本發(fā)明涉及有機發(fā)光材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種螺芴-氧雜蒽化合物及其發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：根據(jù)電致發(fā)光機制，oled材料分為熒光oled材料和磷光oled?，F(xiàn)有oled技術(shù)材料，磷光發(fā)光材料由于含有重金屬效應(yīng)，理論上可以達到100％的量子發(fā)光效率，尤其在紅光和綠光磷光材料方面已經(jīng)取得了長足的發(fā)展。但由于磷光材料的三線態(tài)激子在高濃度下容易發(fā)生猝滅，因此，為提高性能，需要保持一定的主體客體摻雜比例。熒光oled材料是一種純粹的有機材料，不含有重金屬，因此，理論上只能達到25％的內(nèi)部量子效率，造成理論上熒光的外部量子效率最高5％的上限。目前紅光和綠光oled材料已經(jīng)取得了長足的發(fā)展，熒光藍oled材料在性能上尚未能跟其它紅綠光材料進行媲美。近期，熱激活延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)材料得到廣泛關(guān)注，這種材料由于homo-lumo軌道分離，使得三線態(tài)激子可以通過熱的方式跳躍到單線態(tài)軌道上，因而可以獲得接近100％的內(nèi)部量子效率。目前藍光tadf材料依然是目前的一個難點，這是由于要獲得色純度高的熒光藍，至少要求有機材料的三線態(tài)達到2.6ev以上，并保持較高性能。最為經(jīng)典的就是日本九州大學開發(fā)的2czpn，其el電致發(fā)光光譜為480nm，是一種天藍光材料，外部量子效率10％，還不夠滿足顯示應(yīng)用。目前，如果要獲得深藍光tadf材料，需要重新進行分子設(shè)計。鑒于此，特提出本發(fā)明。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的第一目的在于提供一種作為熒光藍材料的螺芴-氧雜蒽化合物。本發(fā)明的第二目的在于提供使用該螺芴-氧雜蒽化合物的發(fā)光器件。為了完成本發(fā)明的目的，采用的技術(shù)方案為：為了實現(xiàn)本發(fā)明的第一目的，本發(fā)明提出螺芴-氧雜蒽化合物，選自如通式i所示的化合物：其中，y1、y2各自獨立的表示氫、吸電子基團或供電子基團；x1、x2中至少有一個取代基為通式ii所示的取代基：m表示-s-、-p-、-so-、-so2-、-s(＝s)-、-s(＝s)(＝s)-、-po-、-po2-、-p(＝s)-、-p(＝s)(＝s)-、-c(＝o)-；n1、n2、n3、n4各自獨立的表示碳原子或氮原子；ra選自為氫、鹵素、c1～30烷基、羥基取代的c1～30烷基或c6～48烷基芳基；j、k、n各自獨立的為0～4的整數(shù)，p、q各自獨立的為1～4的整數(shù)。為了實現(xiàn)本發(fā)明的第二目的，本發(fā)明提出一種發(fā)光器件，包括陽極、陰極及設(shè)置于所述陽極和所述陰極之間的至少一個有機層，所述有機層包括本發(fā)明所述的螺芴-氧雜蒽化合物。本發(fā)明的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：本發(fā)明提出一種基于螺芴-氧雜蒽結(jié)構(gòu)的熱激活延遲熒光材料，螺芴結(jié)構(gòu)與氧雜蒽結(jié)構(gòu)構(gòu)成90°左右的二面角，形成了homo-lumo分離的基礎(chǔ)，同時連接氧雜蒽基團以及芳環(huán)(或雜環(huán))的m基團的鍵可形成90°左右的空間角，又進一步分散了lumo軌道，從而使homo-lumo軌道分離徹底，δest接近0ev。同時，本發(fā)明的螺芴-氧雜蒽化合物是一個穩(wěn)定的剛性結(jié)構(gòu)，能夠保證材料具有足夠高的玻璃轉(zhuǎn)換溫度，使得材料在真空熱蒸鍍過程中保持較好的分子穩(wěn)定性。附圖說明圖1為本發(fā)明發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為化合物fxt-dpyso2的核磁共振碳譜；圖3為化合物fxt-dpyso2的核磁共振氫譜；圖4為化合物fxt-dpyso的核磁共振碳譜圖5為化合物fxt-dpyso的核磁共振氫譜；圖6為化合物fxt-pysocl2的核磁共振碳譜；圖7為化合物fxt-pysocl2的核磁共振氫譜；圖8為化合物fxt-4pyso的核磁共振碳譜；圖9為化合物fxt-4pyso的核磁共振氫譜；圖10為化合物fxt-4pyso、fxt-dpyso2、fxt-dpyso和fxt-pysocl2的發(fā)光機制圖。其中：10-發(fā)光器件；11-陽極；12-空穴傳輸層；13-發(fā)光層；14-電子傳輸層；15-陰極。