專利名稱：檢測方法及檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種檢測方法及檢 測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路制作工藝是一種平面制作工藝，其結(jié)合光刻、刻蝕、沉積、 離子注入等多種工藝，在同一襯底上形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并 將其互相連接以具有完整的電子功能。其中，任一步工藝出現(xiàn)問題，都 可能會導(dǎo)致電路的制作失敗，因此，在工藝制作中常需要對各步工藝的 制作結(jié)果進行;險測，尤其對于光刻工藝，因其可以進行返工，修復(fù)光刻 中出現(xiàn)的問題，這一檢測過程更為關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體制造工藝的迅速發(fā)展，對制作工藝的檢測過程也更加復(fù) 雜，為提高檢測的效率，通常會利用檢測進程，控制整個檢測過程自動 完成。然而，對于不同的產(chǎn)品，其檢測進程中的各個參數(shù)及檢測條件也會各不相同，為此，對于新產(chǎn)品，在^r測前，需要4艮據(jù)該產(chǎn)品在該工藝 完成后的晶片情況對檢測進程進行重新設(shè)置，而在這一設(shè)置過程中，該 產(chǎn)品的制作處于停頓狀態(tài)，導(dǎo)致產(chǎn)品的生產(chǎn)效率較低。以光刻工藝為例，半導(dǎo)體芯片的制作通常分為多層，且每一層的制 作都需要進行圖形限定，以形成特定結(jié)構(gòu)。在芯片制造前，先根據(jù)芯片 上每一層的器件、金屬線、連接等的布局，設(shè)計制作該層的光刻掩膜版， 然后，再將各層的光刻掩膜版上的圖形層對層彼此套刻地準確地轉(zhuǎn)移到 晶片上來制作晶片上的器件和電路。這一套刻的準確度十分關(guān)鍵，要實 現(xiàn)電路正常工作，必須要確保每一次光刻時，掩膜版圖形都要與晶片表 面上已存在的圖形準確對準或至少達到一定的套準精度。因此，對光刻 工藝的很重要的一種檢測是對套刻精度的檢測其用于驗證本次光刻轉(zhuǎn)
移至晶片上的光刻圖形與晶片上已有的下層圖形間的套刻精度是否滿足 工藝制作的要求。為檢測套刻的精度，在每一層的光刻版掩膜版上都制作了對準標記， 所謂對準標記就是用于確定某層掩膜版和晶片上已形成的其下層圖形間的相對位置和方向的可見圖形。圖1A至1C為現(xiàn)有的對準標記的示意圖， 其中，圖1A為第一掩膜版上的第一對準標記，如圖1A所示，對于用于形 成晶片上第一層圖形的掩膜版，其上只有一個大的第一對準標記101。該 對準標記通常會由圖中所示的X向和Y向條形圖形組成，以同時實現(xiàn)對X 和Y方向的套刻精度的檢測。圖1B為第二掩膜版上的對準標記，該掩膜版上的圖形需要套刻于晶 片上已形成的第一掩膜版圖形上。如圖1B所示，該第二掩膜版上的第二 對準標記有110和120兩個。其中，較小的第二對準標記110是用于與檢測 其與第一掩膜版圖形的對準度的，較大的第二對準標記120是用于檢測在 后續(xù)工藝中第三掩膜版的套刻對準度的，其一般與第 一掩膜版中的標記 101大小、形狀相同，但位置不同。圖1C為第二次光刻后，轉(zhuǎn)移到晶片上的對準標記圖形，如圖1C所示， 第二次光刻后，第二掩膜版上的小第二對準標記ll()應(yīng)正好轉(zhuǎn)移到晶片上 留下的第 一掩膜版上的大的第 一對準標記101的中央，此時若檢測結(jié)果表 明該小的第二對準標記110位于第一對準標記101之內(nèi)，且二者中心在X和 Y方向上的位置偏差在工藝容忍的范圍內(nèi)，就可以認為本次光刻的掩膜版 上的其他圖形也與晶片上的下層圖形對準了 ，套刻精度達到了工藝要求； 否則，說明本次光刻的套刻精度未達到要求，需要進行返工處理。為提高套刻檢測的精度，申請?zhí)枮镺l 120876.7的中國專利申請公開了 一種新的對準標記，以便在進行套刻檢測時，可以更好地把握位置偏差 量，提高檢測的精度。但對于套刻情況的檢測，不僅僅需要提高其檢測 的精度，還需要提高其檢測的效率。
