專利名稱：芳族胺衍生物以及使用該衍生物的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及新型的芳族胺衍生物、利用該芳族胺衍生物的有機電致發(fā)光元件，更具體地說，本發(fā)明涉及分子不易難以，在制造有機EL元件時原材料利用率得到提高的新型芳族胺衍生物以及利用該芳族胺衍生物的有機電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光元件是利用熒光物質(zhì)在施加電場時通過由陽極注入的空穴與由陰極注入的電子的復(fù)合能而發(fā)光的原理的自發(fā)光元件。自從イ-ストマン·コダツク公司的C.W.Tang等人報告了由層合型元件得到的低電壓驅(qū)動有機EL元件(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，Applied Physics Letters，51卷、913頁、1987年等)以來，關(guān)于以有機材料作為構(gòu)成材料的有機EL元件的研究方興未艾。Tang等人以三(8-羥基喹啉酚)鋁為發(fā)光層，將三苯二胺衍生物用于空穴傳輸層。層合結(jié)構(gòu)的優(yōu)點有可提高向發(fā)光層的空穴注入效率；可提高通過阻斷并復(fù)合由陰極注入的電子而生成激子的生成效率；將在發(fā)光層內(nèi)生成的激子封閉起來等。如該例所示，已知有機EL元件的元件結(jié)構(gòu)有空穴傳輸(注入)層、電子傳輸發(fā)光層的2層型；或者空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層、電子傳輸(注入)層的3層型等。這樣的層合型結(jié)構(gòu)的元件中，為了提高注入的空穴與電子的復(fù)合效率，要對元件結(jié)構(gòu)或形成方法等進行改進。
通常，在高溫環(huán)境下驅(qū)動或保管有機EL元件時，會產(chǎn)生發(fā)光色變化、發(fā)光效率降低、驅(qū)動電壓上升、發(fā)光壽命縮短等不良影響。為防止這些問題，必須提高空穴傳輸材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。因此空穴傳輸材料的分子內(nèi)必須具有較多的芳族基團(例如美國專利第4,720,432號說明書中的芳族二胺衍生物、美國專利第5,061,569號說明書中的芳族稠環(huán)二胺衍生物、日本特開平7-126615號公報中的四苯基聯(lián)苯胺化合物)，通常優(yōu)選使用具有8-12個苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。
但是，分子內(nèi)具有較多的芳族基團，則使用這些空穴傳輸材料形成薄膜，制造有機EL元件時，容易發(fā)生結(jié)晶，堵塞蒸鍍所用的坩堝的出口，薄膜產(chǎn)生起因于結(jié)晶的缺陷，導(dǎo)致有機EL元件的原材料利用率降低等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述問題而設(shè)，其目的在于提供分子不易結(jié)晶，在制造有機EL元件時原材料利用率得到提高的新型芳族胺衍生物以及利用該芳族胺衍生物的有機EL元件。
本發(fā)明人為實現(xiàn)上述目的進行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用具有下述通式(I)所示非對稱結(jié)構(gòu)的新型芳族胺衍生物作為有機EL元件材料、特別是作為空穴傳輸材料，即可解決上述問題，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供下述通式(1)所示的芳族胺衍生物。
A-L-B (1)(式中，A為 所示二芳基氨基，B為
所示二芳基氨基，Ar1-Ar4各自獨立，為取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基。A和B不相同。
L為含有取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基的連接基團，或者為多個取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基通過單鍵、氧原子、硫原子、氮原子或者飽和或不飽和的環(huán)中碳原子數(shù)為1-20的2價脂族烴基連接而成的連接基團)。
本發(fā)明還提供有機EL元件，該有機EL元件在陽極和陰極之間夾持著由至少包含發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層含有單獨的或作為混合物成分的上述芳族胺衍生物。
實施發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的芳族胺衍生物含有下述通式(1)所示的化合物。
A-L-B (1)通式(1)中，A和B不相同。即，本發(fā)明的芳族胺化合物具有非對稱結(jié)構(gòu)。
通式(1)中，A為 所示二芳基氨基，B為 所示二芳基氨基，Ar1-Ar4各自獨立，為取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基。
Ar1-Ar4的芳基的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、熒蒽基、芴基、1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮茚基、2-異氮茚基、3-異氮茚基、4-異氮茚基、5-異氮茚基、6-異氮茚基、7-異氮茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲咯啉-2-基、1，7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1，7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1，8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8-菲咯啉-5-基、1，8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1，8-菲咯啉-9-基、1，8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1，9-菲咯啉-10-基、1，10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、1，10-菲咯啉-4-基、1，10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9-菲咯啉-4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-6-基、2，9-菲咯啉-7-基、2，9-菲咯啉-8-基、2，9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2，8-菲咯啉-3-基、2，8-菲咯啉-4-基、2，8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2，8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2，7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2，7-菲咯啉-4-基、2，7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2，7-菲咯啉-8-基、2，7-菲咯啉-9-基、2，7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、10-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。
其中優(yōu)選苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芘基、_基、熒蒽基、芴基。
通式(I)中，L為(I)含有取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基的連接基團，或者為(II)多個取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基通過(II-1)單鍵、(II-2)氧原子(-O-)、(II-3)硫原子(-S-)、(II-4)氮原子(-NH-、-NR-[R為取代基])或者(II-5)飽和或不飽和的環(huán)中碳原子數(shù)為1-20的2價脂族烴基連接而成的連接基團。
