本發(fā)明涉及有機發(fā)光材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種化合物及其發(fā)光器件和顯示裝置。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光器件(oleds)根據(jù)發(fā)光激子的類別可以分為熒光器件和磷光器件。與僅能利用單線態(tài)激子能量(25％)發(fā)光的傳統(tǒng)熒光器件相比，磷光器件因理論上可以達到100％的內(nèi)量子效率而具備更為廣闊的應(yīng)用前景。但磷光器件也因為含有重金屬導(dǎo)致成本過高(幾乎以熒光材料的數(shù)倍計)，穩(wěn)定性差(lifetime短)而飽受詬病。最近兩年來，一種全新的發(fā)光材料——熱致延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)材料，利用e型上轉(zhuǎn)換(e-typeupconversion)的原理，能同時利用單線態(tài)與三線態(tài)激子的能量，擁有更高的內(nèi)量子效率；由于其與傳統(tǒng)熒光材料一樣不含重金屬，可以大大降低成本并提高穩(wěn)定性而備受矚目。目前，基于此類材料的器件外量子效率已經(jīng)足可與磷光器件相匹敵。延遲熒光為了利用三線態(tài)向單線態(tài)能級逆向竄越(risc)從而輻射發(fā)光，必須將單線態(tài)與三線態(tài)能級差降低到可以滿足逆向竄越的值(一般情況下，δest≤0.2ev)。即δest與homo、lumo的重疊程度正相關(guān)，如要降低δest，需要將homo，lumo盡可能地分離。在oled器件中，發(fā)光材料以固體薄膜的形式存在，由于有機發(fā)光材料均為大π共軛體系，容易發(fā)生因“π-π”堆積作用引起的聚集誘導(dǎo)熒光淬滅(aggregationcausedquenching，acq)，從而導(dǎo)致效率低下。四苯乙烯(tpe)是較早被發(fā)現(xiàn)的藍光aie(aggregationinducedemission)材料，但基于tpe構(gòu)筑的藍光器件僅有0.45cd/a的效率，因此如何對tpe進行修飾，設(shè)計高效率aie材料仍是一個挑戰(zhàn)。由于目前基于四苯乙烯的aie材料均為純p型，少有雙極性(bipolar)類型的材料設(shè)計，對器件的勢壘降低和載流子注入傳輸不利，從而影響到器件的效率和壽命。鑒于此，特提出本申請。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請的首要發(fā)明目的在于提出一種化合物。本申請的第二發(fā)明目的在于提出一種發(fā)光器件。本申請的第三發(fā)明目的在于提出一種顯示裝置。為了完成本申請的目的，采用的技術(shù)方案為：為完成本發(fā)明的第一發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種化合物，該化合物的結(jié)構(gòu)式如通式i所示：其中，ra、rb、rc、rd各自獨立的選自供電子基團；r1選自吸電子基團；r2、r3各自獨立的選自氫原子或吸電子基團；m、n、p、q各自獨立的選自1～5的整數(shù)；r、s各自獨立的選自1～4的整數(shù)?？蛇x的，所述化合物的結(jié)構(gòu)式如通式ia所示：其中，r1選自吸電子基團；r2、r3各自獨立的選自氫原子或吸電子基團?？蛇x的，r1選自取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；r2、r3各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、鹵素取代的c1～c6烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基?？蛇x的，所述雜芳基中的雜原子為氮原子。可選的，r1選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的異喹啉基或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；ra、rb、rc各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；r4選自c1～c6烷基，r5選自c6～c12芳基；t、u、v各自獨立的選自1～5的整數(shù)。可選的，r2、r3各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的異喹啉基或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；ra、rb、rc各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；r4選自c1～c6烷基，r5選自c6～c12芳基；t、u、v各自獨立的選自1～5的整數(shù)?？蛇x的，r2和r3為相同的取代基。可選的，r1、r2和r3均為相同的取代基?？