專利名稱：揮發(fā)性金屬β-酮亞胺鹽配合物的制作方法
揮發(fā)性金屬P -酮亞胺鹽酉5^
本申請(qǐng)是基于申請(qǐng)日為2005年12月30日、申請(qǐng)?zhí)枮?200510104721. 8的申請(qǐng)所提交的分案申請(qǐng)。
交叉引用的相關(guān)申請(qǐng)
本申請(qǐng)要求2004年12月30日提出的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.60/640，338的 優(yōu)狄-
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工業(yè)中，在電子器件例如現(xiàn)有技，處理器中使用^^r屬如銅 (Cu)的互i^置。所述^r屬的互il^置中可以"^ir屬線來形成三維網(wǎng) 格，微處理器中心的數(shù)百萬的晶體管可以通過其相互連通并進(jìn)行復(fù)雜的運(yùn) 算。在這些和^應(yīng)用中，^用銅或者^^r而非其他的金屬比如鋁，因 為銅是一種很好的導(dǎo)電體，因此提供了載流能力更大的速JL^快的互連。
電子器件中的互連通路一^:通過金屬鑲嵌工藝來制備的，由此將擴(kuò) 散阻隔材料的保形薄層涂在電介質(zhì)絕緣體中的壓花和蝕刻溝槽和通路 (vias)上。擴(kuò)散阻隔層"^:與金屬或銅層一起使用以避免由所述金屬或銅 層與M電路^f^部分的相互作用或擴(kuò)散帶來的不利影響。典型的阻隔材料 包括，但不局限于，鈦、鉭、鴒、鉻、鉬、鋯、釕、釩和/或鉑，以及這些 材料的碳化物、氮化物、碳H/f⑩、碳4^、氮4^，和碳t/f^以及含有 這些材料的*。在某些方法中，比如當(dāng)，例如，所iti連^^時(shí)，在用 純銅完全填 :件之前，可用一薄魏的"籽晶(seed"或"觸發(fā)(strike)" 層涂布所述擴(kuò)散阻隔層。還有一些情況下，可以用一種勤以的鈷或類似的導(dǎo) 電薄膜"J&合"層替代所述銅"籽晶"層或者，額外4吏用這些層。之后將 多余的銅通過化學(xué)才;i^光方法除去。由于所要填充的最小的零件的寬小于 0.2 ，深超過1M，伏選^^金屬噴鍍工藝沉積所述的銅"籽晶"層、 銅膠合層和/或所述擴(kuò)散阻隔層，其能夠均勻地填^il些零件，不留^f可會(huì) 導(dǎo)M品電氣故障的空隙。
用于^JC^I^r屬層如金屬噴鍍，擴(kuò)散阻隔，和/或其他的層有很多方法， 例如電離金屬等離子體(EMP)，物理^f目沉積(PVD)，化學(xué);V目沉積(CVD), 原子層沉積(ALD)，等離子^助的化學(xué)汽相沉積(PACVD)，等離子體 增強(qiáng)的化學(xué)汽相沉積(PECVD)，電鍍和化學(xué)鍍。其中，采用一種或更多有 才;i^屬前體的CVD和ALD方法可^^最有前途的方法，因?yàn)檫@些方法提 供了對(duì)于高縱橫比結(jié)構(gòu)來說良好的分M^層以及很好的il^M性。在一 般的CVD方法中，將含有所需金屬的揮發(fā).j^才A4r屬前體的蒸汽引X^
表面，在其J^L1化學(xué)反應(yīng)，其中含^r^物形式或^t素形式金屬的薄膜在
!^上沉積。由于作為揮發(fā)性前體的金屬^:以蒸汽形式傳送，其能夠到達(dá) 垂直和水平表面上以提供均勻分布的薄膜。在4的ALD方法中，揮發(fā)性 有才;i^r屬前體與試劑氣-"^交替^t^X^器中，這樣就使自限的交互前體 單層/試劑^^在糾上，其中單層^^形成金屬膜或^r屬的膜，其 ^t^皮i^^成金屬或;^Pv^直^^吏用。例如，如果ALD方法中的銅有* 屬前體與適合的氧化劑反應(yīng)，則所得氧化亞銅或氧/f確單層或多層就可以應(yīng) 用于半^用itiUi^成金屬銅。
對(duì)于銅薄MiM兌， 一些適用于CVD和，沉積方法的相同前體同樣適 合ft為ALD的前體。在某些應(yīng)用中，所述前體他逸為高揮發(fā)性的沉積銅膜， 其&^上是純的(即含有純度為約95%或約99%或更多的銅)，和/或?qū)⒁?A^應(yīng)室中或所述擴(kuò)散阻隔或，下層表面上的可能的金屬污染物減少到最 少。iW^卜，在這些應(yīng)用中，伏選銅膜與所述擴(kuò)散阻隔層^出良好的粉^， i^:因?yàn)閊^不好尤其會(huì)導(dǎo)!Mt化學(xué);^^光中銅膜的分層。
通iiJi述方法尤其是CVD或ALD方法，已經(jīng)開發(fā)了一些用來i5C^低 電阻率銅膜的有才;u^屬前體。Cu(I)和Cu(n)前體是^X開發(fā)的兩種經(jīng)常使 用的銅有;^i4r屬前體。 一種通常^^的Cu(I)前體是具有式"Cu(I)(hfac)(W)" 的前體，其中"hfac"表示，1，1，1，5，5，5^六氟-2,4- ;^n酮鹽(pentanedionate) 陰離子，(W)表示中性穩(wěn)定配體，例如，烯烴、炔烴或者三;^膦。具 有上式的Cu(I)前體的一個(gè)具體實(shí)例是1，1,1，5，5,5^六氟-2，4 -戊二酮合 (pentanedionato) ,(1)三甲基乙烯lJ^ (以下稱為Cu(hfac)(tmvs))， 其由本申請(qǐng)的受iL/vAir Products and Chemicals, Int of Aflentown， PA以 CUPRASELECT^為商品名進(jìn)行銷售。這些Cu(I)前體可以通ii^L化M
^M^^膜，其中，兩分于的前體^熱的^N"表面A^得到^^屬，兩W
的游離酉沐(W)，和揮發(fā)性副產(chǎn)物Cu(+2)(hfac)2。方程式(1)給出了歧
(1) 2 Cu(+"(hfac)W — Cu + Cu(+2)(hfac)2 + 2W
在CVD沉積中，方程式(1)闡述的j^化^l"-^在2001c左右的溫 度下進(jìn)行；但是，根據(jù)沉積方法也可以采用M溫度。正如方程式(1)所 述，Cu^(hfac)2構(gòu)j^應(yīng)的副產(chǎn)物，并需^^應(yīng)室中清除。
然而另一類型的Cu(I)前體;l具有式"(X)Cu(Y)"的前體。在這些特殊 的Cu(I)前體中，"X"是有機(jī)陰離子，且"Y"是中'li^定的配體，如， 三^i^。這類前體的一^N子是CpOiPEf3，其中Cp是環(huán)fci烯基，且 PEt3是三乙絲。在一^:的CVD糾下，兩襯這類前體在晶片表面絲， 其中所述兩個(gè)穩(wěn)定的三^JJ睥Y配/{^^銅中心脫離，所述兩^KX)酉5^i^ j，且Cu(I)中心^Lii^成銅金屬?？偡磻?yīng)如下財(cái)程式(2)所示
