專利名稱：：芳族胺衍生物以及使用該衍生物的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芳族胺衍生物以及使用該衍生物的有機電致發(fā)光(EL)元件，特別涉及可降低驅(qū)動電壓、同時抑制分子結(jié)晶、改善有機EL元件的壽命、提高制備有機EL元件時的成品率的芳族胺衍生物。
背景技術(shù)：
：有機EL元件是施加電場、利用通過由陽極注入的空穴和由陰極注入的電子的復合能量使熒光性物質(zhì)發(fā)光的原理的自發(fā)光元件。自4一7卜^》'rr夕、、7夕公司的C.W.Tang等人報道了層合型元件的低電壓驅(qū)動有機EL元件(C.W.Tang，S.A.Vanslyke,AppliedPhysicsLetters,51春，913頁，1987年等)以來，以有機材料作為構(gòu)成材料的有機EL元件的研究日益增多。Tang等人是以三(8-羥基喹啉)鋁作為發(fā)光層、以三苯基二胺衍生物作為空穴傳輸層。層合結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是提高空穴對發(fā)光層的注入效率；阻斷由陰極注入的電子，提高通過復合生成的激發(fā)子的生成效率；封閉在發(fā)光層內(nèi)生成的激發(fā)子等。如這些例子所述，已知有機EL元件的元件結(jié)構(gòu)有空穴傳輸(注入)層、電子傳輸發(fā)光層的2層型；或空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層、電子傳輸(注入)層的3層型等。這種層合型結(jié)構(gòu)元件中，為了提高注入的空穴與電子的復合效率，需在元件結(jié)構(gòu)或形成方法方面做努力。通常，如果在高溫環(huán)境下驅(qū)動或保管有機EL元件，則出現(xiàn)發(fā)光顏色的變化、發(fā)光效率降低、驅(qū)動電壓升高、發(fā)光壽命縮短等的不良影響。為防止上述問題，必須提高空穴傳輸材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。因此，空穴傳輸材料的分子內(nèi)必須具有很多芳族基團(例如，專利文獻l的芳族二胺衍生物、專利文獻2的芳族縮環(huán)二胺衍生物)，通常優(yōu)選使用具有8-12個苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。但是，如果分子內(nèi)具有很多的芳族基團，則使用這些空穴傳輸材料形成薄膜、制備有機EL元件時容易發(fā)生結(jié)晶化，發(fā)生蒸鍍中使用的坩堝的出口堵塞、或者由于結(jié)晶化而產(chǎn)生的薄膜缺陷、導致有機EL元件的成品率降低等的問題。此外，分子內(nèi)具有很多芳族基團的化合物通常即使玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高，但升華溫度高，發(fā)生蒸鍍時的分解或形成不均勻蒸鍍等的現(xiàn)象，因此有壽命短的問題。另一方面，還有公開了非對稱的芳族胺^f汙生物的公知文獻。例如、專利文獻3中記載了具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳族胺衍生物，但沒有具體的實施例，對于非對稱化合物的特征均未記栽。專利文獻4中以實施例的形式記載了具有菲的非對稱的芳族胺衍生物，但是是與對稱的化合物一同列舉，對于非對稱化合物的特征均未記載。非對稱化合物需要特殊的合成方法，但這些專利中并未明確記載非對稱化合物的制備方法。并且，專利文獻5中記載了具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳族胺衍生物的制備方法，但并未記載非對稱化合物的特征。專利文獻6記載了玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、熱穩(wěn)定的非對稱化合物，但只例舉了具有咔唑的化合物。關(guān)于具有噻吩的胺化合物的報道有專利文獻7~8，但是它們是在二胺化合物的中心骨架上具有噻吩的化合物。專利文獻7是噻吩與胺直接鍵合。關(guān)于二胺化合物的末端具有噻吩的化合物的報道有專利文獻9~10,但它們是噻吩直接與胺鍵合。這些化合物不穩(wěn)定，純化困難，因此純度無法提高。另外，噻吩如果與胺直接鍵合，則胺的電子狀態(tài)有很大變化，因此作為有機EL元件用的材料使用時，無法獲得足夠的性能。而專利文獻11中記載了噻吩經(jīng)由芳基與胺鍵合的化合物。但是，這些化合物是2位或5位含有未取代的p塞吩的結(jié)構(gòu)。噻吩的2位或5位反應(yīng)性高，電學上也不穩(wěn)定，因此如果分子內(nèi)存在上述結(jié)構(gòu)，則作為元件使用時必須高電壓，所以不優(yōu)選。多聚體胺有專利文獻12，但只是具體例子，對于噻吩經(jīng)由芳基與氮鍵合的胺化合物完全未有記載。高分子是在專利文獻13~22中有記載，但無法蒸鍍。另外，聚合所必須的極性基團使元件的壽命等縮短，因此不優(yōu)選。如上所述，通常已知具有P塞吩結(jié)構(gòu)的化合物的遷移率高，但是如果只是與胺結(jié)構(gòu)組合，即使用作有機EL元件的材料，也無法獲得足夠的性能。因此，人們強烈需求開發(fā)具有更優(yōu)異的性能的有機EL元件用材料。專利文獻l:美國專利第4,720,432號說明書專利文獻2:美國專利第5,061,569號說明書專利文獻3:日本特開平8-48656號公報專利文獻4:日本特開平11-135261號公才艮專利文獻5:日本特開2003-171366號公報專利文獻6:美國專利第6,242,115號說明書專利文獻7:WO2004-058740專利文獻8:日本特開平4-304466號公報專利文獻9:WO2001-053286專利文獻10:日本特開平7-287408號公報專利文獻ll:日本特開2003-267972號公報專利文獻12:日本特開2004-155705號公報專利文獻13:日本特開2005-042004號公報專利文獻14:日本特開2005-259441號公報專利文獻15:日本特開2005-259442號公報專利文獻16:日本特開2005-235645號公4艮專利文獻17:日本特開2005-235646號公報專利文獻18:日本特開2005-082655號公報專利文獻19:日本特開2004-288531號7>才艮專利文獻20:日本特開2004-199935號公報專利文獻21:日本特開2004-111134號公報專利文獻22:日本特開2002-313574號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明為解決上述課題而設(shè)，其目的在于提供分子難以結(jié)晶、可使驅(qū)動電壓降低，同時制備有機EL元件時的成品率提高、壽命長的有機EL元件；以及實現(xiàn)該元件的芳族胺衍生物。