蛇x的，所述化合物選自以下化合物中的其中一種：為完成本發(fā)明的第二發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括第一電極、相對于第一電極的第二電極及設(shè)置于第一電極和第二電極之間的至少一個有機層，有機層包括本發(fā)明的化合物。為完成本發(fā)明的第三發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明的發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：本發(fā)明提出一種基于四苯乙烯結(jié)構(gòu)的tadf材料，將四苯乙烯結(jié)構(gòu)作為tadf材料的p型生色團(donorunit)，通過吖啶sp3雜化的linkage連接受體基團(acceptorunit)，不僅可以縮短共軛長度，提高能級，還可以改善分子熱力學(xué)穩(wěn)定性；同時，短軸共軛削弱了分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移，可在一定程度上窄化發(fā)光光譜。本發(fā)明的化合物具有較小的δest，可以滿足三線態(tài)能量向單線態(tài)逆向竄越(risc)從而提高輻射發(fā)光效率。因此，本發(fā)明的發(fā)光材料兼有tadf和aie效應(yīng)，不僅可以利用傳統(tǒng)熒光分子躍遷禁阻的三線態(tài)激子來發(fā)光，還能避免高電流密度和摻雜濃度下的激子淬滅，從而可顯著提高器件的效率。本發(fā)明提出的基于四苯乙烯結(jié)構(gòu)的tadf材料，具備雙極性(bipolar)特性，其作為發(fā)光層可顯著改善兩種載流子的注入和傳輸，從而可降低器件的啟動電壓。同時，采用本發(fā)明的化合物制備的發(fā)光器件的發(fā)光層不含貴重金屬，可大大降低成本。附圖說明圖1為化合物m1的發(fā)射光譜；圖2為化合物m2的發(fā)射光譜；圖3為化合物m1的homo-lomo軌道示意圖；圖4為化合物m2的homo-lomo軌道示意圖；圖5為化合物m1在thf:h2o溶劑體系中的熒光強度曲線；圖6為化合物m2在thf:h2o溶劑體系中的熒光強度曲線；圖7為本發(fā)明實施例中發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例中顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為器件1#的電流密度曲線；圖10為器件2#的電流密度曲線；其中：10-發(fā)光器件；11-陽極；12-空穴傳輸層；13-發(fā)光層；14-電子傳輸層；15-陰極。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。作為本發(fā)明實施例的第一方面，本發(fā)明實施例提出一種化合物，其結(jié)構(gòu)式如通式i所示：其中，ra、rb、rc、rd各自獨立的選自氫原子或供電子基團；r1選自吸電子基團；r2、r3各自獨立的選自氫原子或吸電子基團；m、n、p、q各自獨立的選自1～5的整數(shù)；r、s各自獨立的選自1～4的整數(shù)。通常意義上講，當(dāng)取代基取代苯環(huán)上的氫后，導(dǎo)致苯環(huán)上電子密度相對原來升高的叫供電子基團；反之，導(dǎo)致苯環(huán)上電子密度相對原來降低的叫吸電子基團。本發(fā)明實施例在分子結(jié)構(gòu)中的吖啶部分設(shè)置吸電子基團，從而可將homo和lumo分別排布在不同的結(jié)構(gòu)單元上，實現(xiàn)了homo-lumo完全的分離，有助于減小隙間能差δest，從而提高逆隙間竄越能力。進一步的，在四苯乙烯部分進一步設(shè)置供電子基團，可進一步促進homo-lumo的分離。當(dāng)ra、rb、rc、rd均為氫原子時，本發(fā)明實施例的化合物選自通式ia所示的化合物：其中，r1選自吸電子基團；r2、r3各自獨立的選自氫原子或吸電子基團。在通式i、通式ia中，r1可選自取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；r2、r3各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、鹵素取代的c1～c6烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基。其中，c6～c48芳基包括苯基及由多個苯基連接或稠合得到的基團；c3～c48雜芳基包括含有至少一個雜原子的雜芳基，以及雜芳基與芳基稠合得到的取代基。在本發(fā)明實施例的雜芳基中，雜原子可選自氮原子、氧原子、硫原子等，進一步優(yōu)選為氮原子，形成氮雜芳基。在通式i、通式ia中，r1選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的異喹啉基或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；ra、rb、rc各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；r4選自c1～c6烷基，r5選自c6～c12芳基；t、u、v各自獨立的選自1～5的整數(shù)。