專利名稱：基板輸送機(jī)構(gòu)及輸送裝置、顆粒除去法及程序和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板輸送機(jī)構(gòu)、具有該基板輸送機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置、基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法、基板輸送裝置的顆粒除去方法、實(shí)施該方法用的程序、以及存儲(chǔ)介質(zhì)，特別是涉及為了實(shí)施成膜工藝、蝕刻工藝等的處理，將該基板輸送到規(guī)定的位置的基板輸送機(jī)構(gòu)及具有該基板輸送機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置、基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法、基板輸送裝置的顆粒除去方法、實(shí)施該方法用的程序、以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
迄今，作為對基板進(jìn)行離子摻雜、成膜、蝕刻等各種等離子體處理的基板處理系統(tǒng)，已知一種多個(gè)基板處理裝置通過公共的基板輸送裝置，呈輻射狀配置的集束基板處理系統(tǒng)。
如圖15(a)所示，這樣的集束基板處理系統(tǒng)具有對基板進(jìn)行處理的例如兩個(gè)基板處理裝置151；從基板盒(圖中未示出)將基板搬入搬出的負(fù)載組件152；對該負(fù)載組件152進(jìn)行基板的搬入搬出的兩個(gè)基板搬入搬出室153；以及介于基板處理裝置151及基板搬入搬出室153之間的作為基板輸送裝置的基板輸送室154(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
如圖15(b)所示，基板輸送室154具有在其內(nèi)部將N2氣等清除的氣體導(dǎo)入部155、以及將內(nèi)部抽成真空的泵部156。另外，在其內(nèi)部具有作為輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)的操作裝置157，另外，在與基板處理裝置151和基板搬入搬出室153相接的側(cè)壁上，具有開閉自如的門閥158。操作裝置157是有多個(gè)腕部件和旋轉(zhuǎn)臺的關(guān)節(jié)臂式操作裝置，通過門閥158將基板輸送給基板處理裝置151或基板搬入搬出室153。
特開平10-154739號公報(bào)(圖1)可是，如果用這樣的基板處理系統(tǒng)對基板進(jìn)行連續(xù)處理，則操作裝置157輸送基板時(shí)，與基板一起被帶入基板輸送室154中的顆粒或操作裝置157動(dòng)作時(shí)飛揚(yáng)的切削粉即顆粒往往附著在基板上，因此，例如在蝕刻工藝中，附著的顆粒成為掩模，發(fā)生蝕刻殘余，另外，在成膜工藝中，該附著的顆粒成為核而生長，所以存在膜的質(zhì)量下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能將附著在基板上的顆粒剝離及除去的基板輸送機(jī)構(gòu)、具有該基板輸送機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置、基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法、基板輸送裝置的顆粒除去方法、實(shí)施該方法用的程序、以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)是一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；以及控制上述載置部的溫度用的溫度控制裝置，上述溫度控制裝置使上述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
第二技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第一技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述溫度控制裝置具有檢測外部周圍的溫度的檢測部；加熱上述載置部的加熱部；以及根據(jù)由上述檢測部檢測到的外部周圍的溫度，控制上述加熱部的動(dòng)作的控制部。
第三技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第二技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述控制部將上述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
第四技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第一至第三中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置是一種具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置，上述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；以及控制上述載置部的溫度用的溫度控制裝置，上述溫度控制裝置使上述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
第六技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述溫度控制裝置具有檢測上述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱上述載置部的加熱部；以及根據(jù)由上述檢測部檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述加熱部的動(dòng)作的控制部。
第七技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第六技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述控制部將上述載置部的溫度控制在比上述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
第八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第五至第七中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由上述檢測部檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
第九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第五至第八中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，還具有控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制裝置。
第十技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述壓力控制裝置將上述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
第十一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第五至第十中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第十二技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)是一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；以及連接在上述振動(dòng)發(fā)生部上，同時(shí)固定在上述載置部上的振蕩部。
為了達(dá)到上述目的，第十三技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)是一種具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置，上述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；以及連接在上述振動(dòng)發(fā)生部上，同時(shí)固定在上述載置部上的振蕩部。
為了達(dá)到上述目的，第十四技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)是一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；控制上述載置部的溫度用的溫度控制裝置；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；以及連接在上述振動(dòng)發(fā)生部上，同時(shí)固定在上述載置部上的振蕩部，上述溫度控制裝置使上述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
第十五技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第十四技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述溫度控制裝置具有檢測外部周圍的溫度的檢測部；加熱上述載置部的加熱部；以及根據(jù)由上述檢測部檢測到的外部周圍的溫度，控制上述加熱部的動(dòng)作的控制部。
第十六技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第十五技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述控制部將上述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
第十七技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)的特征在于，在第十四至第十六中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第十八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置是一種具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置，上述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部；控制上述載置部的溫度用的溫度控制裝置；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；以及連接在上述振動(dòng)發(fā)生部上，同時(shí)固定在上述載置部上的振蕩部，上述溫度控制裝置使上述載置部形成溫度梯度。
第十九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第十八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述溫度控制裝置具有檢測上述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱上述載置部的加熱部；以及根據(jù)由上述檢測部檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述加熱部的動(dòng)作的控制部。
第二十技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第十九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述控制部將上述載置部的溫度控制在比上述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