為提高檢測的效率，該套刻檢測過程是通過執(zhí)行套刻檢測進程來自 動完成套刻檢測的。但是，對于不同的產(chǎn)品，其所適用的檢測進程是不 同的，如技術(shù)節(jié)點的不同、所處工序的不同、器件尺寸的不同等都會影 響到對套刻檢測進程的設(shè)置。為此，每開發(fā)一種新產(chǎn)品，都需要在該產(chǎn) 品完成每一次光刻之后，根據(jù)其晶片制作的情況對該次光刻的套刻檢測進程的設(shè)置進行調(diào)整，形成新的^f企測進程，然后再利用該;險測進程完成套刻檢測。每一次檢測進程的設(shè)置需要耗時l小時左右， 一個新產(chǎn)品的光刻步驟至少在20步以上，而每次在對檢測進程進行設(shè)置時，整個生產(chǎn)的 工藝流程處于停止狀態(tài)，這也就意味著，僅因套刻檢測進程的設(shè)置步驟， 每一個新產(chǎn)品的完成都會推遲一天左右的時間，這對生產(chǎn)效率的提高很 不利。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種檢測方法及檢測系統(tǒng)，可以在無晶片的狀態(tài)下對 各檢測進程的檢測步驟和條件進行設(shè)置，避免了工藝流程的停頓，提高 了生產(chǎn)的效率。本發(fā)明提供的一種檢測方法，包括步驟 建立包含至少 一個^r測進程的進程組； 獲取待測晶片的數(shù)據(jù)；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的 檢測進程作為第 一檢測進程；利用待測晶片的數(shù)據(jù)對所述第一檢測進程進行調(diào)整，生成第二檢測 進程；執(zhí)行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。其中，所述第一檢測進程與所述待測晶片的技術(shù)節(jié)點和檢測工序相同。
其中，所述待測晶片的數(shù)據(jù)包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排 列周期。
其中，對所述第一檢測進程進行的調(diào)整包括對設(shè)置參數(shù)、定位對準 標記、定位晶片和設(shè)置測試條件的調(diào)整，其中，所述定位晶片由所述待 測晶片上的對版標記實現(xiàn)，且該對版標記為暗場版，，其中間位置有一圖 形，該圖形為中心具有一個十字的方框。
其中，所述檢測進程為檢測光刻套刻精度的進程，其所述的檢測對 象為用于判斷套刻精度的對準標記。
本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的一種檢測系統(tǒng)，包括 信息存儲裝置，用于存儲包含至少一個檢測進程的進程組； 數(shù)據(jù)獲取裝置，用于獲取待測晶片的數(shù)據(jù)；
信息選取裝置，與所述信息存儲裝置相連，用于在所述信息存儲裝 置中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第 一檢測進程；
進程生成裝置，與所述數(shù)據(jù)獲取裝置、信息選取裝置相連，用于生 成第二檢測進程，所述第二檢測進程是利用由所述數(shù)據(jù)獲取裝置獲得的 待測晶片的數(shù)據(jù)，對由所述信息選取裝置選取的第一檢測進程進行調(diào)整 后生成的；
執(zhí)行裝置，與所述進程生成裝置相連，用于執(zhí)行所述進程生成裝置 中的第二檢測進程，完成對所述待測晶片的檢測。
其中，所述第一檢測進程與所述待測晶片的技術(shù)節(jié)點和檢測工序相同。
其中，所述待測晶片的數(shù)據(jù)包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排 列周期。
其中，在所述進程生成裝置中對所述第一檢測進程進行的調(diào)整包括對設(shè)置參數(shù)、定位對準標記、定位晶片和設(shè)置測試條件的調(diào)整。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的檢測方法及檢測系統(tǒng)，利用新產(chǎn)品的相關(guān)數(shù)據(jù)對原有 的檢測進程進行修正，修正后的檢測進程可以實現(xiàn)對新產(chǎn)品的直接檢測， 因此，可以實現(xiàn)在晶片正式生產(chǎn)前，在無晶片的狀態(tài)下設(shè)置好各步檢測 的檢測進程，避免了工藝流程的停頓，提高了生產(chǎn)的效率。本發(fā)明的檢測方法，還考慮了可能影響檢測的多種因素，較全面地 對檢測進程進行了調(diào)整，其檢測的失敗率與有晶片的傳統(tǒng)方法相當，甚 至更低，可以確保檢測工藝的正常進行。