解決課題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明人等為實現(xiàn)上述目的進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用下述通式(l)所示的、含噻吩、具有特定取代基的新型芳族胺衍生物作為有機EL元件用材料、特別是用作空穴傳輸材料，可以實現(xiàn)上述目的，從而完成了本發(fā)明。還發(fā)現(xiàn)具有特定取代基的胺單元優(yōu)選為由具有通式(2)、(13)所示的噻吩結(jié)構(gòu)的芳基取代的氨基。該胺單元具有極性基團，因此可以與電極相互作用，使電荷的注入變得容易，且由于具有噻吩結(jié)構(gòu)，因此遷移率高，從而具有驅(qū)動電壓降低的效果，同時具有空間位阻，使分子間的相互作用小，因此結(jié)晶化得到抑制，可以使制備有機EL元件的成品率提高，具有使所得有機EL元件的壽命延長的效果，特別是通過與藍色發(fā)光元件組合，可獲得顯著的低電壓化和長壽命的效果。并且，在分子量大的化合物中，具有非對稱結(jié)構(gòu)的化合物可以降低蒸鍍溫度，因此可抑制蒸鍍時的分解，可實現(xiàn)長壽命化。即，本發(fā)明提供下述通式(l)所示的芳族胺衍生物。[化學式1](通式(2)(7)中，R2~Rn各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)1-50的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基，R,和R,2各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)150的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基，a為02的整凄史，b、c、d、f、h、j為04的整凄t,e、g、i為0~3的整數(shù)，X為好b或氧，L,和L4~U各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基，L2L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基}，通式(1)中，Ar'-Ar3中，非通式(2)~("的基團各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基，該芳基的取代基為環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)150的支鏈或直鏈的烷基、鹵素原子、氰基或下述通式(8)所示的基團[化學式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(通式(8)中、L7表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)650的亞芳基，Ar5~Ar6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基或取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的雜芳基}]。本發(fā)明還提供下述通式(9)~(12)所示的芳族胺衍生物。[化學式4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(12){通式(13)~(18)中，R2~Rn各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)1~50的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基，R,和R,2各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)150的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基，a為0—2的整凄史，b、c、d、f、h、j為04的整凄丈，e、g、i為0~3的整數(shù)，X為硫或氧，L和L4~"各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基，L2-L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6-50的亞芳基};通式(9)~(12)中，Ar廣Ar27中,非通式(14)~(18)的基團各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基，L8~L,6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的亞芳基]。本發(fā)明還提供有機EL元件，該有機EL元件是在陰極和陽極之間夾持由至少含有發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，其中該有機薄膜層的至少一層中單獨或作為混合物的成分含有上述芳族胺衍生物。發(fā)明效果本發(fā)明的芳族胺衍生物的分子難以結(jié)晶化，如果用作有機EL元件用材料，則可使驅(qū)動電壓降低，可得到壽命長的有機EL元件，并且制備有機EL元件時的成品率提高。具體實施例方式本發(fā)明的芳族胺衍生物如下述通式(l)所示。[化學式6]Ar2通式(1)中，An~Ar3中的至少一個由下述通式(2)表示。并且Ar,~Ar3中的至少一個由下述通式(3)(7)的任一式表示。[化學式7]Ar3{通式(2)~(7)中，R2~Rn各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6-50的芳基、碳原子數(shù)1~50的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基。R,和1112各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)150的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基。