技術(shù)編號(hào)：12598903
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。背景技術(shù)近年來，微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)市場與半導(dǎo)體工藝的其它領(lǐng)域已快速成長。MEMS的制造從半導(dǎo)體裝置制造中的工藝技術(shù)演進(jìn)，包括沉積工藝、蝕刻工藝以及可制造小型裝置的其它技術(shù)。所述技術(shù)其中之一，波希(Bosch)工藝，是廣泛用于達(dá)成MEMS產(chǎn)業(yè)中所使用的極高的深寬比(aspectratio)以及蝕刻硅微結(jié)構(gòu)的高蝕刻速率。波希工藝是切換工藝(switchedprocess)，其特征在于交替硅蝕刻、聚...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。