圖1A至1C為現(xiàn)有的對準標記的示意圖； 圖2為說明本發(fā)明第一實施例的流程圖； 圖3為本發(fā)明第二實施例所用的對版標記；圖4為本發(fā)明第一實施例與第二實施例中檢測失敗率的統(tǒng)計結(jié)果圖；圖5為本發(fā)明的檢測系統(tǒng)的示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。注意到本發(fā)明的處理方法可^f皮廣泛地應(yīng)用到許多應(yīng)用中，下面僅是 通過較佳的實施例來加以說明，當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例， 本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在本發(fā)明的 保護范圍內(nèi)。另外，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時， 為了便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對本 發(fā)明的限定，此外，在實際的制作中，應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維 空間尺寸。現(xiàn)有的半導(dǎo)體制作過程中，對工藝的檢測通常是通過執(zhí)行檢測進程 而自動實現(xiàn)的，但由于不同的產(chǎn)品在不同的工序所用的檢測進程是不同 的，對于每一新產(chǎn)品的制作，在對晶片進行檢測時，都需要先花費大量 的時間調(diào)整檢測進程，然后才能進行檢測，這大大降低了生產(chǎn)的效率。為此，本發(fā)明提出了一種檢測方法，直接利用原有的檢測進程，結(jié) 合新產(chǎn)品的相關(guān)信息數(shù)據(jù)，在生產(chǎn)的新產(chǎn)品晶片到達前，在無晶片的狀 態(tài)下形成了新的適用于新產(chǎn)品的檢測進程。本發(fā)明的檢測方法，首先，利用以前舊產(chǎn)品的檢測進程建立包含至 少一個的檢測進程的進程組。該進程組里的各檢測進程分別適用于檢測 不同產(chǎn)品的不同工序。然后，獲取待測晶片的數(shù)據(jù)， 一個新產(chǎn)品投入時， 晶片制作時各工序的參數(shù)設(shè)置已經(jīng)確定，如制作的晶片上各器件圖形的 大小、排列周期、制作的多晶硅柵極的高度等，而這些設(shè)計數(shù)據(jù)對于檢 測進程的設(shè)置很關(guān)鍵，要進行正確的檢測設(shè)置，必須先獲取這類的數(shù)據(jù)。接著，根據(jù)新產(chǎn)品的要求，在上述進程組中選取檢測對象與待測晶 片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程。如，要檢測技術(shù)節(jié)點為0.13|im的產(chǎn)品在光刻柵極圖形后達到的柵極線寬，就可以在建立的 線寬檢測進程組中選取舊產(chǎn)品中技術(shù)節(jié)點為0.13|im的產(chǎn)品對光刻柵極 后，柵極線寬進行檢測的檢測進程作為第一檢測進程。但是，作為新產(chǎn)品，其器件的形狀、大小、排列周期等都會與舊產(chǎn) 品有所不同，如果直接按適于舊產(chǎn)品的第一檢測進程對新產(chǎn)品進行檢 觀'j，必然會導(dǎo)致檢測失敗。因此，還需要結(jié)合待測晶片的數(shù)據(jù)對所選取 的第一檢測進程進行調(diào)整，生成適合于新產(chǎn)品的檢測的第二檢測進程。 如用新產(chǎn)品的器件形狀、大小、排列周期等數(shù)據(jù)替換原檢測程序中的同 類數(shù)據(jù)，使其適用于新產(chǎn)品的測試。