在通式i、通式ia中，r2、r3各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的異喹啉基或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，取代基選自鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；ra、rb、rc各自獨立的選自氫原子、鹵素原子、-no2、-cn、全鹵素或部分鹵素取代的c1～c6烷基、c1～c6烷基；r4選自c1～c6烷基，r5選自c6～c12芳基；t、u、v各自獨立的選自1～5的整數(shù)。進一步可選的，r1、r2、r3各自獨立的選自以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，a、b、c各自獨立的表示1～5的整數(shù)。在本發(fā)明實施例的化合物中，r2和r3可為相同的取代基，對稱結(jié)構(gòu)更加便于合成。在本發(fā)明實施例的化合物中，r1、r2和r3均為相同的取代基。在本發(fā)明實施例的上述通式中，“雜芳基”是指芳基中的一個或多個芳核碳被雜原子(諸如o、n和s原子)替代所得到一價有機基團，其包括五元或六元的單環(huán)型雜芳基，以及稠和雜芳基，其包括取代或未取代的雜芳基。未取代的雜芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、吡喃基、吡咯基、三唑基、四唑基、吲哚基、噠嗪基、吡嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、噻唑基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基，但不限于此?！暗s芳基”即上述“芳基”中的一個或多個芳核碳被n原子替代所得到一價有機基團?！巴榛笔侵竿闊N分子中少掉一個氫原子而成的飽和烴基，其包括直鏈或支鏈結(jié)構(gòu)的烷基，其包括取代或未取代的烷基。烷基的示例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、仲丁基、戊基、異戊基、己基，但不限于此?！胞u素”的示例包括氟、氯、溴、碘。作為本發(fā)明實施例的化合物的改進，本發(fā)明實施例的化合物選自以下結(jié)構(gòu)式所示化合物中的其中一種：本發(fā)明實施例化合物的合成路線為：一、式i所示化合物的合成路線為：式i所示化合物的一般合成方法為：1、氮氣氛圍下，將前體物質(zhì)a加入無水四氫呋喃溶液攪拌溶解，-76℃～-80℃下緩慢滴加n-buli反應(yīng)一定時間，緩慢滴加溶有前體物質(zhì)b的四氫呋喃溶液，自然升溫至室溫并反應(yīng)過夜。反應(yīng)結(jié)束后用水淬滅反應(yīng)，然后用二氯甲烷萃取有機相，重復(fù)三次及以上，蒸發(fā)溶劑后甲苯洗滌并抽濾得到醇式中間體粗品。2、將中間體粗品加入濃hcl和acoh的混合溶液回流1～3h，冷卻到室溫，萃取、純化即得到式i所示化合物。二、前體物質(zhì)a的合成路線為：前體物質(zhì)a的一般方法為：將活化后的zn粉加入四氫呋喃溶劑中，降溫至-12℃～8℃，氮氣保護下加入ticl4并回流一定時間，降至室溫加入前體物質(zhì)a-s1和a-s2，回流18～22h。反應(yīng)結(jié)束后將至室溫，加入飽和k2co3溶液，萃取、干燥、純化，即得前體物質(zhì)a。三、前體物質(zhì)b的合成路線為：其中，x表示溴或碘。合成實施例1化合物m1的合成及表征：(1)前體物質(zhì)a的合成將活化后的zn粉6.5g(0.1mol)加入100ml四氫呋喃溶劑中，降溫至-10℃，氮氣保護下，緩慢加入9.5g(50mmol)ticl4，回流2h，降至室溫加入2.6g(10mmol)2-溴二苯甲酮，1.8g(10mmol)二苯甲酮，回流20h。反應(yīng)結(jié)束后將至室溫，加入100ml飽和k2co3溶液，二氯甲烷(30ml×3)萃取有機相，干燥后旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)掉溶劑，以柱層析方法(流動相純石油醚)純化產(chǎn)物，得到白色固體1.5g，收率37％。hrms(esi):m/z:410.29。1hnmr(400mhz,cdcl3)：δ/ppm,7.54(d,1h),7.27-7.46(m,18h).(2)前體物質(zhì)b的合成：氮氣氛圍下，將2g(10mmol)吖啶酮加入30ml無水四氫呋喃溶液攪拌溶解，冰浴下緩慢滴加1.6mn-buli7.5ml(12mmol)反應(yīng)30min，再向生成的黃色懸濁液緩慢滴加溶有3g(11mmol)二苯基三嗪，0.1g(0.1mmol)四三苯基磷鈀的20ml四氫呋喃溶液，80℃加熱反應(yīng)過夜。