第二十一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第十八至第二十中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由上述檢測部檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
第二十二技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第十八至第二十一中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，其特征在于還具有控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制裝置。
第二十三技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十二技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述壓力控制裝置將上述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
第二十四技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第十八至第二十三中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第二十五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置是一種具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)載置上述基板的載置部、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置，其特征在于具有控制上述載置部的溫度用的溫度控制裝置，上述溫度控制裝置使上述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
第二十六技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述溫度控制裝置具有檢測上述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱上述載置部的加熱部；以及根據(jù)由上述檢測部檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述加熱部的動(dòng)作的控制部。
第二十七技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十六技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述控制部將上述載置部的溫度控制在比上述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
第二十八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十五至第二十七中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由上述檢測部檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
第二十九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十五至第二十八中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，還具有控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制裝置。
第三十技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述壓力控制裝置將上述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
第三十一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置的特征在于，在第二十五至第三十中的任意一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第三十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有載置基板的載置部、連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該方法包括控制上述載置部的溫度用的溫度控制步驟，上述溫度控制步驟在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
第三十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述溫度控制步驟包括檢測外部周圍的溫度的檢測步驟；以及根據(jù)由該檢測步驟檢測到的外部周圍的溫度，加熱上述載置部的加熱步驟。
第三十四技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述溫度控制步驟將上述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
第三十五技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十二至第三十四中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第三十六技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于包括控制上述載置部的溫度用的溫度控制步驟，上述溫度控制步驟使上述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
第三十七技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十六技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述溫度控制步驟包括檢測上述收容室內(nèi)的溫度的檢測步驟；以及根據(jù)由上述檢測步驟檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，加熱上述載置部的加熱步驟。
第三十八技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十七技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述溫度控制步驟將上述載置部的溫度控制在比上述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
第三十九技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十六至第三十八中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括根據(jù)由上述檢測步驟檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制步驟。
第四十技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十六至第三十九中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制步驟。
第四十一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述壓力控制步驟將上述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
第四十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第三十六至第四十一中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第四十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有載置基板的載置部；以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于包括將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加步驟。
為了達(dá)到上述目的，第四十四技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于包括將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加步驟。
第四十五技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有載置基板的載置部；以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于包括控制上述載置部的溫度用的溫度控制步驟；以及將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加步驟，上述溫度控制步驟在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
第四十六技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十五技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第四十七技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于包括控制上述載置部的溫度用的溫度控制步驟；以及將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加步驟，上述溫度控制步驟在上述載置部上形成溫度梯度。
第四十八技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十七技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第四十九技術(shù)方案所述的顆粒除去方法是一種具有收容基板的收容室、配置在上述收容室內(nèi)載置基板的載置部、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于包括控制上述載置部的溫度用的溫度控制步驟；上述溫度控制步驟在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
第五十技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十九技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述溫度控制步驟包括檢測上述收容室內(nèi)的溫度的檢測步驟；以及根據(jù)由該檢測步驟檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，加熱上述載置部的加熱步驟。
第五十一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第五十技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述控制步驟將上述載置部的溫度控制在比上述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
第五十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十一中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，還包括根據(jù)由上述檢測步驟檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制步驟。
第五十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十二中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制步驟。
