本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種聲波設(shè)備及其晶圓級(jí)封裝方法。

背景技術(shù)：

隨著無線移動(dòng)通信系統(tǒng)所支持的模式及頻段的不斷增加，當(dāng)前無線通信移動(dòng)終端的射頻前端架構(gòu)也變得越來越復(fù)雜。

圖1為一個(gè)支持2G、3G、4G多模式以及各個(gè)模式中多個(gè)頻段的無線通信移動(dòng)終端的射頻前端架構(gòu)。108是移動(dòng)終端的射頻收發(fā)信機(jī)芯片，負(fù)責(zé)將基帶芯片產(chǎn)生的射頻信號(hào)發(fā)送到對應(yīng)的功率放大器芯片以及對接收到的射頻信號(hào)進(jìn)行處理。107、105、106分別是2G功率放大器芯片、3G/4G單頻功率放大器芯片、3G/4G多模多頻功率放大器芯片，這些芯片都對從射頻收發(fā)信機(jī)108所發(fā)送來的射頻信號(hào)進(jìn)行功率放大。104為一系列雙工器芯片，每一個(gè)FDD模式的頻段都需要一個(gè)對應(yīng)的雙工器芯片來進(jìn)行發(fā)射和接收信號(hào)的分離。103是一個(gè)集成了低通濾波器的單刀多擲射頻天線開關(guān)芯片，用于將多個(gè)射頻功率放大器的輸出信號(hào)以及多路從天線接收到的射頻信號(hào)進(jìn)行分路分離，以使得多個(gè)射頻發(fā)射通路及多個(gè)射頻接收通路可以共享同一個(gè)主天線101。單刀多擲射頻天線開關(guān)芯片103中通常都集成兩個(gè)低通濾波器，分別用于濾除2G高頻段(1710-1910MHz)射頻功率放大器的諧波及2G低頻段(820-920MHz)射頻功率放大器的諧波。102是一個(gè)連接在主天線101與多模多頻射頻天線開關(guān)芯片103之間的天線匹配調(diào)諧芯片，用于對天線阻抗匹配進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)以保證良好的天線阻抗匹配。111是一個(gè)分集射頻天線開關(guān)芯片，用于對從分集天線112上接收到的射頻信號(hào)進(jìn)行分路分離。110是一系列濾波器芯片，用于對分集射頻天線開關(guān)芯片111輸出的各路射頻信號(hào)進(jìn)行濾波，其輸出信號(hào)又通過接收通路開關(guān)芯片109發(fā)送到射頻收發(fā)信機(jī)芯片108的相應(yīng)接收端口。

由圖1可以看出，隨著多模多頻射頻前端模塊需求的增長，雙工器及濾波器將成為主要的器件。濾波器部分主要采用分立電感、電容器件來實(shí)現(xiàn)，或者采用IPD工藝實(shí)現(xiàn)；雙工器則主要采用聲表面波(SAW)、體聲波(BAW)、薄膜體聲波(BAW)等聲波器件實(shí)現(xiàn)。聲表面波是聲波在物體表面有限深度內(nèi)進(jìn)行傳播，沿固體與空氣界面?zhèn)鞑?，同時(shí)，聲表面波是一種能量集中在介質(zhì)表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?；體聲波及薄膜體聲波利用的是體聲波信號(hào)在不同介質(zhì)傳播時(shí)，在兩電極與空氣的交界地方發(fā)生反射，體聲波及薄膜體聲波與基底表面形成一個(gè)空氣腔體，將聲波限制在壓電振蕩腔內(nèi)。由此可見，對于聲表面波，體聲波及薄膜體聲波，都需要在與基底的交界面處，形成一個(gè)密閉的腔體，用于限制聲波的傳播路徑。聲波器件制作的濾波器及雙工器，插入損耗小，帶外抑制好等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域。封裝的方式主要分為:金屬封裝，塑料封裝，表貼封裝。它們最少有兩部分組成，即封裝的基底和上蓋。在基底上涂上少量的黏合劑，然后把芯片貼在上面。經(jīng)過固化處理，將芯片牢固的貼在基底上。

