本發(fā)明的實施例一般地涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及半導體封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，半導體芯片/管芯變得越來越小。同時，更多功能需要集成在半導體管芯內(nèi)。因此，半導體管芯需要將越來越多的I/O焊盤封裝在更小的區(qū)域內(nèi)，并且因此I/O焊盤的密度隨著時間的推移快速提高。結(jié)果，半導體管芯的封裝變得更加困難，這會對封裝產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響。

傳統(tǒng)的封裝技術(shù)可以劃分為兩類。在第一類中，晶圓上的管芯在它們被切割之前封裝。這種封裝技術(shù)具有一些有利的特征，諸如更高的生產(chǎn)量和更低的成本。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術(shù)還具有缺陷。由于管芯的尺寸正變得越來越小，并且相應的封裝件僅可以是多輸入型封裝件，其中，每個管芯的I/O焊盤限制于直接位于相應的管芯的表面上方的區(qū)域。由于管芯的面積有限，I/O焊盤的數(shù)量由于I/O焊盤的間距的限制而受到限制。如果焊盤的間距減小，可能會發(fā)生焊料橋接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必須具有特定尺寸，這進而限制可以封裝在管芯表面上的焊球的數(shù)量。

在另一類封裝中，在封裝管芯之前從晶圓鋸切管芯。這種封裝技術(shù)的有利特征在于可能形成多輸出封裝件，這意味著管芯上的I/O焊盤可以被重新分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增加封裝在管芯表面上的I/O焊盤的數(shù)量。該封裝技術(shù)的另一有利特征是封裝“已知良好的管芯”，以及丟棄有缺陷的管芯，因此不在有缺陷的管芯上浪費成本和精力。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種方法，包括：在載體上方放置第一器件管芯和第二器件管芯，其中劃線位于所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之間；用包封材料包封所述第一器件管芯和所述第二器件管芯，其中，所述包封材料包括所述劃線中的部分；在所述包封材料上方形成介電層；實施第一管芯鋸切以在所述劃線中形成第一溝槽；實施第二管芯鋸切以在所述劃線中形成第二溝槽；以及在所述劃線上實施第三管芯鋸切以使所述第一器件管芯與所述第二器件管芯分隔開。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括：在載體上方放置第一器件管芯和第二器件管芯，其中劃線位于所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之間；用包封材料包封所述第一器件管芯和所述第二器件管芯，其中，所述包封材料包括所述劃線中的部分；在所述包封材料上方形成聚合物層，其中，所述聚合物層包括所述劃線中的部分；實施第一管芯鋸切以在所述劃線中形成第一溝槽，其中，使用第一刀片實施所述第一管芯鋸切；以及在所述劃線上實施第二管芯鋸切以在所述劃線中形成第二溝槽，其中，使用寬于所述第一刀片的第二刀片實施所述第二管芯鋸切。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種器件，包括：封裝件，包括：器件管芯；包封材料，環(huán)繞所述器件管芯，其中，所述包封材料具有第一邊緣，所述第一邊緣基本上垂直于所述包封材料的主頂面；以及聚合物層，所述聚合物層在與所述第一邊緣的所述器件管芯的相同側(cè)上具有第二邊緣，其中，所述第二邊緣從所述第一邊緣朝著所述器件管芯凹進。

附圖說明

當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各方面。應該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚地討論，各個部件的尺寸可以任意地增加或減少。

圖1至圖21B示出了根據(jù)一些實施例的在形成多輸出封裝件疊層(PoP)封裝件的過程中的中間階段的截面圖和俯視圖；

圖22示出了根據(jù)一些實施例的在切割步驟中的晶圓級封裝件的俯視圖；以及

圖23示出了根據(jù)一些實施例的用于形成PoP封裝件的工藝流程圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗Ｒ韵旅枋鼋M件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例，并且也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可以在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是出于簡明和清楚的目的，而其本身并未指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在...下面”、“在...下方”、“下部”、“在...上面”、“上部”等空間相對術(shù)語以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對位置術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且本文使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。