a為02的整凄史，b、c、d、f、h、j為04的整凄i,e、g、i為0~3的整數(shù)。X為辟b或氧。L,和L4~U各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基。L2L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基}。通式(1)中，Ar廣Ar3中，非通式(2)~("的基團各自獨立地表示取1850的芳基、碳原子數(shù)1~50的支鏈或直鏈的烷基、卣素原子、氰基或下述通式(8)所示的基團[化學式8〗N"~L7-(8)A《{通式(8)中、L7表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6-50的亞芳基。Ar5~Ar6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基或取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的雜芳基}]。本發(fā)明的通式(l)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選Ar,由上述通式(2)表示，A。和Ar3由上述通式P)(7)的任一式表示。本發(fā)明的通式(l)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選在通式(l)中，Ar,和Ar2由上述通式(2)表示，Ar3由上述通式(2)(7)的任一式表示。本發(fā)明的通式(1)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選在上述通式(2)中，L,為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基，R,為苯基、萘基或菲基，a為0。本發(fā)明的芳族胺衍生物還由下述通式(9)~(12)表示。[化學式9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>[通式(9)中，Ar7~...、，Ar1Q中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示。通式(10)中，Aru~Arl5中的至少一個由下述通式(13)表示。并且Arn~ArI5中的至少一個由下述通式(14)(18)的任一式表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>通式(ll)中，Ar16~Ar21中的至少一個由下述通式(13)表示。并且~Ar21中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示。通式(12)中，Ar22~Ar27中的至少一個由下述通式(13)表示。并且Ar22~Ar27中的至少一個下述通式(14)~(18)的任一式表示。[化學式10]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>{通式(13)~(18)中，R2~Ru各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)1~50的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基。R,和R,2各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)1~50的直鏈或支鏈的烷基、卣素原子或氰基。a為0—2的整凄t,b、c、d、f、h、j為04的整凄丈，e、g、i為0~3的整數(shù)。X為好b或氧。L,和L4~U各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基。L2L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6-50的亞芳基}。通式(9)(12)中，Ar7Ar27中，非通式(14)~(18)的基團各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基。L8~L,6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的亞芳基]。(13)表示，A"和Aru)由上述通式(14)(18)的任一式表示。還優(yōu)選Ar7和Ar9由上述通式(13)表示，Aq和Ar1Q由上述通式(14)~(18)的任一式表示。本發(fā)明的通式(10)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選Aru由上述通式(13)表示，Arn和Ar14由上述通式(14)(18)的任一式表示。還優(yōu)選Ar13和Ar,4由上述通式(13)表示，Arn由上述通式(14)~(18)的任一式表示。本發(fā)明的通式(ll)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選Ar,6和Ar21由上述通式(13)表示，A和Ar,9由上述通式(14)-(18)的任一式表示。還優(yōu)選A和Ar,9由上述通式(13)表示，Ar,6和Ar21由上述通式(14)~(18)的任一式表示。本發(fā)明的通式(12)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選Ar22、八1"24和Ar26A上述通式(13)表示，Ar23、Ar25和Ar27由上述通式(I4)(18)的任一式表示。本發(fā)明的通式(9)(12)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選在上述通式(13)中，L,為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基，R,為苯基、萘基或菲基，a為0。本發(fā)明的通式(9)~(12)所示的芳族胺衍生物優(yōu)選Ar7~Ar27各自獨立地表示苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基。還優(yōu)選L8~LI6各自獨立地表示亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞藥基。