最后，可以執(zhí)行該適于新產(chǎn)品檢測的第二檢測進程，完成對新產(chǎn)品 的待測晶片的檢測。本發(fā)明的^r測方法，可以在沒有晶片的情況下預(yù)先形成適用于新產(chǎn)品的檢測進程，待新產(chǎn)品的晶片生產(chǎn)至檢測步驟時，不需要再等待檢測 進程的編制，可以直接進行檢測，提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明的第一實施例是利用本發(fā)明的檢測方法實現(xiàn)對光刻套刻精度的檢測，圖2為說明本發(fā)明第一實施例的流程圖，下面結(jié)合圖2對本 發(fā)明的第 一 實施例進行詳細說明。為檢查套刻的精度，在每一層的光刻版掩膜版上都制作了對準標記， 并在每一次光刻后，都需要對晶片上的對準標記進行套刻偏差檢查，以 確認本次光刻的圖形是否正確地與晶片上已形成的圖形相重疊。但是， 對于不同的產(chǎn)品的不同階段，其所適用的套刻檢測步驟和條件是不相同 的。為此，對于新產(chǎn)品，必須要對該產(chǎn)品每一步光刻的套刻精度檢測進 程進行重新設(shè)置，以形成的適合于新產(chǎn)品的檢測進程。本實施例中，該 檢觀'J進程的設(shè)置可以在無晶片的狀態(tài)下預(yù)先實現(xiàn)。首先，利用以前舊產(chǎn)品的檢測進程建立包含至少一個的檢測進程的 進程組(S201)。該進程組里的各檢測進程分別適用于檢測不同產(chǎn)品的 不同工序。對于不同的產(chǎn)品，其套刻檢測的步驟和參數(shù)設(shè)置會有很大的 區(qū)別，如制作0.18}xm 4支術(shù)節(jié)點的產(chǎn)品時所用的對準標記與0.13(im節(jié)點 產(chǎn)品的就不會相同，因此其套刻檢測條件也就完全不同。為應(yīng)用方便， 本實施例中，將進程組分為幾個小組，每一小組分別針對某一個技術(shù)節(jié) 點，如可以按0.25(im、 0.18|im、 0.13pm等技術(shù)節(jié)點分為幾個小進程組。另外，對于同 一技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)品，其所用的對準標記雖然可能相同， 但因其所處的工序不同，檢測條件也不會相同，如套刻多晶硅圖形后檢測對準標記的條件就與套刻接觸孔后檢測對準標記的條件不同。因此， 可以在進程組的每一技術(shù)節(jié)點的'j、進程組中，再按各工序的不同分為多
個套刻檢測進程。如在(U3(im的小進程組中，又分為柵極套刻檢測進 程、接觸孔套刻檢測進程、金屬線套刻檢測進程等。然后，獲取待測晶片的數(shù)據(jù)(S202)， 一個新產(chǎn)品投入時，產(chǎn)品的 相關(guān)信息已經(jīng)確定，如晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。對于 自動檢測，前提是要保證能檢測到對準標記，雖然對準標記通常都位于 晶片的切割線上，但由于不同產(chǎn)品的圖形尺寸和排列周期不相同，其對 準標記的位置也不會完全相同。為此，在建立適用于新產(chǎn)品的檢測程序 前，需要先獲取新產(chǎn)品(待測晶片)的該類基本信息數(shù)據(jù)。接著，可以根據(jù)新產(chǎn)品的工藝要求，在上述進程組中選取檢測對象 與待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程(S203 )，本 實施例中，檢測對象相同首先表現(xiàn)為用于檢測套刻精度的對準標記相 同。另外，對于套刻檢測進程，除了檢測的對象相同外，還要考慮到影 響其檢測結(jié)果的其他因素，如該產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點，該步檢測所處的工序， 即該步檢測是在形成柵極后還是形成金屬層后的光刻套刻檢測等，這些 也會對套刻檢測進程的設(shè)置有影響，因此，要求所選取的第一檢測進程， 不僅其對準標記要與待測晶片的相同，其檢測產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點、檢測的 工序也要與待測晶片的本步檢測相同，如本次要檢測的待檢測的晶片為 0.13pm的技術(shù)節(jié)點，且是對光刻接觸孔圖形后對其套刻精度的檢測， 則所選取的第 一檢測進程，是在所用對準標記與待測晶片相同的前提下 (通常技術(shù)節(jié)點相同的各產(chǎn)品所用的對準標記是相同的)，在0.13pm技 術(shù)節(jié)點的、進程組中選取的用于在舊產(chǎn)品中檢測光刻接觸孔圖形后的 套刻精度的檢測進程作為第 一檢測進程。另外，作為新產(chǎn)品，其器件的形狀、大小、排列周期等往往都與舊 產(chǎn)品有所不同，這會導(dǎo)致其準標記的位置與舊產(chǎn)品的不同，因此，即使 所選用的第一檢測進程與待測晶片的技術(shù)節(jié)點相同，對準標記相同，所 處工序相同，其所適用的檢測條件也不會相同。