第五十四技術(shù)方案所述的顆粒除去方法的特征在于，在第五十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述壓力控制步驟將上述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
第五十五面所述的顆粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十四中的任意一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，上述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在上述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
為了達(dá)到上述目的，第五十六技術(shù)方案所述的程序是一種在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有載置基板的載置部、以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法用的程序，其特征在于有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成溫度梯度，上述溫度控制模塊有檢測外部周圍的溫度的檢測模塊；以及根據(jù)由該檢測模塊檢測到的外部周圍的溫度，加熱上述載置部的加熱模塊。
為了達(dá)到上述目的，第五十七技術(shù)方案所述的程序是一種在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法用的程序，其特征在于有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊；以及根據(jù)由上述檢測步驟檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
第五十八技術(shù)方案所述的程序的特征在于，在第五十七技術(shù)方案所述的程序，其特征在于還有控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制模塊。
為了達(dá)到上述目的，第五十九技術(shù)方案所述的程序是一種在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有載置基板的載置部、以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法用的程序，其特征在于有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊，以及將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
為了達(dá)到上述目的，第六十技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)是一種存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有載置基板的載置部、以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法用的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，上述溫度控制模塊有檢測外部周圍的溫度的檢測模塊；以及根據(jù)由該檢測模塊檢測到的外部周圍的溫度，加熱上述載置部的加熱模塊。
為了達(dá)到上述目的，第六十一技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)是一種存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使上述收容室內(nèi)排氣的排氣部、以及將氣體導(dǎo)入上述收容室中的氣體導(dǎo)入部的基板輸送裝置的顆粒除去方法用的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊；以及根據(jù)由上述檢測步驟檢測到的上述收容室內(nèi)的溫度，控制上述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
第六十二技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于，在第六十一技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序還有控制上述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制模塊。
為了達(dá)到上述目的，第六十三技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)是一種存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行具有載置基板的載置部、以及連接在上述載置部上且使上述載置部移動(dòng)的腕部的基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法用的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序有控制上述載置部的溫度用的溫度控制模塊，以及將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在上述載置部上的振動(dòng)施加模塊，上述溫度控制模塊在上述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
如果采用第一技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)、第五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置、第三十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法、以及第三十六技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，因此能將附著在基板上的顆粒剝離并除去。
如果采用第二技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)及第三十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于根據(jù)檢測到的外部周圍的溫度加熱載置部，所以能將附著在載置部的基板上的顆?？煽康貏冸x并除去。
如果采用第三技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)及第三十四技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于載置部的溫度被控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度，所以能將附著在基板上的顆粒更可靠地剝離并除去。
如果采用第四技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)、第十一技術(shù)方案所述的基板輸送裝置、第三十五技術(shù)方案所述的顆粒除去方法、以及第四十二技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于載置部表層的材料的線膨脹系數(shù)與在載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同，所以能使在載置部和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力增大，因此能促進(jìn)附著在載置部上的顆粒的剝離及除去。
如果采用第八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置及第三十九技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于氣體溫度控制裝置根據(jù)檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制該導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度，所以即使在不能將載置部加熱到所希望的溫度的情況下，也能在載置部附近形成溫度梯度。
如果采用第九技術(shù)方案所述的基板輸送裝置及第四十技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于能控制收容室的壓力，所以利用依賴于收容室內(nèi)的壓力的熱遷移力，能將附著在基板上的顆粒更可靠地剝離。
如果采用第十技術(shù)方案所述的基板輸送裝置及第四十一技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于收容室的壓力被控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。如果收容室的壓力被設(shè)定為1.3×10-2～1.3kPa，則熱遷移力增加。因此，能利用增大了的熱遷移力將附著在基板上的顆粒更可靠地剝離。
如果采用第十二技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)、第十三技術(shù)方案所述的基板輸送裝置、第四十三技術(shù)方案所述的顆粒除去方法、以及第四十四技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在載置基板的載置部上，所以將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在基板上，能減弱基板和顆粒的結(jié)合力，因此能將附著在基板上的顆粒剝離并除去。
如果采用第十四技術(shù)方案所述的基板輸送機(jī)構(gòu)、第十八技術(shù)方案所述的基板輸送裝置、第四十五技術(shù)方案所述的顆粒除去方法、以及第四十七技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，同時(shí)超聲波區(qū)域的振動(dòng)被加在載置基板的載置部上，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，另外，將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在基板上，能減弱基板和顆粒的結(jié)合力，因此能將附著在基板上的顆?？煽康貏冸x及除去。
如果采用第二十五技術(shù)方案所述的基板輸送裝置及第四十九技術(shù)方案所述的顆粒除去方法，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，因此能將附著在基板上的顆粒可靠地剝離及除去。
如果采用第五十六技術(shù)方案所述的程序及第六十技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，根據(jù)檢測到的外部周圍的溫度，加熱載置部，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，因此能將附著在基板上的顆?？煽康貏冸x及除去。
如果采用第五十七技術(shù)方案所述的程序及第六十一技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，根據(jù)檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制該導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，此外，即使在不能將載置部加熱到所希望的溫度的情況下，也能在載置部附近形成溫度梯度，因此能將附著在基板上的顆粒剝離及除去。
如果采用第五十八技術(shù)方案所述的程序及第六十二技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，則由于控制收容室內(nèi)的壓力，所以利用依賴于收容室內(nèi)的壓力的熱遷移力，能將附著在基板上的顆粒更可靠地剝離。