上述(I)和(II)中環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基的例子有1，4-亞苯基、1，2-亞苯基、1，3-亞苯基、1，4-亞萘基、2，6-亞萘基、1，5-亞萘基、9，10-亞蒽基、9，10-亞菲基、3，6-亞菲基、1，6-亞芘基、2，7-亞芘基、6，12-亞_基、4，4’-亞聯(lián)苯基、3，3’-亞聯(lián)苯基、2，2’-亞聯(lián)苯基、2，7-亞芴基、2，5-亞噻吩基、2，5-亞噻咯基、2，5-亞噁二唑基等。其中，優(yōu)選1，4-亞苯基、1，2-亞苯基、1，3-亞苯基、1，4-亞萘基、9，10-亞蒽基、6，12-亞_基、4，4’-亞聯(lián)苯基、3，3’-亞聯(lián)苯基、2，2’-亞聯(lián)苯基、2，7-亞芴基。
上述(II-5)中飽和或不飽和的環(huán)中碳原子數(shù)為1-20的2價脂族烴基可以是直鏈、支鏈、環(huán)狀的任意形式，例如有亞甲基、1，2-亞乙基、亞丙基、亞異丙基、1，1-亞乙基、亞環(huán)己基、亞金剛烷基等。
Ar1-Ar4和L的取代基為取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷氧基羰基、被取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基取代的氨基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基等。
取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、熒蒽基、芴基、1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮茚基、2-異氮茚基、3-異氮茚基、4-異氮茚基、5-異氮茚基、6-異氮茚基、7-異氮茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲咯啉-2-基、1，7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1，7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1，8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8-菲咯啉-5-基、1，8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1，8-菲咯啉-9-基、1，8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1，9-菲咯啉-10-基、1，10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、1，10-菲咯啉-4-基、1，10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9-菲咯啉-4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-6-基、2，9-菲咯啉-7-基、2，9-菲咯啉-8-基、2，9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2，8-菲咯啉-3-基、2，8-菲咯啉-4-基、2，8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2，8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2，7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2，7-菲咯啉-4-基、2，7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2，7-菲咯啉-8-基、2，7-菲咯啉-9-基、2，7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、10-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷基的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1，3-二羥基異丙基、2，3-二羥基叔丁基、1，2，3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2，3-二溴-叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1，2-二氨基乙基、1，3-二氨基異丙基、2，3-二氨基叔丁基、1，2，3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1，2-二氰基乙基、1，3-二氰基異丙基、2，3-二氰基-叔丁基、1，2，3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基異丙基、2，3-二硝基-叔丁基、1，2，3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷氧基是由-OY表示的基團，Y的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1，3-二羥基異丙基、2，3-二羥基叔丁基、1，2，3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基、2，3-二氯-叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2，3-二溴-叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1，2-二氨基乙基、1，3-二氨基異丙基、2，3-二氨基-叔丁基、1，2，3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1，2-二氰基乙基、1，3-二氰基異丙基、2，3-二氰基-叔丁基、1，2，3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基異丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的芳烷基的例子有芐基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基-叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、對甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對氯芐基、間氯芐基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氨基芐基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為5-50的芳氧基以-OY’表示，Y’的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮茚基、3-異氮茚基、4-異氮茚基、5-異氮茚基、6-異氮茚基、7-異氮茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲咯啉-2-基、1，7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1，7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1，8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8-菲咯啉-5-基、1，8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1，8-菲咯啉-9-基、1，8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1，9-菲咯啉-10-基、1，10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、1，10-菲咯啉-4-基、1，10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9-菲咯啉-4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-6-