金屬封裝：由包含著絕緣和接地引腳的金屬基底以及金屬帽子組成。放入脈沖點(diǎn)焊封機(jī)進(jìn)行封帽，得到密封性良好的成品。金屬封裝用普通的工藝就可以制造出密封性良好的高頻濾波器，同時(shí)由于機(jī)械性能強(qiáng)度高，可以封裝體積大的芯片。

塑料封裝：由槽和帽子兩部分組成，芯片通過鍵合線連接到引線框上，金屬的引線框從一邊伸入槽中，最后將兩個(gè)部分粘合在一起。這種封裝技術(shù)的主要優(yōu)勢在于成本低。

表貼封裝：陶瓷SMD(Surface Mounted Device:表面貼裝器件)，采用基底和帽狀上蓋。根據(jù)不同用途采用了兩種技術(shù)：對于高頻器件和高頻精度高器件，采用金屬層包封；對于低頻器件，采用塑性吸聲材料包封。

圖2為采用金屬層包封示意圖。其中210為基底，材料為基于陶瓷LTCC或HTCC工藝。203為聲波濾波器或雙工器，采用倒扣的方式，通過銅凸柱或者錫球204、205與基底210上的焊盤206、207連接；并通過基底210內(nèi)部金屬走線及過孔208、209與基底210底部的焊盤211、212連接，引出聲波器件的管腳。201為金屬帽，通過焊接或膠粘的方式與基底210相連；金屬帽201與聲波器件之間空隙填入聚合物材料202，用于支撐金屬帽，防止金屬帽塌陷。213為聲波器件與基底之間形成的密閉腔體。

圖3為采用塑性吸聲材料包封示意圖。其中310為基底，材料為基于陶瓷LTCC或HTCC工藝。303為聲波濾波器或雙工器，采用倒扣的方式，通過銅凸柱或者錫球304、305與310上的焊盤306、307連接；并通過基底310內(nèi)部金屬走線及過孔308、309與基底310底部焊盤311、312連接，引出聲波器件的管腳。301為塑性吸聲材料，通過膠粘的方式與基底310相連；塑性吸聲材料與聲波器件之間空隙填入聚合物材料302，用于支撐塑性吸聲材料，防止塑性吸聲材料塌陷。313為聲波器件與基底之間形成的密閉腔體。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)中基于晶圓級(jí)封裝的示意圖，其中401為聲波器件，在聲波器件的上表面制作濾波器或雙工器。402為基底，采用Si工藝制成。403為屏蔽環(huán)，通過焊接或者膠粘的方式，將聲波器件401與基底402連接在一起，起到屏蔽及支撐的作用；在聲波器件401、基底402和屏蔽環(huán)403之間形成了密閉腔體404，實(shí)現(xiàn)了聲波器件與基底之間必須存在的一個(gè)腔體。同時(shí)，在聲波器件401的上表面生長引出聲波器件的輸入輸出管腳405、406，沿著屏蔽環(huán)及基底的外表面，引到基底的上表面，通過銅凸柱或者錫球407、408將聲波器件的管腳引出。

金屬封裝和塑性封裝存在共同的缺點(diǎn)，有比較長的引腳，導(dǎo)致器件的體積太大，很難與射頻前端模塊集成在一起?；谔沾傻谋碣N封裝，雖然應(yīng)用廣泛，但制作工藝復(fù)雜，陶瓷材料HTCC及LTCC價(jià)格貴，并且很難與其他工藝集成在一起，同時(shí)，現(xiàn)有的基于晶圓級(jí)封裝的聲波器件，也存在著工藝較難實(shí)現(xiàn)，成本高的缺陷。因此，需要找到一種方法，尺寸小，制作簡單，價(jià)格低廉，且易于與其他器件集成的封裝方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種聲波設(shè)備及其晶圓級(jí)封裝方法，通過直接在基底上進(jìn)行聲波器件的封裝，可實(shí)現(xiàn)尺寸小，制作簡單，價(jià)格低廉，且易于集成的封裝設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種聲波設(shè)備，包括基底和聲波器件，其中：