根據(jù)各個示例性實施例，提供了多輸出封裝件疊層(PoP)結(jié)構(gòu)/封裝件及形成封裝件方法。討論了實施例的一些變形例。在全部附圖和說明性實施例中，相同的參考標號用于指示相同的元件。

圖1至圖21B示出了根據(jù)一些實施例的在形成封裝件的過程中的中間階段的截面圖。在圖23所示的工藝流程圖中也示意性地示出了圖1至圖21B中所示的步驟。在隨后的討論中，參照圖23中的工藝步驟討論圖1至圖21B所示的工藝步驟。

參照圖1，提供了載體30，并且粘合層32設(shè)置在載體30上方。載體30可以是毛坯玻璃載體、毛坯陶瓷載體等，并且可以具有俯視圖為圓形的半導體晶圓的形狀。有時，載體30被稱為載體晶圓。例如，粘合層32可 以由光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)材料形成，但是也可以使用其他類型的粘合劑。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，粘合層32在光熱下能夠分解，并且因此能夠從形成在其上的結(jié)構(gòu)釋放載體30。

參照圖2，介電層34形成在粘合層32上方。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟202。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，介電層34是由聚合物形成的聚合物層，該聚合物可以是諸如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺等的光敏聚合物。根據(jù)一些實施例，介電層34由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅的氧化物、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、摻硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)等形成。

參照圖3，例如，通過物理汽相沉積(PVD)在介電層34上方形成導電晶種層40。相應的步驟在圖23所示出的工藝流程圖中示出為步驟206。導電晶種層40可以是包括銅、鋁、鈦、它們的合金或它們的多層的金屬晶種層。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，導電晶種層40包括諸如鈦層的第一金屬層(未示出)和位于第一金屬層上方的諸如銅層的第二金屬層(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的可選實施例，導電晶種層40包括諸如銅層的單個金屬層，該銅層可以由基本上純銅或銅合金形成。

圖4至圖7示出了貫通孔的形成。如圖4所示，在導電晶種層40上方施加圖案化的掩模層42(諸如光刻膠)，并且然后使用光刻掩模對其進行圖案化。相應的步驟在圖23所示出的工藝流程圖中示出為步驟208。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，光刻膠42是層壓在導電晶種層40上的干膜。根據(jù)可選實施例，通過旋涂形成光刻膠42。作為圖案化(曝光和顯影)的結(jié)果，在光刻膠42中形成開口44，通過該開口44暴露出導電晶種層40的一些部分。由隨后放置的器件管芯48的厚度來確定光刻膠42的厚度(圖8)。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，光刻膠42的厚度大于器件管芯48的厚度。

如圖5所示，通過鍍(可以是電鍍或化學鍍)在開口44中形成貫通孔46。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟210。貫通孔46被鍍在導電晶種層40的暴露部分上。貫通孔46是導電的，并且可以是包括銅、鋁、鎢、鎳或它們的合金的金屬通孔。在俯視圖中，貫通孔46的形狀包括(但不限于)矩形、正方形、圓形等。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例， 貫通孔46的高度由隨后放置的器件管芯48的厚度來確定(圖8)，其中，貫通孔46的高度稍大于或等于器件管芯48的厚度。

在鍍貫通孔46之后，去除光刻膠42，并且在圖6中示出了生成的結(jié)構(gòu)。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟212。結(jié)果，暴露出導電晶種層40的先前被光刻膠42覆蓋的部分。

接下來，參照圖7，實施蝕刻步驟以去除導電晶種層40的暴露部分，其中，蝕刻可以是各向異性蝕刻或各向同性蝕刻。相應的步驟在圖23所示出的工藝流程圖中示出為步驟212。另一方面，導電晶種層40的與貫通孔46重疊的部分保持不被蝕刻。在整個說明書中，下面的導電晶種層40的剩余部分被稱為貫通孔46的底部。盡管導電晶種層40示為具有與上面的貫通孔46的部分可辨別的界面，但當導電晶種層40由與相應上面的貫通孔46類似或相同的材料形成時，一些或全部導電晶種層40可以與貫通孔46合并，而在它們之間沒有可辨別的界面。例如，導電晶種層40的銅層可以與貫通孔46合并，而沒有可辨別界面。根據(jù)可選實施例，導電晶種層40和相應上面的貫通孔46的鍍部分之間存在可辨別的界面。例如，導電晶種層40中的鈦層可以與含銅的貫通孔46區(qū)別開。作為蝕刻導電晶種層40的結(jié)果，暴露出介電層34。