反應(yīng)結(jié)束后冷卻到室溫，加入100ml飽和nacl溶液，二氯甲烷(30ml×3)萃取有機相，干燥后旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)掉溶劑，100ml甲苯重結(jié)晶得到白色固體2.8g，收率66％。maldi-tof:m/z:426.03；1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝8.36(m,4h)；7.70(d,2h)；7.48-7.50(m,8h)；7.28(d,2h)；7.18(t,2h).(3)化合物m1的合成：氮氣氛圍下，將0.41g(1mmol)前體物質(zhì)a(2-brtpe)加入10ml無水四氫呋喃溶液攪拌溶解，-78℃下緩慢滴加1.6mn-buli0.7ml(1.1mmol)反應(yīng)30min，緩慢滴加溶有0.42g(0.98mmol)前體物質(zhì)b的5ml四氫呋喃溶液，自然升溫至室溫并反應(yīng)過夜。反應(yīng)結(jié)束后用100ml水淬滅反應(yīng)后用二氯甲烷(30ml×3)萃取有機相，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)掉溶劑，10ml甲苯洗滌并抽濾得到醇式中間體粗品；將其加入5ml濃hcl和50mlacoh的混合溶液回流2h，冷卻到室溫，加水100ml，用二氯甲烷(10ml×3)萃取有機相，并用飽和nahco3溶液調(diào)至中性，轉(zhuǎn)蒸發(fā)掉溶劑，以柱層析方法(流動相正己烷：二氯甲烷＝10:1)純化產(chǎn)物，得到白色固體(m1)0.4g，收率56％。m1:maldi-tof:m/z:740.14；1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝8.36(d,4h)；7.30-7.50(m,20h)；7.14-7.19(m,10h)；6.95(m,2h).m1化合物的發(fā)射光譜如圖1所示。由圖1所示的發(fā)射圖譜可知，m1化合物為典型的藍光發(fā)射，其發(fā)射主峰為476nm，譜形較窄，堪比傳統(tǒng)的藍色熒光材料。合成實施例2化合物m2的合成及表征：(1)前體物質(zhì)a(2-brtpe)的合成同合成實施例1；(2)前體物質(zhì)b(二氰基吖啶酮)的合成將吖啶酮2g(9.9mmol)溶于50ml二氯甲烷，加入碳酸鉀4.1g(30mmol)，氮氣氛圍下，緩慢滴加2.5ml溴素，常溫攪拌反應(yīng)24h。反應(yīng)結(jié)束后緩慢加入飽和亞硫酸鈉溶液50ml除掉未反應(yīng)完的溴素。分液后將有機層干燥濃縮得到淡黃色粗產(chǎn)品。粗產(chǎn)品用甲醇重結(jié)晶得到白色固體2.85g，產(chǎn)率81％。將此溴代產(chǎn)物2g(5.6mmol)，氰化亞銅3g(34mmol)加入50mldmf攪拌回流反應(yīng)24h。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻到室溫并將反應(yīng)液倒入100ml氯化鐵鹽酸溶液(15g氯化鐵與9ml鹽酸混合溶于100ml水)中，后升溫至60℃攪拌反應(yīng)30min，再冷卻至室溫，使用二氯甲烷(100ml×3)萃取有機相，干燥濃縮后的產(chǎn)物使用柱層析分離(二氯甲烷：石油醚＝1：1)得到白色固體0.48g，產(chǎn)率35％。hrms(esi):m/z:244.96。1hnmr(400mhz,cdcl3)：δ/ppm,8.19(s,2h),7.67(d,2h),7.46(d,2h),7.2(s,1h).(3)化合物m2的合成具體實驗條件同合成實施例1。m2:maldi-tof:m/z:635.29；1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝7.70(s,2h)；7.45-7.50(m,8h)；7.38(d,2h)；7.20-7.30(m,10h)；7.18(m,2h)；6.81(t,1h)；6.69(d,2h),6.63(d,2h).m2化合物發(fā)射光譜如圖2所示：由圖2所示的發(fā)射圖譜可知，m2化合物為典型的藍綠光發(fā)射，其發(fā)射主峰為501nm。本發(fā)明實施例化合物的性能分析：一、能級及δest測試通過gaussian09軟件模擬本發(fā)明實施例化合物m1～化合物m4的homo-lomo軌道，并測試δest?；衔飉1、化合物m2的homo-lomo軌道示意圖分別如圖3和圖4所示。由圖3和圖4可看出，化合物m1、化合物m2的homo和lumo分別排布在不同的單元上，實現(xiàn)了完全的分離，這有助于減小隙間能差δest，從而提高逆隙間竄越能力。運用密度泛函理論(dft)，針對化合物m1～化合物m4利用gaussian09程序包在b3lyp/6-31g(d)計算水平下，優(yōu)化并計算得到了分子前線軌道的分布情況，計算得到化合物m1～化合物m4的homo-lumo能級、δest測試結(jié)果具體如表1所示。表1：在表1中，homo表示：最高占據(jù)分子軌道；lumo表示：最低未占分子軌道；eg表示：禁帶寬度。