如果采用第五十九技術(shù)方案所述的程序及第六十三技術(shù)方案所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，則由于在載置基板的載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，同時(shí)超聲波區(qū)域的振動(dòng)被加在載置基板的載置部上，所以能利用在基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板上剝離，利用朝向遠(yuǎn)離基板的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板上除去，另外，將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在基板上，能減弱基板和顆粒的結(jié)合力，因此能將附著在基板上的顆?？煽康貏冸x及除去。


圖1是概略地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是概略地表示圖1中的輸送臂的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖3是表示計(jì)算從基板上剝離的顆粒的移動(dòng)速度的結(jié)果的圖。
圖4是表示計(jì)算對應(yīng)于室內(nèi)的各規(guī)定的壓力的溫度梯度的結(jié)果的圖。
圖5是表示計(jì)算作用在顆粒上的熱遷移力對壓力的依賴性的結(jié)果的圖。
圖6是概略地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是概略地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是表示測量散布在基板W上的SiO2粒子的除去率的結(jié)果的圖。
圖9是概略地表示具有本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板輸送裝置的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖10是概略地表示基板載置室的結(jié)構(gòu)的圖。
圖11是表示具有基板載置室的等離子體處理系統(tǒng)的變形例的圖。
圖12是表示在作為本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施的顆粒除去處理中，處理室內(nèi)的上部電極和Si晶片的溫度差與Si晶片上的SiO2顆粒的減少率的關(guān)系的圖。
圖13是表示在作為本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施的顆粒除去處理中，處理室內(nèi)的壓力和Si晶片上的SiO2顆粒的減少率的關(guān)系的圖。
圖14是表示在作為本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施的顆粒除去處理中，室內(nèi)的Si晶片的輸送時(shí)間和Si晶片上的SiO2顆粒的減少率的關(guān)系的圖。
圖15是概略地表示配置了關(guān)節(jié)臂式操作裝置的現(xiàn)有的集束基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖，圖15(a)是集束基板處理系統(tǒng)的水平截面圖，圖15(b)是沿圖15(a)中的線VI-VI的截面圖。
符號說明10基板輸送裝置；11腔室；12輸送臂；15排氣管線；18氣體導(dǎo)入管線；21旋轉(zhuǎn)臺；22第一腕部件；23第二腕部件；24拾取器；28溫度控制裝置；8溫度傳感器；25電阻體；9控制部。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是概略地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
在圖1中，基板輸送裝置10具有金屬制的、例如鋁或不銹鋼制的安全接地的箱形腔室11(收容室)；以及向該腔室11內(nèi)輸送基板W的輸送臂12(基板輸送機(jī)構(gòu))。
在腔室11的側(cè)壁上，設(shè)有輸送臂12將基板W搬入搬出腔室11時(shí)使基板W通過的搬入搬出口13，該搬入搬出口13由開閉自如的門閥14來密封。另外，排氣管線(排氣部)15連接在腔室11的底部上。該排氣管線15有直徑例如為25mm的排氣管16、配置在該排氣管16的中途的閥V1、以及連接在排氣管16上的作為排氣泵的干式泵17，對腔室11進(jìn)行排氣減壓。該閥V1能將腔室11內(nèi)和干式泵17隔斷。另外，氣體導(dǎo)入管線18(氣體導(dǎo)入部)連接在腔室11的頂部。該氣體導(dǎo)入管線18具有例如供給N2氣的氣體供給裝置19、以及將N2氣從該氣體供給裝置19導(dǎo)入腔室11內(nèi)的氣體導(dǎo)入管20，閥V2配置在氣體導(dǎo)入管20的中途。該閥V2能將腔室11內(nèi)和氣體供給裝置19隔斷。
另外，基板輸送裝置10通過氣體導(dǎo)入管20與腔室11及氣體供給裝置19連結(jié)，具有使導(dǎo)入腔室11內(nèi)的N2氣冷卻的冷卻裝置6(氣體溫度控制裝置)；以及設(shè)置在排氣管16上，控制腔室11內(nèi)的壓力用的壓力控制裝置7。冷卻裝置6根據(jù)由后面所述的溫度傳感器8檢測的腔室11的溫度，使導(dǎo)入腔室11內(nèi)的N2氣冷卻，壓力控制裝置7將腔室11內(nèi)的壓力控制在例如1.3kPa(10Torr)。
該基板輸送裝置10例如設(shè)置在組合型或并行型的基板處理系統(tǒng)中，通過門閥14連接在該基板處理系統(tǒng)具有的等離子體處理裝置等上。
圖2是概略地表示圖1中的輸送臂12的結(jié)構(gòu)的立體圖。
在圖2中，作為關(guān)節(jié)臂式操作裝置的輸送臂12具有配置在腔室11的底面上，繞相對于該底面垂直的軸(以下稱“室垂直軸”)旋轉(zhuǎn)自如的旋轉(zhuǎn)臺21；連接在該旋轉(zhuǎn)臺21上的棒狀的第一腕部件22；連接在該第一腕部件22上的棒狀的第二腕部件23；以及連接在該第二腕部件23的另一端上的載置基板W的拾取器24(載置部)。
在該輸送臂12中，第二腕部件23的一端繞室垂直軸旋轉(zhuǎn)自如地與第一腕部件22的另一端連接，拾取器24繞室垂直軸旋轉(zhuǎn)自如地與第二腕部件23的另一端連接，旋轉(zhuǎn)臺21、第一腕部件22、第二腕部件23及拾取器24協(xié)同進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，因此，能使拾取器24及載置在該拾取器24上的基板W移動(dòng)到腔室11中的所希望的位置或通過搬入搬出口13移動(dòng)到相鄰的等離子體處理裝置等中。
拾取器24呈音叉形狀，將基板W置于兩分叉部上，另一方面，如上所述，與兩分叉部相反的端部與第二腕部件23的另一端連接。
另外，輸送臂12具有控制拾取器24的溫度用的溫度控制裝置28，溫度控制裝置28在拾取器24和腔室11的內(nèi)壁上形成規(guī)定的溫度梯度。具體地說，溫度控制裝置28具有檢測腔室11的內(nèi)壁溫度的溫度傳感器8(檢測部)；埋設(shè)在輸送臂12的拾取器24的內(nèi)部，且加熱拾取器24的例如鎧裝加熱器等電阻體25(加熱部)；通過配置在第二腕部件23、第一腕部件22及旋轉(zhuǎn)臺21的內(nèi)部的電線26，與電阻體25連接、同時(shí)控制電阻體25的溫度的控制部9。
該控制部9根據(jù)用溫度傳感器8檢測的腔室11的內(nèi)壁溫度，加熱電阻體25，控制拾取器24的溫度。因此，能在拾取器24和腔室11的內(nèi)壁上形成所希望的溫度梯度，因而能將附著在基板W上的顆?？煽康貏冸x及除去。另外，這時(shí)，輸送臂12的拾取器24優(yōu)選被控制為比腔室11的內(nèi)壁溫度高30K以上的溫度。因此，能將附著在基板W上的顆粒更可靠地剝離及除去。
基板輸送裝置10用溫度傳感器8檢測腔室11的內(nèi)壁溫度，將對應(yīng)于該檢測到的溫度的電信號輸出給控制部9，由控制部9確定對應(yīng)于該電信號的電阻體25的施加電壓，通過將該確定的施加電壓加在電阻體25上，來加熱電阻體25，利用主要來自拾取器24的傳導(dǎo)熱，加熱載置在拾取器24上的基板W。因此，能在輸送臂12的拾取器24及載置在拾取器24上的基板W和腔室11的內(nèi)壁上形成溫度梯度，朝向遠(yuǎn)離基板W的方向(從拾取器24朝向腔室11的內(nèi)壁的方向)的熱遷移力(熱泳動(dòng)力)作用在顆粒上。另外，這時(shí)在基板W上，由于材料固有的線膨脹系數(shù)不同，所以在基板W和顆粒的界面上發(fā)生沿互相分離的方向的熱應(yīng)力，利用該發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板W上剝離下來。被剝離下來的顆粒利用上述的熱遷移力，被拉到溫度比拾取器24低的腔室11的內(nèi)壁上。
如上所述，顆粒從基板W及輸送臂的拾取器24上被除去的機(jī)理，能用顆粒利用熱應(yīng)力進(jìn)行剝離的顆粒剝離行程和顆粒利用熱遷移力移動(dòng)的顆粒移動(dòng)行程來說明。這里，假定從基板W上剝離的顆粒的初速度為10m/s，腔室11內(nèi)的壓力為1.3kPa(1.0Torr)，用下面所示的眾所周知的速度公式，計(jì)算從基板W上剝離的顆粒的移動(dòng)速度。
FT=-6πdpμ2Cs(γ+CtKn)ρ(1+3CmKn)(1+2γ+2CtKn)1TdTdx]]>其結(jié)果如圖3所示，顆粒從基板W上剝離后，經(jīng)過0.004s、即在幾ms內(nèi)，顆粒的速度(圖中的實(shí)線)達(dá)到熱遷移速度(圖中用虛線表示的終了速度)。另外，顆粒的速度達(dá)到了熱遷移速度時(shí)顆粒的移動(dòng)距離(圖中的點(diǎn)劃線)距離基板W的上表面約為0.9cm。換句話說，從基板W剝離的顆粒在距離幾mm左右的位置由熱遷移力引起的速度達(dá)到支配性的速度，從基板W剝離后，不會(huì)滯留在基板W附近，而被連續(xù)地輸送。
其次，說明顆粒的除去機(jī)理中的顆粒移動(dòng)行程和壓力的關(guān)系。
在圖1所示的基板輸送裝置10中，如果利用排氣管線15使腔室11內(nèi)減壓，則在腔室11內(nèi)，腔室11的內(nèi)壁和室內(nèi)的氣氛之間發(fā)生溫度起伏，所以與腔室11的內(nèi)壁接觸的N2氣的溫度與腔室11的內(nèi)壁溫度不同。這里，使基板W的溫度為500K，腔室11的內(nèi)壁溫度為350K，而且在考慮了溫度起伏的影響的情況下，計(jì)算了腔室11內(nèi)的對應(yīng)于各規(guī)定的壓力的溫度梯度，將其結(jié)果示于圖4。另外，圖4中的橫軸表示基板W和腔室11的上部內(nèi)壁的距離。
如圖4所示，腔室11內(nèi)的稀薄度(真空度)越大，即表示流量場的稀薄度的克努森(Knudsen)數(shù)越大，溫度越起伏，例如，上述距離為0.00m的溫度梯度的溫度和基板W的溫度的差增大，輸送臂12的拾取器24及載置在拾取器24上的基板W和腔室11的內(nèi)壁的溫度差即使相同，溫度梯度也減小。如上所述，可知由于溫度梯度受溫度起伏的影響，所以腔室11內(nèi)的稀薄度增大，溫度起伏越大，作用在顆粒上的熱遷移力變的越小。
考慮圖4所示的結(jié)果，計(jì)算條件為基板W的溫度為623.15K，腔室11的內(nèi)壁溫度為338.15K，基板W和腔室11的上部內(nèi)壁的間隔為35mm，計(jì)算作用在直徑約為0.6微米的SiO2顆粒上的熱遷移力對壓力的依賴性。其結(jié)果如圖5所示，腔室11內(nèi)的壓力在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)范圍內(nèi)，作用在顆粒上的熱遷移力為最大(F＝1.0×10-13[N])。因此，通過將腔室11內(nèi)的壓力控制在0.013～1.3kPa(0.1～10Torr)，能更有效地將附著在基板W上的顆粒除去。
如果采用本實(shí)施方式，則由于在載置基板W的拾取器24上形成規(guī)定的溫度梯度，所以利用在基板W和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力將顆粒從基板W上剝離，能利用朝向遠(yuǎn)離基板W的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板W上除去，從而能將附著在基板W上的顆粒剝離及除去。另外，在使基板W移動(dòng)到與基板輸送裝置10相鄰的等離子體處理裝置等中時(shí)，由于能利用拾取器24將附著在基板W上的顆粒剝離及除去，所以即使在基板W的連續(xù)處理時(shí)，也能輸送對接下來的處理沒有不良影響的基板W。另外，通過利用基板W的輸送時(shí)間，能進(jìn)行顆粒的剝離及除去，而不會(huì)降低配置基板輸送裝置10的基板處理系統(tǒng)的動(dòng)作效率。