圖8示出了將器件管芯48放置在介電層34上方。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟214。器件管芯48可以通過管芯貼附膜50粘附至粘合層32。管芯貼附膜50的邊緣與相應的器件管芯48的邊緣具有共同邊界(對準)。管芯貼附膜50是粘合膜。多個放置的器件管芯48可以布置為包括多行和多列的矩陣。每個器件管芯48可以包括半導體襯底，半導體襯底的背面與相應的下面的管芯貼附膜50物理接觸(朝下的表面)。器件管芯48進一步在半導體襯底的正面(朝上的表面)處包括集成電路器件(諸如有源器件，例如，包括晶體管，未示出)。器件管芯48可以包括諸如中央處理單元(CPU)管芯、圖像處理單元(GPU)管芯、移動應用管芯等的邏輯管芯。

器件管芯48可以包括在其頂面處的金屬柱54。金屬柱54電連接至器件管芯48內(nèi)部的集成電路。如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例， 金屬柱54被介電層51覆蓋，其中，介電層51的頂面高于金屬柱54的頂面。介電層51進一步延伸至金屬柱54之間的間隙內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，金屬柱54的頂面與相應的介電層51的頂面共面。根據(jù)一些示例性的實施例，介電層51可以由諸如PBO的聚合物形成。金屬柱54可以是銅柱，并且也可以包括其他導電/金屬材料，諸如鋁、鎳等。

參照圖9，包封材料52被包封/模制在器件管芯48和貫通孔46上。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟216。包封材料52填充器件管芯48和貫通孔46之間的間隙，并且可以與介電層34接觸。包封材料52可以包括模塑料、模制底部填充物、環(huán)氧樹脂或樹脂。在包封工藝之后，包封材料52的頂面高于金屬柱54和貫通孔46的頂端。

接下來，實施諸如化學機械拋光(CMP)步驟或研磨步驟的平坦化步驟以平坦化包封材料52，直到暴露出貫通孔46。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟216。圖10中示出生成的結(jié)構(gòu)。作為平坦化的結(jié)構(gòu)，也暴露器件管芯48的金屬柱54。由于平坦化，貫通孔46的頂面與金屬柱54的頂面基本上齊平(共面)，并且與包封材料52的頂面基本上齊平(共面)。

參考圖11，在包封材料52、貫通孔46和金屬柱54上方形成介電層56和相應的再分布線(RDL)58的一層或多層。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟218。由于RDL 58位于器件管芯48的正面上，所以RDL 58稱為正面RDL。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，介電層56由諸如PBO、聚酰亞胺等的聚合物形成。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，介電層56由諸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的無機介電材料形成。

RDL 58形成為電連接至金屬柱54和貫通孔46。RDL 58也可以互連金屬柱54和貫通孔46。RDL 58可以包括金屬跡線(金屬線)和通孔，該通孔位于金屬跡線下面并且連接至金屬跡線。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，通過鍍工藝形成RDL 58，其中，每個RDL 58均包括晶種層(未示出)和位于晶種層上方的鍍金屬材料。晶種層和鍍金屬材料可以由相同材料或不同材料形成。

圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例的電連接件60的形成。 電連接件60電連接至RDL 58、金屬柱54和/或貫通孔46。電連接件60的形成可以包括將焊球放置在RDL 58上方，并且然后回流焊球。根據(jù)本發(fā)明的可選實施例中，電連接件60的形成包括：實施鍍步驟以在RDL 58上方形成焊料區(qū)域，并且然后回流焊料區(qū)域。電連接件60還可以包括金屬柱，或者金屬柱和焊帽，其也可以通過鍍來形成。在整個說明書中，結(jié)合的結(jié)構(gòu)包括器件管芯48、貫通孔46、包封材料52、RDL 58、和介電層56，該結(jié)合的結(jié)構(gòu)被稱為晶圓級封裝件62，該晶圓級封裝件是包括多個器件晶圓48的復合晶圓。