基、2，9-菲咯啉-7-基、2，9-菲咯啉-8-基、2，9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2，8-菲咯啉-3-基、2，8-菲咯啉-4-基、2，8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2，8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2，7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2，7-菲咯啉-4-基、2，7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2，7-菲咯啉-8-基、2，7-菲咯啉-9-基、2，7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基比咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為5-50的芳硫基以-SY”表示，Y”的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮茚基、3-異氮茚基、4-異氮茚基、5-異氮茚基、6-異氮茚基、7-異氮茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲咯啉-2-基、1，7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1，7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1，8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8-菲咯啉-5-基、1，8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1，8-菲咯啉-9-基、1，8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1，9-菲咯啉-10-基、1，10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、1，10-菲咯啉-4-基、1，10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9-菲咯啉-4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-6-基、2，9-菲咯啉-7-基、2，9-菲咯啉-8-基、2，9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2，8-菲咯啉-3-基、2，8-菲咯啉-4-基、2，8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2，8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2，7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2，7-菲咯啉-4-基、2，7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2，7-菲咯啉-8-基、2，7-菲咯啉-9-基、2，7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3呷基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。
取代或無取代的碳原子數(shù)為1-50的烷氧基羰基以-COOZ表示，Z的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1，3-二羥基異丙基、2，3-二羥基叔丁基、1，2，3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基、2，3-二氯-叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2，3-二溴-叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1，2-二氨基乙基、1，3-二氨基異丙基、2，3-二氨基-叔丁基、1，2，3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1，2-二氰基乙基、1，3-二氰基異丙基、2，3-二氰基-叔丁基、1，2，3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基異丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。
被取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基取代的氨基以-NPQ表示，P、Q的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮茚基、3-異氮茚基、4-異氮茚基、5-異氮茚基、6-異氮茚基、7-異氮茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲咯啉-2-基、1，7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1，7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1，8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8-菲咯啉-5-基、1，8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1，8-菲咯啉-9-基、1，8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1，9-菲咯啉-10-基、1，10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、1，10-菲咯啉-4-基、1，10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9-菲咯啉-4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-6-基、2，9-菲咯啉-7-基、2，9-菲咯啉-8-基、2，9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2，8-菲咯啉-3-基、2，8-菲咯啉-4-基、2，8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2，8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2，7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2，7-菲咯啉-4-基、2，7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2，7-菲咯啉-8-基、2，7-菲咯啉-9-基、2，7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。P、Q可以分別相同，也可以不同。
上述取代基可以相互之間形成環(huán)，成環(huán)的2價基團的例子有1，4-亞丁基、1，5-亞戊基、1，6-亞己基、二苯基甲烷-2，2’-二基、二苯基乙烷-3，3’-二基、二苯基丙烷4，4’-二基等。
鹵素原子有氟、氯、溴、碘。
本發(fā)明的通式(I)所示的芳族胺衍生物的具體例子如下表示，但并不限定于這些例舉的化合物。Me表示甲基、iPr表示異丙基。



下面，對本發(fā)明的有機EL元件進行說明。
本發(fā)明的有機EL元件在陽極和陰極之間夾持著由至少包含發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層含有單獨的或作為混合物成分的上述芳族胺衍生物。
優(yōu)選本發(fā)明的有機EL元件的上述有機薄膜層具有空穴傳輸帶域，該空穴傳輸帶域含有單獨的或作為混合物成分的本發(fā)明的芳族胺衍生物；更優(yōu)選上述有機薄膜層具有空穴傳輸層，該空穴傳輸層含有單獨的或作為混合物成分的本發(fā)明的芳族胺衍生物。進一步優(yōu)選上述空穴傳輸層含有本發(fā)明的芳族胺衍生物作為主要成分。
以下，對本發(fā)明的有機EL元件的元件構(gòu)成進行說明。