如果直接按所選用的適 于舊產(chǎn)品的第一4企測進程對新產(chǎn)品進行4企測，往往會導(dǎo)致無法正確定位 至對準標記，結(jié)果必然會是檢測失敗。因此，下一步需要結(jié)合前面在S202中獲取的待測品片的數(shù)據(jù)對所選取的第一檢測進程進行調(diào)整，生 成適合于新產(chǎn)品的檢測的第二檢測進程(S204)。本實施例中，可以利 用前面獲得的新產(chǎn)品的晶片尺寸、圖形尺寸和排列周期等數(shù)據(jù)對第一檢 測進程進行調(diào)整修正，如將第一檢測進程中利用產(chǎn)品的器件形狀、大小、 排列周期等數(shù)據(jù)用來定位對準標記的參數(shù)替換為新產(chǎn)品的相關(guān)數(shù)據(jù)，使 其適用于新產(chǎn)品的測試。這樣，在進行新產(chǎn)品檢測時，就可以依據(jù)這些 新的數(shù)據(jù)正確定位到其對準標記，并實現(xiàn)對其的套刻精度檢測。最后，可以執(zhí)行該適于新產(chǎn)品檢測的第二檢測進程，完成對新產(chǎn)品 的待測晶片的檢測(S205 )。執(zhí)行本實施例方法形成的第二檢測進程， 可以在待測晶片到位后，直接自動依次按設(shè)定好的條件和步驟對新產(chǎn)品 的待測晶片進行定位、檢測等操作，不需要再等到晶片到位后再進行檢 測進程的編制，減少了工藝流程的時間，提高了生產(chǎn)的效率。本實施例中，通過將新產(chǎn)品的相關(guān)數(shù)據(jù)與類似舊產(chǎn)品的檢測進程相 結(jié)合，得到了適用于新產(chǎn)品的檢測進程，實現(xiàn)了在無晶片狀態(tài)下對檢測 進程的編制。但是，在傳統(tǒng)的有晶片情況下編制的檢測進程，其自動檢 測的失敗率在10%左右，而采用本實施例的方法后，其檢測的失敗率有 所上升，達到20%左右，即，雖然采用第一實施例中的^^測方法可以令 生產(chǎn)的效率有所提升，但其檢測失敗率卻比有晶片的情況要更高一些。 為此，本發(fā)明的第二實施例在第一實施例的基礎(chǔ)上作了以下改進1、優(yōu)化了對版標記，除了用于檢測套刻精度的對準標記外，光刻 掩膜版上還會有另 一種用于定位晶片的標記一 一對版標記。通過對上述 失敗率較高情況的分析，發(fā)現(xiàn)大部分檢測失敗都是由于未能正確定位而 引起的，傳統(tǒng)的置檢測進程的方法，是在有晶片的情況下進行的，因此, 可以根據(jù)晶片表面的實際情況進行定位，對晶片上的對版標記的清晰度
要求不高。而采用本發(fā)明的方法后，該對版標記是由檢測設(shè)備按預(yù)先設(shè) 定的條件進行尋找定位的，此時，若該對版標記不夠清晰就會導(dǎo)致檢測 設(shè)備無法正確定位，如不同的晶片表面，其表面亮度不同，也會影響到 對版標記的定位效果。為此，需要選取一種受晶片表面情況影響不大的標記作為對版標記，圖3為本發(fā)明第二實施例所用的對版標記，如圖3 所示，該對版標記301為暗場版，圖中斜線部分代表的是不透光的部分， 該對版標記301的中間位置有一圖形，且該圖形為中心具有一個十字的 方框。實驗證實，采用圖3所示的對版標記可以降低晶片表面情況對其 定位的影響，提高了定位的正確度。2、除器件的形狀、大小、排列周期等位置、尺寸參數(shù)外，在S202 中還要獲取更多的有關(guān)新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)，以便在S204步驟中對檢測進程 的更多參數(shù)進行全面的修正。導(dǎo)致檢測失敗率較高的因素，，不僅僅是定位問題，還可能會因其他 檢測參數(shù)設(shè)置不合適而引起，如不同的晶片，其表面情況不同，檢測時 的光線強度、聚焦位置等參數(shù)可能會有所不同。為此，本發(fā)明的第二實 施例中，對檢測進程的調(diào)整是從設(shè)置參數(shù)(parameter)、定位對準標記 (alignment )、定位晶片(wafer map)和設(shè)置測試條件(test)四個方面進行 的。本實施例中，將晶片的表面凹凸度、表面介質(zhì)層厚度等多個可能影 響檢測的因素也考慮進去。