通式(l)~(18)中的Ar,~Arr7和R,~R12的取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基例如有苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、l-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、l-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰曱苯基、間曱笨基、對曱苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-曱基-1-萘基、4-曱基-l-蒽基、4，-曱基聯(lián)苯基、4"-叔丁基-對三聯(lián)苯4-基、熒蒽基、芴基等。其中，優(yōu)選苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、菲基。瘞吩化合物的2位和5位的反應(yīng)性高，因此優(yōu)選保護該取代位置。公知文獻有Macromol.RapidCommun.，2001，22,266~270,報道了在電學上不穩(wěn)定，且發(fā)生了聚合。取代基優(yōu)選烷基或芳基，但從化合物的穩(wěn)定性考慮，優(yōu)選芳基，進一步優(yōu)選無取代的芳基。通式(2)(18)中的L,L,6的取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基可例舉上述芳基的例子的2價基團的形式。通式(8)中的作為Ar5~Ar6的取代或無取代的6~50雜芳基例如有1-p比咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、p比。秦基、2-他咬基、3-p比咬基、4-吡咬基、l-。引咮基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-W咮基、7-吲哚基、l-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并吹喃基、3-苯并吹喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并p夫喃基、6-苯并咬喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異p奎啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-會喔啉基、6-查逢啉基、1-啼唑基、2-呻哇基、3-呻哇基、4-?？ň?、9-呻峻基、l-菲咬基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲咬基、8-菲淀基、9-菲啶基、10-菲啶基、l-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1，7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1，7-菲咯啉-6-基、1，7-菲咯啉-8-基、1，7-菲咯啉-9-基、1，7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1，8-菲咯啉-3-基、1，8-菲咯啉-4-基、1，8畫菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1，8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1，9-菲咯啉-2-基、1，9-菲咯啉-3-基、1，9-菲咯啉-4-基、1，9-菲咯啉-5-基、1，9-菲咯啉-6-基、1，9-菲咯啉-7-基、1，9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1，10-菲咯啉-3-基、l，lO-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2，9-菲咯啉-1-基、2，9-菲咯啉-3-基、2，9陽菲咯啉_4-基、2，9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2，8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2，8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2，8-菲咯啉-9-基、2，8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2，7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2，7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、l-吩嗪基、2-吩嗪基、l陽吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩嗯噪基、2-吩噁嗪基、3-吩嗯嗪基、4-吩噁嗪基、10-吩嗯嗪基、2-噁唑基、4-嗯哇基、5-嗯哇基、2-嗯二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-曱基吡咯-1-基、2-曱基吡咯-3-基、2-曱基吡咯-4—基、2-曱基吡咯-5-基、3-曱基吡咯-l-基、3-曱基吡咯-2-基、3-曱基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)p比p各-l-基、2-甲基-l-吲哚基、4-甲基-l-吲哚基、2-曱基-3-吲咮基、4-曱基-3-巧l哚基、2-叔丁基-l-吲哚基、4-叔丁基-l-吲哚基、2-叔丁基-3-p引咮基、4-叔丁基-3-P引哚基、苯硫基、1-苯基苯硫基、1，4-二苯基苯硫24基、苯并苯硫基、1-苯基苯并苯硫基、1-苯基二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、1-苯基二苯并呋喃基、苯并瘞唑基等。其中，優(yōu)選1-苯基苯硫基、1-苯基苯并苯硫基、1-苯基二苯并呋喃基、苯并P塞哇基。