本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體芯片、用于制造功率半導(dǎo)體芯片的方法以及功率半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

在本領(lǐng)域中通常通過(guò)超聲鍵合來(lái)實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片到外界的電連接，其中鋁線被鍵合到功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部。通過(guò)超聲鍵合，鋁線受到壓力和振動(dòng)而與功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部熔接結(jié)合。在該過(guò)程中，在鋁線和功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部之間形成摩擦焊接連接。

鑒于銅相對(duì)于鋁的更大導(dǎo)電性和伴隨的更低電損耗，在技術(shù)上有利的是使用銅線而不是鋁線，因此要使用銅線用于超聲鍵合?？紤]到銅線具有比功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部更大的硬度，并且考慮到在鍵合過(guò)程中銅線需要在功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化方向上接受壓力，可能對(duì)設(shè)置在鋁金屬化部下方的功率半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體區(qū)域造成損壞。

為了避免這種情況，DE 10 2006 023 167 B3提出使用設(shè)有厚金屬覆蓋層(例如鋁)的銅線進(jìn)行鍵合，金屬覆蓋層具有比銅線低的硬度。在鍵合連接中，銅線通過(guò)銅線的厚金屬覆蓋層熔合地結(jié)合到功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部，該金屬覆蓋層設(shè)置在銅線和功率半導(dǎo)體芯片的鋁金屬化部之間。金屬的厚金屬覆蓋層相對(duì)于銅線是軟的，其在鍵合期間用作彈性機(jī)械緩沖器，減小在銅線鍵合期間在功率半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生的局部高壓力負(fù)載。在此其缺點(diǎn)是生產(chǎn)具有這種厚金屬覆蓋層的銅線在技術(shù)上是昂貴的和不方便的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種具有金屬化部的功率半導(dǎo)體芯片，其中不具有厚金屬覆蓋層的銅線可以可靠地鍵合到所述金屬化部，而不會(huì)在鍵合過(guò)程中損壞功率半導(dǎo)體芯片。

該目的通過(guò)一種功率半導(dǎo)體芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述功率半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體部件主體并且具有多層金屬化部，該多層金屬化部布置在半導(dǎo)體部件主體上并且具有布置在半導(dǎo)體部件主體上方的鎳層。

此外，該目的通過(guò)一種用于制造功率半導(dǎo)體芯片的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法包括以下方法步驟：

a)提供半導(dǎo)體部件主體；

b)將含鋁的第一金屬層施加到所述半導(dǎo)體部件主體；

c)將為鉻層、鈮層或釩層形式的第二金屬層施加到所述第一金屬層，以及將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層施加到第二金屬層，并且通過(guò)基于電流的電鍍將鎳層施加到第三金屬層，或者將為鉻層、鈮層或釩層形式的第二金屬層施加到第一金屬層，以及將由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成的中間層施加到第二金屬層，以及將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層施加到中間層，并且通過(guò)基于電流的電鍍將鎳層施加到第三金屬層；或者

d)通過(guò)基于電流的電鍍將鎳層施加到所述第一金屬層。

更具體地，本發(fā)明的目的在于提供一種包括功率半導(dǎo)體芯片和銅線的功率半導(dǎo)體器件，其中銅線被鍵合(更具體地被超聲鍵合)到功率半導(dǎo)體芯片的金屬化部，銅線與功率半導(dǎo)體芯片的金屬化部的鍵合連接具有高機(jī)械強(qiáng)度。

本發(fā)明的有利改進(jìn)將從從屬權(quán)利要求變得明晰。

類似于功率半導(dǎo)體芯片的有利改進(jìn)，該方法的有利改進(jìn)將變得明晰，反之亦然。

如果金屬化部具有布置在半導(dǎo)體部件主體上的含鋁的第一金屬層，鎳層布置在第一金屬層上，則被證實(shí)是有利的。第一金屬層可更具體地布置在半導(dǎo)體部件主體的半導(dǎo)體材料上并且因此可與半導(dǎo)體部件主體的半導(dǎo)體材料機(jī)械接觸。

如果金屬化部具有為鉻層、鈮層或釩層形式的第二金屬層，以及布置在第二金屬層上且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層，所述鎳層布置在所述第三金屬層上，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的。通過(guò)這種方式，提供高度機(jī)械穩(wěn)固的層序列。