如，當新產(chǎn)品的晶片的對準標記中，代表上 層的小對準標記和代表下層的大對準標記的高度差，與舊產(chǎn)品的相比有 所變化時，相應(yīng)地要對檢測時的聚焦條件等進行修正，而這一高度差的 數(shù)據(jù)可以在S202中根據(jù)新產(chǎn)品的設(shè)計直接得到，所以在無晶片狀態(tài)下 將這一新、舊產(chǎn)品的區(qū)別考慮進去，對新產(chǎn)品的檢測進程進行修正是可 行的。通過對可能影響到檢測進程的各個因素的全面考慮和修正，可以 令采用本發(fā)明的檢測方法對新產(chǎn)品的晶片進行檢測的失敗率降至與有 晶片情況下進行檢測時的相當或更低，更好地滿足了實際生產(chǎn)中的檢測 要求。圖4為本發(fā)明第一實施例與第二實施例中;f全測失敗率的統(tǒng)計結(jié)果 圖，如圖4所示，其中，401為采用第一實施例方法進行套刻精度檢測 的失敗率統(tǒng)計結(jié)果，402為采用本發(fā)明的第二實施例后套刻精度檢測的 失敗率統(tǒng)計結(jié)果，如圖中所示，采用第二實施例的全面修正方法后，其 檢測的失敗率明顯下降，可以更好地滿足生產(chǎn)檢測的要求。本發(fā)明的第 一和第二實施例是用于檢測光刻套刻精度的檢測方法， 在本發(fā)明的其他實施例中，本發(fā)明的檢測方法還可以應(yīng)用于其他的檢測 工藝中，本發(fā)明的第三實施例說明了利用本發(fā)明的檢測方法對刻蝕結(jié)果 進行檢測的過程。本實施例中，需要對0.13pm技術(shù)節(jié)點下的器件在刻蝕多晶硅柵極 后的柵極線寬進行檢測。首先，利用以前舊產(chǎn)品的柵極線寬檢測進程建 立包含至少一個的刻蝕結(jié)果檢測進程的進程組。該進程組里各進程分別 適用于4企測不同產(chǎn)品，如對于0.25pm、 0.18nm、 0.13|im等不同的技術(shù) 節(jié)點，分別具有不同的檢測進程。然后，獲取所需的待測晶片的數(shù)據(jù)， 一個新產(chǎn)品投入時，其上器件 的柵極的高度、線寬等參數(shù)已經(jīng)確定，此外，其晶片上各器件圖形的大 小、排列周期等數(shù)據(jù)也可以在制作前得知，因此，可以在無晶片的狀態(tài) 下事先得到晶片的這些相關(guān)數(shù)據(jù)。接著，根據(jù)新產(chǎn)品的要求，在上述進程組中選取檢測對象與待測晶 片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程。本實施例中，要檢測 技術(shù)節(jié)點為0.13pm的產(chǎn)品在刻蝕柵極圖形后達到的柵極線寬，就可以 在建立的線寬檢測進程組中選取舊產(chǎn)品中技術(shù)節(jié)點為0.13pm的產(chǎn)品對 柵極線寬進行檢測的檢測進程作為第 一檢測進程。然后，考慮到新產(chǎn)品的器件形狀、大小、排列周期等都會與舊產(chǎn)品 有所不同，結(jié)合待測晶片的數(shù)據(jù)對所選取的第一檢測進程進行調(diào)整，生
成適合于新產(chǎn)品的檢測的第二檢測進程。如用新產(chǎn)品的器件形狀、大小、 排列周期等數(shù)據(jù)替換原檢測程序中的同類數(shù)據(jù)，使得利用新的檢測進程 可以直接定位到用子檢測柵極線寬的測試圖形，并進行測試。最后，可以執(zhí)行該適于新產(chǎn)品檢測的第二檢測進程，完成對新產(chǎn)品 的待測晶片的柵極線寬的檢測。本實施例中，為了定位晶片的效果更好，可以采用圖3所示的對版標 記實現(xiàn)晶片的定位。另外，在對第一檢測進程進行修正時，同樣可以利 用已有的新產(chǎn)品信息，對設(shè)置參數(shù)、定位對準標記、定位晶片和設(shè)置測 試條件等四方面的多個參數(shù)進行全面修正，如柵極刻蝕的高度不同引起 的測試時聚焦位置的變化等，以進一步提高檢測效果。通過以上三個實施例可以看到，本發(fā)明的岸企測方法可以在晶片正式 生產(chǎn)前，在無晶片的狀態(tài)下設(shè)置好各步檢測的檢測進程，避免了工藝流 程的停頓，提高了生產(chǎn)的效率。圖5為本發(fā)明的4企測系統(tǒng)的示意圖，如圖5所示，本發(fā)明的檢測系統(tǒng) 由五部分組成，包括信息存儲裝置501，其用于存儲包含至少一個檢測產(chǎn)品的不同工序。該信息存儲裝置可以為計算機的存儲裝置，如硬盤、 軟盤等。