(2) 2 (X)Cu(Y) — 2 Cu + (X-X) + 2 (Y)
然而，在某些情況下，這類化學(xué)過程可能帶來問題，因?yàn)榕欧诺娜?br> MK/^會(huì)污^A^室，并成為不需要的N型v^摻雜劑。
如上所述，另一類用于沉積，膜的前體是cu(n)前體。與cu①前體 不同，Cu(n)前體需^^^i夕卜部ii^劑，如tA醇^^ 屑到l^上不含雜
質(zhì)的銅膜。典型Cu(n)前體的例子具有化學(xué)式Cu(D)(Z)2，其中(z)是有
機(jī)陰離子。這類前體的例子包括，但不限于，Cu(n)二 ( p-二酮鹽
(diketonates) ) ， Cu(H)二 ( P-二亞胺)，和Cu(H)二 ( P-酮亞胺)配合 物。方程式(3)給出了沉積反應(yīng)的解釋，其中il^作還原劑。
<3)Cu(ll)(Z)2 + H2 — Cu +2 ZH
所述Cu(n)前體""^是固體，膜;;l^需要的溫度-^在200tc以上。 雖然銅前體作為互連廣泛使用，但其>(*^#屬或^也可以在電子器件
中用作薄膜。這些金屬的例子包棘(Ag)，金(Au)，鈷(Co)，釕(Ru)， 銠(Rh)，賴(Pt)，鈀(Pd)，鎳(Ni)，鋨(Os)，銦(In)和其合金。

發(fā)明內(nèi)容
本文描述了^屬配絲，其制備以及其使用方法，例如在i5L^P、過程
用作前體。在一方面，提供了一種以下式0)或(n)表示的ge^^:
(II)
其中，M為選自Cu、 Au、 Ag、 Co、 Ru、 Rh、 Pt、 In、 Pd、 Ni、 Os
及其^^的金屬；
其中R1、 R2、 R3和R4彼此獨(dú)立地為氬原子；具有Qftw通式的烷基， 其中n為l至20的數(shù)；具有QftFy通式的氟g基，其中(x+y)的和等于 (2n+l)的和，且n為1至20的數(shù)；具有(R、Si通式的^J^，其中R5 彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的^1^、烷基、氟^m^酰胺；含 有6至18個(gè)碳原子的芳l含有6至18個(gè)碳原子的娛^i^c代的芳^;含有 6至18個(gè)碳原子的氟4^i^M戈的芳基含有6至18個(gè)碳原子的IU戈芳基； 含有6至18個(gè)碳原子的)^f^氏的氟代芳基含有6至18個(gè)碳原子的氟代 ^i^代的氟代芳基；具有(CH^O(CmH2^)通式的醚，其中n是1至20 的數(shù)，且m為l至20的數(shù)；含有1至20個(gè)碳原子的;^l^;含有1至20
個(gè)碳原子的缺胺基團(tuán);鹵原子；和硝基NOs
其中L為配體，選自一氧化碳；含有2至20個(gè)碳原子的;^腈；具有
(R、SiCN通式的甲> ^4腈，其中R6彼itb^立地為含有1至20個(gè)碳原子 的g; ^^有1至20個(gè)碳原子的炔；具有(R、SiCCR8通式的曱^4炔， 其中R7彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷氧基、^il酰胺，且R8 彼此獨(dú)立地為氫原子，含有1至20個(gè)碳原子的烷基或烷氧基；具有 (R、SiCCSi(R、通式的雙(甲>^4)炔，其中R9彼》b^立地為含有1至 20個(gè)碳原子的烷氧基、^ii酰胺；含有1至20個(gè)碳原子的烯烴；含有1 至20個(gè)碳原子的二埽;含有1至20個(gè)碳原子的三烯;具有(R、SiC(R")C(R17)2 通式的曱i^^烯，其中R"彼此獨(dú)立地為含有1到20個(gè)碳原子的酰胺、 ^il:^基，且R"彼此獨(dú)立地為氬原子或含有1至20個(gè)碳原子的^; 具有(R")jSiCR"CR"Si(R")3通式的雙(甲>^基)烯，其中R"彼此獨(dú)立地 為含有1至20個(gè)^f、子的烷基、^!l^含有1至20個(gè)碳原子的酰胺，且 R"彼，立地為氬原子或含有1至20個(gè)>§^^子的;^;含有3至20個(gè)碳 原子的丙二烯；具有(R、CCC(R、通式的丙二烯，其中，1112彼此獨(dú)立地 為氫原子、烷基、^im、 ^4^^具有(R")3Si通式的SttJ^烷， 其中R"彼jH^立地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、MJ^烷氧基；含有1 至20個(gè)碳原子的娛基肝；具有(R、SiNC通式的甲硅^4肝，其中R"彼此 獨(dú)立地為含有1至20個(gè)^f、子的:^;含有1至20個(gè)碳原子的烯丙基；具 有(R、SiC(R、R"C(R")2通式的烯丙M烷，其中R15為含有1至20個(gè)碳 原子的酰胺、^iU^基，且R";&此獨(dú)立地為iL^子或含有1至20個(gè) 減原子的^4;和具有(R,3SiC(R^CR"CR"Si(R16)3通式的雙(甲>^基) 烯丙基，其中R"含有1至20個(gè)^^子，且R"彼棘立地為iL^子或含有 l至20個(gè)碳原子的烷基；和
其中M和L之間的有才71^屬嫩&自2個(gè)^#和1個(gè)牟建。 另一方面，還提供了一種在糾上沉積賴金屬膜的方法，其包括
將M與具有上述式O^Kn)的配^接觸，其中，該接觸是^以使所述 酉5^^Lt^形皿的M下ii行的。
另一方面，還提供了一種含有^r屬膜的電子器件，其中，所itM^ 具有上iiiC(I)和(n )的配#^^。
另一方面，提供了一種制備具有上ii^(i)科n)的配絲的方法，包拾
將伯胺與P -二酮化合物反應(yīng)形成P -酮亞胺中間產(chǎn)物；并在金屬源和配體
(L)的存在下用堿將其去質(zhì)子化，生成具有式(i)或(n)的酉5^。


圖1給出了此處描述的賴酉C/^或Cu(I)(MeC(O)CHC(NMe)Me)(三 曱基乙烯J^^^)的一種示例'I^構(gòu)。
圖2給出了通過寸^ Cii(I)(MeC(0)CHC(NMe)Me)(三曱基乙烯^iJ^^) 的CVD沉積方法沉積的膜的EDX分析結(jié)果。
圖3顯示了在g壓力在干燥氮?dú)饬飨录訜岬?00TC的j^ft^應(yīng)的副產(chǎn) 物Cu( n XMeC(0)CHC(NMe)Me)2隨時(shí)間的重量損失。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明描述了含金屬g睡物及其制備和^^方法。在某些實(shí)施方案中， 所述金屬酉C^可通ii^化M進(jìn)行反應(yīng)。在另一些實(shí)施方案中，所述金屬