(1)有機EL元件的構(gòu)成本發(fā)明的有機EL元件的代表性元件構(gòu)成可例舉以下結(jié)構(gòu)(1)陽極/發(fā)光層/陰極(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極(6)陽極/有機半導(dǎo)體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極(7)陽極/有機半導(dǎo)體層/發(fā)光層/附著改善層/陰極(8)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(9)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(10)陽極/無機半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(11)陽極/有機半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(12)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極等。
其中，通常優(yōu)選采用(8)的構(gòu)成，當(dāng)然，并不限于這些。
本發(fā)明的芳族胺衍生物可用于有機EL元件的任何有機薄膜層，可以用于發(fā)光帶域或空穴傳輸帶域，優(yōu)選用于空穴傳輸帶域，特別優(yōu)選用于空穴傳輸層，由此，分子不易結(jié)晶，制造有機EL元件時的原材料利用率得到提高。
有機薄膜層中含有的本發(fā)明的芳族胺衍生物的量優(yōu)選30-100％摩爾。
(2)透光性基板本發(fā)明的有機EL元件可以在透光性基板上制作。這里所述透光性基板是支撐有機EL元件的基板，優(yōu)選在400-700nm可見光區(qū)的透光率為50％以上的平滑的基板。
具體可例舉玻璃板、聚合物板等。玻璃板有鈉鈣玻璃、含鋇·鍶玻璃、含鉛玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。聚合物板有聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜等。
(3)陽極本發(fā)明的有機EL元件的陽極是具有將空穴注入空穴傳輸層或發(fā)光層的功能的物質(zhì)，具有4.5eV以上功函數(shù)的較為有效。本發(fā)明中所使用的陽極材料的具體例子有氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、金、銀、鉑、銅等。
陽極可如下制作通過蒸鍍或濺射等方法，使這些電極物質(zhì)形成薄膜。
如上所述由陽極一側(cè)獲得發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選對陽極的發(fā)光的透光率大于10％。還優(yōu)選陽極的薄膜電阻為數(shù)百Ω/□以下。陽極的膜厚根據(jù)材料而不同，通?？稍?0nm-1μm，優(yōu)選10-200nm的范圍內(nèi)選擇。
(4)發(fā)光層有機EL元件的發(fā)光層同時具有以下①-③的功能①注入功能施加電場時，可由陽極或空穴注入層注入空穴，可由陰極或電子注入層注入電子的功能②傳輸功能通過電場的力使注入的電荷(電子或空穴)移動的功能③發(fā)光功能提供電子與空穴復(fù)合的場所，將其與發(fā)光相連的功能。
空穴注入的容易程度和電子注入的容易程度可以有不同，以空穴和電子的移動率表示的傳輸能力可以有大小區(qū)別，優(yōu)選移動其中一方的電荷。
形成該發(fā)光層的方法例如可采用蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子堆積膜。這里，分子堆積膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜、或者由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固化形成的薄膜，通常該分子堆積膜可以通過凝聚結(jié)構(gòu)、高級結(jié)構(gòu)的不同或由此導(dǎo)致的功能的不同來與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)區(qū)分。
如日本特開昭57-51781號公報中所公開的，將樹脂等粘結(jié)劑與材料化合物溶解于溶劑中，制成溶液后，通過旋涂法等使其形成薄膜，這樣也可以形成發(fā)光層。
本發(fā)明中，在無損本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要使發(fā)光層含有由本發(fā)明芳族胺衍生物形成的發(fā)光材料以外的公知發(fā)光材料，還可以在含有本發(fā)明芳族胺衍生物的發(fā)光材料的發(fā)光層上層合含有其它公知發(fā)光材料的發(fā)光層。
(5)空穴注入·傳輸層(空穴傳輸帶域)空穴注入·傳輸層是輔助將空穴注入發(fā)光層、傳輸至發(fā)光區(qū)域的層，空穴移動率大，則離子化能通常為5.5ev以下，較小。所述空穴注入·傳輸層優(yōu)選以更低的電場強度將空穴傳輸至發(fā)光層的材料，當(dāng)施加例如104-106V/cm的電場時，進一步優(yōu)選空穴的移動率至少為10-4cm2/V·秒。
將本發(fā)明的芳族胺衍生物用于空穴傳輸帶域時，可以單獨以本發(fā)明的芳族胺衍生物形成空穴注入·傳輸層，也可以與其它材料混合使用。
與本發(fā)明的芳族胺衍生物混合，形成空穴注入·傳輸層的材料只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料即可，并沒有特別限定，可以選擇以往在光傳導(dǎo)材料中常作為空穴電荷傳輸材料使用的材料、或在有機EL元件的空穴注入層中使用的公知的材料中的任意材料。
具體例子有三唑衍生物(參照美國專利第3,112,197號說明書等)、噁二唑衍生物(參照美國專利第3,189,447號說明書等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37-16096號公報說明書等)、多芳基鏈烷衍生物(參照美國專利第3,615,402號說明書、美國專利第3,820,989號說明書、美國專利第3,542,544號說明書、日本特公昭45-555號公報、日本特公昭51-10983號公報、日本特開昭51-93224號公報、日本特開昭55-17105號公報、日本特開昭56-4148號公報、日本特開昭55-108667號公報、日本特開昭55-156953號公報、日本特開昭56-36656號公報等)、吡唑啉衍生物和吡唑酮衍生物(參照美國專利第3,180,729號說明書、美國專利第4,278,746號說明書、日本特開昭55-88064號公報、日本特開昭55-88065號公報、日本特開昭49-105537號公報、日本特開昭55-51086號公報、日本特開昭56-80051號公報、日本特開昭56-88141號公報、日本特開昭57-45545號公報、日本特開昭54-112637號公報、日本特開昭55-74546號公報等)、苯二胺衍生物(參照美國專利第3,615,404號說明書、日本特公昭51-10105號公報、日本特公昭46-3712號公報、日本特公昭47-25336號公報、日本特開昭54-53435號公報、日本特開昭54-110536號公報、日本特開昭54-119925號公報等)、芳基胺衍生物(參照美國專利第3,567,450號說明書、美國專利第3,180,703號說明書、美國專利第3,240,597號說明書、美國專利第3,658,520號說明書、美國專利第4,232,103號說明書、美國專利第4,175,961號說明書、美國專利第4,012,376號說明書、日本特公昭49-35702號公報、日本特公昭39-27577號公報、日本特開昭55-144250號公報、日本特開昭56-119132號公報、日本特開昭56-22437號公報、西德專利第1,110,518號說明書等)、氨基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3,526,501號說明書等)、噁唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等中公開的化合物)、苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56-46234號公報等)、9-芴酮衍生物(參照日本特開昭54-110837號公報等)、腙衍生物(參照美國專利第3,717,462號說明書、日本特開昭54-59143號公報、日本特開昭55-52063號公報、日本特開昭55-52064號公報、日本特開昭55-46760號公報、日本特開昭55-85495號公報、日本特開昭57-11350號公報、日本特開昭57-148749號公報、日本特開平2-311591號公報等)、茋衍生物(參照日本特開昭61-210363號公報、日本特開昭61-228451號公報、日本特開昭61-14642號公報、日本特開昭61-72255號公報、日本特開昭62-47646號公報、日本特開昭62-36674號公報、日本特開昭62-10652號公報、日本特開昭62-30255號公報、日本特開昭60-93455號公報、日本特開昭60-94462號公報、日本特開昭60-174749號公報、日本特開昭60-175052號公報等)、硅氮烷衍生物(參照美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅烷類(日本特開平2-204996號公報)、苯胺系共聚物(日本特開平2-282263號公報)、日本特開平1-211399號公報中公開的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。