基底上設(shè)有腔體，聲波器件與基底的上表面結(jié)合，以便腔體成為密閉腔室；

基底的下表面設(shè)有聲波設(shè)備的管腳焊盤，聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波設(shè)備的管腳焊盤通過電鍍金屬走線與聲波器件的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，電鍍金屬走線的材料為金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀或錫。

在一個(gè)實(shí)施例中，電鍍金屬走線沿著與聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底側(cè)面與基底的下表面的夾角為鈍角。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底的下表面與相鄰兩個(gè)基底側(cè)面的夾角相同。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波設(shè)備的管腳焊盤為鋁凸柱、銅凸柱或錫球。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波器件通過膠粘方式與基底的上表面結(jié)合。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波器件的管腳焊盤和基底位于聲波器件的同一表面上。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底的高度大于腔體的深度。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波器件包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術(shù)制造的器件。

在一個(gè)實(shí)施例中，上述聲波設(shè)備還包括基板，其中：

基底設(shè)置在基板上。

在一個(gè)實(shí)施例中，聲波設(shè)備還包括設(shè)置在基板上的與聲波器件異質(zhì)的電子器件，其中：

電子器件的管腳焊盤與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，電子器件的管腳焊盤具體通過基板金屬走線，與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，電子器件包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開關(guān)，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個(gè)。

在一個(gè)實(shí)施例中，電子器件包括射頻功率放大器的驅(qū)動(dòng)級(jí)電路、開關(guān)電路、電源跟蹤和包絡(luò)跟蹤電路、直流-直流轉(zhuǎn)換電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路中的至少一個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種聲波設(shè)備的晶圓級(jí)封裝方法，包括：

在基底上設(shè)置腔體；

將聲波器件與基底的上表面結(jié)合，以便腔體成為密閉腔室；

將聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤連接，其中聲波設(shè)備的管腳焊盤設(shè)置在基底的下表面。

在一個(gè)實(shí)施例中，通過電鍍金屬走線將聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，電鍍金屬走線沿著與聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底側(cè)面與基底的下表面的夾角為鈍角。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底的下表面與相鄰兩個(gè)基底側(cè)面的夾角相同。

在一個(gè)實(shí)施例中，通過膠粘方式將聲波器件與基底的上表面結(jié)合。

在一個(gè)實(shí)施例中，將聲波器件的管腳焊盤和基底設(shè)置在聲波器件的同一表面上。

在一個(gè)實(shí)施例中，基底的高度大于腔體的深度。

在一個(gè)實(shí)施例中，將基底設(shè)置在基板上。

在一個(gè)實(shí)施例中，將與聲波器件異質(zhì)的電子器件設(shè)置在基板上，其中電子器件的管腳焊盤與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，通過基板金屬走線，將電子器件的管腳焊盤與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中無線通信系統(tǒng)射頻前端架構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中聲波器件封裝一種方案的示意圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中聲波器件封裝另一方案的示意圖。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)中聲波器件封裝再一方案的示意圖。

圖5為本發(fā)明聲波設(shè)備一個(gè)實(shí)施例的示意圖。

圖6為本發(fā)明聲波設(shè)備另一實(shí)施例的示意圖。

圖7為本發(fā)明聲波設(shè)備又一實(shí)施例的示意圖。

圖8為本發(fā)明聲波設(shè)備的晶圓級(jí)封裝方法一個(gè)實(shí)施例的示意圖。

圖9至圖20為本發(fā)明聲波設(shè)備的晶圓級(jí)封裝方法一個(gè)實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。以下對至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

同時(shí)，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部分的尺寸并不是按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制的。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它示例可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

圖5為本發(fā)明聲波設(shè)備一個(gè)實(shí)施例的示意圖。如圖5所示，該聲波設(shè)備包括基底51和聲波器件52。其中：

基底51上設(shè)有腔體511，聲波器件52與基底51的上表面結(jié)合，以便腔體511成為密閉腔室。

可選地，聲波器件52通過膠粘方式與基底51的上表面結(jié)合。例如，聲波器件52通過膠512與基底51的上表面結(jié)合。

基底51的下表面設(shè)有聲波設(shè)備的管腳焊盤531、532，聲波設(shè)備的管腳焊盤531、532分別與聲波器件52的管腳焊盤521、522連接。