酉e^可"原劑存在下進(jìn)行反應(yīng)。金屬酉&^物可用作，例如，通過包括cvd
或ALD方法的^t沉積方法來i5C^金屬或^ir屬膜的前體。在這些方法中， 可通過CVD或ALD將所i!S5^物與合適的試劑^^使4f^屬酉e^物用于 增M金屬膜。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，，酉5^與卣素來源試劑的反
應(yīng)可能形成卣化銅薄膜，而在另一實(shí)施方案中，，酉e^與合適的氧化劑
的反應(yīng)可能形成氧化銅膜。金屬膜可^^Pv^直M用或，可替換地，可用合
適的i^^劑ii^、^Jr屬。
本文所述的^ir屬S2^^T下式(l)或(n )的結(jié)構(gòu)
<formula>formula see original document page 13</formula>(11〉
在上式中，M為選自Cu、 Au、 Ag、 Co、 Ru、 Rh、 Pt、 In、 Pd、 Ni、
Os及其;^^的金屬；在某些實(shí)施方案中，M是銅。"式中，取4堪R1、 R2、 W和W各自獨(dú)立地為i^子；具有<: 11211+1通式的紘，其中n為1 至20的數(shù)；具有CJ^Fy通式的氟4m^，其中(x+y)的和等于(2n+l)的 和，且n為l至20的數(shù)；具有(RS)jSi通式的^Jj^烷，其中R5各自獨(dú)立地 為含有1至20個(gè)^^子的^lL基、貌基、氟^4il酰胺；含有6至18個(gè) 碳原子的芳基；含有6至18個(gè)碳原子的娛^1^代的芳基含有6至18個(gè)碳 原子的氟^ ^ 1代的芳基含有6至18個(gè)碳原子的氟代芳基；含有6至 18個(gè)碳原子的烷^i^L代的氟代芳基；含有6至18個(gè)碳原子的氟^i^L代 的氟代芳基；具有(CHAO(C，，,H2,，w)通式的醚，其中n是1至20的數(shù)，且 m為l至20的數(shù)；含有1至20個(gè)碳原子的烷氧基；含有1至20個(gè)碳原子 的酸胺基團(tuán)；囟原子；或硝基N02。在式(I )中，酉沐L可選自一氧化 碳；含有2至20個(gè)^g^、子的^jfr;具有(R6)jSiCN通式的甲i^Uf ，其 中R^各自獨(dú)立地為含有1至20個(gè)^f、子的:^;含有1至20個(gè)碳原子的 炔；具有(R、SiCCRS通式的甲a基炔，其中R"各自獨(dú)立地為含有1至20 個(gè)^^子的;^lu基、J^iJl酰胺，且R8各自獨(dú)立地為氬原子，含有1至20 個(gè)^^子的^i^烷錄；具有(R,3SiCCSi(R、通式的雙(曱^Ji^iO炔， 其中119各自獨(dú)立地為含有1至20個(gè)>^^子的烷#^、 M^,;含有l(wèi) 至20個(gè)碳原子的烯烴；含有1至20個(gè)碳原子的二晞；含有1至20個(gè)^f、 子的三烯；具有(^°)38 :(1117)(:(1117)2通式的甲>^^烯，其中IT各自獨(dú)立
地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、^4iU^基，且R"各自獨(dú)立地為氫 原子或含有1至20個(gè)碳原子的^;具有(R")3SiCR"CR"Si(R")3通式的雙 (甲> ^^4)烯，其中R"各自獨(dú)立地為含有1至20個(gè)^^t^子的;^、烷 !lJ^含有1至20個(gè)^f、子的酰胺，且R"各自獨(dú)立地為氬原子或含有1 至20個(gè)碳原子的^;含有3至20個(gè)碳原子的丙二烯；具有(R、CCC(R12)2 通式的丙二烯，其中，1112各自獨(dú)立地為1^子， 、 ^m、烷M ;^^具有(R")3Si通式的StKJ^烷，其中R"各自獨(dú)立地為含有1至20 個(gè)碳原子的酰胺、M^烷氧基；含有1至20個(gè)碳原子的)^胙；具有 (R")jSiNC通式的曱i i^肝，其中R"各自獨(dú)立地為含有l(wèi)至20個(gè)碳原子 的烷基；含有1至20個(gè)碳原子的烯丙基具有(R、SiC(R")2R"C(R")2通式 的烯丙1^，其中R15為含有1至20個(gè)^f、子的驗(yàn)、^J^烷tt， 且R"各自獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基；和具有 (R、SiC(R")2CR"CR"Si(R、通式的雙(甲^i^)烯丙基，其中R"含有 1至20個(gè)碳原子，且R"各自獨(dú)立地為氬原子或^^有1至20個(gè)碳原子的烷 基。
M所用的術(shù)語"娛基"包括含有1至20個(gè)碳原子或1至10個(gè)^f、 子的直鏈，支M環(huán)烷基。示例性的g包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、 正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、正戊基、正己基、環(huán)^J^環(huán) 己基。術(shù)語i^it用于包含在其M團(tuán)如鹵^io :^芳M芳 li^中的娛^4部分。本文所用的術(shù)語"芳基"包括具有芳香性的6至18 M環(huán)。示例性的芳基基團(tuán)包括苯基和萘基。術(shù)語";tt^代的芳基"適
用于^^^代的芳1^部分。示例性的娛^^代的芳基包括甲苯^i^二甲苯
鉢團(tuán)。術(shù)語"囟"和"卣素"包括氟，氯，溴或碘。術(shù)語"氟^^"
適用于其一個(gè)或更多的iuf、子被氟鹵原子取代的^^部分，可以部分或者全
部氟代，并包括含有1至20個(gè)碳原子或1至10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán) 氟代烷基基團(tuán)。示例性的氟代烷基基團(tuán)包括"CF3， "CF2CF3， "CH2CF3，-CF2CFH2，或-CH2CF2CF3。在某些實(shí)施方案中，M討論的一些基團(tuán)可能 被一個(gè)或更多的^^L素，例如卣原子或M雜原子如O， N， Si或S取代。
在某些實(shí)施方案中，本文所述的金屬S給物可能含有氟。在這些實(shí)施 方案中，取代基R1、 R2、 R3和R4中的任何一個(gè)或全部可能含有氟，例如， 氟^^、氟^^1^代的芳基、氟代芳基、)^^代的氟代芳mi/R^ ^t代的氟代芳絲團(tuán)。在另一些實(shí)施方案中，本文所述的金屬酉e^不含 氟。