通式(1)-(18)中的R廣R,2的取代或無取代的碳原子數(shù)1~50烷基例如有曱基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、氯甲基、l-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴曱基、l-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2，3-二溴-叔丁基、1，2,3-三溴丙基、碘曱基、l-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2,3-二碘-叔丁基、1,2，3-三碘丙基、氰基曱基、l-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2，3-二氰基叔丁基、1，2，3-三氰基丙基、三氟甲基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-曱基環(huán)己基、l-金剛烷基、2-金剛烷基、l-降冰片基、2-降水片基等。優(yōu)選飽和鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基，具體例子有曱基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-曱基環(huán)己基、l-金剛烷基、2-金剛烷基、l-降冰片基、2-降冰片基等。通式(2)~(7)和(13)~(18)中的R,~R12的鹵素原子例如有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。通式(l)中的作為An~Ar3的取代基的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳述的芳基、烷基、鹵素原子相同。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>[化學式12]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>[化學式14]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>[化學式17]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>[化學式19]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>[化學式20]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>本發(fā)明的芳族胺衍生物優(yōu)選為有機電致發(fā)光元件用材料。本發(fā)明的芳族胺衍生物優(yōu)選為有機電致發(fā)光元件用空穴傳輸材料。本發(fā)明的有機EL元件是在陰極和陽極之間夾持由至少含有發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，其中該有機薄膜層的至少一層中單獨或作為混合物的成分含有上述芳族胺衍生物。36本發(fā)明的有機EL元件中，優(yōu)選上述有機薄膜層具有空穴傳輸層和/或空穴注入層，在該空穴傳輸層和/或空穴注入層中含有本發(fā)明的芳族胺衍生物。優(yōu)選上述有機薄膜層具有至少含有空穴傳輸層和空穴注入層的空穴傳輸帶區(qū)，該空穴傳輸帶區(qū)中，在不與發(fā)光層直接接觸的層中含有本發(fā)明的芳族胺衍生物。優(yōu)選本發(fā)明的芳族胺衍生物作為主要成分在空穴傳輸層和/或空穴注入層中含有。優(yōu)選本發(fā)明的有機EL元件的發(fā)光層含有熒光性摻雜劑，熒光性摻雜劑優(yōu)選為結(jié)合所要求的發(fā)光顏色，從胺系化合物、芳族化合物、三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物等的螯合絡(luò)合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙烯基亞芳基衍生物、嗯二唑衍生物等中選擇的化合物，特別是芳胺化合物、芳基二胺化合物，其中，進一步優(yōu)選苯乙烯基胺化合物、苯乙烯基二胺化合物、芳族胺化合物、芳族二胺化合物。此外，進一步優(yōu)選裯合多環(huán)芳族化合物(胺化合物除外)。這些熒光性摻雜劑可以單獨或多種組合使用。上述苯乙烯基胺化合物和笨乙烯基二胺化合物優(yōu)選下述通式(A)所示的化合物。[化學式22]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>(A)(通式(A)中、Ai^為選自苯基、萘基、聯(lián)笨基、三聯(lián)苯基、芪基、二苯乙烯基亞芳基的基團，Ai^和Ar5分別為碳原子數(shù)6~20的芳族烴基，Ar3、Af4和Af5可以被取代。p為1~4的整數(shù)，其中優(yōu)選p為1~2的整數(shù)。A—Ar5的任意一個是含有苯乙烯基的基團。進一步優(yōu)選Ar4或Ar5的至少一個被苯乙烯基取代)。其中，碳原子數(shù)為6~20的芳族烴基例如有苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。芳族胺化合物和芳族二胺化合物優(yōu)選下述通式(B)所示的化合物。(B)(通式(B)中、Ar6~Ar8為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)5~40的芳基，q為1~4的整數(shù)，其中優(yōu)選q為1~2的整數(shù))。其中，環(huán)碳原子數(shù)為540的芳基例如有苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、暈苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、苯硫基、笨并苯硫基、嗯二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、荒并熒蒽基、芪基、茈基、益基、西基、9,10-苯并菲基、玉紅省基、苯并蒽基、苯基蒽基、二蒽基、或下述通式(C)、(D)所示的芳基等，優(yōu)選萘基、蒽基、益基、芘基或通式(D)所示的芳基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>(C)(D)(通式(C)中，r為1~3的整數(shù))。