另外，如果采用本實(shí)施方式，則由于冷卻裝置6根據(jù)用溫度傳感器8檢測到的腔室11的內(nèi)壁溫度，使導(dǎo)入腔室11內(nèi)的N2氣冷卻，所以即使在通過控制電阻體25而不能將拾取器24加熱到所希望的溫度的情況下，也能在拾取器24的附近形成溫度梯度。
圖6是概略地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)圖。
在圖6所示的基板輸送裝置中，其結(jié)構(gòu)與圖1所示的基本上相同，對相同的結(jié)構(gòu)要素，標(biāo)以相同的參照編號，省略重復(fù)的說明，以下只說明不同的部分。
在圖6中，基板輸送裝置30具有將基板W輸送到腔室11內(nèi)的輸送臂32。輸送臂32具有配置在腔室11的底面上，繞相對于該底面垂直的軸旋轉(zhuǎn)自如的旋轉(zhuǎn)臺21；連接在該旋轉(zhuǎn)臺21上的棒狀的第一腕部件22；連接在該第一腕部件22上的棒狀的第二腕部件23；以及連接在該第二腕部件23的另一端上的載置基板W的拾取器24。
另外，輸送臂32具有發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)，例如發(fā)生其頻率為40kHz的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部33；以及連接在振動(dòng)發(fā)生部33上，同時(shí)固定在拾取器24上的振蕩部34。振動(dòng)發(fā)生部33發(fā)生的超聲波區(qū)域的振動(dòng)的方向沿著垂直于載置在拾取器24上的基板W的主面的方向。另外，振動(dòng)發(fā)生部33雖然沿著垂直于基板W的主面的方向配置，但任意方向都可以，也可以在沿著基板W的主面水平的方向配置。
振動(dòng)發(fā)生部33發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)，通過將該發(fā)生的振動(dòng)傳遞給振蕩部34，能使輸送臂32的拾取器24振動(dòng)。載置在拾取器24上的基板W通過傳遞來自拾取器24的振動(dòng)而以超聲波區(qū)域的頻率振動(dòng)。因此，能減弱基板W和顆粒的結(jié)合力，因此能將顆粒從基板W上剝離及除去。
如果采用本實(shí)施方式，則由于超聲波區(qū)域的振動(dòng)通過輸送臂32加在載置基板W的拾取器24上，所以將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在基板W上，能減弱基板W和顆粒的結(jié)合力，因此能將附著在基板W上的顆粒剝離及除去。
圖7是概略地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板輸送裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖7所示的基板輸送裝置，其結(jié)構(gòu)與圖1所示的基本上相同，對相同的結(jié)構(gòu)要素，標(biāo)以相同的參照編號，省略重復(fù)的說明，以下只說明不同的部分。
在圖7中，基板輸送裝置40具有將基板W輸送到腔室11內(nèi)的輸送臂42。輸送臂42具有配置在腔室11的底面上，繞室垂直軸旋轉(zhuǎn)自如的旋轉(zhuǎn)臺21；連接在該旋轉(zhuǎn)臺21上的棒狀的第一腕部件22；連接在該第一腕部件22上的棒狀的第二腕部件23；連接在該第二腕部件23的另一端上的載置基板W的拾取器24；控制拾取器24的溫度用的溫度控制裝置28；發(fā)生超聲波區(qū)域、例如其頻率為40kHz的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部33；以及連接在振動(dòng)發(fā)生部33上、同時(shí)固定在拾取器24上的振蕩部34。
溫度控制裝置28在拾取器24和腔室11的內(nèi)壁上形成規(guī)定的溫度梯度。具體地說，溫度控制裝置28具有檢測腔室11的內(nèi)壁溫度的溫度傳感器8；埋設(shè)在輸送臂42的拾取器24的內(nèi)部且加熱拾取器24的、例如鎧裝加熱器等電阻體25；以及通過配置在第二腕部件23、第一腕部件22及旋轉(zhuǎn)臺21的內(nèi)部的電線26，與電阻體25連接、同時(shí)控制電阻體25的溫度的控制部9。
如果采用本實(shí)施方式，則由于在載置基板W的拾取器24上形成規(guī)定的溫度梯度，同時(shí)超聲波區(qū)域的振動(dòng)被加在載置基板W的拾取器24上，所以利用在基板W和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力將顆粒從基板W上剝離，能利用朝向遠(yuǎn)離基板W的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板W上除去，另外，由于將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在基板W上，所以能減弱基板W和顆粒的結(jié)合力，從而能將附著在基板W上的顆?？煽康貏冸x及除去。
在上述的實(shí)施方式中，被導(dǎo)入腔室11內(nèi)的氣體雖然是N2氣，但不限于此，也可以是氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)等惰性氣體，另外，也可以使用O2氣等。
在上述的實(shí)施方式中，雖然用鎧裝加熱器等電阻體25加熱拾取器24，但不限于此，也可以用紅外線等的燈加熱拾取器24。
在上述的實(shí)施方式中，振動(dòng)發(fā)生部33雖然發(fā)生其頻率為40kHz的振動(dòng)，但不限于此，也可以發(fā)生頻率為16000～10MHz的振動(dòng)。另外，優(yōu)選其頻率為16000～40kHz。
在上述的實(shí)施方式中，作為輸送臂12、32、42，雖然使用了關(guān)節(jié)臂式操作裝置，但輸送臂的形式不限于此，也可以是蛙腿式操作裝置。
另外，在上述的實(shí)施方式中，輸送臂12、32、42雖然將附著在基板W上的顆粒剝離及除去，但不限于此，在未被顆粒污染的基板的輸送過程中或基板輸送裝置10、30、40空載時(shí)，通過實(shí)施上述處理，能防止顆粒對基板的污染。
另外，在上述的實(shí)施方式中，如上所述，利用由于材料固有的線膨脹系數(shù)的不同而發(fā)生的熱應(yīng)力，能將顆粒從基板W上剝離，所以在能預(yù)測在腔室11內(nèi)可能發(fā)生的顆粒的材質(zhì)的情況下，優(yōu)選用具有與可能發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)的材質(zhì)，覆蓋腔室11的內(nèi)壁及輸送臂12、32、42等的室內(nèi)部分。具體地說，輸送臂12、32、42優(yōu)選有由與在輸送臂12、32、42附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同的規(guī)定的材料構(gòu)成的表層。因此，能在腔室11的內(nèi)壁及輸送臂12、32、42等的室內(nèi)部分和顆粒的界面上發(fā)生大的熱應(yīng)力，因此能將附著在室內(nèi)部分上的顆粒可靠地剝離及除去。
為了確認(rèn)其效果，用SiO2、Si、SiN、W、Cu、PR、以及CF系列聚合物分別覆蓋基板，將SiO2粒子散布在用上述各種材質(zhì)覆蓋的各個(gè)基板上，測量了加熱該基板時(shí)基板上的SiO2粒子的除去率，如圖8所示，與用SiO2覆蓋的基板W上的SiO2粒子的除去率進(jìn)行比較，用特氟龍(注冊商標(biāo))等CF系列聚合物覆蓋的基板W上的SiO2粒子的除去率高。因此，例如在能預(yù)測發(fā)生Si或SiO2顆粒的情況下，優(yōu)選用特氟龍(注冊商標(biāo))等CF系列聚合物覆蓋室內(nèi)部分，另外，在能預(yù)測作為顆粒而發(fā)生CF系列聚合物的情況下，優(yōu)選用SiO2覆蓋室內(nèi)部分。因此，能提高附著在室內(nèi)部分上的顆粒除去率。另外，在用具有與可能發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)的材質(zhì)覆蓋基板W的表面的情況下也能獲得同樣的效果。
圖9是概略地表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的具有基板輸送裝置的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
在圖9中，作為基板處理裝置的等離子體處理系統(tǒng)50具有對基板W進(jìn)行蝕刻處理的第一處理單元51及第二處理單元52；基板搬入搬出載物臺53；以及控制等離子體處理系統(tǒng)50的動(dòng)作的控制單元80。
第一處理單元51具有有對基板W進(jìn)行蝕刻處理的處理室2a的等離子體處理裝置1a；通過能氣密地開閉的門閥55a連接在等離子體處理裝置1a的處理室2a上，將基板W搬入搬出處理室2a的輸送室56a；以及通過能氣密地開閉的門閥57a連接在輸送室56a上，將基板W搬入搬出輸送室56a的負(fù)載鎖定室58a。另外，第二處理單元52與第一處理室51的結(jié)構(gòu)相同，所以將與第一處理室51的各結(jié)構(gòu)要素附帶的編號對應(yīng)的編號賦予第二處理單元52的各結(jié)構(gòu)要素，省略其說明。
輸送室56a構(gòu)成得能清除顆粒等及進(jìn)行真空排氣，在輸送室56a的內(nèi)部，設(shè)有在處理室2a、負(fù)載鎖定室58a及輸送室56a之間進(jìn)行基板W的搬入搬出的、例如作為能伸縮及旋轉(zhuǎn)的多關(guān)節(jié)結(jié)構(gòu)的關(guān)節(jié)臂式操作裝置的輸送臂59a。另外，在輸送臂59a的前端設(shè)有能載置基板W的載置臺60a。
負(fù)載鎖定室58a也構(gòu)成得能清除殘留物及進(jìn)行真空排氣，內(nèi)部設(shè)有能載置基板W的接收臺62a。在接收臺62a上也可以根據(jù)需要，設(shè)置冷卻套管，使處理過的晶片冷卻，或者設(shè)置加熱燈，對處理前的基板W進(jìn)行預(yù)熱。另外，也可以將接收臺62a本身做成多段結(jié)構(gòu)，能載置多個(gè)基板W。
基板搬入搬出載物臺53大致呈長方體箱形，在其側(cè)面通過能氣密地開閉而構(gòu)成的門閥64a及門閥64b連接著第一處理單元51的負(fù)載鎖定室58a及第二處理單元52的負(fù)載鎖定室58b，另外，在其一個(gè)端部上具有定位室72，該定位室72的內(nèi)部具有旋轉(zhuǎn)載置臺73、以及對基板W的周邊部進(jìn)行光學(xué)檢測的光學(xué)傳感器74。而且，定位室72利用光學(xué)傳感器74，檢測基板W的取向平面或切口等，利用旋轉(zhuǎn)載置臺73使基板W旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行定位。
另外，在基板搬入搬出載物臺53中，在其內(nèi)部設(shè)有輸送臂65，輸送臂65構(gòu)成得能沿其縱向配置的圖中未示出的導(dǎo)軌移動(dòng)，輸送臂65例如具有被分別驅(qū)動(dòng)的輸送晶片用的多關(guān)節(jié)叉66、67，多關(guān)節(jié)叉66、67構(gòu)成得能伸縮及旋轉(zhuǎn)。另外，輸送臂65在多關(guān)節(jié)叉66、67的前端分別具有能分別把持基板W的臂68、69。
輸送臂65能將被收容在載置在后面所述的環(huán)箍體臺54上的作為基板盒的環(huán)箍體76中的基板W輸送到定位室72的旋轉(zhuǎn)載置臺73、以及負(fù)載鎖定室58的接收臺62上，另外，能將載置在接收臺62上的基板W輸送到旋轉(zhuǎn)載置臺73上、以及環(huán)箍體76a～76c內(nèi)。另外，在各環(huán)箍體76a～76c內(nèi)部具有25個(gè)槽，能收容25個(gè)基板W。另外，輸送臂65能將載置在第一處理單元51的負(fù)載鎖定室58a的接收臺62a上的基板W輸送到后面所述的基板載置室90中，同時(shí)能將載置在該基板載置室90中的基板W輸送到第二處理單元51中的負(fù)載鎖定室58b的接收臺62b上。