在某些實(shí)施方案中，取代基R1、 R2、 R3和R4中的任何一個(gè)或4^MRT 以獨(dú)立地連接以形成環(huán)結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施方案中，113和114和/或化和112可 以獨(dú)立地^^接以形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
在某些實(shí)施方案中，所述金屬酉e^具有式(n)結(jié)構(gòu)。在這些實(shí)施方 案中，配體l可以是，如絲二烯，且如下式(n)所示酉&^i到兩個(gè)^r屬 的酮亞胺單元上。在這些實(shí)施方案中，金屬原子m可以是相同，或者可逸 擇地是不同的金屬原子。在后面的實(shí)施方案中，這使得其可以形成混^r屬 膜緣。
在某一實(shí)施方案中，式(i)或(n)中的酉沐l可以^ut，例如^f
局限于，MeCN或M&CCN。在另一實(shí)施方案中，式(I)或(D)中的配體L 可以是甲vimiJf，例如但不局限于，Me3SiCN。在另一實(shí)施方案中，式(I) 或(n)中的酉沐L可以是炔，例如^局限于，MeCCMe或MeCCH。 在另一實(shí)施方案中，式(I)或(n)中的配體L可以是烯，例如但不局限于 M&CCHCH2或MeCCH^CHCH^在另一實(shí)施方案中，式(I)或(n)中的 配體L可以是具有(R")3SiCR"C(R17)2通式的曱硅烷基烯或具有 (R")3SiCR"CR"Si(R11)3通式的雙(曱硅烷基)烯，例如但不局限于， M&SiCHCH2， Me3SiCHCHS固ej， (MeO)jSiCHCH2或(EtO)3SiCHCH2。在
另一實(shí)施方案中，式(i)或(n)中的酉沐L可以是丙二烯，例如但不局限于， CH2CCCH^ M&CCCMe^在另一實(shí)施方案中，式(I)或(n)中的西沐L
可以是^ij伊，例如但不局限于，MaCnc。在另一實(shí)施方案中，式(i)或(n)
中的配體L可以是具有(R,3SiC(R")2CR"C(R")2通式的烯丙JJ^烷，例如 但不局限于，(MeO)3SiCH2CHCH2 ， (i-Pr)jSiCH2CHCH2和 Me3SiCH2CHCH2。在上述式子和整篇說明書中，術(shù)語"Me"表示甲基， "Et"表示乙基，且"i-Pr，，表示異丙基。
上述式(I)或(n)中，金屬原子(M)和配體(L)之間的有機(jī)金屬鍵 是兩個(gè)i^r"個(gè)牟建。在某些實(shí)施方案中，至少一^^^屬原子和L，金屬 原子和O，和/或金屬原子和n之間的鍵能可能小于配^其^分的鍵能。 M這一點(diǎn)在某些情況和一定的工藝務(wù)降下能夠使所i2lSe^物易于^il些特 殊皿離解成其M部分。
在一個(gè)實(shí)施方案中，本文所述的金屬SC/^物可以通過將胺與p -二酮化 ^^g^形成P-酮亞胺中間產(chǎn)物來制備。所ii^可以是，例如，具有H2NR4 通式的伯胺，其中R4可以是前述的43^-基團(tuán)或原子。具有上述通式的伯胺 的非限制性的例子包括甲胺、乙胺、丙#異丙胺。所述P-二酮可以是具 有RiC(0)CHR"C(0)RS通式的化合物，其中R1、議2和113可以各自獨(dú)立地 為前述的^""基團(tuán)或原子。具有上iiit式的卜二酮化合物的非限制性的例 子是2，各;^S同，l，l，l -三氟-2，冬^酮，2，本己二酮和3 ^庚二酮。
所ii^與P-二酮化合物的^可在溶劑的存在下進(jìn)行。適合的溶劑包 括，但不局限于，醚(例如，二乙基醚(E^0)、四氫吹響("THF")、 二正丁 絲、l，一二哺絲乙二醇二曱醚)；腈(如0130\);或^H^^(如甲苯)， 單獨(dú)或以^^形i^在。在某些實(shí)施方案中，所it^劑是THF。 ^溫 度范圍為-78iC到溶劑的沸點(diǎn)。反應(yīng)時(shí)間范圍為約0小時(shí)或從瞬間到約48小 時(shí)，或從4到約12小時(shí)。在某些實(shí)施方案中，中間產(chǎn)物可以通過標(biāo)準(zhǔn)方法 (如蒸餾，層析，重結(jié)晶和/或研磨)提純。然而在某些情況下，特別是當(dāng) 得到的P -酮亞胺中間產(chǎn)物是液體時(shí)，胺與P畫二酮4^物的^J^可以在無溶 劑^^在下i^f亍。
在某些實(shí)施方案中，所述P -酮亞胺中間產(chǎn)物可以是一個(gè)或多個(gè)具有下 式(ID)、 (IV )或(V )的下ii^種互變異構(gòu)體<formula>formula see original document page 17</formula>
在上述式中，變量R1、 R2、 RS和R"各自獨(dú)立地為本文所述的《i""原子 或基團(tuán)。
在某些實(shí)施方案中，在與胺M前所述P-二酮^f^物需要進(jìn)fr活化。 在這些實(shí)施方案中，所述P -二酮化*可以通過例如甲^^f^鹵化方法 進(jìn)布舌化。
在一特定實(shí)施方案中，可以通過^^)一種或多種堿將由P-二酮化合物 與胺^得到的P-酮亞胺中間產(chǎn)物去質(zhì)子化(即，將酸性質(zhì)子除去)，然 后^^、定酉沐(L)的存在下將其^到Cii(I)Ji東制備本文所述具有式(1)、 其中M是Cu的金屬酉5^物。該反應(yīng)的非限制性的例子如下述方程式(4) 所闡述
<formula>formula see original document page 17</formula>
方程式4
在方程式(4)中，P-酮亞胺中間產(chǎn)物，其為式(V )的化合物，在 正丁基鍶喊，氯化亞銅銅(I)源和本文所述的^fr""^定的配^(L)的存在下發(fā) 生反應(yīng)，生^Ji述的Cu(I)酉e^物和IU^。在上iL^應(yīng)中可用的^喊包 括，但不局限于，氬化鋰，氬化鈉，氬化鉀，雙(三甲基曱^tt^)鈉， 二異丙gy^鋰，叔丁醇鉀等。在上述反應(yīng)中可用的^銅(I)源包括，但不 局限于，溴化亞銅(I)、砩化亞銅(I)、三氟乙酸銅(I)、三氟曱磺酸銅(I)苯加
合物、靴銅(I)、縱銅(1)、乙酸銅(l)、苯氧化銅(I)、乙StJ^銅(I)和醇化
