1.一種聲波設(shè)備，其特征在于，包括基底和聲波器件，其中：
所述基底上設(shè)有腔體，所述聲波器件與所述基底的上表面結(jié)合，以便所述腔體成為密閉腔室；
所述基底的下表面設(shè)有聲波設(shè)備的管腳焊盤，所述聲波設(shè)備的管腳焊盤與所述聲波器件的管腳焊盤連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述聲波設(shè)備的管腳焊盤通過(guò)電鍍金屬走線與所述聲波器件的管腳焊盤連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述電鍍金屬走線的材料為金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀或錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述電鍍金屬走線沿著與所述聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述基底側(cè)面與所述基底的下表面的夾角為鈍角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述基底的下表面與相鄰兩個(gè)基底側(cè)面的夾角相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述聲波設(shè)備的管腳焊盤為鋁凸柱、銅凸柱或錫球。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述聲波器件通過(guò)膠粘方式與所述基底的上表面結(jié)合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述聲波器件的管腳焊盤和所述基底位于所述聲波器件的同一表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述基底的高度大于所述腔體的深度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述聲波器件包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術(shù)制造的器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的聲波設(shè)備，其特征在于，還包括基板，其中：
所述基底設(shè)置在所述基板上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聲波設(shè)備，其特征在于，還包括設(shè)置在所述基板上的與所述聲波器件異質(zhì)的電子器件，其中：
電子器件的管腳焊盤與所述聲波設(shè)備對(duì)應(yīng)的管腳焊盤連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
電子器件的管腳焊盤具體通過(guò)基板金屬走線，與所述聲波設(shè)備對(duì)應(yīng)的管腳焊盤連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述電子器件包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開(kāi)關(guān)，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的聲波設(shè)備，其特征在于，
所述電子器件包括射頻功率放大器的驅(qū)動(dòng)級(jí)電路、開(kāi)關(guān)電路、電源跟蹤和包絡(luò)跟蹤電路、直流-直流轉(zhuǎn)換電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路中的至少一個(gè)。
17.一種聲波設(shè)備的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括：
在基底上設(shè)置腔體；
將聲波器件與所述基底的上表面結(jié)合，以便所述腔體成為密閉腔室；
將所述聲波設(shè)備的管腳焊盤與所述聲波器件的管腳焊盤連接，其中所述聲波設(shè)備的管腳焊盤設(shè)置在所述基底的下表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，
通過(guò)電鍍金屬走線將所述聲波設(shè)備的管腳焊盤與所述聲波器件的管腳焊盤連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，
所述電鍍金屬走線沿著與所述聲波器件的管腳焊盤鄰近的基底側(cè)面延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，
所述基底側(cè)面與所述基底的下表面的夾角為鈍角。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，
所述基底的下表面與相鄰兩個(gè)基底側(cè)面的夾角相同。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，
通過(guò)膠粘方式將所述聲波器件與所述基底的上表面結(jié)合。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，
將所述聲波器件的管腳焊盤和所述基底設(shè)置在所述聲波器件的同一表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，
所述基底的高度大于所述腔體的深度。
25.根據(jù)權(quán)利要求17-24中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括：
將所述基底設(shè)置在基板上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，還包括：
將與所述聲波器件異質(zhì)的電子器件設(shè)置在所述基板上，其中電子器件的管腳焊盤與所述聲波設(shè)備對(duì)應(yīng)的管腳焊盤連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，
通過(guò)基板金屬走線，將電子器件的管腳焊盤與所述聲波設(shè)備對(duì)應(yīng)的管腳焊盤連接。