可以使用上述化合物作為空穴注入層的材料，優(yōu)選使用卟啉化合物(日本特開昭63-2956965號公報等中公開的化合物)、芳族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(參照美國專利第4,127,412號說明書、日本特開昭53-27033號公報、日本特開昭54-58445號公報、日本特開昭54-149634號公報、日本特開昭54-64299號公報、日本特開昭55-79450號公報、日本特開昭55-144250號公報、日本特開昭56-119132號公報、日本特開昭61-295558號公報、日本特開昭61-98353號公報、日本特開昭63-295695號公報等)、特別優(yōu)選使用芳族叔胺化合物。
還可例舉美國專利第5,061,569號中記載的分子內(nèi)具有2個稠合芳環(huán)的例如4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(以下簡稱為NPD)、日本特開平4-308688號公報記載的三個三苯胺單元呈星暴發(fā)型連接的4，4，’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(以下簡稱為MTDATA)等。
除作為發(fā)光層材料的上述芳族二亞甲基系化合物之外，p型Si、p型SiC等無機化合物也可作為空穴注入層的材料使用。
空穴注入·傳輸層的形成可通過例如真空蒸鍍法、旋涂法、鑄塑法、LB法等公知的方法，將本發(fā)明的芳族胺衍生物制成薄膜來進行。對空穴注入·傳輸層的膜厚沒有特別限定，通常為5nm-5μm。該空穴注入·傳輸層只要在空穴傳輸帶域中含有本發(fā)明的芳族胺衍生物即可，可以由含有一種或多種上述材料的一層構(gòu)成，也可以是含有其它種類的化合物的空穴注入·傳輸層與上述空穴注入·傳輸層層合而成。
作為輔助將空穴或電子注入發(fā)光層的層，可以設(shè)置有機半導(dǎo)體層，優(yōu)選具有10-10S/cm以上電導(dǎo)率的半導(dǎo)體。所述有機半導(dǎo)體層的材料可以使用含噻吩低聚物或日本特開平8-193191號公報中公開的含芳基胺低聚物等的導(dǎo)電性低聚物、含芳基胺樹枝狀聚合物等的導(dǎo)電性樹枝狀聚合物等。
(6)電子注入層電子注入層·傳輸層是輔助將電子注入發(fā)光層、傳輸至發(fā)光區(qū)域的層，其電子移動率大，另外，附著改善層是在該電子注入層中含有特別是與陰極的附著性良好的材料的層。電子注入層所使用的材料優(yōu)選8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物。
該8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例子有含有喔星(通常為8-羥基喹啉(8-quinolinol)或8-羥基喹啉(8-hydroxyquinoline))的螯合物的金屬螯合物類喔星化合物，例如可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq)作為電子注入材料。
噁二唑衍生物有以下通式所示的電子傳送化合物。
(式中，Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar5’、Ar6’、Ar9’分別表示取代或無取代的芳基，分別可以相同或不同。Ar4’、Ar7’、Ar8’表示取代或無取代的亞芳基，分別可以相同或不同)。
這里，芳基有苯基、聯(lián)苯基、蒽基、苝基、芘基，亞芳基有亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞苝基、亞芘基等。取代基有碳原子數(shù)為1-10的烷基、碳原子數(shù)為1-10的烷氧基或氰基等。該電子傳送化合物優(yōu)選具有成膜性。
該電子傳送性化合物的具體例子有以下各例。
本發(fā)明的有機EL元件可以在傳輸電子的區(qū)域或陰極與有機薄膜層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑。這里，還原性摻雜劑定義為可還原電子傳輸性化合物的物質(zhì)。因此，只要是具有一定還原性的物質(zhì)，則各種都可以使用，例如可優(yōu)選使用選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物或稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機絡(luò)合物、堿土金屬的有機絡(luò)合物和稀土金屬的有機絡(luò)合物的至少一種物質(zhì)。
作為還原性摻雜劑，特別優(yōu)選至少一種選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)和Cs(功函數(shù)1.95eV)的堿金屬，至少一種選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0-2.5eV)和Ba(功函數(shù)2.52eV)的堿土金屬那樣的功函數(shù)為2.9eV以下的摻雜劑。其中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為至少一種選自K、Rb和Cs的堿金屬，進一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選的是Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，向電子注入?yún)^(qū)添加較少量即可實現(xiàn)有機EL元件發(fā)光亮度的提高或增長壽命。優(yōu)選將上述2種以上堿金屬組合，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑，特別優(yōu)選含有Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或者Cs和Na和K的組合。通過組合含有Cs，可有效發(fā)揮還原能力，通過添加到電子注入?yún)^(qū)，可實現(xiàn)有機EL元件發(fā)光亮度的提高或增長壽命。
本發(fā)明的有機EL元件中，在陰極和有機層之間可以進一步設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。由此可有效防止電流泄漏，提高電子注入性。所述絕緣體優(yōu)選使用至少一種選自堿金屬硫?qū)僭鼗铩A土金屬硫?qū)僭鼗?、堿金屬的鹵化物和堿土金屬的鹵化物的金屬化合物。電子注入層由這些堿金屬硫?qū)僭鼗锏葮?gòu)成，則可進一步提高電子注入性，從這點考慮優(yōu)選。具體來說，優(yōu)選的堿金屬硫?qū)僭鼗锢缬蠰i2O、LiO、Na2S、Na2Se和NaO。優(yōu)選的堿土金屬硫?qū)僭鼗锢缬蠧aO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。優(yōu)選的堿金屬鹵化物例如有LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。優(yōu)選的堿土金屬鹵化物例如有CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物，或氟化物以外的鹵化物。