銅(I)。在制備其他金屬g己合物或混^r屬配合物的實(shí)施方案中，金屬源為 一種或多種含有所需金屬M(fèi)的金屬鹽。所述^r屬或銅(l)酉e^物的預(yù)期產(chǎn)率 范圍為理論產(chǎn)率的約5%至約95%。在某些實(shí)施方案中，最終產(chǎn)物或金屬配 ^可通過標(biāo)準(zhǔn)方法如蒸餾、升華、層析、重結(jié)晶和/或^f磨進(jìn)"fm純。
在M為銅的特定實(shí)施方案中，可通過先合成類似的銅(n )雙(酮亞胺) 酉e^再在穩(wěn)定的S沐L的存在下將其與金屬銅^來制^酉e^。
在M為銅的另 一些實(shí)施方案中，所述p -酮亞胺中間產(chǎn)物可直接與芳基 化銅(i)如萊基銅a來生成具有式(l)的所述銅(i)配合物。在另一些實(shí)施方 案中，銅(i)配^還可以由其組成部分即p -酮亞胺中間產(chǎn)物、穩(wěn)定的配體 (L)和銅(l)原子通過合適的電化學(xué)方法來制備。
如前所述，本文所述的金屬配合物可用作向基材上^^金屬膜，# 屬膜或^^i膜的前體。適合的基時(shí)的例子包括但不局限于，^!^材料
如砷化銜"GaAs")，硼氮化("BN")硅，和含硅的組合物，如晶體珪、多晶 硅、非晶態(tài)硅、外延硅、二氧化硅("Si(V')、碳化硅("SiC")、碳氧化硅 ("SiOC")、 ！Ut^("SiN")、碳t/f^:("SiCN")、有才;L^,玻璃("OSG")， 有機(jī)緣^:玻璃("OFSG")， ！^餘玻瑜"FSG")，和絲適合的基材或 其;^^。 JjN"還可以進(jìn)一步包括各種層，其中所i^M脅于層上，這些層 例如^J^凃?qū)?，光刻膠、有機(jī)聚合物、多孔的有才脈i^A4t料、金屬如銅 和鋁或擴(kuò)散阻隔層。金屬6&^物可以^J^本文所itil^^域^^p的任何技術(shù) 進(jìn)行沉積。示例性的沉積技術(shù)包括但不局限于，化學(xué)汽相沉積(CVD),原子 層沉積(ALD)，等離子輔助的化學(xué)汽相沉積(PACVD)，和等離子增強(qiáng)的化學(xué)汽 相脈(PECVD)。
在某些實(shí)施方案中，CVD或ALD技術(shù)^ir屬酉e^沉積到M 上。金屬Se/^物的沉積可在400"或更低，或2001C或更低，或100"C或更 低的溫度下進(jìn)行。在4的CVD ^^P、方法中，將金屬酉e/^物引AA應(yīng)室如 真空反應(yīng)室。在某些實(shí)施方案中，除了金屬S5^物外的其他化學(xué)試劑，可在 金屬配合物引入之前，之時(shí)，和/或^引入。例如熱能、等離子或其他來 源的能量來源為金屬SC^和M的化學(xué)試劑，能量，以至少在基時(shí)的一 部分上形紙
如前所述，在某些實(shí)施方案中，化學(xué)試劑可在金屬酉給物引入之前， 之時(shí)，和/或之后引X^室?；瘜W(xué)試劑的選擇取決于所需膜產(chǎn)物的組成。 例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，與含卣素的化學(xué)試劑>^^成卣^^屬膜，而 在另一實(shí)施方案中，其與氧化性化學(xué)試劑^會(huì)生成金屬氧化物膜。示例性
的化學(xué)試劑包括，但不局限于氧化劑(即02,NO，N02，03，CO，C02，等)；水； 鹵化物；含鹵素的艦；絲t^， j^^^iU^^城；鹵4^配 *如四氯^^,四溴4t^四^ ^^;面M哲e^如^4^錫烷、 溴錫絲^lJ^烷；發(fā)烷酉e^如^a餘烷、絲溴餘絲^J^烷； 三鹵化硼配#如三氯化硼、三溴^^或_^*(匕硼；鹵化鋁酉e^物如氯化鋁、 溴^f^l5或多l(xiāng)H^;錄鹵4^5;鹵化鎵酉e^如三氯化鎵、三溴4W^^ 化鎵；或其組合物?？梢灶A(yù)計(jì)也可4M上iiS5^物的衍生物?；瘜W(xué)試劑可以 氣體形式直MiH^反應(yīng)室中，以汽化的液體，升華的固體和/或通過惰性 載^載而傳i^'JM室中。惰性載氣的例子包括氮?dú)狻錃?、氬氣、氙?等。
在某些實(shí)施方案中，可通過如下#程式5描述的歧化^在^ijH"表 面上形成例*下所示的M為Cu的金屬膜。
R2
R2
方程式5
在另一實(shí)施方案中，含有本文所述的任一種金屬的膜在將所述膜例如
還原成所需金屬的還原劑存在下沉積到基材表面上。具有式(i)或(n)的金
屬配合物與還原劑""^引入CVD或ALD反應(yīng)器。還原劑-"^:以氣態(tài)形式
引入。適合的i^f、劑的例子包括，缺局限于，醇、氫氣、氫等離子體、遠(yuǎn) 程氬等離子體，城(即，二乙1^，乙1^, 二甲I^，笨1^， 城，>=^^， tjjm)，硼烷(即，硼烷，1烷)，鋁烷，餘烷，肼，
在某些實(shí)施方案中，通過ALD ;咒積方法>^具有式(1)或(n)的金屬配 ^^X^p游到^r屬膜。在-"^:的ALD方法中，在一個(gè)處理周期中以交替脈
沖^""種或多種氣態(tài)或氣化前體引A^有M的處理室。優(yōu)選每個(gè)處理周期
通過吸附優(yōu)選化學(xué)吸附而生成至多約單層的材料。用來^^yfjf加的處理周
期的數(shù)目取決于所需的厚度，頓常超過1000個(gè)周期。對(duì)于半科器件來 說，重M理周期直到二itjr屬鑲嵌結(jié)構(gòu)中的阻隔層或籽晶層達(dá)到足以完成
所需功能的厚度。
在ALD^期間，^#^#在一個(gè)易于化學(xué)吸附的溫度范圍內(nèi)，也就 是說，在每個(gè)處理周期內(nèi)溫度低到足以,吸附物與下層^#之間鍵的完 整，但高到足以a前體紐縮合，并為所需的表面M提供足夠的活化能。 處理室溫度范圍可從01C至4001C,或從(TC至3001C，或從01C至2751C。 ALD處理期間處理室內(nèi)的壓力范圍可從0.1至1000托，或從0.1至15托， 從0.1至10托。然而應(yīng)當(dāng)理解，任何特定ALD方法中的溫度和壓力嘲5^根 據(jù)其中所包括的一種或多種前體^jt變化。本文描述的任一前述的膜生成方法，和m^"技術(shù)中已知的，膜生成
方法，都可以單獨(dú)或組^f吏用。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，為形成混合組分 的賴膜，可先J5C^氧化4i^r屬膜然后J5l^4i^r屬膜，然后將多層^^、得到
純的銅膜。
在某些實(shí)施方案中，本文所述金屬配合物可溶于一種適合的溶劑中， 如胺(例如，三乙胺)，醚(例如，四氫吹喃)，芳烴(例如，甲苯)或任