另外，基板搬入搬出載物臺53在與連接負(fù)載鎖定室58a及負(fù)載鎖定室58b的側(cè)面相對的側(cè)面上，有4個(gè)開閉自如的作為開口部的口77a～77d，對應(yīng)于口77a～77c中的各口的位置，有從基板搬入搬出載物臺53的側(cè)面突出的作為平臺的環(huán)箍體臺54；以及與口77d的位置對應(yīng)、暫時(shí)載置進(jìn)行了蝕刻處理的基板W的作為基板輸送裝置的基板載置室90。各環(huán)箍體臺54有載置一個(gè)環(huán)箍體76的載置面78；以及開閉載置在該載置面78上的環(huán)箍體76的蓋體的環(huán)箍體開啟工具(圖中未示出)。
圖10是概略地表示基板載置室90的結(jié)構(gòu)圖。基板載置室90的結(jié)構(gòu)與圖1所示的結(jié)構(gòu)基本上相同，相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)以同一參照編號，省略重復(fù)的說明，以下說明不同的部分。
在圖10中，基板載置室90構(gòu)成得能清除顆粒等及進(jìn)行真空排氣，具有鋁或不銹鋼制的安全接地的箱形的腔室91(收容室)；載置基板的載置臺(載置部)92；在基板載置室90的側(cè)壁上，連接在口77d上，輸送臂65將基板W搬入搬出基板載置室90時(shí)使基板W通過的搬入搬出口93；控制載置臺92的溫度用的溫度控制裝置94；發(fā)生超聲波區(qū)域、例如其頻率為40kHz的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部95；以及連接在振動(dòng)發(fā)生部95上，同時(shí)固定在拾取器載置臺92上的振蕩部96。該搬入搬出口93用開閉自如的口77d密封。
溫度控制裝置94具有檢測腔室91的內(nèi)壁溫度用的溫度傳感器97；通過將紅外線照射在配置在腔室91的上部且載置在載置臺92上的基板W上，加熱基板W的燈98；以及與燈98電連接、同時(shí)控制燈98的動(dòng)作的控制部99。另外，從燈98發(fā)射的光線不限于紅外線，只要是能將基板W加熱的光線即可，另外，優(yōu)選是具有不影響在基板W上形成的抗蝕劑膜的波長的光線。
該控制部99根據(jù)用溫度傳感器97檢測的腔室91的內(nèi)壁溫度，控制從燈98輻射的紅外線的輻射量，來控制基板W的溫度。另外，在基板W未載置在載置臺92上的情況下，根據(jù)用溫度傳感器97檢測的腔室91的內(nèi)壁溫度，控制從燈98輻射的紅外線的輻射量，來控制載置臺92的溫度。因此，在基板W和腔室91的內(nèi)壁之間、以及載置臺92和腔室91的內(nèi)壁之間，分別形成規(guī)定的溫度梯度。另外，載置臺92優(yōu)選被控制在比腔室91的內(nèi)壁溫度高30K以上的溫度。
在如上所述構(gòu)成的等離子體處理系統(tǒng)50中，處理環(huán)箍體76內(nèi)的未處理的基板W時(shí)，環(huán)箍體開啟工具打開環(huán)箍體76的蓋體，且打開對應(yīng)于載置該環(huán)箍體76的環(huán)箍體臺54的口77a～77c中的任意一個(gè)或多個(gè)，由輸送臂65將收容在環(huán)箍體76中的基板W送出，接著，通過定位室72、第一處理單元51中的負(fù)載鎖定室58a及輸送室56a，將基板W送入等離子體處理裝置1a的處理室2a中。另外，在處理室2a中進(jìn)行了規(guī)定的處理的基板W通過第一處理單元51的輸送室56a及負(fù)載鎖定室58a，被送給基板載置室90。
被送入基板載置室90內(nèi)的基板W，利用輸送臂65載置在載置臺92上，根據(jù)用溫度傳感器97檢測到的腔室91的內(nèi)壁溫度，利用從燈98輻射的紅外線進(jìn)行加熱。因此，在基板W及腔室91的內(nèi)壁上形成所希望的溫度梯度，另外，還在載置臺92及腔室91的內(nèi)壁上形成所希望的溫度梯度。另外，利用振動(dòng)發(fā)生部95對基板W施加超聲波區(qū)域的振動(dòng)。此后，進(jìn)行腔室91內(nèi)的顆粒的清除及真空排氣。
進(jìn)行了腔室91內(nèi)的清除及真空排氣后，在基板載置室90內(nèi)進(jìn)行了加熱及振動(dòng)施加后的基板W通過第二處理單元52中的負(fù)載鎖定室58b及輸送室56b，被送入等離子體處理裝置1b的處理室2b中，在處理室2b中進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。
如果采用本實(shí)施方式，則由于根據(jù)用溫度傳感器97檢測到的腔室91的內(nèi)壁溫度，控制從燈98輻射的紅外線的輻射量，在由該光線加熱的載置部92及基板W上形成規(guī)定的溫度梯度，所以在由第一處理單元51及第二處理單元52對基板W進(jìn)行的多種處理期間，在將基板W輸送到了腔室91內(nèi)的情況下，利用在被載置在載置臺92上的基板和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板W上剝離，能利用向遠(yuǎn)離基板W的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板W上除去，由此可將附著在基板W上的顆?？煽康貏冸x去除。
在本實(shí)施方式中，雖然設(shè)置了獨(dú)立的基板載置室90，但也可以使負(fù)載鎖定室58a及負(fù)載鎖定室58b兩者中的至少一者具有作為基板載置室的功能。在此情況下，具有作為基板載置室的功能的負(fù)載鎖定室58具有與基板載置室90同樣的結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施方式中，雖然等離子體處理系統(tǒng)50具有對基板W進(jìn)行蝕刻處理的第一處理單元51及第二處理單元52、以及基板搬入搬出載物臺53，該基板搬入搬出載物臺53在其側(cè)面有基板載置室90，但不限于此，如圖11所示，也可以具有通過能氣密地開閉的門閥(圖中未示出)連接在后面所述的多個(gè)處理室上，將基板W搬入搬出多個(gè)處理室的輸送組件100；配置在輸送組件100內(nèi)的由兩個(gè)關(guān)節(jié)型的輸送臂構(gòu)成的雙臂型的轉(zhuǎn)移臂101；呈輻射狀配置在輸送組件100周圍的5個(gè)處理室102A～102E；以及通過能氣密地開閉的門閥(圖中未示出)連接在輸送組件100上，作為暫時(shí)載置利用處理室102A～102E進(jìn)行了蝕刻處理的基板W的基板輸送室的基板載置室90。
在圖11所示的等離子體處理系統(tǒng)中，未處理的基板W由轉(zhuǎn)移臂101送入輸送組件100內(nèi)，其次，通過門閥(圖中未示出)送入處理室102A～102E中規(guī)定的處理室、例如處理室102A內(nèi)。另外，在處理室102A中進(jìn)行了規(guī)定的處理的基板W由轉(zhuǎn)移臂101通過輸送組件100，輸送到基板載置室90中。
被送入基板載置室90內(nèi)的基板W由轉(zhuǎn)移臂101載置到載置臺92上，根據(jù)用溫度傳感器97檢測到的腔室91的內(nèi)壁溫度，利用從燈98輻射的紅外線進(jìn)行加熱。因此，在基板W及腔室91的內(nèi)壁上形成所希望的溫度梯度，另外，還在載置臺92及腔室91的內(nèi)壁上形成所希望的溫度梯度。另外，利用振動(dòng)發(fā)生部95對基板W施加超聲波區(qū)域的振動(dòng)。此后，進(jìn)行腔室91內(nèi)的顆粒的清除及真空排氣。
進(jìn)行了腔室91內(nèi)的顆粒的清除及真空排氣后，在基板載置室90內(nèi)進(jìn)行了加熱及振動(dòng)施加后的基板W，利用轉(zhuǎn)移臂101通過輸送組件100，被送入另一個(gè)處理室、例如處理室102B內(nèi)，在處理室102B中進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。
另外，基板W被送入基板載置室90中的時(shí)刻，不限于從處理室102A送入處理室102B時(shí)，在處理室102A～102E中的任意兩個(gè)處理室之間，從一個(gè)處理室輸送到另一個(gè)處理室時(shí)也可以，另外，即使是在處理室102A～102E中的兩個(gè)以上的處理室中的多個(gè)處理完成后也可以。
在本實(shí)施方式中，雖然溫度控制裝置94有配置在腔室91的上部，且通過將紅外線等輻射到載置在載置臺92上的基板W上，對基板W加熱的燈98，但不限于此，也可以有埋設(shè)在載置臺92的內(nèi)部，且加熱載置臺92及基板W的例如鎧裝加熱器(sheath heater)等電阻體。因此，能控制載置臺92的溫度，在載置臺92上形成規(guī)定的溫度梯度，所以利用在被載置在載置臺92上的基板W和顆粒的界面上發(fā)生的熱應(yīng)力，將顆粒從基板W上剝離，能利用向遠(yuǎn)離基板W的方向作用的熱遷移力，將該顆粒從基板W上除去，因此能將附著在基板W上的顆粒可靠地剝離及除去。
在本實(shí)施方式中，在能預(yù)測在腔室91內(nèi)可能發(fā)生的顆粒的材質(zhì)的情況下，與上述第一實(shí)施方式相同，優(yōu)選用具有與可能發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)大大不同的線膨脹系數(shù)的材質(zhì)，覆蓋腔室11的內(nèi)壁及載置臺92等的室內(nèi)部分。因此，能在腔室91的內(nèi)壁及載置臺92等的室內(nèi)部分和顆粒的界面上發(fā)生大的熱應(yīng)力，因此能將附著在室內(nèi)部分上的顆?？煽康貏冸x及除去。
另外，通過將記錄了實(shí)現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能的軟件的程序碼的存儲(chǔ)介質(zhì)供給上述系統(tǒng)或裝置，該系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)(或CPU、MPU等)讀出存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中的程序碼并執(zhí)行之，也能達(dá)到本發(fā)明的目的。
在此情況下，從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出的程序碼本身成為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的新的功能，該程序碼及存儲(chǔ)了該程序碼的存儲(chǔ)介質(zhì)及程序就構(gòu)成本發(fā)明。
另外，作為供給程序碼用的存儲(chǔ)介質(zhì)，例如，能使用軟(注冊商標(biāo))盤、硬盤、光盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁盤、非易失性存儲(chǔ)卡、ROM等?；蛘?，通過從連接在因特網(wǎng)、商用網(wǎng)絡(luò)、或局域網(wǎng)等上的圖中未示出的其他計(jì)算機(jī)或數(shù)據(jù)庫等中下載，來供給上述程序。
另外，計(jì)算機(jī)通過執(zhí)行讀出的程序碼，不僅能實(shí)現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能，而且也包括根據(jù)該程序碼的指示，在計(jì)算機(jī)上動(dòng)作的OS(操作系統(tǒng))等進(jìn)行實(shí)際的處理的一部分或全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能的情況。
另外，還包括從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出的程序碼被寫入計(jì)算機(jī)中插入的功能擴(kuò)展插件板或連接在計(jì)算機(jī)上的功能擴(kuò)展單元中具有的存儲(chǔ)器中后，根據(jù)該程序碼的指示，該功能擴(kuò)展卡或功能擴(kuò)展單元中具有的CPU等進(jìn)行實(shí)際的處理的一部分或全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能的情況。