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明涉及一種螺芴-氧雜蒽化合物，螺芴-氧雜蒽化合物選自如通式所示i的化合物：其中，y1、y2各自獨立的表示氫、吸電子基團或供電子基團；x1、x2中至少有一個取代基為式ii所示的取代基：m表示-s-、-p-、-so-、-so2-、-s(＝s)-、-s(＝s)(＝s)-、-po-、-po2-、-p(＝s)-、-p(＝s)(＝s)-、-c(＝o)-；n1、n2、n3、n4各自獨立的表示碳原子或氮原子；ra選自為氫、鹵素、c1～30烷基、羥基取代的c1～30烷基或c6～48烷基芳基；j、k、n各自獨立的為0～4的整數(shù)，p、q各自獨立的為1～4的整數(shù)。進一步優(yōu)選的，p、q均為1。本發(fā)明提出的螺芴-氧雜蒽化合物中螺芴結(jié)構(gòu)與氧雜蒽結(jié)構(gòu)構(gòu)成90°左右的二面角，這是保證游離在螺芴的homo與游離在通式ii所示基團以及部分游離在氧雜蒽單元上的lumo有效分離的基礎(chǔ)。同時連接氧雜蒽基團以及芳環(huán)(或雜環(huán))的m基團的鍵可形成大于100°的空間角，又進一步分散了lumo軌道，從而使homo-lumo軌道分離徹底，δest接近0ev。本發(fā)明的螺芴-氧雜蒽化合物，具有很高的三線態(tài)能級，同時其homo-lumo分離徹底，并且具有較好的熒光發(fā)光效率，從而獲得深藍光光譜。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，供電子基團選自取代或未取代的c1～30烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的二聯(lián)苯基或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，r1、r2、r3、r4各自獨立的選自氫原子、氨基、鹵素、取代或未取代的c1～12烷基、取代或未取代的c1～12烷氧基、取代或未取代的c6～12芳基、取代或未取代的c6～12芳氧基；取代基為鹵素原子、c1～12的烷基、鹵素原子取代的c1～12的烷基、鹵素原子取代的c1～12的烷氧基；m為0～4的整數(shù)；式y(tǒng)-6、式y(tǒng)-7、式y(tǒng)-11、式y(tǒng)-12、式y(tǒng)-17和式y(tǒng)-18所示的基團中苯環(huán)上的任意氫原子可被取代而形成取代基。當m為砜基或亞砜基時，苯基砜或苯基亞砜等類似的取代基的合成產(chǎn)率較高，從而提高了本發(fā)明化合物的市場前景。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，吸電子基團選自通式ii所示的取代基。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，在式i中，x1選自氫或式iia所示的取代基，x2選自式iia所示的取代基；k表示碳原子或氮原子。ra所表示的含義同式ii。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，在式iia中，m表示-so-、-so2-、-po-。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，當y1、y2為氫時，螺芴-氧雜蒽化合物選自如通式ia或通式ib所示的化合物：其中，m1、m2各自獨立的表示-so-、-so2-、-po-；ra1、ra2各自獨立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨立的表示碳原子或氮原子。進一步優(yōu)選的，ra1、ra2各自獨立的選自氫原子或鹵素。更優(yōu)選的，在ia中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。當y1、y2為氫時，通式ia或通式ib所示的化合物中兩個或一個特定的吸電子官能團位于氧雜蒽分子的兩側(cè)或一側(cè)，從而可將homo全部留在螺芴分子上，而lumo獨自偏向特定的吸電子基團，從而使homo-lumo軌道分離。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，m1、m2各自獨立的表示砜基、亞砜基時，選自如通式ia1或通式ib1所示的化合物：其中，m1、m2各自獨立的表示-so-、-so2-；ra1、ra2各自獨立的選自氫、鹵素；k1、k2各自獨立的表示碳原子或氮原子。優(yōu)選的，在ia1中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。當m1、m2表示砜基時，連接苯基(或吡啶基)以及氧雜蒽的砜鍵是一個110.5°的空間角，從而可進一步分散lumo軌道。當m1、m2表示亞砜基時，連接苯基(或吡啶基)以及氧雜蒽的亞砜鍵可也形成90°左右的空間角，從而可進一步分散lumo軌道。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，m1、m2表示-po-時，選自如通式ia2所示的化合物：其中，ra11、ra12、ra21、ra22各自獨立的選自氫、鹵素；k11、k12、k21、k22各自獨立的表示碳原子或氮原子。