技術總結
本發(fā)明提供一種電阻式隨機存取存儲器，包括下部電極、上部電極、可變電阻層、氧交換層以及側壁保護層。下部電極設置于基底上。上部電極設置于下部電極上?？勺冸娮鑼釉O置于下部電極與上部電極之間。氧交換層設置于可變電阻層與上部電極之間。側壁保護層，其為氧供應層，至少設置于氧交換層的側壁。本發(fā)明提供的電阻式隨機存取存儲器，能夠增進存儲器元件的高溫數(shù)據(jù)保持特性以及耐久性，并且能夠增加存儲器元件的產(chǎn)率以及穩(wěn)定度。

技術研發(fā)人員：陳達;王炳琨;廖紹憬;許博硯;陳宜秀;沈鼎瀛;吳伯倫;林孟弘
受保護的技術使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號碼：201610120845
技術研發(fā)日：2016.03.03
技術公布日：2017.06.20