1.電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，包括：
下部電極，設(shè)置于基底上；
上部電極，設(shè)置于所述下部電極上；
可變電阻層，設(shè)置于所述下部電極與所述上部電極之間；
氧交換層，設(shè)置于所述可變電阻層與所述上部電極之間，其中所述氧交換層、所述可變電阻層及所述下部電極的側(cè)壁連續(xù)地連接；以及
側(cè)壁保護層，為氧供應(yīng)層，至少設(shè)置于所述氧交換層的側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述氧供應(yīng)層還設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，還包括富氧層，設(shè)置于所述氧交換層與所述上部電極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，還包括阻擋層，設(shè)置于所述氧交換層與所述可變電阻層之間，其中所述阻擋層的側(cè)壁連續(xù)地連接所述氧交換層及所述可變電阻層的側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述下部電極、所述可變電阻層，以及所述氧交換層均呈上窄下寬。
6.電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，包括：
下部電極，設(shè)置于基底上；
上部電極，設(shè)置于所述下部電極上；
可變電阻層，設(shè)置于所述下部電極與所述上部電極之間，其中所述可變電阻層、所述下部電極及所述上部電極的側(cè)壁連續(xù)地連接；以及
側(cè)壁保護層，為蓋層，設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述蓋層的材料包括金屬氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述蓋層的材料還摻雜有氮。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述蓋層包括：
第一蓋層，設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁；以及
第二蓋層，設(shè)置于所述第一蓋層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一蓋層的材料包括金屬氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述第二蓋層的材料包括氮化物或金屬鈦酸鹽類。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，還包括頂蓋層，設(shè)置于所述下部電極與所述基底之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，所述下部電極與所述可變電阻層均呈上窄下寬。