需要說明的是，在上述芳基上取代的優(yōu)選取代基例如有碳原子數(shù)1~6的烷基(乙基、曱基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)16的烷氧基(乙氧基、曱氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)碳原子數(shù)5~40芳基、被環(huán)碳原子數(shù)540的芳基取代的氨基、具有環(huán)碳原子數(shù)540的芳基的酯基、具有碳原子數(shù)16的烷基酯基、氰基、硝基、卣素原子等。稠合多環(huán)芳族化合物(胺化合物除外)優(yōu)選萘、蒽、菲、芘、暈苯、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯、呋喃、噻吩、苯并噻吩、噁二唑、。引哚、?？ㄟ?、吡啶、苯并喹啉、熒蒽、苯并熒蒽、苊并熒蒽、芪、茈、益、超、9,10-苯并菲、玉紅省、苯并蒽等的稠合多環(huán)芳族化合物及其衍生物。本發(fā)明的有機EL元件優(yōu)選在構(gòu)成上述空穴注入層和/或空穴傳輸層的各層中，與陽極接觸的層是含有受體材料的層。受體材料是易還原性的有機化合物?；衔锏囊走€原程度可通過還原電位測定。本發(fā)明中，優(yōu)選以飽和甘汞(SCE)電極作為參照電極的還原電位為-0.8V以上的化合物，特別優(yōu)選具備大于四氰基醌二曱烷(TCNQ)的還原電位(約0V)值的化合物。易還原性的有機化合物優(yōu)選為具有電子吸引性的取代基的有機化合物。具體有醌式衍生物、吡噪衍生物、芳基硼烷衍生物、酰亞胺衍生物等。醌式衍生物中包含醌二曱烷衍生物、瘞喃二氧化物衍生物、p塞噸二氧化物衍生物以及醌衍生物等。本發(fā)明的芳族胺衍生物特別優(yōu)選用于藍色系發(fā)光的有機EL元件。以下、對本發(fā)明的有機EL元件的元件構(gòu)成進行說明。(1)有機EL元件的構(gòu)成本發(fā)明的有機EL元件的代表性元件構(gòu)成例如有以下的結(jié)構(gòu)1)陽極/發(fā)光層/陰極2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極5)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/陰極6)陽極/有機半導體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極7)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/粘附改善層/陰極8)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極9)陽極/受體含有層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極10)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極11)陽極/無機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極12)陽極/有機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極14)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極等其中，通常優(yōu)選使用8)的構(gòu)成，但并不限于這此。本發(fā)明的芳族胺衍生物也可以用于有機EL元件等的有機薄膜層中，但可用于發(fā)光帶區(qū)或空穴傳輸帶區(qū)、優(yōu)選空穴傳輸帶區(qū)、特別優(yōu)選空穴注入層，由此，分子難以結(jié)晶化，制備有機EL元件時的成品率提高。有機薄膜層中含有的本發(fā)明芳族胺衍生物的量優(yōu)選30~100%(mol)。(2)透光性基板本發(fā)明的有機EL元件在透光性的基板上制作。其中所述的透光性基板是支撐有機EL元件的基板，優(yōu)選400-700nm可見光區(qū)的透光率為50%以上、平滑的基板。具體來說，例如有玻璃板、聚合物板等。玻璃板特別有鈉鈣玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、硅酸鋁玻璃、硅酸硼玻璃、硼鋇硅酸鹽玻璃、石英等。聚合物板例如有聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚硫醚、聚砜等。(3)陽極本發(fā)明的有機EL元件的陽極具有將空穴注入空穴傳輸層或發(fā)光層的機能，具有4.5eV以上的功函數(shù)的較為有效。本發(fā)明中使用的陽極材料的具體例子有氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦-鋅氧4匕4勿(IZO)、金、4艮、4白、4同等。陽極可通過采用蒸鍍法或濺射法等方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜來制備。這樣，由陽極獲取來自發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選陽極對發(fā)光的透光率大于10%。陽極的片電阻優(yōu)選數(shù)百Q(mào)/口以下。陽極的膜厚根據(jù)材料而不同，通常可在10nm~1/mi、優(yōu)選在10~200nm的范圍內(nèi)進行選擇。(4)發(fā)光層有機EL元件的發(fā)光層兼具以下1)~3)的功能。1)注入功能施加電場時可由陽極或空穴注入層注入空穴、由陰極或電子注入層注入電子的功能2)傳輸功能通過電場的力使注入的電荷(電子和空穴)移動的功化犯3)發(fā)光功能提供電子與空穴復合的場所，使其發(fā)光的功能不過，空穴注入的容易程度和電子注入的容易程度可以不同，空穴與電子的以遷移率表示的傳輸能力可以有大小，優(yōu)選任一方的電荷移動。形成該發(fā)光層的方法可采用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選分子堆積膜。其中，分子堆積膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉淀而形成的薄膜、或由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固體化而形成的膜，通常該分子堆積膜與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以通過聚集結(jié)構(gòu)、高級結(jié)構(gòu)的差異，或者可以通過由于上述差異所帶來的功能性的不同來區(qū)分。