何M本文公開的溶劑來形成溶液。所得溶液可在直接液體噴射(DLI)系 統(tǒng)中閃蒸以便以蒸汽形式傳ili^ ALD或CVD反應(yīng)室中。在其他實(shí)施方案 中，本文所述的酉給物在引入DLI系^^1H"先溶于一種穩(wěn)定液體如烯或 炔中。
實(shí)施例
在下述實(shí)施例中，用Hitachi (日立)S"750掃描電鎮(zhèn)進(jìn)行EDX分析。
用Hewlett Packard 5890系列11 ^目色^R^帶有HP-5MS的5972系列 質(zhì)量選旨測(cè)器進(jìn)行各實(shí)施例的^4目色譜和質(zhì)譜。用在500 MHz CH)IMt 的Bruker (布魯克)AMX 500分iUtl計(jì)進(jìn)行各實(shí)施例的原子核磁^^分 析。由0^)6^^化學(xué)位移，^為7.16 ppm， 13C為百萬分^(ppm)128.39。 用配有APEX CCD枱測(cè)器和Kryoflex低溫箱的布魯克D8平臺(tái)衍射>(50^行 X衍射分析。
實(shí)施例l: R1、 113和114為甲_^@_112為氫的&-酮亞胺中間產(chǎn)物的合成 在四氫吹喃(THF)溶劑中將等摩爾量的2， 4"戊二酮和甲胺混合得到 約l摩爾混合物，然后攪拌過夜得到溶液。在過量的無#酸^)^在下將該 溶^ 過夜。第二天，將溶液絲酸鈉中^H"出來并在3A襯篩上干燥。 第三天，A^^液中真空汽提去除殘留的THF，并將得到的固體于S01C升華。 收集得到最終產(chǎn)物白色結(jié)晶固體，并在氮?dú)庀聝?chǔ)存。通過W目色鐠質(zhì)譜測(cè)得 的純度高于98%。
實(shí)施例2: Cu(I)(MeC(0)CHC(NMe)MeX三甲基乙烯J^^)配合物 的合成
在氮?dú)鈿夥障拢ㄟ^將2.26克(0.022摩爾)根據(jù)實(shí)施例1所述方法制 備的P-酮亞胺中間產(chǎn)物溶于約100毫升(ml)無水己烷中制備第一溶液， 然后將其^P至OTC 。當(dāng)溶、^ii^ 0t:以后，將8毫升2.5M濃度的正丁基 鋰(0.02摩爾)在10 ^4中內(nèi)i^加AJ，J笫一溶液中。在OC第一溶液 60分鐘，然后升溫至室溫，在此溫度另外攪拌2小時(shí)。在一個(gè)單獨(dú)的容器 中，制4^^有2.0克(0力2摩爾)氯化銅和含2.2克(O.22摩爾)三甲基乙 烯M烷的20毫升無水己烷的第二混洽物，在氮?dú)鈿夥障吕鋮s至0TC。然 后將笫一溶液于30^^中內(nèi)滴加到第二:;S^中，然后將該^^^,過禮
第二天，在氮?dú)鈿夥障聦?W物過濾，真空汽提去除其中的己烷溶劑 得到固體粗產(chǎn)物。將該固脅產(chǎn)物在30r， 20毫托的壓力下升華，并在8 TC經(jīng)Cold fmger處理，得到黃色結(jié)晶固躲的2.62克所需銅配絲，產(chǎn)率 47%,熔點(diǎn)為36至37"C。銅配^/產(chǎn)物的核磁^#果如下iHNMR(500 MH^C6D6):S-0,24(s， 9H)， S=1.57(s， 3H)， 8 = 2.09(s， 3H)， S = 2.85(s， 3H)， S = 3.6(d， 1H)， 5 = 3.76(d, 1H)， 8 = 3.96 (dd, 1H)。 13C NMR(500MHz^ C6D6):5 = 0.2(s， lC)，3 = 21.5(s， IC)， S = 27.9 (s， 1C)， S = 42.7 (s， IC)，S-77.5(S， lC)，5 = 86.3(s， 1C),8-97.7(s, 1C), S = 170.1 (s， 1C)， 8 = 180.7 (s， 1C)。產(chǎn)物或Cu(IXMeC(0)CHC(NMe)Me)(三甲基乙烯Jj^i)配合物的結(jié) 構(gòu)列于圖l，其通iW在室溫下升華生長(zhǎng)的單晶進(jìn)行X衍射得到。
實(shí)施例3:用Cu(I)(MeC(0)CHC(NMe)Me)(三甲基乙烯J^^)酉&^
如美國(guó)專利No.5098516的圖1所述，將3厘米x 1厘米的涂有200埃 厚度TiN擴(kuò)絲的硅晶片;atA微型CVD A^器的M室中。在35毫托的 真空下，將所述晶片加熱到165 TC 。將得自100毫克 Cu(I)(MeC(0)CHC(NMe)Me)(三甲基乙烯lJ^^)前M品的蒸汽引A^ 器并與加熱的基材表面接觸。前體蒸汽流持續(xù)總共50分鐘，期間可以觀察 到在氮>(^4面生成了彩色銅膜。然后停止前體^^加熱并關(guān)閉真空。 一旦 具有;^ 應(yīng)的狄轉(zhuǎn)到室溫就將其移出。如圖2所示，膜的EDX分析表 明，膜不含可檢測(cè)量的碳。
實(shí)施例4:歧化^I^iiEifp Cu(n)(MeC(0)CHC(NMe)Me)2副產(chǎn)物的
揮發(fā)
本實(shí)施例說明了以歧^^進(jìn)行的i5L^vML將約2.0微升，2.0M升 華的如實(shí)施例2所述制備的Cu(I)(MeC(O)CHC(NMe)MeX三甲基乙烯基 ^^)酉給物的四氫呔喃溶液注入^目色^#/質(zhì)諉儀中。在該系統(tǒng)中，注入樣 品首先在約150至200TC的加熱階艮閃蒸，然后將所得蒸^^毛細(xì)管^目 色鐠柱，在其中分離^i賦部分，然后由質(zhì)鐠確定。觀測(cè)"毛細(xì)管^目 色鐠柱的所得蒸汽，其為三甲基乙烯基硅烷和 Cu(nXMeC(0)CHC(NMe)Me)2， i^明^熱階段已纟^jt歧化^^。
為了^ CVD J^f議應(yīng)的副產(chǎn)物Cu(n)(MeC(0)CHC(NMe)Me)2的 揮發(fā)性，將由Cu(I)(MeC(0)CHC(NMe)Me)(三甲基乙烯^i^^ii^)配楊的 歧4^應(yīng)制備的副產(chǎn)物樣品^b^微量天平上，并在穩(wěn)定的干氮?dú)饬髦屑訜岬?1001C。如下圖3所示，樣品穩(wěn)定而又均勻的重量損^明了該物質(zhì)的揮發(fā) 性。
權(quán)利要求