實(shí)施例其次，具體地說明本發(fā)明的實(shí)施例。另外，在以下的實(shí)施例中，在設(shè)定了基板輸送裝置10及基板輸送裝置30的處理裝置的處理室中，進(jìn)行了模擬實(shí)驗(yàn)。
首先，在設(shè)定了基板輸送裝置10處理室中，準(zhǔn)備預(yù)先將粒子直徑為0.6微米的SiO2顆粒附著在了表面上的Si晶片，將Si晶片載置在設(shè)定了處理室內(nèi)的輸送臂的下部電極上。其次，一邊將處理室內(nèi)的壓力控制在0.13kPa(1.0Torr)，一邊使下部電極升溫，測量了在該升溫過程中從Si晶片上剝離的SiO2顆粒的個(gè)數(shù)(個(gè)/分)。另外，求出了設(shè)定了基板輸送裝置10的內(nèi)壁溫度和Si晶片的溫度差的上部電極的溫度和Si晶片的溫度差。
同樣，一邊將處理室內(nèi)的壓力控制在1.3kPa(10Torr)，一邊使下部電極升溫，測量了在該升溫過程中從Si晶片上剝離的SiO2顆粒的個(gè)數(shù)(個(gè)/分)。將其結(jié)果示于圖12中。
由此，可知上部電極的溫度和Si晶片的溫度差為150℃以上時(shí)，從Si晶片上剝離的SiO2顆粒數(shù)急劇增大。即，從圖12可知，根據(jù)對應(yīng)于處理室內(nèi)的壓力的熱遷移力的效果，Si晶片上的SiO2顆粒的剝離量與壓力有關(guān)。
其次，在處理室中，準(zhǔn)備預(yù)先將粒子直徑為0.6微米的SiO2顆粒附著在了表面上的Si晶片，將Si晶片載置在下部電極上。其次，將下部電極加熱到規(guī)定的溫度，一邊將處理室內(nèi)的壓力控制在0.0013kPa(0.01Torr)，一邊以規(guī)定的時(shí)間將Si晶片載置在下部電極上。測量了在該規(guī)定時(shí)間內(nèi)從Si晶片上剝離的SiO2顆粒的個(gè)數(shù)，從該測量結(jié)果，求出了Si晶片上的SiO2顆粒減少率。另外，使處理室內(nèi)的壓力變化到0.0013～130kPa(0.01～1000Torr)，進(jìn)行了同樣的測量。將其結(jié)果示于圖13中。
由此，可知在將處理室內(nèi)的壓力控制在0.013～13kPa(0.1～100Torr)時(shí)，能使許多SiO2顆粒從Si晶片上剝離，優(yōu)選是將處理室內(nèi)的壓力控制在0.13～1.3kPa(1.0～10Torr)時(shí)，能使許多SiO2顆粒從Si晶片上剝離。即，由于Si晶片附近的熱遷移力與處理室內(nèi)的壓力有關(guān)，所以可知能將載置在Si晶片上的SiO2顆粒更可靠地剝離。
另外，在設(shè)定了基板輸送裝置30的處理室中，與上述實(shí)施例相同，準(zhǔn)備預(yù)先將粒子直徑為0.6微米的SiO2顆粒附著在了表面上的Si晶片，載置在下部電極上。其次，將處理室內(nèi)的壓力控制在1.3kPa(10Torr)，將Si晶片載置在下部電極上40分鐘后，將頻率為40kHz的振動(dòng)加在Si晶片上。這時(shí)，測量了從Si晶片上剝離的SiO2顆粒的個(gè)數(shù)。將其結(jié)果示于圖14中。
由此，可知通過將超聲波振動(dòng)加在附著了SiO2顆粒的Si晶片上，能將許多SiO2顆粒從Si晶片上剝離。
權(quán)利要求
1.一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；和控制所述載置部的溫度的溫度控制裝置，所述溫度控制裝置使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述溫度控制裝置具有檢測外部周圍的溫度的檢測部；加熱所述載置部的加熱部；和根據(jù)由所述檢測部檢測到的外部周圍的溫度，控制所述加熱部的動(dòng)作的控制部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述控制部將所述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
5.一種基板輸送裝置，其特征在于，具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，所述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；和控制所述載置部的溫度的溫度控制裝置，所述溫度控制裝置使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板輸送裝置，其特征在于所述溫度控制裝置具有檢測所述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱所述載置部的加熱部；和根據(jù)由所述檢測部檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述加熱部的動(dòng)作的控制部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板輸送裝置，其特征在于所述控制部將所述載置部的溫度控制在比所述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由所述檢測部檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于還具有控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板輸送裝置，其特征在于所述壓力控制裝置將所述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
11.根據(jù)權(quán)利要求5至10中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
12.一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；和連接在所述振動(dòng)發(fā)生部上，并固定在所述載置部上的振蕩部。
13.一種基板輸送裝置，具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，其特征在于所述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；和連接在所述振動(dòng)發(fā)生部上，并固定在所述載置部上的振蕩部。
14.一種輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；控制所述載置部的溫度的溫度控制裝置；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；和連接在所述振動(dòng)發(fā)生部上，并固定在所述載置部上的振蕩部，所述溫度控制裝置使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述溫度控制裝置具有檢測外部周圍的溫度的檢測部；加熱所述載置部的加熱部；和根據(jù)由所述檢測部檢測到的外部周圍的溫度，控制所述加熱部的動(dòng)作的控制部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述控制部將所述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送機(jī)構(gòu)，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
18.一種基板輸送裝置，具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)且輸送基板的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，其特征在于所述基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部；控制所述載置部的溫度的溫度控制裝置；發(fā)生超聲波區(qū)域的振動(dòng)用的振動(dòng)發(fā)生部；和連接在所述振動(dòng)發(fā)生部上，并固定在所述載置部上的振蕩部，所述溫度控制裝置使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板輸送裝置，其特征在于所述溫度控制裝置具有檢測所述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱所述載置部的加熱部；和根據(jù)由所述檢測部檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述加熱部的動(dòng)作的控制部。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板輸送裝置，其特征在于所述控制部將所述載置部的溫度控制在比所述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
21.根據(jù)權(quán)利要求18至20中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由所述檢測部檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
22.根據(jù)權(quán)利要求18至21中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于還具有控制所述收容室內(nèi)的壓力用的壓力控制裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的基板輸送裝置，其特征在于所述壓力控制裝置將所述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
24.根據(jù)權(quán)利要求18至23中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
25.一種基板輸送裝置，具有收容基板的收容室、配置在該收容室內(nèi)載置所述基板的載置部、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，其特征在于具有控制所述載置部的溫度的溫度控制裝置，所述溫度控制裝置使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板輸送裝置，其特征在于所述溫度控制裝置具有檢測所述收容室內(nèi)的溫度的檢測部；加熱所述載置部的加熱部；和根據(jù)由所述檢測部檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述加熱部的動(dòng)作的控制部。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的基板輸送裝置，其特征在于所述控制部將所述載置部的溫度控制在比所述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
28.根據(jù)權(quán)利要求25至27中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入部具有根據(jù)由所述檢測部檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制裝置。
29.根據(jù)權(quán)利要求25至28中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于還具有控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制裝置。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的基板輸送裝置，其特征在于所述壓力控制裝置將所述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
31.根據(jù)權(quán)利要求25至30中的任意一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