圖12示出了兩個RDL層58。根據(jù)可選實施例，根據(jù)相應的封裝件的布線需要，可以存在單層RDL 58或兩層以上的RDL 58。根據(jù)本發(fā)明的又一可選實施例，沒有RDL，并且在貫通孔60和金屬柱54上方直接形成電連接件60，其中，在連接件60與下面的貫通孔46和金屬柱54之間沒有RDL。

參照圖13，晶圓級封裝件62包括多個封裝件162，每個封裝件162包括一個或多個器件管芯48和多個貫通孔46。封裝件162彼此間隔開，其中，相鄰的封裝件162之間的間隔(和填充間隔的材料)被稱為劃線163。圖15B示出了晶圓級封裝件62的俯視圖，其中，封裝件162布置為包括多行和多列的陣列，其中，第一劃線163在X方向上延伸，和第二劃線163在Y方向上延伸。

再次參照圖13，實施第一管芯鋸切。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，在管芯鋸切期間使用旋轉(zhuǎn)的刀片164實施第一管芯鋸切。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟220。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，使用激光實施第一管芯鋸切。刀片164的寬度W1相對較小。例如，寬度W1可以在約35μm至約50μm的范圍內(nèi)。相對薄的刀片164具有在管芯鋸切中減少介電層56剝離的有利特征，其中，在介電層56之間的界面和包封材料52之間可能發(fā)生剝離。第一管芯鋸切導致鋸切穿過包封材料52上方的介電層56。此外，第一管芯鋸切停止在包封材料52的中間位置處。如圖14所示，導致在溝槽166生成第一管芯鋸切。生成的溝槽166的深度D1(圖14)可以在約30μm和約80μm之間的范圍內(nèi)。

劃線163具有中線168，該中線168與其相對側(cè)上的封裝件162具有相等距離。根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例，溝槽166可以位于中線168的一側(cè)，并且不延伸至中線168。

參照圖14，實施第二管芯鋸切，從而生成溝槽170(圖15A)。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟220。使用相對薄的刀片(例如，用于第一管芯鋸切的相同刀片164)也實施第二管芯鋸切。在實施第一管芯鋸切的相同的劃線163上也實施第二管芯鋸切。此外，在中線168的相對側(cè)上可以實施第一管芯鋸切和第二管芯鋸切。第一管芯鋸切和第二管芯鋸切相對于中線168可以是鏡像對稱的。例如，由第二管芯鋸切生成的溝槽170的深度(圖15A)可以與溝槽166的深度D1相同。

圖15A和圖15B分別示出了在每條劃線163上實施了兩次管芯鋸切之后的晶圓級封裝件62的部分的截面圖和俯視圖。如圖15A所示，介電層56的介于溝槽166和溝槽177之間的部分與介電層56的在封裝件162中的部分完全分隔開。參照圖15B，對于晶圓級封裝件62，實施多次管芯鋸切(每次管芯鋸切都與第一管芯鋸切或第二管芯鋸切相似)。每條水平的劃線163(在X方向上延伸)鋸切兩次，并且每條垂直的劃線163(在Y方向上延伸)也鋸切兩次。

接下來，封裝件62與載體30分離(圖15A)。根據(jù)一些示例性分離工藝，切割帶64(圖16)附接至封裝件62以保護電連接件60，其中，切割帶64固定至切割框架(未示出)。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟222。例如，通過將UV光或激光投射到粘合層32上來實施分離(圖15A)。例如，當粘合層32由LTHC形成時，由光或激光所生成的熱使LTHC分解，并且因此載體30與晶圓級封裝件62分離。圖16中示出生成的結(jié)構(gòu)。

圖17示出了圖案化為在介電層34中形成開口63的。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟224。例如，當介電層34是聚合物層時，可以使用激光鉆孔(通過激光束65)對其圖案化以去除介電層34的與貫通孔46重疊的部分，使得通過開口63暴露出貫通孔46。