es1表示：激發(fā)單線態(tài)能量；et1表示：激發(fā)三線態(tài)能量；δest表示：三線態(tài)能量與單線態(tài)能量之間的能量差值。由表1所示的數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明的化合物m1～化合物m4均具有較小的δest，因此具備tadf材料的特性。二、熒光壽命測試或計算方法為：基于含時密度泛函理論(tddft)，借助愛因斯坦自發(fā)輻射公式推算本發(fā)明實施例化合物m1～化合物m4的熒光壽命。計算結(jié)果具體如表2所示。表2：化合物輻射速率常數(shù)τ(μs)m11.42×1057.0m25.26×1051.9m31.92×1055.2m43.70×1052.7在表2中，τ表示：熒光壽命。由表2所示的數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明的化合物m1～化合物m4的熒光壽命為較傳統(tǒng)熒光材料ns級的熒光壽命高出3個量級，表明分子具有典型的延遲熒光性質(zhì)。三、aie效應(yīng)測試本發(fā)明實施例化合物m1、化合物m2的aie效應(yīng)，測試方法為：分別配制化合物m1、化合物m2溶度為10-5mol/l的thf:h2o溶液(溶劑配比分別為75:25、50:50、25:75、0:100)，使用熒光分光光度計測試其熒光強度。實驗結(jié)果分別如圖5和圖6所示。比較化合物m1、化合物m2在不同濃度的thf:h2o溶劑體系中的熒光強度，可以明顯看出，隨著thf比例的下降、h2o比例的上升，材料的熒光強度大幅增加，具備明顯的aie效應(yīng)。本發(fā)明實施例還涉及一種發(fā)光器件，具體為有機發(fā)光二極管(oled)。包括陽極、陰極及設(shè)置于陽極和陰極之間的至少一個有機層，有機層包括本發(fā)明的化合物。有機層的層數(shù)可以為1層，也可以為多層。在有機層中包含主體材料和客體材料，本發(fā)明的化合物可作為主體材料，也可作為客體材料。圖7為本發(fā)明實施例的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機層，陽極11與陰極15與電連接。該發(fā)光器件形成于基底(substrate)上，基底采用玻璃或其他適合材質(zhì)(如塑料)等，陽極11為ito或igzo等透明陽極；陰極15為金屬陰極。本發(fā)明實施例還涉及一種顯示裝置，如圖8所示，包括本發(fā)明的發(fā)光器件10。四、本發(fā)明實施例化合物用于oled器件的性能評估oled器件的制備：制備tft基板；在tft基板上形成陽極；在電極上形成包含本發(fā)明實施例化合物的有機層；形成陰極。(一)、以化合物m1為例，將其作為熒光摻雜劑(dopant)制備摻雜體積的oled器件，設(shè)計編號為1#的oled器件的結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:m1(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。為了對比本發(fā)明實施例中的化合物的性能，采用經(jīng)典藍光發(fā)光材料bczvbi的參比器件(reference)，設(shè)計編號為d1#的參比器件的oled器件結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:bczvbi(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。制備完成后的樣品進行性能測試，采用spectroscanpr705光譜儀和keithley236電流電壓源測量系統(tǒng)檢測該器件的性能。測試數(shù)據(jù)如表3所示。電流密度曲線如圖9所示(其中c.e.表示電流效率，eqe表示最高外部量子效率)。表3表3中，vturn-on表示啟動電壓；el(max)表示：最大電流效率；表示：電流密度為10ma/cm2時的電流效率；hp(max)表示：最大功率效率；eqe(max)表示：外量子效率(externalquantumefficiency)；cie(x,y)表示：色度坐標。從表3和圖9可以看出，器件1#的外量子效率(eqe)較參比器件具有非常顯著的提高。同時，啟動電壓顯著減低，有利于降低功耗；cie(x,y)為(0.13,0.14)，為一種藍光材料。上述有機發(fā)光器件的性能主要源于發(fā)光層中的化合物m1自身的tadf特性和aie效應(yīng)，利用傳統(tǒng)熒光分子(如bczvbi)躍遷禁阻的三線態(tài)激子來發(fā)光，從而提高了器件效率。(二)、以化合物m2為例，將其作為熒光摻雜劑(dopant)制備摻雜體積的oled器件，設(shè)計編號為2#的oled器件的結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:m2(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。