優(yōu)選的，在ia2中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。當m1、m2表示-po-時，連接苯基(或吡啶基)以及氧雜蒽的鍵也可形成90°左右的空間角，從而可進一步分散lumo軌道。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，當y1、y2為供電子基團時，選自如通式ic所示的化合物：其中，m1、m2各自獨立的表示-so-、-so2-；ra1、ra2、rb、rc、rd、re各自獨立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨立的表示碳原子或氮原子。優(yōu)選的，在ic中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，當y1、y2為供電子基團時，還可選自如通式id所示的化合物：其中，m1、m2各自獨立的表示-so-、-so2-；ra1、ra2、rb、rc、rd、re各自獨立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨立的表示碳原子或氮原子。優(yōu)選的，在id中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，當y1、y2為供電子基團時，還可選自如通式ie所示的化合物：其中，m1、m2各自獨立的表示-so-、-so2-；ra1、ra2、rb、rc、rd、re各自獨立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨立的表示碳原子或氮原子。優(yōu)選的，在ie中，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。在通式ic、通式id、通式ie所示的化合物中，兩個或一個特定吸電子基團位于氧雜蒽分子的兩側(cè)或一側(cè)，在homo一側(cè)連接有供電子基團，游離在螺芴上的homo電子云會進一步向新增的供電子單元游離，從而使homo分布區(qū)域更加廣闊。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，通式ic所示的化合物進一步優(yōu)選通式ic1所示的化合物：作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，通式id所示的化合物進一步優(yōu)選通式id1所示的化合物：作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，通式ie所示的化合物進一步優(yōu)選通式ie1所示的化合物：作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，當y1、y2為吸電子基團時，選自如通式if所示的化合物：其中，m1、m2、m3、m4各自獨立的表示-so-、-so2-、-po-；ra11、ra12、ra21、ra22各自獨立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k11、k12、k21、k22各自獨立的表示碳原子或氮原子；n1、n2、n3、n4各自獨立的選自0～4的整數(shù)。在通式if所示的化合物中，x1、x2、y1、y2均為吸電子取代基，構(gòu)成四個吸電子單元，可將lumo軌道成分分攤到四個部分，并借助于吸電子單元與螺芴或氧雜蒽分子之間的大于100°的空間角進行分離。因此，lumo軌道更加離域，更加分散，與homo軌道的重疊成分更少，進一步降低δest。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，ra1、ra2、ra11、ra12、ra21、ra22各自獨立的選自氫原子、氘原子或鹵素；進一步各自獨立的選自氫原子或氯原子；rb、rc、rd、re各自獨立的選自氫原子、氘原子、鹵素、烷基、芳基、雜芳基、氘代烷基、氘代芳基或氘代雜芳基。其中，氘代烷基指氘原子取代烷基中的氫原子后形成的取代基，氘代芳基指氘原子取代芳基中的氫原子后形成的取代基，氘代雜芳基指氘原子取代雜芳基中的氫原子后形成的取代基。作為本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的一種改進，根據(jù)通式ia1和通式ib1，具體化合物可選自：根據(jù)通式ia2，具體化合物可選自：根據(jù)通式ic，具體化合物可選自：根據(jù)通式id，具體化合物可選自：根據(jù)通式ie，具體化合物可選自：根據(jù)通式if，具體化合物可選自：本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，其發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管(oled)。包括陽極、陰極及設(shè)置于陽極和陰極之間的至少一個有機層，有機層包括本發(fā)明的芳香族化合物。