數(shù)據(jù)獲取裝置502,該裝置用于獲取待測晶片的數(shù)據(jù)，包括晶片尺寸、 晶片上圖形的尺寸和排列周期等，除此以外，針對不同的檢測，其還需 要獲取不同的其他數(shù)據(jù)，如對于刻蝕結(jié)果的檢測，還要有刻蝕深度的數(shù) 據(jù)，對于套刻結(jié)果的檢測，可能需要上、下兩層高度差的數(shù)據(jù)等。該裝 置內(nèi)信息的獲取可以通過鍵盤直接錄入數(shù)據(jù)或通過網(wǎng)絡(luò)獲得數(shù)據(jù)而實 現(xiàn)，本實施例中，是通過鍵盤將所需新產(chǎn)品的相關(guān)數(shù)據(jù)錄入excel文件中實現(xiàn)數(shù)據(jù)的獲取。信息選取裝置503,該裝置與信息存儲裝置501相連，用于在信息 存儲裝置501中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進 程作為第一檢測進程，且該第一檢測進程與所述待測晶片的技術(shù)節(jié)點和檢測工序相同。其中，既可以直接將所選取的第一^r測進程存儲在該信 息選取裝置503中，也可以只將所選取的第一^r測進程在上述信息存儲 裝置501中的位置信息存儲在該信息選取裝置503中。進程生成裝置504，該裝置與數(shù)據(jù)獲取裝置502、信息選取裝置503 相連，用于生成第二檢測進程。該進程生成裝置504是利用由數(shù)據(jù)獲取 裝置502獲得的待測晶片的數(shù)據(jù)，對信息選取裝置503所選取的第一檢 測進程進行調(diào)整后生成新的適于新產(chǎn)品的第二纟全測進程的。本實施例 中，在利用excel文件實現(xiàn)數(shù)據(jù)的獲取后，將該excel文件和第一檢測進 程調(diào)入后面的進程生成裝置504中，實現(xiàn)對第一^r測進程的調(diào)整，并形 成了適合新產(chǎn)品的新的檢測進程。其中，對第一檢測進程的調(diào)整可以包 括設(shè)置參數(shù)、定位對準標記、定位晶片和設(shè)置測試條件等四方面的調(diào)整， 其調(diào)整時依據(jù)的是在數(shù)據(jù)獲取裝置中獲取的相關(guān)的數(shù)據(jù)。另外，注意到對于在信息選取裝置503中直接存儲第一檢測進程的 情況，進程生成裝置504可直接由信息選取裝置503中調(diào)用第一檢測進 程進行調(diào)整，對于在信息選取裝置503中存儲的是第一檢測進程的地址 的情況，則需要根據(jù)信息選取裝置503中的地址信息到信息存儲裝置 501中調(diào)用第一^r測進程，然后再對其進行調(diào)整，圖5中所示的為第一 種情況。執(zhí)行裝置505，與所述進程生成裝置504相連，用于執(zhí)行進程生成 裝置504中生成的第二檢測進程，完成對待測晶片的檢測。對于本發(fā)明第一實施例和第二實施例中所說的套刻檢測方法，本檢 測系統(tǒng)中控制檢測操作的檢測進程為檢測光刻套刻精度的進程。對于本 發(fā)明的第三實施例，檢測進程為柵極線寬檢測進程。
盡管通過在此的實施例描述說明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細地 描述了實施例，申請人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這 種細節(jié)上。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢和改進是顯而易見的。 因此，在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細節(jié)、表達的設(shè)備 和方法和說明性例子。因此，可以偏離這些細節(jié)而不脫離申請人總的發(fā) 明概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1. 一種檢測方法，包括步驟建立包含至少一個檢測進程的進程組；獲取待測晶片的數(shù)據(jù)；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；利用待測晶片的數(shù)據(jù)對所述第一檢測進程進行調(diào)整，生成第二檢測進程；執(zhí)行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。