可選地，聲波器件52的管腳焊盤521、522和基底51位于聲波器件的同一表面上。

其中，基底51為基于Si工藝材料的基底?；?1的高度大于腔體511的深度，腔體511的深度大于等于1μm。同時(shí)在聲波器件52的有源區(qū)必須采用鈍化進(jìn)行保護(hù)。

可選地，聲波設(shè)備的管腳焊盤通過電鍍金屬走線與聲波器件的管腳焊盤連接。例如，聲波設(shè)備的管腳焊盤531通過電鍍金屬走線541與聲波器件52的管腳焊盤521連接，聲波設(shè)備的管腳焊盤532通過電鍍金屬走線542與聲波器件52的管腳焊盤522連接。其中，電鍍金屬走線的材料可為金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀或錫等。

此外，電鍍金屬走線沿著與聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸，將聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤進(jìn)行連接，以便引出聲波器件的管腳。如圖5所示，基底側(cè)面與基底的下表面的夾角a、b為鈍角，即大于90度小于180度。其中，夾角a、b可以相同，也可不同。

可選地，聲波設(shè)備的管腳焊盤531、532可為鋁凸柱、銅凸柱或錫球。

可選地，聲波器件52可包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術(shù)制造的器件。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例提供的聲波設(shè)備，通過直接在基底上進(jìn)行聲波器件的封裝，可實(shí)現(xiàn)尺寸小，制作簡單，價(jià)格低廉，且易于集成的封裝設(shè)備。

圖6為本發(fā)明聲波設(shè)備另一實(shí)施例的示意圖。如圖6所示，可將基底51放置到基板55上。

可在基板55上設(shè)置多個(gè)如圖5所示的與聲波器件相結(jié)合的基底，還可在基板55上設(shè)置與聲波器件異質(zhì)的電子器件。如圖6所示，在基板55上設(shè)置與聲波器件52異質(zhì)的電子器件56。其中，電子器件56的管腳焊盤561與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤531連接。

可選地，電子器件56的管腳焊盤561具體通過基板金屬走線L1，與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤531連接。

可選地，電子器件56可包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開關(guān)，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個(gè)。

此外，電子器件56還可包括射頻功率放大器的驅(qū)動(dòng)級(jí)電路、開關(guān)電路、電源跟蹤和包絡(luò)跟蹤電路、直流-直流轉(zhuǎn)換電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路中的至少一個(gè)。

可選地，可在基板55上設(shè)置多個(gè)不同類型的電子器件。如圖7所示，在基板55上設(shè)置聲波器件52、與聲波器件52異質(zhì)的電子器件56之外，還可設(shè)置另一與聲波器件52異質(zhì)的電子器件57。其中電子器件57的管腳焊盤571可通過金屬走線L2與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤532連接。

即，在同一基板55上可集成多個(gè)聲波器件及有關(guān)的電子器件。

圖8為本發(fā)明聲波設(shè)備的晶圓級(jí)封裝方法一個(gè)實(shí)施例的示意圖。其中：

步驟801，在基底上設(shè)置腔體。

其中，基底的高度大于腔體的深度。

步驟802，將聲波器件與基底的上表面結(jié)合，以便腔體成為密閉腔室。

例如，可通過膠粘方式將聲波器件與基底的上表面結(jié)合。

步驟803，將聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤連接，其中聲波設(shè)備的管腳焊盤設(shè)置在基底的下表面。

其中，可通過電鍍金屬走線將聲波設(shè)備的管腳焊盤與聲波器件的管腳焊盤連接。電鍍金屬走線沿著與聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸，基底側(cè)面與基底的下表面的夾角為鈍角?；椎南卤砻媾c相鄰兩個(gè)基底側(cè)面的夾角可以相同，也可不同。