請參閱圖1，為本發(fā)明提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機層，陽極11與陰極15與電連接。本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的合成路線為：(一)y1、y2為氫時，螺芴-氧雜蒽化合物的合成：y1、y2為氫時的一般合成方法為：在裝有a的反應(yīng)瓶中滴加nbs(n-溴代琥珀酰亞胺)/thf的混合溶液，在氮氣保護條件下加熱到35～45℃保溫一定時間，進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙取代的二硫化合物r-s-s-r，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌一定時間，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌一定時間，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到產(chǎn)物d。其中，r可以是苯環(huán)，吡啶，對位氯苯，間位氯代吡啶。如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則如果r’＝h或則(二)y1、y2不為氫時，螺芴-氧雜蒽化合物的合成：r可以是苯環(huán)，吡啶，對位氯苯，間位氯代吡啶。y1、y2不為氫時的一般合成方法為：在裝有a的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮氣保護條件下進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙間位氯代吡啶取代的二硫化合物py-s-s-py，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌一定時間，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌一定時間，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到產(chǎn)物d。如果則如果則如果則如果則如果r’＝h或則如果則如果則如果則合成實施例1：fxt-dpyso2合成與表征在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加nbs(n-溴代琥珀酰亞胺)/thf的混合溶液，在氮氣保護條件下加熱到40℃保溫1小時，進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙吡啶取代的二硫化合物py-s-s-py，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌半個小時，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌1小時，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到fxt-dpyso2，產(chǎn)率48％。其核磁共振碳譜如圖2所示、核磁共振氫譜如圖3所示。其光致發(fā)光光譜(pl光譜)的主峰在460nm，是一種深藍光材料。合成實施例2：fxt-dpyso的合成與表征在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加nbs(n-溴代琥珀酰亞胺)/thf的混合溶液，在氮氣保護條件下加熱到40℃保溫1小時，進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙吡啶取代的二硫化合物py-s-s-py，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌半個小時，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌1小時，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到fxt-dpyso，產(chǎn)率51％。其核磁共振碳譜如圖4所示、核磁共振氫譜如圖5所示。其光致發(fā)光光譜(pl光譜)的主峰在465nm，是一種深藍光材料。合成實施例3：fxt-pysocl2的合成與表征在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮氣保護條件下進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙間位氯代吡啶取代的二硫化合物pycl-s-s-pycl，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌半個小時，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌1小時，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到fxt-pysocl2，產(chǎn)率60％。