32.一種基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部、和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，該顆粒除去方法包括控制所述載置部的溫度的溫度控制步驟，所述溫度控制步驟在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顆粒除去方法，其特征在于所述溫度控制步驟包括檢測外部周圍的溫度的檢測步驟；和根據(jù)由該檢測步驟檢測到的外部周圍的溫度，加熱所述載置部的加熱步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的顆粒除去方法，其特征在于所述溫度控制步驟將所述載置部的溫度控制在比外部周圍的溫度高30K以上的溫度。
35.根據(jù)權(quán)利要求32至34中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
36.一種基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，該顆粒除去方法包括控制所述載置部的溫度用的溫度控制步驟，所述溫度控制步驟使所述載置部形成規(guī)定的溫度梯度。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顆粒除去方法，其特征在于所述溫度控制步驟包括檢測所述收容室內(nèi)的溫度的檢測步驟；和根據(jù)由該檢測步驟檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，加熱所述載置部的加熱步驟。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的顆粒除去方法，其特征在于所述控制步驟將所述載置部的溫度控制在比所述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
39.根據(jù)權(quán)利要求36至38中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括根據(jù)由所述檢測步驟檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制步驟。
40.根據(jù)權(quán)利要求36至39中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制步驟。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的顆粒除去方法，其特征在于所述壓力控制步驟將所述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
42.根據(jù)權(quán)利要求36至41中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
43.一種基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)的具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，該顆粒除去方法包括將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加步驟。
44.一種基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，該顆粒除去方法包括將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加步驟。
45.一種基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，該顆粒除去方法包括控制所述載置部的溫度的溫度控制步驟；和將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加步驟，所述溫度控制步驟在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的顆粒除去方法，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
47.一種基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，該顆粒除去方法包括控制所述載置部的溫度的溫度控制步驟；和將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加步驟，所述溫度控制步驟在所述載置部上形成溫度梯度。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的顆粒除去方法，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
49.一種基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、配置在所述收容室內(nèi)載置所述基板的載置部、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，該顆粒除去方法包括控制所述載置部的溫度用的溫度控制步驟，所述溫度控制步驟在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的顆粒除去方法，其特征在于所述溫度控制步驟包括檢測所述收容室內(nèi)的溫度的檢測步驟；和根據(jù)由該檢測步驟檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，加熱所述載置部的加熱步驟。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的顆粒除去方法，其特征在于所述溫度控制步驟將所述載置部的溫度控制在比所述收容室內(nèi)的溫度高30K以上的溫度。
52.根據(jù)權(quán)利要求49至51中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括根據(jù)由所述檢測步驟檢測到的收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制步驟。
53.根據(jù)權(quán)利要求49至52中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于還包括控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制步驟。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的顆粒除去方法，其特征在于所述壓力控制步驟將所述收容室內(nèi)的壓力控制在1.3×10-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。
55.根據(jù)權(quán)利要求49至54中的任意一項(xiàng)所述的顆粒除去方法，其特征在于所述載置部有由規(guī)定的材料構(gòu)成的表層，該表層的材料的線膨脹系數(shù)與在所述載置部附近發(fā)生的顆粒的線膨脹系數(shù)不同。
56.一種程序，用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，該程序有控制所述載置部的溫度用的溫度控制模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，所述溫度控制模塊具有檢測外部周圍的溫度的檢測模塊；和根據(jù)由該檢測模塊檢測到的外部周圍的溫度，加熱所述載置部的加熱模塊。
57.一種程序，用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送裝置的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，該程序具有控制所述載置部的溫度的溫度控制模塊；和根據(jù)由所述檢測步驟檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的程序，其特征在于還有控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制模塊。
59.一種程序，用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，該程序具有控制所述載置部的溫度的溫度控制模塊；和將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
60.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法的程序，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，所述程序具有控制所述載置部的溫度的溫度控制模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度，所述溫度控制模塊具有檢測外部周圍的溫度的檢測模塊；和根據(jù)由該檢測模塊檢測到的外部周圍的溫度，加熱所述載置部的加熱模塊。
61.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送裝置的顆粒除去方法的程序，其特征在于，該基板輸送裝置具有收容基板的收容室、由配置在該收容室內(nèi)載置基板的載置部及連接在該載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部構(gòu)成的基板輸送機(jī)構(gòu)、使所述收容室內(nèi)排氣的排氣部、和將氣體導(dǎo)入所述收容室中的氣體導(dǎo)入部，所述程序具有控制所述載置部的溫度的溫度控制模塊；和根據(jù)由所述檢測步驟檢測到的所述收容室內(nèi)的溫度，控制所述導(dǎo)入的規(guī)定的氣體的溫度的氣體溫度控制模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
62.根據(jù)權(quán)利要求57所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于所述程序還有控制所述收容室內(nèi)的壓力的壓力控制模塊。
63.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法的程序，其特征在于，該基板輸送機(jī)構(gòu)具有載置基板的載置部；和連接在所述載置部上且使所述載置部移動(dòng)的腕部，所述程序具有控制所述載置部的溫度的溫度控制模塊；和將超聲波區(qū)域的振動(dòng)加在所述載置部上的振動(dòng)施加模塊，所述溫度控制模塊在所述載置部上形成規(guī)定的溫度梯度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能將附著在基板上的顆粒剝離及除去的基板輸送機(jī)構(gòu)、具有該基板輸送機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置、基板輸送機(jī)構(gòu)的顆粒除去方法、基板輸送裝置的顆粒除去方法、實(shí)施該方法用的程序、和存儲(chǔ)介質(zhì)。作為基板輸送機(jī)構(gòu)的輸送臂(12)具有配置在腔室(1 1)的底面上，繞相對于該底面垂直的軸旋轉(zhuǎn)自如的旋轉(zhuǎn)臺(21)；連接在該旋轉(zhuǎn)臺(21)上的棒狀的第一腕部件(22)；連接在該第一腕部件(22)上的棒狀的第二腕部件(23)；和連接在該第二腕部件(23)的另一端上的載置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的溫度用的溫度控制裝置(28)，溫度控制裝置(28)在拾取器(24)上形成規(guī)定的溫度梯度。
文檔編號B65G49/05GK1696030SQ20051006937
公開日2005年11月16日 申請日期2005年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月13日
發(fā)明者守屋剛, 中山博之, 奧山喜久夫, 島田學(xué) 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社