為了對比本發(fā)明實施例中的化合物的性能，采用經(jīng)典藍光發(fā)光材料bczvbi的參比器件(reference)，設(shè)計編號為d2#的參比器件的oled器件結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:bczvbi(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。制備完成后的樣品進行性能測試，采用spectroscanpr705光譜儀和keithley236電流電壓源測量系統(tǒng)檢測該器件的性能。測試數(shù)據(jù)如表4所示。電流密度曲線如圖10所示(其中c.e.表示電流效率，eqe表示最高外部量子效率)。表4在表4中，vturn-on表示啟動電壓；el(max)表示：最大電流效率；表示：電流密度為10ma/cm2時的電流效率；hp(max)表示：最大功率效率；eqe(max)表示：外量子效率(externalquantumefficiency)；cie(x,y)表示：色度坐標。從表4和圖10可以看出，器件2#的外量子效率(eqe)較參比器件具有非常顯著的提高。同時，啟動電壓顯著減低，有利于降低功耗；cie(x,y)為(0.12,0.52)，為一種藍綠光材料。上述有機發(fā)光器件的性能主要源于發(fā)光層中的化合物m2自身的tadf特性和aie效應(yīng)，利用傳統(tǒng)熒光分子(如bczvbi)躍遷禁阻的三線態(tài)激子來發(fā)光，從而提高了器件效率。比較器件1#和器件2#的性能可知，兩個器件在cie表現(xiàn)上不相伯仲，均為較為純正的藍光發(fā)射。化合物m2雖為藍綠光發(fā)射，但也表現(xiàn)較為優(yōu)異的器件性能。(三)、以化合物m3為例，將其作為熒光摻雜劑(dopant)制備摻雜體積的oled器件，設(shè)計編號為3#的oled器件的結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:m3(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。為了對比本發(fā)明實施例中的化合物的性能，采用經(jīng)典藍光發(fā)光材料bczvbi的參比器件(reference)，設(shè)計編號為d3#的參比器件的oled器件結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:bczvbi(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。采用spectroscanpr705光譜儀和keithley236電流電壓源測量系統(tǒng)檢測該器件的性能。測試數(shù)據(jù)如表5所示。表5表5中，vturn-on表示啟動電壓；el(max)表示：最大電流效率；表示：電流密度為10ma/cm2時的電流效率；hp(max)表示：最大功率效率；eqe(max)表示：外量子效率(externalquantumefficiency)；cie(x,y)表示：色度坐標。從表5可以看出，器件3#的外量子效率(eqe)較參比器件具有非常顯著的提高。同時，啟動電壓顯著減低，有利于降低功耗；cie(x,y)為(0.13,0.13)，為一種藍光材料。(四)、以化合物m4為例，將其作為熒光摻雜劑(dopant)制備摻雜體積的oled器件，設(shè)計編號為4#的oled器件的結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:m4(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。為了對比本發(fā)明實施例中的化合物的性能，采用經(jīng)典藍光發(fā)光材料bczvbi的參比器件(reference)，設(shè)計編號為d4#的參比器件的oled器件結(jié)構(gòu)為：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/tapc(20nm)/adn:bczvbi(25nm,5％)/tmpypb(35nm)/lif(1nm)/al(100nm)。采用spectroscanpr705光譜儀和keithley236電流電壓源測量系統(tǒng)檢測該器件的性能。測試數(shù)據(jù)如表6所示。表6表6中，vturn-on表示啟動電壓；el(max)表示：最大電流效率；表示：電流密度為10ma/cm2時的電流效率；hp(max)表示：最大功率效率；eqe(max)表示：外量子效率(externalquantumefficiency)；cie(x,y)表示：色度坐標。從表6可以看出，器件4#的外量子效率(eqe)較參比器件具有非常顯著的提高。同時，啟動電壓顯著減低，有利于降低功耗；cie(x,y)為(0.14,0.48)，為一種藍綠光材料。本申請雖然以較佳實施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本申請的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本申請權(quán)利要求所界定的范圍為準。當(dāng)前第1頁12