構(gòu)成電子傳輸層的半導(dǎo)體有1種或多種含有至少一種選自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn的元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的組合。構(gòu)成電子傳輸層的無機化合物優(yōu)選為微晶或非晶的絕緣性薄膜。如果電子傳輸層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則可形成更均勻的薄膜，因此可減少黑點等像素缺陷。所述無機化合物有上述堿金屬硫?qū)僭鼗?、堿土金屬硫?qū)僭鼗铩A金屬的鹵化物和堿土金屬的鹵化物等。
(7)陰極作為陰極，為了向電子傳輸層或發(fā)光層注入電子，可以使用以功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物以及它們的混合物作為電極物質(zhì)。所述電極物質(zhì)的具體例子有鈉、鈉·鉀合金、鎂、鋰、鎂·銀合金、鋁/氧化鋁、鋁·鋰合金、銦、稀土金屬等。
該陰極可如下制作通過蒸鍍或濺射等方法，使這些電極物質(zhì)形成薄膜。
這里，由陰極一側(cè)獲得發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選對陰極的發(fā)光的透光率大于10％。
陰極的薄膜電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω/□以下。膜厚通常為10nm-1μm，優(yōu)選50-200nm。
(8)絕緣層由于有機EL元件是向超薄膜施加電場，因此容易發(fā)生泄漏或短路導(dǎo)致的像素缺陷。為防止這些問題，優(yōu)選在一對電機間插入絕緣性薄膜層。
絕緣層所使用的材料例如有氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等，也可以使用它們的混合物或?qū)雍衔铩?br> (9)有機EL元件的制造方法可通過以上例舉的材料和形成方法形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要的空穴注入·傳輸層以及根據(jù)需要的電子注入·傳輸層，再形成陰極，由此制造有機EL元件。也可以按照與上述相反的順序，由陰極至陽極制造有機EL元件。
以下對在透光性基板上依次設(shè)置由陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極構(gòu)成的有機EL元件的制作例進行說明。
首先，通過蒸鍍或濺射等方法，在適當(dāng)?shù)耐腹庑曰迳闲纬珊嘘枠O材料的薄膜，使膜厚為1μm以下，優(yōu)選10-200nm的范圍，以此作為陽極。接著，在該陽極上設(shè)置空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥男纬煽扇缟纤觯ㄟ^真空蒸鍍法、旋涂法、鑄塑法、LB法等方法進行。從容易獲得均勻的膜，且不易生成針孔等角度考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成空穴注入層時，該蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物(空穴注入層的材料)、目標(biāo)空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)、締合結(jié)構(gòu)等而不同，通常優(yōu)選在蒸鍍源溫度50-450℃、真空度10-7-10-3torr、蒸鍍速度0.01-50nm/秒、基板溫度-50至300℃、膜厚5nm-5μm的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。
接著，對于在空穴注入層上設(shè)置有放光層的發(fā)光層的形成，也采用所需有機發(fā)光材料，通過真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、鑄塑法等方法，使有機發(fā)光材料形成薄膜來進行，從容易獲得均勻的膜，且不易生成針孔等角度考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成發(fā)光層時，該蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物而不同，通?？蓮呐c空穴注入層相同的條件范圍中選擇。
接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層、發(fā)光層同樣，必須要獲得均勻的膜，因此優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。蒸鍍條件可從與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍中選擇。
本發(fā)明的芳族胺衍生物可能含在發(fā)光帶域或空穴傳輸帶域的任意層中，根據(jù)情況，使用真空蒸鍍法時，可與其它材料進行共同蒸鍍。用旋涂法時，可以通過與其它材料混合來含有。
最后層合陰極，可得到有機EL元件。
陰極由金屬構(gòu)成，因此可使用蒸鍍法、濺射法。但是，在制膜時為了防止基層有機物層的損傷，優(yōu)選真空蒸鍍法。
以上的有機EL元件的制作優(yōu)選通過進行一次真空吸引，然后連貫地由陽極至陰極制作。
本發(fā)明中對有機EL元件各層的形成方法并沒有特別限定。可以使用以往公知的真空蒸鍍法、旋涂法等形成方法。本發(fā)明的有機EL元件中使用的、含有上述通式(1)所示化合物的有機薄膜層可通過真空蒸鍍法、分子束外延法(MBE法)或溶解于溶劑的溶液浸漬法、旋涂法、鑄塑法、棒涂法、輥涂法等公知的涂布法形成。
本發(fā)明的有機EL元件各有基層的膜厚沒有特別限定，通常膜厚過薄，則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過厚，則需要施加高的電壓，效率差，因此通常優(yōu)選數(shù)nm至1μm的范圍。
對有機EL元件施加直流電壓時，以陽極為+，以陰極為-的極性，施加5-40V的電壓，即可觀測到發(fā)光。另外，施加相反極性的電壓，則沒有電流，完全不發(fā)光。施加交流電壓時，只有在陽極為+，陰極為-的狀態(tài)時觀測到均勻的發(fā)光。施加的交流電的波形可以是任意的。
以下通過實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些例子的任何限定。
實施例1(N，N-二苯基-1-氨基-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基苯(H1)的合成)(1)二-4-聯(lián)苯基胺的合成在100ml三頸燒瓶中加入10.0g 4-溴聯(lián)苯(東京化成公司生產(chǎn))、4.32g叔丁氧基鈉(和光純藥公司生產(chǎn))、42mg乙酸鈀(和光純藥公司生產(chǎn))。再加入攪拌子，燒瓶的兩側(cè)口蓋橡膠蓋，在中央的口設(shè)置回流蛇形管，在其上設(shè)置三通閥和封裝有氬氣的氣球，用真空泵，將系統(tǒng)用氣球內(nèi)的氬氣置換3次。
接著，用注射筒通過橡膠隔片，加入60ml脫水甲苯(和光純藥公司生產(chǎn))、2.04ml芐胺(東京化成公司生產(chǎn))、169μl三叔丁基膦(アルドリツチ公司生產(chǎn)、2.22mol/L甲苯溶液)，在室溫下攪拌5分鐘。
接著將燒瓶置于油浴中，一邊攪拌溶液一邊慢慢地升溫至120℃。7小時后，將燒瓶從油浴中取出，使反應(yīng)終止，在氬氣氛下放置12小時。
將反應(yīng)溶液移入分液漏斗，加入300ml二氯甲烷，使沉淀溶解，用60ml飽和食鹽水溶液洗滌，然后用無水碳酸鉀干燥有機層。濾除碳酸鉀，餾去得到的有機層的溶劑，向所得殘余物中加入200ml甲苯、40ml乙醇，設(shè)置干燥管，加熱至80℃，使殘余物完全溶解。然后放置12小時，慢慢冷卻至室溫，進行重結(jié)晶。
濾取析出的晶體，在60℃真空干燥，得到6.73g N，N-二-(4-聯(lián)苯基)-芐胺。
向300ml的單頸燒瓶中加入1.35g N，N-二-(4-聯(lián)苯基)-芐胺、135mg披鈀碳(和光純藥公司生產(chǎn)，鈀含量10％重量)，加入100ml氯仿、20ml乙醇，進行溶解。
接著，在燒瓶中放入攪拌子，然后將設(shè)有氣球的三通栓安在燒瓶上，氣球中充填了2L氫氣，用真空泵，將燒瓶系統(tǒng)用氣球內(nèi)的氫氣置換10次。重新充填用去的氫氣，使氫氣的容積再次為2L，然后在室溫下劇烈攪拌溶液。攪拌30小時后，加入100ml二氯甲烷，濾去催化劑。
接著，將所得溶液移入分液漏斗，用50ml碳酸氫鈉飽和水溶液洗滌，然后取出有機層，用無水碳酸鉀干燥。過濾后，餾去溶劑，向所得殘余物中加入50ml甲苯，重結(jié)晶。濾取析出的晶體，在50℃真空干燥，得到0.99g二-4-聯(lián)苯基胺。