可選地，將聲波器件的管腳焊盤和基底設(shè)置在聲波器件的同一表面上。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例提供的聲波設(shè)備晶圓級(jí)封裝方法，通過直接在基底上進(jìn)行聲波器件的封裝，可實(shí)現(xiàn)尺寸小，制作簡單，價(jià)格低廉，且易于集成的封裝設(shè)備。

可選地，可將上述基底設(shè)置在基板上。還可將與聲波器件異質(zhì)的電子器件設(shè)置在基板上，其中電子器件的管腳焊盤與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

其中，可通過基板金屬走線將電子器件的管腳焊盤與聲波設(shè)備對應(yīng)的管腳焊盤連接。

下面通過一個(gè)具體示例對本發(fā)明的晶圓級(jí)封裝方法進(jìn)行說明。

如圖9和圖10所示，在高阻Si基底91(通常為直徑8英寸或12英寸的晶圓)上刻蝕腔體92。其中圖9為俯視圖，圖10為側(cè)視圖。

腔體的大小及深度可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，腔體的深度一般大于或等于1μm。

如圖11和圖12所示，在基底91的表面刷一層膠93，膠的厚度小于10μm，一般取3μm。其中圖11為俯視圖，圖12為側(cè)視圖。

如圖13和圖14所示，采用倒裝方式將聲波器件94貼到基底91上，并將聲波器件94的焊盤941、942埋入膠中，使得各聲波器件與基底91緊密連接，從而使腔體92成為密閉腔體。其中圖13為俯視圖，圖14為側(cè)視圖。

如圖15和圖16所示，將臨時(shí)支撐晶圓95通過膠粘的方式與聲波器件94的上表面連接，以便為后續(xù)的減薄操作提供支撐載體。其中圖15為俯視圖，圖16為側(cè)視圖。

如圖17所示，對基底91進(jìn)行減薄處理，并對基底91進(jìn)行切割以去除基底91的外圍區(qū)域，以便露出聲波器件94的焊盤。其中在對基底91進(jìn)行剪薄和切割的過程中，使基底91的側(cè)面形成有坡度的斜面。其中，基底側(cè)面與基底下表面的夾角為鈍角，基底下表面與兩個(gè)側(cè)面的夾角可以相同，也可不同。

如圖18所示，從聲波器件管腳941、942分別引出電鍍金屬走線961，962，電鍍金屬走線961，962分別沿著基底91的相鄰側(cè)面，一直延伸到基底91的下表面，電鍍金屬走線的材質(zhì)是金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀、錫等。

如圖19所示，在基底91的下表面，分別在電鍍金屬走線961，962的表面上生長鋁凸柱，銅凸柱或者錫球，以便形成聲波設(shè)備的管腳焊盤971、972。

如圖20所示，解鍵合去掉支撐晶圓95，此時(shí)基于高阻Si基底的晶圓級(jí)封裝聲波設(shè)備形成。

需要說明的是，在上述封裝方法流程中，基底通常為直徑8英寸或12英寸的高阻Si晶圓，其阻值高于1000ohm·cm，聲波器件經(jīng)由Pick-and-Place流程倒扣貼裝到基底上。臨時(shí)支撐晶圓在工藝流程中僅起到臨時(shí)支撐作用，通常為與基底晶圓尺寸一致的晶圓。

本發(fā)明通過采用基于Si工藝材料作為基底，進(jìn)行聲波器件的晶圓級(jí)封裝，實(shí)現(xiàn)尺寸小，制作簡單，價(jià)格低廉，且易于集成。同時(shí)，通過倒扣的方式將聲波器件與基板連接，實(shí)現(xiàn)聲波器件、CMOS管芯和/或SOI管芯，及基于GaAs工藝的射頻功率放大器管芯異質(zhì)集成于同一個(gè)封裝當(dāng)中，充分利用基于Si的CMOS或SOI管芯低成本、高集成度特性，及GaAs工藝的高擊穿電壓和高電子遷移率特性，在射頻功率放大器中得到廣泛的應(yīng)用。

本發(fā)明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。