下述被進(jìn)一步證實(shí)是有利的，即金屬化部具有第二金屬層、中間層以及第三金屬層，所述第二金屬層為鉻層、鈮層或釩層的形式，所述中間層布置在第二金屬層上并且由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成，所述第三金屬層布置在所述中間層上并且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層的形式，所述鎳層布置在第三金屬層上。通過(guò)這種方式，提供非常高機(jī)械強(qiáng)度的層序列。如果第二金屬層采取鉻層的形式以及第三金屬層采取銀層的形式，并且如果中間層由鎳構(gòu)成，則提供極其高度機(jī)械穩(wěn)固的層序列。

在本文中，如果中間層具有200nm至3000nm的厚度，則被證實(shí)是有利的，因?yàn)樵摵穸却碇虚g層的技術(shù)上特別有效的厚度。

如果金屬化部具有布置在半導(dǎo)體部件主體上的含鋁的第一金屬層，第二金屬層設(shè)置在第一金屬層上，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的。由第二金屬層和第三金屬層構(gòu)成或由第二金屬層、中間層和第三金屬層構(gòu)成的中間層序列給予鎳層到第一金屬層的機(jī)械上非常穩(wěn)定的間接接合。第一金屬層可更具體地布置在半導(dǎo)體部件主體的半導(dǎo)體材料上，并且因此可與半導(dǎo)體部件主體的半導(dǎo)體材料機(jī)械接觸。

如果金屬化部具有布置在鎳層上的鈀層，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的，因?yàn)樵谶@種情況下鎳層被很好地受到保護(hù)防止氧化。

對(duì)此，如果金屬化部具有布置在鈀層上的金層，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的。金層可靠地防止碳在鈀上的催化積聚。

如果金屬化部具有布置在鎳層上的金層，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的，因?yàn)樵谶@種情況下鎳層被很好地受到保護(hù)防止氧化。

如果鎳層具有至少5μm的厚度并且更具體地具有至少10μm的厚度，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的，因?yàn)樵谶@種情況下鎳層具有特別高的機(jī)械強(qiáng)度。鎳層例如可具有5μm至50μm的厚度。

此外，如果第二金屬層具有10nm至100nm的厚度，則被證實(shí)是有利的，因?yàn)樵摵穸却淼诙饘賹拥募夹g(shù)上特別有效的厚度。

此外，如果第三金屬層具有100nm至2000nm的厚度，則被證實(shí)是有利的，因?yàn)樵摵穸却淼谌饘賹拥募夹g(shù)上特別有效的厚度。

下述被進(jìn)一步證實(shí)是對(duì)功率半導(dǎo)體器件有利的，即其具有本發(fā)明的功率半導(dǎo)體芯片和銅線，銅線被鍵合到金屬化部的鎳層、更具體地被超聲鍵合到金屬化部的鎳層，銅線的銅與鎳層的鎳接觸，因?yàn)殂~線通過(guò)鍵合連接、更具體地通過(guò)超聲鍵合連接非?？煽康亟Y(jié)合到鎳層。

如果將鈀層施加到鎳層，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的，因?yàn)樵谶@種情況下鎳層被很好地受到保護(hù)防止氧化。

對(duì)此，如果將金層施加到鈀層，則被進(jìn)一步證實(shí)是有利的。金層可靠地防止碳在鈀上的催化積聚。

如果將金層施加到鎳層，則進(jìn)一步證實(shí)是有利的，因?yàn)樵谶@種情況下鎳層被良好地受到保護(hù)防止氧化。

此外，對(duì)于用于制造功率半導(dǎo)體器件的方法而言有利的是，所述方法包括本發(fā)明的用于制造功率半導(dǎo)體芯片的方法，其包括以下進(jìn)一步的方法步驟，其在用于制造功率半導(dǎo)體芯片的方法之后進(jìn)行，在用于制造功率半導(dǎo)體芯片的方法期間施加的層，更具體地金屬層，一起形成金屬化部：

h)將銅線鍵合到金屬化部的鎳層，更具體地超聲鍵合到金屬化部的鎳層，銅線的銅與鎳層的鎳接觸。

銅線通過(guò)鍵合連接，更具體地通過(guò)超聲鍵合連接，非?？煽康亟Y(jié)合到鎳層。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的示例性實(shí)施例在附圖中示出并且在下面更詳細(xì)地闡述。在附圖中：

