成多個(gè)電極部的工序；將突起部連接到每個(gè)電極部的工序；對(duì)所述半導(dǎo)體晶片利用透明粘接構(gòu)件粘接光學(xué)構(gòu)件、使其覆蓋所述電極部和所述突起部且與所述突起部連接的工序； 研磨所述半導(dǎo)體晶片的另一面的工序；在所述半導(dǎo)體晶片的另一面的所述電極部正下方附近形成導(dǎo)通用貫通 孔的工序；在所述導(dǎo)通用貫通孔的內(nèi)壁和所述半導(dǎo)體晶片的另一面形成絕緣膜的 工序；通過(guò)在所述導(dǎo)通用貫通孔內(nèi)壁的絕緣膜上和與導(dǎo)通用貫通孔內(nèi)壁連接 的所述半導(dǎo)體晶片的另一面的絕緣膜上的一部分形成導(dǎo)體層、以所述導(dǎo)體 層的所述半導(dǎo)體晶片的另一面一側(cè)作為外部電極、通過(guò)所述導(dǎo)體層與所述 電極部進(jìn)行電連接的工序；及通過(guò)將所述半導(dǎo)體晶片按每個(gè)半導(dǎo)體元件進(jìn)行分割切斷、使半導(dǎo)體器 件單片化的工序。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在研磨 所述半導(dǎo)體晶片的另一面時(shí)，在所述突起部正下方的所述半導(dǎo)體晶片形成 成為所述導(dǎo)通用貫通孔的一部分的凹部。
7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 使所述導(dǎo)通用貫通孔位于所述電極部的正下方，作為所述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與所述半導(dǎo)體元件的所述1主面形成的 角度，所述凹部的側(cè)面與所述導(dǎo)通用貫通孔的凹部以外的部分是不同的角 度。
8. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 使所述導(dǎo)通用貫通孔位于所述電極部的正下方，作為所述導(dǎo)通用貫通孔的側(cè)面與所述半導(dǎo)體元件的所述1主面形成的 角度，所述凹部的側(cè)面與所述導(dǎo)通用貫通孔的凹部以外的部分是不同的角 度，所述凹部的該角度較小。
9. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 所述突起部是對(duì)形成于由Au構(gòu)成的金屬細(xì)線的前端的球形金屬進(jìn)行接合的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明在半導(dǎo)體元件(6)的電極部(3)上形成突起部(4)，是與該突起部(4)抵接的結(jié)構(gòu)，用粘接劑(8)將光學(xué)構(gòu)件(7)固定于半導(dǎo)體元件(6)上。
文檔編號(hào)H01L31/02GK101442064SQ200810169138
公開(kāi)日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者富田佳宏, 藤本博昭 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社