2、 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述第一檢測進 程與所述待測晶片的技術(shù)節(jié)點和檢測工序相同。
3、 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述待測晶片的 數(shù)據(jù)包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。
4、 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于對所述第一檢測 進程進行的調(diào)整包括對設(shè)置參數(shù)、定位對準標記、定位晶片和設(shè)置測試 條件的調(diào)整。
5、 如權(quán)利要求4所述的檢測方法，其特征在于所述定位晶片由 所述待測晶片上的對版標記實現(xiàn)。
6、 如權(quán)利要求5所述的檢測方法，其特征在于所述對版標記為 暗場版，其中間位置有一圖形，且所述圖形為中心具有一個十字的方框。
7、 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述檢測進程為 檢測光刻套刻精度的進程。
8、 如權(quán)利要求7所述的檢測方法，其特征在于所述檢測對象為 用于判斷套刻精度的對準標記。
9、 一種檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括信息存儲裝置，用于存儲包含至少 一個檢測進程的進程組； 數(shù)據(jù)獲取裝置，用于獲取待測晶片的數(shù)據(jù)；信息選取裝置，與所述信息存儲裝置相連，用于在所述信息存儲裝 置中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；進程生成裝置，與所述數(shù)據(jù)獲取裝置、信息選取裝置相連，用于生 成第二檢測進程，所述第二檢測進程是利用由所述數(shù)據(jù)獲取裝置獲得的待測晶片的數(shù)據(jù)，對由所述信息選取裝置選取的第一檢測進程進行調(diào)整 后生成的；執(zhí)行裝置，與所述進程生成裝置相連，用于執(zhí)行所述進程生成裝置 中的第二檢測進程，完成對所述待測晶片的檢測。
10、 如權(quán)利要求9所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于所述第一檢測進 程與所述待測晶片的技術(shù)節(jié)點和檢測工序相同。
11、 如權(quán)利要求9所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于所述待測晶片的 數(shù)據(jù)包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。
12、 如權(quán)利要求9所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于在所述進程生成 裝置中對所述第一檢測進程進行的調(diào)整包括對設(shè)置參數(shù)、定位對準標 記、定位晶片和設(shè)置測試條件的調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測方法及檢測系統(tǒng)，檢測方法包括步驟建立包含至少一個檢測進程的進程組；獲取待測晶片的數(shù)據(jù)；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；利用待測晶片的數(shù)據(jù)對所述第一檢測進程進行調(diào)整，生成第二檢測進程；執(zhí)行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。采用本發(fā)明的檢測方法的檢測系統(tǒng)可以在無晶片的狀態(tài)下對檢測的步驟和條件進行設(shè)置，避免了因檢測進程的設(shè)置而導(dǎo)致工藝流程的停頓，提高了生產(chǎn)的效率。
文檔編號H01L21/66GK101211804SQ20061014881
公開日2008年7月2日 申請日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者軻 張 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司