如曰本特開昭57-51781號公報中的公開，將樹脂等的粘合劑和材料化合物溶解于溶劑中，制成溶液，然后通過旋涂法等將其制成薄膜，由此也可以形成發(fā)光層。將本發(fā)明的化合物用于發(fā)光層時，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要在發(fā)光層中含有由本發(fā)明的芳族胺衍生物形成的發(fā)光材料以外的其它公知的發(fā)光材料，還可以在含有由本發(fā)明的芳族胺衍生物形成的發(fā)光材料的發(fā)光層上層合含有其它公知的發(fā)光材料的發(fā)光層。與本發(fā)明化合物組合使用的發(fā)光材料主要是有機化合物，可使用的摻雜材料例如有蒽、萘、菲、芘、并四苯、暈苯、益、熒光素、芘、酞茈(7夕口、卩k7)、萘S(六7夕口、！i1^7)、。比p令酉同(、'J乂>)、酞吡呤酮(7夕口、卩乂>)、萘吡呤酮(大:7夕口、卩乂>)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、嗯二唑、醛連氮、雙苯并噁唑啉、二笨乙烯、吡喚、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花青、咪唑螯合化才《〉乂4K化合物、喹吖酮、紅熒烯和熒光染料等，但并不限于此。可與本發(fā)明的化合物組合使用的基質(zhì)材料優(yōu)選以下(i)~(xi)所示42的化合物。下述通式(i)所示的非對稱蒽。[化學式25]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>(通式(i)中、Ar為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)10~50的縮合芳族基團；Ar，為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳族基團；X為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳族基團、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳族雜環(huán)基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)6~50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)150的烷氧基羰基、羧基、卣素原子、氰基、硝基、羥基；a、b和c分別為0-4的整凄丈；n為l3的整凄丈。n為2以上時，[]內(nèi)可以相同或不同)。下述通式(ii)所示的非對稱單蒽衍生物。[化學式26]R1R8(通式(ii)中、Ar1和&2各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳族環(huán)基，m和n分別為1~4的整數(shù)。其中，m=n=l、且Ar1和A一的與苯環(huán)的鍵合位置為左右對稱型時，Ar'和A^不同；m或n為24的整數(shù)時，m和n為不同的整數(shù)；R1~111()各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6-50的芳族環(huán)基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳族雜環(huán)基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷基、取代或無取代的環(huán)烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)6~50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)550的芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基羰基、取代或無取代的曱硅烷基、羧基、卣素原子、氰基、硝基、羥基)。下述通式(iii)所示的非對稱芘衍生物。[化學式27][通式(iii)中、Ar和Ar'分別為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳族基團；L和L，分別為取代或無取代的亞苯基、取代或無取代的亞萘基、取代或無取代的亞藥基或取代或無取代的二苯并亞甲硅烷基(^^y乂、>口y^y基)；m為02的整凄t,n為1~4的整#:，s為02的整凄t,t為0~4的整數(shù)；L或Ar與芘的1~5位的任一位4建合，L'或Ar'與芘的6~10位的任一位鍵合；其中，n+t為偶數(shù)時，Ar、Ar，、L、L，滿足下述(l)或(2);(1)Ar^Ar，和/或L^L，(其中，#表示不同結(jié)構(gòu)的基團)(2)A產(chǎn)Ar，且L^L，時(2-1)m^s和/或n#t或(2-2)m=s且n-t時，(2-2-1)L和L，、或芘分別與Ar和Ar，上的不同的鍵合位置鍵合，或者(2-2-2)L和L，、或芘與Ar和Ar，上的相同的鍵合位置鍵合時，L和L，、或Ar和Ar，的芘中的取代位置不是l位和6位、或者2位和7位的情形]下述通式(iv)所示的非對稱蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>(iv)(通式(iv)中、A1和八2各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)10~20的縮合芳族環(huán)基；Ar1和A一各自獨立地表示氪原子、或者取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳族環(huán)基；R1R'G各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳族環(huán)基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)550的芳族雜環(huán)基、取代或無取代的碳原子數(shù)150的烷基、取代或無取代的環(huán)烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)6~50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)550的芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基羰基、取代或無取代的甲硅烷基、羧基、卣素原子、氰基、硝基或羥基。