1.式(I)表示的配合物id="icf0001" file="S2007101696956C00011.gif" wi="42" he="61" top="5" left = "5" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="no"/>其中，M為選自Ag或Pd；其中R1、R2、R3和R4彼此獨(dú)立地為具有CnHxFy通式的氟代烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，且n為1至20的數(shù)；具有(R5)3Si通式的烷基硅烷，其中R5彼此獨(dú)立地為氟代烷基；含有6至18個(gè)碳原子的氟代烷基取代的芳基；含有6至18個(gè)碳原子的氟代芳基；含有6至18個(gè)碳原子的烷基取代的氟代芳基；含有6至18個(gè)碳原子的氟代烷基取代的氟代芳基；其中L為配體，選自一氧化碳；含有2至20個(gè)碳原子的烷基腈；具有(R6)3SiCN通式的甲硅烷基腈，其中R6彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷基；含有1至20個(gè)碳原子的炔；具有(R7)3SiCCR8通式的甲硅烷基炔，其中R7彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷氧基、烷基或酰胺，且R8彼此獨(dú)立地為氫原子，含有1至20個(gè)碳原子的烷基或烷氧基；具有(R9)3SiCCSi(R9)3通式的雙(甲硅烷基)炔，其中R9彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷氧基、烷基或酰胺；含有1至20個(gè)碳原子的烯烴；含有1至20個(gè)碳原子的二烯；含有1至20個(gè)碳原子的三烯；具有(R10)3SiC(R17)C(R17)2通式的甲硅烷基烯，其中R10彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、烷基或烷氧基，且R17彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基；具有(R11)3SiCR17CR17Si(R11)3通式的雙(甲硅烷基)烯，其中R11各自獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或含有1至20個(gè)碳原子的酰胺，且R17各自獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基；含有3至20個(gè)碳原子的丙二烯；具有(R12)2CCC(R12)2通式的丙二烯，其中，R12彼此獨(dú)立地為氫原子、烷基、烷基硅烷，烷氧基硅烷或具有通式(R13)3Si的酰氨基硅烷，其中R13彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、烷基或烷氧基；含有1至20個(gè)碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲硅烷基胩，其中R14彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷基；含有1至20個(gè)碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17C(R17)2通式的烯丙基硅烷，其中R15為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、烷基或烷氧基，且R17彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基；和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3通式的雙(甲硅烷基)烯丙基，其中R16含有1至20個(gè)碳原子，且R17彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基；和其中M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自2個(gè)單鍵和1個(gè)單鍵。
2. 權(quán)利要求l所述的配合物，其中取代基W和R2， R2和R3，和R3和 R4中的至少之一相連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
3. 權(quán)利要求2所述的配合物，其中取代基R3和R4相連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
4. 權(quán)利要求2所述的配合物，其中取代基Ri和R2相連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
5. —種在基材上沉積含金屬膜的方法，該方法包括 將具有式(I)的金屬配合物與基材接觸，其中所述接觸在足以使配合物能夠反應(yīng)并形成膜的條件下進(jìn)行，<formula>formula see original document page 3</formula>其中，M為選自Ag或Pd;其中r1、 r2、 113和114彼*^立地為具有(:11113￡1;通式的氟>^^，其中(x+y)的和等于(2n+l)的和，且n為l至20的數(shù)；具有(R、Si通式的烷 i^，其中R5彼此獨(dú)立地為ll/R^;含有6至18個(gè)碳原子的氟/R^ 取代的芳基；含有6至18個(gè)碳原子的氟代芳基含有6至18個(gè)碳原子的烷 J^代的氟代芳^;含有6至18個(gè)>^^子的氟^^^代的氟代芳1其中L為配體，選自一氧^^;含有2至20個(gè)碳原子的^Ufr;具有 (R、SiCN通式的甲>^4腈，其中R6彼，立地為含有1至20個(gè)碳原子 的絲；含有1至20個(gè)^^、子的炔；具有(R、SiCCR8通式的甲^i^^炔， 其中R7彼M立地為^^有1至20個(gè)^f子的^基、^i^酰胺，且R8 彼此獨(dú)立地為氫原子、含有1至20個(gè)碳原子的烷基或烷氧基；具有 (R、SiCCSi(R9)5通式的雙(曱^m4)炔，其中R9彼jtb^立地為含有1至 20個(gè)碳原子的烷氧基、^ilit^或；含有1至20個(gè)碳原子的烯烴；含有 1至20個(gè)碳原子的二烯；含有1至20個(gè)碳原子的三烯；具有 (R、SiC(R")C(R")2通式的甲^!mii^，其中R"彼此獨(dú)立地為含有1至20 個(gè)碳原子的酰胺、MJ^:^基，且R"彼此獨(dú)立地為氬原子或含有1至20 個(gè)碳原子的烷基；具有(R")3SiCR"CR"Si(R")j通式的雙(甲g基)烯， 