在導電晶種層40的部分是由鈦形成的實施例中，也可以去除導電晶種 層40的鈦層。例如，可以使用氟化氫(HF)氣體或稀釋的氫氟酸溶液以蝕刻鈦層。暴露出導電晶種層40的銅層，并且因此可以在銅層上形成隨后形成的背面RDL或諸如焊料區(qū)域的電連接件。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，此時(管芯鋸切之前)在封裝件62的背面上沒有形成焊料區(qū)域。此外，沒有形成背面RDL。根據(jù)本發(fā)明的可選實施例，背面RDL(未示出)和/或電連接件形成在器件管芯48的背面上(圖15A中的示出的頂側(cè))，其中背面RDL電連接至貫通孔46。根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例，存在單個背面RDL層。根據(jù)一些實施例，存在多個RDL層，其中，形成通孔以互連不同的RDL層中不同的金屬跡線。背面介電層也可以由聚合物(諸如，PBO、BCB、聚酰亞胺)或無機材料(諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)形成?？梢孕纬呻娺B接件，諸如焊料區(qū)域、具有焊帽的金屬柱等。

在隨后的步驟中，如圖18A所示，將封裝件62鋸切分離為多個封裝件162，每個封裝件162包括(至少)一個器件管芯48和相應的貫通孔46。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟226。如圖18A所示，例如，使用刀片172實施第三管芯鋸切。從晶圓級封裝件62的與第一管芯鋸切和第二管芯鋸切的相對的一側(cè)實施第三管芯鋸切。刀片172比用于第一管芯鋸切和第二管芯鋸切的刀片164寬(如圖13和圖14所示)。刀片172的寬度W2可以在約180μm至約220μm的范圍內(nèi)。根據(jù)一些實施例，比率W2/W1的大于2，并且可以大于3或4。由于第三管芯鋸切的刀片寬于第一管芯鋸切和第二管芯鋸切的刀片，所以由第三管芯鋸切所生成的溝槽也寬于由第一管芯鋸切和第二管芯鋸切所生成的溝槽。在第三管芯鋸切之后，所示的劃線163的左側(cè)上的封裝件162與所示的劃線163的右側(cè)上的封裝件162完全地分隔開。第三管芯鋸切可以與劃線163的中線168對準。

在晶圓級封裝件62上實施與如圖18A示出的第三管芯鋸切相似的多個管芯鋸切，其中，在一條劃線163上實施每次管芯鋸切(圖15B)，使得晶圓級封裝件62與多個封裝件162分隔開。

圖18B示出了第三管芯鋸切未與劃線163的中心對準的情況。相應地， 在第三管芯鋸切之后，可以保留介電層56的剩余部分的一部分。

圖19示出了在第三管芯鋸切之后，生成溝槽174的產(chǎn)生的晶圓級封裝件62。溝槽174連接至溝槽166和溝槽170。有利地，由于介電層56位于劃線163的中心區(qū)域中的(中心)部分已經(jīng)與介電層56在封裝件162中的部分分隔開，所以即使介電層56的中心部分在第三管芯鋸切期間從包封材料52剝離，當?shù)竭_溝槽166和溝槽170處時，也停止剝離，并且因此由管芯鋸切引起的剝離不會蔓延至封裝件162內(nèi)。

圖20示出了封裝件162的截面圖。圖21A示出了封裝件300接合至封裝件162，因此形成PoP封裝件20。相應的步驟在圖23所示的工藝流程圖中示出為步驟228。封裝件300和封裝件162也分別稱為PoP封裝件20的頂部封裝件和底部封裝件。如圖21A所示的示例性實施例中，沒有示出背面RDL，而可以根據(jù)可選實施例形成背面RDL。通過焊料區(qū)域70實施接合，該焊料區(qū)域使貫通孔46連接至上面的封裝件300中的金屬焊盤。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，封裝件300包括器件管芯304，該器件管芯304可以是諸如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)管芯、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)管芯等的存儲器管芯。在一些示例性實施例中，存儲器管芯也可以接合至封裝襯底302。在頂部封裝件300接合至底部封裝件162之后，底部填充物72設(shè)置在頂部封裝件300和底部封裝件162之間的間隙內(nèi)，并且然后被固化。