圖1示出了本發(fā)明的功率半導(dǎo)體芯片的截面圖；

圖2示出了具有本發(fā)明功率半導(dǎo)體芯片的功率半導(dǎo)體器件的截面圖，其中銅線鍵合到其金屬化部。

具體實(shí)施方式

圖1示出本發(fā)明的功率半導(dǎo)體芯片1的截面圖。該功率半導(dǎo)體芯片1具有半導(dǎo)體部件主體2，多層金屬化部10布置在其上。金屬化部10具有布置在半導(dǎo)體部件主體2上方的鎳層6。在半導(dǎo)體部件主體2和鎳層6之間，金屬化部10可具有任意數(shù)量的導(dǎo)電層，更具體地是金屬層。金屬化部10的目的是將功率半導(dǎo)體芯片1電連接到外界。

半導(dǎo)體部件主體2例如可采取二極管、晶體管或晶閘管的形式。半導(dǎo)體部件主體2例如包括諸如硅或碳化硅的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體部件主體2例如優(yōu)選至少基本上由諸如硅或碳化硅的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。例如可有一個(gè)或多個(gè)電絕緣層，諸如氧化物層或聚酰亞胺層，作為半導(dǎo)體部件主體2的組成部分布置在半導(dǎo)體材料上。此外，還可有至少一個(gè)金屬層，例如更具體地由鎢、鈦或鈦-鎢合金組成的至少一個(gè)金屬層，作為半導(dǎo)體部件主體2的組成部分布置在半導(dǎo)體材料上或布置在電絕緣層上。然而，對(duì)此而言，應(yīng)當(dāng)明確指出的是，不管怎樣可選地與此不同，若將鎳層6布置在導(dǎo)電層上并且因此與該層機(jī)械接觸，該導(dǎo)電層例如可為金屬層的形式，對(duì)于本發(fā)明的目的而言，該層始終是金屬化部10的組成部分，而不是半導(dǎo)體部件主體2的組成部分；對(duì)于本發(fā)明目的而言，在這種情況下半導(dǎo)體部件主體2的半導(dǎo)體材料不被認(rèn)為是層。半導(dǎo)體部件主體2的厚度優(yōu)選為30μm至700μm，更優(yōu)選為60μm至300μm。

金屬化部10可具體布置在半導(dǎo)體部件主體2的半導(dǎo)體材料上并且因此可與半導(dǎo)體部件主體2的半導(dǎo)體材料機(jī)械接觸。

金屬化部10具有布置在半導(dǎo)體部件主體2上的含鋁的第一金屬層3，鎳層6布置在第一金屬層3上。金屬化部10可在第一金屬層3和鎳層6之間具有任意數(shù)量的導(dǎo)電層，更具體地是金屬層。

金屬化部10可具有為鉻、鈮或釩層形式的第二金屬層4和布置在第二金屬層4上并且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層5，鎳層6布置在第三金屬層5上。第三金屬層5與第二金屬層4機(jī)械接觸。

作為對(duì)此的替代方案，金屬化部10可具有第二金屬層4、中間層13以及第三金屬層5，第二金屬層4為鉻、鈮或釩層的形式，中間層13布置在第二金屬層4上并且由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成，第三金屬層5布置在中間層13上并且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層的形式，鎳層6布置在第三金屬層5上。中間層13與第二金屬層4并與第三金屬層5機(jī)械接觸。中間層13優(yōu)選具有200nm至3000nm的厚度，更具體是1500nm的厚度。

金屬化部10可在半導(dǎo)體部件主體2和第二金屬層4之間具有任意數(shù)量的導(dǎo)電層，更具體是金屬層。金屬化部10例如可具有布置在半導(dǎo)體部件主體2上的含鋁的第一金屬層3，第二金屬層4布置在第一金屬層3上。第一金屬層3可具體地布置在半導(dǎo)體部件主體2的半導(dǎo)體材料上。