其中R"彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)^^tf、子的烷基、^J^含有1至20 個(gè)碳原子的酰胺，且R"彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷 l ^^有3至20個(gè)碳原子的丙二烯；具有(R、CCC(R、通式的丙二烯， 其中，Ru各自獨(dú)立地為氫源子、烷基、；^i烷、^JJm^具有(R")3Si 通式的ittjji烷，其中R"彭匕獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺、 ^iU^^;含有1至20個(gè)^^子的^J伊；具有(R")3SiNC通式的甲 i^^肝，其中R"彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷基；含有1至20 個(gè)^^、子的烯丙基；具有(R^SiC(R")2R"C(R17)2通式的烯丙^i^，其中 R1S為含有1至20個(gè)^^、子的酰胺、；^liU^基，且R"44:此獨(dú)立地為氬 原子或含有1至20個(gè)碳原子的^4;和具有(R、SiC(R、CR"CR"Si(R16)3 通式的雙(甲> ^4)烯丙基，其中R"含有1至20個(gè)^^、子，且R"彼此 獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的^;和其中M和L之間的有才;u^i^自2個(gè)4^1個(gè)賴。
6. —種制備具有式(i)的金屬S5^的方法<formula>formula see original document page 5</formula>其中，M為選自Ag或Pd;R1、 R2、 R3和R4彼此獨(dú)立地為具有CnH^Fy通式的lUm基，其中(x+y) 的和等于(2n+l)的和，且n為1至20的數(shù)；具有(R5)jSi通式的:^m， 其中R5彼jH^立地為氟^^;含有6至18個(gè)^^子的氟^^L代的芳 基含有6至18個(gè)^^子的氟代芳基；含有6至18個(gè)^f子的^^代的氟代芳基;含有6至18個(gè)^^^子的氟^R^i^L代的氟代芳l4其中L為酉沐，選自一氧4械；含有2至20個(gè)碳原子的;^腈；具有(R、SiCN通式的曱^JJ晴，其中W彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子 的烷基；>^有1至20個(gè)碳原子的炔；具有(R、SiCCR8通式的曱im^炔， 其中R7彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的;^基、^g^StJfe基，且R8 彼此獨(dú)立地為氳、含有l(wèi)至20個(gè)碳原子的烷基或烷氧基；具有 (R^SiCCSi(R^通式的雙(曱^4)炔，其中R9彼艦立地為含有1至 20個(gè)碳原子的烷氧基、^4^itfe基；含有1至20個(gè)碳原子的烯烴；含有 1至20個(gè)碳原子的二烯；含有1至20個(gè)碳原子的三烯；具有 (R、SiC(R")C(R")2通式的甲^4炔，其中R"彼il:b^立地為含有1至20 個(gè)碳原子的酰胺基、)^i^烷氧基，且R"彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至 20個(gè);^^子的錄具有(R")jSiCR"CR"Si(RU)3通式的雙(甲> ^10炔， 其中R"彼itb^立地為含有1至20個(gè)^^子的駄、^J^含有1至20 個(gè)碳原子的酰胺基，且R"彼此獨(dú)立地為氫原子或含有1至20個(gè)碳原子的 ;^;含有3至20個(gè)碳原子的丙二烯；具有(R、CCC(R 通式的丙二烯, 其中，R"彼艦立地為IL^子、錄、^J^， ^tt^^具有(R13)^ 結(jié)構(gòu)的SbtJ^烷，其中R"彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺基、 烷基或烷氧基；含有1至20個(gè)碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲硅烷基胩，其中R14彼此獨(dú)立地為含有1至20個(gè)碳原子的烷基;含有1至20 個(gè)碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17C(R17)2通式的烯丙基硅烷，其中 R15為含有1至20個(gè)碳原子的酰胺基，烷基或烷氧基，且R17彼此獨(dú)立地為 氬原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基;和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3 通式的雙(甲硅烷基)烯丙基，其中R16含有1至20個(gè)碳原子，且R17彼此 獨(dú)立地為氬原子或含有1至20個(gè)碳原子的烷基;且其中M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自2個(gè)單鍵合1個(gè)單鍵，該方法包括: 將β -二酮化合物與伯胺反應(yīng)得到β -酮亞胺中間產(chǎn)物；并 在金屬源和配體(L)的存在下用堿將P-酮亞胺中間產(chǎn)物去質(zhì)子化， 生成具有式(I)的銅配合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及揮發(fā)性金屬β-酮亞胺鹽配合物。本文描述了含有銅、銀、金、鈷、釕、銠、鉑、鈀、鎳、鋨和/或銦的金屬配合物，其制備及使用方法。在某些實(shí)施方案中，本文所述的金屬配合物可以用作在基材上沉積金屬或含金屬的膜的前體，例如，通過原子層沉積或化學(xué)氣相沉積方法沉積。
文檔編號(hào)C07F1/00GK101186616SQ20071016969
公開日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2005年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者J·A·T·諾曼 申請(qǐng)人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司