其核磁共振碳譜如圖6所示、核磁共振氫譜如圖7所示。其光致發(fā)光光譜(pl光譜)的主峰在446nm，是一種深藍光材料。合成實施例4：fxt-4pyso的合成與表征在裝有a的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮氣保護條件下40℃溫度進行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙間位氯代吡啶取代的二硫化合物py-s-s-py，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分攪拌半個小時，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進行充分攪拌1小時，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進行重結(jié)晶，得到fxt-pyso，產(chǎn)率60％。其核磁共振碳譜如圖8所示、核磁共振氫譜如圖9所示。其光致發(fā)光光譜(pl光譜)的主峰在440nm，是一種深藍光材料。本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的δest測試有機材料由于自旋度不同而造成s1激發(fā)態(tài)和t1激發(fā)態(tài)能量不同，且es1能量要比et1能量大0.5～1.0ev，這就造成純有機熒光材料發(fā)光效率低下。熱延遲熒光tadf材料，由于獨特分子設(shè)計，將homo-lumo軌道進行分離，降低二者電子交換能，理論上可以實現(xiàn)δest∽0。為了有效評估本發(fā)明中所述材料的熱延遲熒光效果，進行δest評估。將1wt％化合物摻雜到mcbp薄膜中，在77k條件下進行熒光發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜量測，通過波長與能量關(guān)系進行換算成s1和t1值(e＝1240/λem)。然后，δest＝es1-et1獲得單線體和三線態(tài)的分裂能。具體實驗數(shù)據(jù)如表1所示，其發(fā)光機制圖如圖10所示。表1：測試項目fxt-dpyso2fxt-dpysofxt-pysocl2fxt-4pysoes1(ev)2.772.752.722.70et1(ev)2.672.632.592.62δest(ev)0.100.120.130.08從表1可知，本發(fā)明的化合物都具有比較小的δest值都小于0.2ev，因此都具備熱延遲熒光效果。如圖10的發(fā)光機制圖所示，熒光發(fā)光機制中的t1→s1電子躍遷是禁阻的，因為三線態(tài)和單線體是不同的自旋電子態(tài)，當發(fā)光材料的單線態(tài)和三線態(tài)能級差不斷縮小的情況下，t1→s1的電子躍遷概率也得到顯著提升，在外部環(huán)境中施加的能量作用下，可以得到延遲熒光df，因此，發(fā)光材料中的熒光f加上延遲熒光df導致熒光發(fā)光材料的發(fā)光效率明顯增加。從δest的大小來看，上述化合物單線態(tài)與三線態(tài)之間的分裂能排序為：fxt-pysocl2>fxt-dpyso>fxt-dpyso2>fxt-4pyso，發(fā)光效率得到顯著提高。本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物的玻璃轉(zhuǎn)換溫度測試為了進一步說明本發(fā)明的化合物具有穩(wěn)定的剛性結(jié)構(gòu)，可提高材料的玻璃轉(zhuǎn)換溫度，進行以下實驗：實驗方法：采用dsc熱示差掃描儀，設(shè)備型號perkinelmerpyris1，儀器功能：量測特定溫度下樣品的能量變化情況，樣品透過可控式升降溫度爐中，通過氦氣氧氣等氣體，當樣品發(fā)生蒸發(fā)、融熔、結(jié)晶等相變化時，會伴隨能量的吸收放熱變化，即可判定樣品的反應(yīng)熱、熔點、玻璃轉(zhuǎn)化溫度、結(jié)晶溫度、熱穩(wěn)定性。測試條件：1.溫度范圍：rt-500℃；2.升降溫速率5v/min；3.環(huán)境氣體n2；樣品條件：1.每個樣品重量至少約為2～3mg；2.樣品需前處理，除去水、溶劑或其它干擾實驗結(jié)果的雜質(zhì)。實驗結(jié)果如表2所示：表2：從表2可知，本發(fā)明的化合物都具有較高的玻璃轉(zhuǎn)換溫度，使得材料在真空熱蒸鍍過程中保持較好的分子穩(wěn)定性。本發(fā)明螺芴-氧雜蒽化合物用于oled器件的性能評估ito基板是30mm×30mm尺寸的底發(fā)射玻璃，有四個發(fā)光區(qū)域，發(fā)光面積aa區(qū)為2mm×2mm，ito薄膜的透光率為90％@550nm，表面粗糙度ra<1nm，ito膜厚為1300a，方電阻為10歐姆每平方。