金屬化部10可具有布置在鎳層6上的鈀層7。金屬化部10可具有布置在鈀層7上的金層8。

或者，金屬化部10可具有布置在鎳層6上的金層。

應(yīng)當(dāng)指出的是，總體而言，金屬化部10的所有層，特別包括鎳層6的所有層，可例如通過(guò)本領(lǐng)域內(nèi)常規(guī)的方法制造，并且該常規(guī)的方法通常已知用于層的生產(chǎn)，例如諸如氣相沉積或?yàn)R射。

下面具體描述金屬化部10的一個(gè)有利實(shí)施例的金屬層的有利的形成。

在用于制造功率半導(dǎo)體芯片1的第一方法步驟中，提供半導(dǎo)體部件主體2。在隨后的另一方法步驟中，將含鋁的第一金屬層3施加到半導(dǎo)體部件主體2，更具體地施加到半導(dǎo)體部件主體2的半導(dǎo)體材料。第一金屬層3由鋁或鋁合金(例如AlSi)構(gòu)成?？衫缤ㄟ^(guò)電子束氣相沉積過(guò)程施加第一金屬層3。第一金屬層3優(yōu)選具有100nm至8000nm的厚度，更具體地具有1000nm至5000nm的厚度。第一金屬層3與半導(dǎo)體部件主體2機(jī)械接觸。

在隨后的另一方法步驟中，例如通過(guò)電子束氣相沉積過(guò)程，將為鉻、鈮或釩層形式的第二金屬層4施加到第一金屬層3。在這一點(diǎn)上應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本發(fā)明的目的而言，鉻、鈮或釩層不僅指由所提及的化學(xué)元素構(gòu)成的層，而且還指由所述化學(xué)元素與一種或多種其它化學(xué)元素的合金構(gòu)成的層。第二金屬層4優(yōu)選具有10nm至100nm的厚度，更具體地具有50nm的厚度。第二金屬層4與第一金屬層3機(jī)械接觸。

隨后例如通過(guò)電子束氣相沉積過(guò)程，將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層5施加到第二金屬層4。在這一點(diǎn)上可指出對(duì)于本發(fā)明的目的而言，銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層不僅指由所提及的化學(xué)元素構(gòu)成的層，而且還指由所述化學(xué)元素與一種或多種其它化學(xué)元素的合金構(gòu)成的層。第三金屬層5優(yōu)選具有100nm至2000nm的厚度，更具體地具有600nm至1500nm的厚度。第三金屬層5與第二金屬層4接觸。

作為對(duì)此的替代方案，在隨后的進(jìn)一步的方法步驟中，例如通過(guò)電子束氣相沉積過(guò)程，將為鉻、鈮或釩層形式的第二金屬層4施加到第一金屬層3，以及將由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成的中間層13施加到第二金屬層4，并且將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層5施加到中間層13。

隨后通過(guò)基于電流的電鍍將鎳層6施加到第三金屬層5。為此目的，除了第三金屬層5之外，到目前為止存在的功率半導(dǎo)體芯片的元件優(yōu)選地用電絕緣防護(hù)漆覆蓋。在電鍍中形成陰極的第三金屬層5隨后被放置成與電壓源的負(fù)電端子導(dǎo)電地連接。至此存在的功率半導(dǎo)體芯片的元件隨后被浸入到電解液中。

用于基于電流的電鍍來(lái)施加鎳層6的合適的電解液例如是氯化鎳(II)六水合物NiCl₂*6H₂O、七水合硫酸鎳(II)NiSO₄*7H₂O和硼酸(H₃BO₃)的混合物。連接到電壓源的正電端子的陽(yáng)極可例如采取可溶性陽(yáng)極的形式并且由鎳構(gòu)成，鎳?yán)缈梢陨⒀b材料的顆粒形式存在。

鎳層6與第三金屬層5機(jī)械接觸。

由第二金屬層4和第三金屬層5構(gòu)成的中間層序列給予鎳層6到第一金屬層3的非常良好的間接連接。經(jīng)由第二金屬層4和第三金屬層5，鎳層6以機(jī)械上非常穩(wěn)定的方式連接到第一金屬層3。由第二金屬層4和第三金屬層5以及鎳層6構(gòu)成的本發(fā)明的層序列因此具有極強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度，因此甚至允許銅線11(參見(jiàn)圖2)以特別可靠的方式鍵合到金屬化部10的鎳層6，例如通過(guò)超聲鍵合過(guò)程、具體是通過(guò)超聲楔焊鍵合到金屬化部10的鎳層6，該銅線11沒(méi)有厚的、特別是軟的金屬覆蓋層。