如圖21A所示，底部封裝件162包括包封材料52，包封材料52具有邊緣52A。根據(jù)一些示例性實施例，邊緣52A是垂直于封裝件162的主頂面162C的直邊緣。包封材料52可以進一步包括邊緣52B，該邊緣52B是與封裝件162的主頂面162C既不垂直又不平行的傾斜邊緣。直邊緣52A的長度D3可以在約120μm至約220μm的范圍內(nèi)。長度D3也是包封材料52的與溝槽66和溝槽170重疊的部分的厚度(圖15A)。介電層56具有邊緣56A，該邊緣56A可以是垂直于封裝件162的主頂面162C的直邊緣，或者可以是與封裝件162的主頂面162C既不垂直又不平行的傾斜邊緣。邊緣52A通過邊緣52B連接至邊緣56A以形成臺階(圖21A中的倒轉(zhuǎn)臺階)。封裝件162具有在包封材料52的部分(諸如頂面)處測量的寬度W3，和 在介電層56的底面處測量的寬度W4。寬度W3大于寬度W4。此外，從直邊緣52A的底端至邊緣56A的底端，封裝件162的寬度持續(xù)地、逐漸減小，從而生成楔形封裝件162。

進一步參考圖21A，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，邊緣56A是具有傾斜角度α的傾斜的直邊緣，該傾斜角度α可以在0度和約30度的范圍內(nèi)，并且包括0度和30度。當傾斜角度α是0度時，邊緣56A垂直于主面162C。包封材料52的邊緣52B是傾斜邊緣，其可以是具有傾斜角度β的直邊緣，該傾斜角度β在約30度和約60度的范圍內(nèi)，并且包括約30度和約60度。可選地，邊緣52B是曲邊，其中曲邊的不同部分具有不同的傾斜角度，該傾斜角度介于約30度和約60度的范圍內(nèi)。在這些實施例中，曲邊的上部的傾斜角度可以大于曲邊的下部的傾斜角度，并且從上部至下部，傾斜角度可以持續(xù)地、逐漸減小。由刀片的形狀限定邊緣52A、52B、和56A。

圖21B示出了當?shù)谌苄句徢形磁c劃線163的中心對準時所形成的封裝件20。相應地，在第三管芯鋸切之后，介電層56的位于溝槽166和溝槽170之間的中心部分可以保留在一個封裝件162上。介電層56的剩余部分位于直邊緣52A和溝槽66之間。當從封裝件20的底視圖觀看時，溝槽66平行于邊緣52A。此外，在這些實施例中的邊緣52A可以從封裝件162的頂面一直延伸至封裝件162的底面。實現(xiàn)了在任何組合中，封裝件162的每個邊緣可以具有圖21A或圖21B所示的形狀。

圖22示出了根據(jù)一些實施例所形成的溝槽67，其中，圖13和圖14所示的步驟被替換為溝槽67的形成。除了形成窄溝槽67以環(huán)繞封裝件162之外，這些實施例與圖13和圖14所示的實施例相似?？梢允褂眉す庑纬蓽喜?7。在形成窄溝槽67之后，實施圖16至圖21A/21B所示的步驟。生成的結(jié)構(gòu)與圖21A和圖21B所示的結(jié)構(gòu)相似。然而，由于使用激光，溝槽67的邊緣可能粗糙。

本發(fā)明的實施例具有一些有利的特征。在常規(guī)的管芯鋸切的工藝中，使用單個寬刀片。相應地，由聚合物形成的介電層56(圖19)傾向于從包封材料剝離。在本發(fā)明的一些實施例中，使用薄刀片的管芯鋸切顯著地減少剝離。在使用寬刀片的隨后的管芯鋸切中，使用薄刀片所形成的溝槽防 止剝離蔓延至封裝件內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種方法包括在載體上方放置第一器件管芯和第二器件管芯，其中，劃線介于第一器件管芯和第二器件管芯之間。第一器件管芯和第二器件管芯由包封材料包封，在劃線中具有部分包封材料。該方法進一步包括：在包封材料上方形成介電層，實施第一管芯鋸切以在劃線中形成第一溝槽，實施第二管芯鋸切以在劃線中形成第二溝槽，并且在劃線上實施第三管芯鋸切以使第一器件管芯與第二器件管芯分隔開。