(2)4-溴-N，N-二-聯(lián)苯基苯胺的合成在氬氣流下，加入10g上述(1)得到的二-4-聯(lián)苯基胺、7.3g 1，4-二溴苯(東京化成公司生產(chǎn))、3g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.5g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和500ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入1000ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到8.1g 4-溴-N，N-二-聯(lián)苯基苯胺。
(3)化合物(H1)的合成在氬氣流下，加入2g上述(2)得到的4-溴-N，N-二-聯(lián)苯基苯胺、1g N，N-二苯胺(東京化成公司生產(chǎn))、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到1.6g淡黃色粉末。
通過FD-MS(場解吸質(zhì)譜)對所得粉末進行分析，對于C42H32N2＝564，得到m/z＝564的主峰，因此鑒定為N，N-二苯基-1-氨基-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基苯(H1)。
實施例2(N，N-二苯基-4-氨基-N’，N’-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯(H2)的合成)(1)4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯的合成在氬氣流下，加入10g實施例1的(1)得到的二-4-聯(lián)苯基胺(東京化成公司生產(chǎn))、9.7g 4，4’-二溴聯(lián)苯(東京化成公司生產(chǎn))、3g叔丁氧基鈉(廣島和光)、0.5g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和500ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入1000ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到9.1g 4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯。
(2)化合物(H2)的合成在氬氣流下，加入2.3g上述(1)得到的4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯、1g N，N-二苯胺(東京化成公司生產(chǎn))、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到1.6g淡黃色粉末。
通過FD-MS對所得粉末進行分析，對于C48H36N2＝640，可得到m/z＝640的主峰，因此鑒定為N，N-二苯基-4-氨基-N”，N’-二-聯(lián)苯基-4’-氨基-1，1’-聯(lián)苯(H2)。
實施例3(N，N-二苯基-4-氨基-N”，N”-二-聯(lián)苯基-4”-氨基-對三聯(lián)苯(H3)的合成)(1)4”-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-對三聯(lián)苯的合成在氬氣流下，加入10g二-4-聯(lián)苯基胺(東京化成公司生產(chǎn))、12.1g4，4”-二溴-對三聯(lián)苯(ランカスタ-公司生產(chǎn))、3g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.5g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和500ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入1000ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到9.4g 4”-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-對三聯(lián)苯。
(2)化合物(H3)在氬氣流下，加入2.6g上述(1)得到的4”-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-對三聯(lián)苯、1g N，N-二苯胺(東京化成公司生產(chǎn))、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到1.7g淡黃色粉末。
通過FD-MS對所得粉末進行分析，對于C54H40N2＝716，可得到m/z＝716的主峰，因此鑒定為N，N-二苯基-4-氨基-N”，N”-二-聯(lián)苯基-4”-氨基-對三聯(lián)苯(H3)。
實施例4(N，N，N’-三苯基-4-氨基-N’-(1-萘基)氨基-1，1’-聯(lián)苯(H4)的合成)在氬氣流下，加入2.3g實施例2的(1)得到的4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯、1g N-苯基1-萘胺(東京化成公司生產(chǎn))、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到2.0g淡黃色粉末。
通過FD-MS對所得粉末進行分析，對于C52H38N2＝690，可得到m/z＝690的主峰，因此鑒定為N，N，N’-三苯基-4-氨基-N’-(1-萘基)氨基-1，1’-聯(lián)苯(H4)。
實施例5(N，N，N’-三苯基-4-氨基N’-(2-萘基)氨基-1，1’-聯(lián)苯(H5)的合成)在氬氣流下，加入2.3g實施例2的(1)得到的4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯、1g N-苯基2-萘胺(東京化成公司生產(chǎn))、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到1.9g淡黃色粉末。
通過FD-MS對所得粉末進行分析，對于C52H38N2＝690，可得到m/z＝690的主峰，因此鑒定為N，N，N’-三苯基-4-氨基-N’-(2-萘基)氨基-1，1’-聯(lián)苯(H5)。
實施例6(N，N-二苯基-4-氨基-N’，N’-二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)-4’-氨基-1，1’-聯(lián)苯(H6)的合成)(1)4-碘-4’-甲基聯(lián)苯的合成加入75g 4-甲基聯(lián)苯(東京化成公司生產(chǎn))、19.2g原高碘酸(和光純藥公司生產(chǎn))、64.3g碘(和光純藥公司生產(chǎn))、230ml乙酸、7.6ml濃硫酸，在70℃反應(yīng)2小時。
反應(yīng)后冷卻至室溫，邊攪拌邊注入850ml甲醇，濾取析出的結(jié)晶，將所得結(jié)晶用2.1L乙腈重結(jié)晶，得到73g 4-碘-4’-甲基聯(lián)苯。
(2)二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)胺的合成在100ml三頸燒瓶中加入10.0g上述(1)得到的4-碘-4’-甲基聯(lián)苯、4.32g叔丁氧基鈉(和光純藥公司生產(chǎn))、42mg乙酸鈀(和光純藥公司生產(chǎn))。再加入攪拌子，在燒瓶的兩側(cè)口蓋橡膠蓋，在中央的口設(shè)置回流蛇形管，在其上設(shè)置三通閥和封裝有氬氣的氣球，用真空泵，將系統(tǒng)用氣球內(nèi)的氬氣置換3次。
接著，用注射筒通過橡膠隔片加入60ml脫水甲苯(和光純藥公司生產(chǎn))、2.04ml芐胺(東京化成公司生產(chǎn))、169μl三叔丁基膦(アルドリツチ公司生產(chǎn)、2.22mol/L甲苯溶液)，在室溫下攪拌5分鐘。
接著將燒瓶置于油浴中，一邊攪拌溶液一邊慢慢地升溫至120℃。7小時后，將燒瓶從油浴中取出，使反應(yīng)終止，在氬氣氛下放置12小時。
將反應(yīng)溶液移入分液漏斗，加入300ml二氯甲烷，使沉淀物溶解，用60ml飽和食鹽水溶液洗滌，然后用無水碳酸鉀干燥有機層。濾除碳酸鉀，餾去得到的有機層的溶劑，向所得殘余物中加入200ml甲苯、40ml乙醇，設(shè)置干燥管，加熱至80℃，使殘余物完全溶解。然后放置12小時，通過冷卻至室溫進行重結(jié)晶。
濾取析出的晶體，在60℃真空干燥，得到6.12g N，N-二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)-芐胺。