由第二金屬層4和第三金屬層5以及中間層13構(gòu)成的替代中間層序列允許鎳層6到第一金屬層3的非常好的間接連接。經(jīng)由第二金屬層4、經(jīng)由中間層13且經(jīng)由第三金屬層5，鎳層6以機(jī)械上非常穩(wěn)定的方式連接到第一金屬層3。由第二金屬層4和第三金屬層5以及中間層13以及鎳層6構(gòu)成的本發(fā)明的替代方案層序列因此具有極強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度，甚至允許銅線11(參見(jiàn)圖2)以特別可靠的方式鍵合到金屬化部10的鎳層6，例如通過(guò)超聲鍵合過(guò)程、具體是通過(guò)超聲楔焊鍵合到金屬化部10的鎳層6，該銅線11沒(méi)有厚的、特別是軟的金屬覆蓋層。

作為對(duì)此的替代方案，也可以不施加第二金屬層4和第三金屬層5，并且在將含鋁的第一金屬層3施加到半導(dǎo)體部件主體2之后，可通過(guò)基于電流的電鍍將鎳層6施加到第一金屬層3。在這種情況下，鎳層6的厚度應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地比當(dāng)存在第二金屬層4和第三金屬層5以及可選地存在中間層13時(shí)更厚，并且因此應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地通過(guò)基于電流的電鍍比當(dāng)存在第二金屬層4和第三金屬層5時(shí)更厚地施加。在該替代方案的情況下，鎳層6與第一金屬層3機(jī)械接觸。

鎳層6優(yōu)選具有至少5μm的厚度，更具體地具有至少10μm的厚度。鎳層6例如可具有5μm至50μm的厚度。在示例性實(shí)施例中，鎳層6的厚度為20μm。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)基于電流的電鍍施加鎳層6，相對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)用于施加金屬層的常規(guī)過(guò)程(濺射等)，該層可特別厚地、經(jīng)濟(jì)地且對(duì)半導(dǎo)體部件主體2無(wú)應(yīng)力地(不暴露于熱、輻射、壓力和/或溫度)施加，因此鎳層6具有特別的機(jī)械穩(wěn)定性。

在隨后的另一方法步驟中，為了防止鎳層6的氧化的目的，例如可將鈀層7施加到鎳層6，隨后在另一方法步驟中，金層8可施加到鈀層7。例如可通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)ENIPIG(Electroless Nickel Immersion Palladium Immersion Gold，化學(xué)鍍鎳浸鈀浸金)過(guò)程進(jìn)行鈀層7和金層8的施加。金防止碳在鈀上的催化積聚。鈀層7與鎳層6機(jī)械接觸。金層8與鈀層7接觸。鈀層7優(yōu)選具有5nm至100nm的厚度，更具體地10nm至60nm的厚度。金層8的厚度優(yōu)選為10nm至200nm，更優(yōu)選為20nm至120nm。

作為對(duì)此的替代方案，在隨后的另一方法步驟中，也可將金層8直接施加到鎳層6(圖中未示出)。這例如可通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold，化學(xué)鍍鎳浸金)過(guò)程進(jìn)行。在這種情況下，金層8與鎳層6機(jī)械接觸。在這種情況下，布置在第四金屬層6上的金層8優(yōu)選具有20nm至150nm的厚度，更具體地50nm至100nm的厚度。

鈀層7由鈀構(gòu)成，且金層8由金構(gòu)成。

圖2示出包括本發(fā)明的功率半導(dǎo)體芯片1的功率半導(dǎo)體器件9的截面圖，其中銅線7被鍵合到所述芯片1上的金屬化部10的鎳層6、更具體地被超聲鍵合到所述芯片1上的金屬化部10的鎳層6。