ito基板的清洗方式為：首先放置在盛有丙酮溶液的容器中，將該容器放置于在超聲波清洗機進行超聲清洗，清洗時間為30分鐘，主要是將附著在ito表面的有機物進行溶解和祛除；然后將清洗完畢的ito基板取出放置在熱板上進行高溫120℃烘烤半個小時，主要是移除ito基板表面的有機溶劑和水汽；然后將烘烤完畢的ito基板迅速轉(zhuǎn)移到uv-zone設(shè)備中進行o3plasma處理，將ito表面難以除盡的有機物或異物進一步使用等離子處理，處理時間為15分鐘，處理完畢的ito要迅速轉(zhuǎn)移到oled蒸鍍設(shè)備成膜室中。oled蒸鍍前準備：首先對oled蒸鍍設(shè)備進行潔凈處理，使用ipa進行擦拭成膜室的腔體內(nèi)壁，保證整個成膜腔體沒有異物或粉塵。然后，將裝有oled有機材料的坩堝和裝有金屬鋁粒的坩堝依次放置在有機蒸發(fā)源和無機蒸發(fā)源位置上。關(guān)閉腔體，進行初抽真空和抽高真空步驟，使得oled蒸鍍設(shè)備內(nèi)部蒸鍍度達到10e-7torr。oled蒸鍍成膜：打開oled有機蒸發(fā)源，對oled有機材料進行100c預(yù)熱，預(yù)熱時間為15分鐘，保證進一步移除oled有機材料中的水汽。然后對需要蒸鍍的有機材料進行快速升溫加熱處理，并打開蒸發(fā)源上方的擋板，直到該材料的蒸發(fā)源有有機材料跑出，同時晶振片檢測器檢測到蒸發(fā)速率時，然后進行緩慢升溫，升溫幅度為1-5℃，直到蒸發(fā)速率穩(wěn)定在1a/秒時，打開掩膜板板正下方的擋板，進行oled成膜，當電腦端觀測到ito基板上的有機膜達到預(yù)設(shè)膜厚時，關(guān)閉掩膜板擋板和蒸發(fā)源正上方擋板，關(guān)閉該有機材料的蒸發(fā)源加熱器。其它有機材料和陰極金屬材料的蒸鍍工藝如上所述。oled封裝流程：20mm×20mm的封裝蓋的清潔處理方式如ito基板前處理方式。在清潔完畢的封裝蓋外延四周進行uv膠材涂覆或點膠，然后，將點完uv膠材的封裝蓋轉(zhuǎn)移到真空貼合設(shè)備中，與成膜oled有機膜的ito基板進行真空貼合，然后，轉(zhuǎn)移到uv固化腔體中，使用365nm波段的紫外光進行光固化。光固化的ito器件，還需要進行80℃半小時的后熱處理，使得uv膠材完全固化。1、作為客體發(fā)光材料(器件編號a～e)：fxt-4pyso作為客體發(fā)光材料的電致發(fā)光性能，設(shè)計oled器件結(jié)構(gòu)為：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:fxt-4pyso(xwt％,30nm,x＝2–10)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。2、作為主體材料(器件編號g)：fxt-4pyso作為雙極性的主體材料，設(shè)計oled器件結(jié)構(gòu)為：ito/npb/tcta/fxt-4pyso:firn4(10wt％)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。3、對比例(器件編號f)：采用經(jīng)典的磷光藍firn4材料進行性能對比，設(shè)計oled器件結(jié)構(gòu)為：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:firn4(10wt％,30nm)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。器件制作過程如上所述。封裝后的樣品進行ivl性能測試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進行測試，測試數(shù)據(jù)如表3所示：表3：由表2可知，基于fxt-4pyso的器件性能要隨著摻雜比例提高而提高，摻雜比例持續(xù)提高后，器件性能具有下降的趨勢。但是摻雜比例為8wt％的fxt-4pyso性能已經(jīng)超過磷光藍材料的性能。fxt-4pyso作為主體材料時的發(fā)現(xiàn)g的器件性能要遠遠好于f，這是因為fxt-4pyso材料同時具有傳輸電子和空穴的能力，器件中的載流子平衡，因此發(fā)光效率良好。以fxt-4pyso的最佳摻雜比例為基準，制作如下器件結(jié)構(gòu)：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:發(fā)光材料(8wt％,30nm)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。其中發(fā)光材料為fxt-4pyso、fxt-dpyso2、fxt-dpyso、fxt-pysocl2，以進一步評估其光電性能。器件制作過程如上所述。封裝后的樣品進行ivl性能測試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進行測試，測試數(shù)據(jù)如表4所示：表4：如表3可知，fxt-4pyso的最大外部量子效率最好，可能是由于其δest最小，激子的利用率最高。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。當前第1頁12