優(yōu)選地，所述第一溝槽和所述第二溝槽彼此間隔開，并且在所述劃線介于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的部分上實施第三管芯鋸切。

優(yōu)選地，使用比用于所述第三管芯鋸切的刀片更窄的刀片實施所述第一管芯鋸切和所述第二管芯鋸切。

優(yōu)選地，所述第一溝槽和所述第二溝槽穿透所述介電層并且停止于所述包封材料的中間位置處。

優(yōu)選地，該方法進一步包括：使所述第一器件管芯和所述第二器件管芯與所述載體分離，其中，從實施所述第三管芯鋸切的相對方向?qū)嵤┧龅谝还苄句徢泻退龅诙苄句徢小?/p>

優(yōu)選地，將通過所述第三管芯鋸切所形成的第三溝槽連接至所述第一溝槽。

優(yōu)選地，使用激光實施所述第一管芯鋸切和所述第二管芯鋸切，并且使用刀片實施所述第三管芯鋸切。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種方法包括在載體上方放置第一器件管芯和第二器件管芯，其中，劃線介于第一器件管芯和第二器件管芯之間。第一器件管芯和第二器件管芯由包封材料包封，在劃線中具有部分包封材料。該方法進一步包括在包封材料上方形成聚合物層，聚合物層在劃線中具有部分，并且實施第一管芯鋸切以在劃線中形成第一溝槽。使用第一刀片實施第一管芯鋸切。在劃線上實施第二管芯鋸切。使用比第一刀片寬的第二刀片實施第二管芯鋸切。優(yōu)選地，所述第一溝槽與所述第二溝槽間隔開，并且所述方法進一步包括實施第三管芯鋸切以在所述第一溝槽和所述 第二溝槽之間形成第三溝槽。

優(yōu)選地，使用比所述第二刀片窄的刀片實施所述第三管芯鋸切。

優(yōu)選地，所述第三管芯鋸切在所述劃線介于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的部分中進行切割。

優(yōu)選地，所述第二管芯鋸切在所述第一溝槽中進行切割。

優(yōu)選地，所述第一器件管芯、所述第二器件管芯、所述包封材料和所述聚合物層共同形成晶圓級封裝件，并且從所述晶圓級封裝件的相對側(cè)實施所述第一管芯鋸切和所述第二管芯鋸切。

優(yōu)選地，所述第一溝槽穿透位于所述包封材料上面的所有聚合物層并且停止于所述包封材料的中間位置處，并且所述第二管芯鋸切穿透所述包封材料和所述包封材料上面的所有的聚合物層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種封裝件包括器件管芯和環(huán)繞器件管芯的包封材料。包封材料具有基本上垂直于包封材料的主頂面的第一邊緣。封裝件進一步包括聚合物層，聚合物層在與第一邊緣位于器件管芯的相同側(cè)上具有第二邊緣。第二邊緣從第一邊緣朝著器件管芯凹進。

優(yōu)選地，所述第二邊緣與所述第一邊緣既不垂直也不平行。

優(yōu)選地，所述第二邊緣的傾斜角度小于約30度。

優(yōu)選地，所述包封材料進一步包括第三邊緣，所述第三邊緣將所述第一邊緣連接至所述第二邊緣，其中，所述第三邊緣與所述第一邊緣既不垂直也不平行，并且所述第三邊緣的傾斜角度大于所述第二邊緣的傾斜角度。

優(yōu)選地，所述第一邊緣、所述第二邊緣和所述第三邊緣基本上是直邊緣。

優(yōu)選地，所述封裝件進一步包括第四邊緣，所述第四邊緣是直的并且從所述封裝件的頂面延伸至所述封裝件的底面，其中，所述第一邊緣和所述第四邊緣是所述封裝件不同的邊緣，并且其中，所述封裝件進一步包括穿透所述聚合物層并且延伸至所述包封材料的中間位置的溝槽，所述溝槽接近于所述第四邊緣并且與所述第四邊緣平行。

以上論述了若干實施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明 作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實施與本文所介紹的實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。