在這一點(diǎn)上應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本發(fā)明的目的而言，銅線是由銅構(gòu)成的或由主要成分是銅的銅合金構(gòu)成的線。該銅線可選地被包覆以受到保護(hù)防止氧化，例如由至少一個(gè)薄的覆蓋層包覆，在銅線11鍵合到功率半導(dǎo)體芯片1的金屬化部10時(shí)，該覆蓋層在銅線11與功率半導(dǎo)體芯片1的金屬化部10接觸的區(qū)域中被銅線11的快速振動(dòng)運(yùn)動(dòng)磨掉。銅線優(yōu)選具有100μm至500μm的直徑。在示例性實(shí)施例中，銅線的直徑為300μm。

以下描述功率半導(dǎo)體器件9的制造方法，其中用于制造功率半導(dǎo)體器件9的方法包括以上描述的用于制造功率半導(dǎo)體芯片1的方法，并且在制造功率半導(dǎo)體芯片1的方法之后，存在將銅線11鍵合到金屬化部10，更具體地超聲鍵合、更具體地超聲楔焊鍵合到金屬化部10，并且在鍵合發(fā)生之后，銅線11的銅與銅線11的金屬化部10的接觸。在示例性實(shí)施例中，在將銅線11鍵合到功率半導(dǎo)體芯片1的金屬化部10的過(guò)程中，存在的金層8和存在的鈀層7被銅線11的快速振動(dòng)運(yùn)動(dòng)磨掉，因此發(fā)生銅線11到金屬化部10的鎳層6的鍵合、更特別是超聲鍵合。銅線11的銅在此與鎳層6的鎳接觸。銅線11的銅與鎳層6的鎳的接觸在此通常以由銅線11的銅和由鎳層6的鎳形成的金屬間相12或合金12的形式存在。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員而言令人吃驚的是，在此產(chǎn)生的效果是，銅線11到鎳層6的鍵合，更具體地超聲鍵合，產(chǎn)生強(qiáng)度非常高的鍵合的銅-鎳連接。銅線11到鎳層6的這種鍵合，更具體地超聲鍵合，可以在接受相對(duì)低的銅線11的壓力下進(jìn)行，并且因此在鍵合、更具體地超聲鍵合期間，避免對(duì)功率半導(dǎo)體芯片1的損壞，特別是避免對(duì)半導(dǎo)體部件主體2的損壞。此外，相對(duì)于作為金屬化部的鍵合連接層的銅層，鎳層具有更大機(jī)械穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，這允許采取相同層厚度的鎳層比銅層在鍵合時(shí)接受更大的壓力。

然而，非常普遍地，在這一點(diǎn)上可再次明確指出的是，在本發(fā)明的上下文中，金屬化部10的所有層，特別是包括鎳層6的所有層，可通過(guò)本領(lǐng)域內(nèi)常規(guī)的方法制造，并且該常規(guī)的方法通常已知用于生產(chǎn)層，例如諸如氣相沉積或?yàn)R射。對(duì)于本發(fā)明而言的要點(diǎn)在于，金屬化部10包括鎳層6，從而產(chǎn)生銅線11可鍵合、更具體地超聲鍵合到的鎳層。銅線11的銅在此與鎳層6的鎳接觸。銅線11的銅與鎳層6的鎳的接觸在此通常以由銅線11的銅和由鎳層6的鎳形成的金屬間相12或者合金12的形式存在。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員而言令人吃驚的是，在此產(chǎn)生的效果是，銅線11到鎳層6的鍵合，更具體地超聲鍵合，產(chǎn)生強(qiáng)度非常高的鍵合的銅-鎳連接。在本發(fā)明的上下文中，金屬化部10的所有其它層可以任何方式形成，而其余的所述層和所述層序列在這種情況下特別有利。此外，所述的金屬化部10的層的產(chǎn)生也是特別有利的。

在這一點(diǎn)上應(yīng)當(dāng)指出的是，當(dāng)然本發(fā)明的不同示例性實(shí)施例的特征可以彼此任意地組合，只要特征不是相互排斥的即可。

應(yīng)當(dāng)指出的是，鎳層至少基本上由鎳構(gòu)成。還應(yīng)當(dāng)指出的是，鎳層優(yōu)選由鎳構(gòu)成，并且如果它由鎳構(gòu)成，則更具體地具有大于99.9重量％鎳的鎳含量。