向300ml的單頸燒瓶中加入1.35g N，N-二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)-芐胺、135mg披鈀碳(和光純藥公司生產(chǎn)，鈀含量10％重量)，加入100ml氯仿、20ml乙醇，進行溶解。
接著，在燒瓶中放入攪拌子，然后將設(shè)有氣球的三通栓安在燒瓶上，氣球中充填了2L的氫氣，用真空泵，將燒瓶系統(tǒng)內(nèi)部用氫氣置換10次。重新充填失去的氫氣，使氫氣的容積再次為2L，然后在室溫下劇烈攪拌溶液。攪拌30小時后，加入100ml二氯甲烷，濾去催化劑。
接著，將所得溶液移入分液漏斗，用50ml碳酸氫鈉飽和水溶液洗滌，然后取出有機層，用無水碳酸鉀干燥。過濾后，餾去溶劑，向所得殘余物中加入50ml甲苯，重結(jié)晶。濾取析出的晶體，在50℃通過真空干燥得到0.83g二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)胺。
(3)化合物(H6)的合成在氬氣流下，加入2.3g實施例2的(1)得到的4’-溴-N，N-二-聯(lián)苯基-4-氨基-1，1’-聯(lián)苯、1.8g上述(2)所得二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)胺、0.5g叔丁氧基鈉(廣島和光公司生產(chǎn))、0.1g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司生產(chǎn))和300ml二甲苯，在130℃反應(yīng)24小時。
冷卻后，加入500ml水，用硅藻土過濾混合物，將濾液用甲苯萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物過柱純化，用甲苯重結(jié)晶，濾取后進行干燥，得到2.3g淡黃色粉末。
通過FD-MS對所得粉末進行分析，對于C62H48N2＝820，得到m/z＝821的主峰，因此鑒定為N，N-二苯基-4-氨基-N’，N’-二-(4’-甲基-4-聯(lián)苯基)-4’-氨基-1，1’-聯(lián)苯(H6)。
實施例7將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(ヅオマテイツク公司生產(chǎn))在異丙醇中進行5分鐘的超聲波洗滌，然后用UV臭氧洗滌30分鐘。
將洗滌后的帶透明電極線的玻璃基板設(shè)置于真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成透明電極線的一側(cè)的面上形成膜厚為60nm的N，N’-二(N，N’-二苯基-4-氨基苯基)-N，N-二苯基-4，4’-二氨基-1，1’-聯(lián)苯的膜(以下簡稱為“TPD232膜”)，使薄膜覆蓋上述透明電極。該TPD232膜發(fā)揮空穴注入層的功能。在該TPD232膜上形成膜厚為20nm的上述化合物(H1)層作為空穴傳輸材料。該膜發(fā)揮空穴傳輸層的功能。再蒸鍍形成膜厚為40nm的下述化合物EMl的膜。同時，作為發(fā)光分子，將下述具有苯乙烯基的胺化合物D1按照EM1∶D1的重量比為40∶2進行蒸鍍。該膜發(fā)揮發(fā)光層的功能。再在該膜上形成膜厚為10nm的Alq膜。其發(fā)揮電子注入層功能。然后二元蒸鍍還原性摻雜劑Li(Li源サエスゲツタ-公司生產(chǎn))和Alq，形成Alq∶Li膜(膜厚為10nm)，作為電子注入層(或陰極)。在Alq∶Li膜上蒸鍍金屬Al，形成金屬陰極，得到有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H1)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
實施例8實施例7中，使用化合物(H2)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H2)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
實施例9實施例7中，使用化合物(H3)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H3)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
實施例10實施例7中，使用化合物(H4)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H4)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
實施例11實施例7中，使用化合物(H5)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H5)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
實施例12實施例7中，使用化合物(H6)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
化合物(H6)的非晶性高，蒸鍍時結(jié)晶不會堵塞蒸鍍源的開口部。
比較例1實施例7中，使用下述N，N，N’，N’-四(4-聯(lián)苯基)-二氨基亞聯(lián)苯(TBDB)代替化合物(H1)，除此之外同樣進行，制作有機EL元件。
對所得元件測定電流密度1mA/cm2下的發(fā)光效率，其結(jié)果如表1所示。
TBDB的結(jié)晶性高，蒸鍍時在蒸鍍源的開口部結(jié)晶，不能連續(xù)成膜。

表1

由上述結(jié)果可知使用本發(fā)明的芳族胺衍生物作為有機EL元件的空穴傳輸材料使用時，可以以與以往使用的材料同等的發(fā)光效率發(fā)光，并且非晶性高，成膜時不會堵塞蒸鍍源的開口部，可以連續(xù)地進行元件的成膜，因此對于有機元件的制造原材料利用率提高極為有效。
產(chǎn)業(yè)實用性如以上所述的詳細(xì)說明，本發(fā)明的芳族胺衍生物和使用該芳族胺衍生物的有機EL元件可保持高的發(fā)光效率，同時分子不易結(jié)晶，可以提高制造有機EL元件時的原材料利用率。
權(quán)利要求
1.由下述通式(1)表示的芳族胺衍生物A-L-B (1)式中，A為 所示二芳基氨基，B為 所示二芳基氨基，Ar1-Ar4各自獨立，為取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的芳基；A和B不相同；L為含有取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基的連接基團，或者為多個取代或無取代的環(huán)原子數(shù)為5-50的亞芳基通過單鍵、氧原子、硫原子、氮原子或者飽和或不飽和的環(huán)中碳原子數(shù)為1-20的2價脂族烴基連接而成的連接基團。
2.有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件的陽極和陰極之間夾持著由至少包含發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層含有單獨的或作為混合物成分的權(quán)利要求1的芳族胺衍生物。
3.權(quán)利要求2的有機電致發(fā)光元件，其中所述有機薄膜層具有空穴傳輸帶域，該空穴傳輸帶域含有單獨的或作為混合物成分的上述芳族胺衍生物。
4.權(quán)利要求2的有機電致發(fā)光元件，其中所述有機薄膜層具有空穴傳輸層，該空穴傳輸層含有單獨的或作為混合物成分的上述芳族胺衍生物。
5.權(quán)利要求2的有機電致發(fā)光元件，其中所述空穴傳輸層含有上述芳族胺衍生物作為主要成分。
6.權(quán)利要求2的有機電致發(fā)光元件，其中所述有機薄膜層含有30-100％摩爾的上述芳族胺衍生物。
全文摘要
本發(fā)明提供芳族胺衍生物以及有機電致發(fā)光元件，其中所述芳族胺衍生物是具有非對稱結(jié)構(gòu)的新型芳族胺衍生物；其中所述有機電致發(fā)光元件在陽極和陰極之間夾持著由至少含有發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層中含有單獨的或作為混合物成分的上述芳族胺衍生物；其分子不易結(jié)晶，可以提高制造有機EL元件時的原材料利用率。
文檔編號C07C211/58GK1759094SQ20048000674
公開日2006年4月12日 申請日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月16日
發(fā)明者川村久幸 申請人:出光興產(chǎn)株式會社