Ar1、Ar2、R9和R1G可分別為多個，相鄰的基團之間可形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。其中，通式(1)中，該蒽上表示的與X-Y軸形成對稱型的基團不與中心的蒽的9位和10位一睫合)。下述通式(v)所示的蒽衍生物。[化學式29]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>(通式(v)中、R'R'G各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、可被取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、烯基、芳基氨基或可被取代的雜環(huán)式基團，a和b分別表示1~5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時，R1之間或112之間分別可以相同或不同，R'之間或W之間可以鍵合形成環(huán)，W和R4、W和R6、R和R8、W和R"也可以互相鍵合形成環(huán)；L'表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R為烷基或可被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基)。下述通式(vi)所示的蒽衍生物。[化學式30]i〉(通式(vi)中、R"R"各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基或可被取代的多個環(huán)式基團，c、d、e和f分別表示1~5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時，R"之間、R12之間、R"之間或R"之間分別可以相同或不同，R"之間、1112之間、1116之間或1117之間可以鍵合形成環(huán)，R。和R14、R"和R"可以互相鍵合形成環(huán)。L"表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R為烷基或可被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基)。下述通式(vii)所示的螺芴衍生物。[化學式31](通式(vii)中、A5~八8各自獨立地表示取代或無取代的聯(lián)笨基、或者取代或無取代的萘基)。下述通式(viii)所示的含縮環(huán)的化合物。[化學式32]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>(viii)(通式(viii)中、A^A"與上述相同，R"R"各自獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)1~6的烷基、碳原子數(shù)3~6的環(huán)烷基、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、碳原子數(shù)5~18的芳氧基、碳原子數(shù)718的芳烷基氧基、碳原子數(shù)5~16的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)1~6的酯基或卣素原子，A"A"中的至少一個是具有3環(huán)以上的縮合芳族環(huán)的基團)。下述通式(ix)所示的芴化合物。[化學式33]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>(ix)(通式(ix)中、R,和R2表示氫原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵素原子；與不同的芴基鍵合的R,之間、R2之間可以相同也可以不同，與相同的藥基4建合的R,和R2可以相同也可以不同。R3和R4表示氬原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的雜環(huán)基；與不同的藥基鍵合R3之間、R4之間可以相同也可以不同；與相同的芴基4建合的Ro和R4可以相同也可以不同。Ar,和Ar2表示苯環(huán)合計為3個以上的取代或無取代的稠合多環(huán)芳族基團，或苯環(huán)和雜環(huán)合計為3個以上、通過取代或無取代碳與芴基鍵合的稠合多環(huán)雜環(huán)基團，Ar,和Ar2可以相同也可以不同。n表示1~10的整數(shù))。下述通式(x)所示的具有蒽中心骨架的化合物。[化學式34](通式(X)中，A,和八2各自獨立地表示取代或無取代的、由環(huán)碳原子數(shù)6~20的芳族環(huán)衍生的基團。上述芳族環(huán)可以被1或2個以上的取代基取代。上述取代基選自取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)3~50的環(huán)烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)6~50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)550的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)150的烷氧基羰基、取代或無取代的曱硅烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基和羥基。上述芳族環(huán)被2個以上的取代基取代時，上述取代基可以相同也可以不同，相鄰的取代基之間可以互相鍵合，形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。R,~Rs各自獨立地選自氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)550的雜芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)3~50的環(huán)烷基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數(shù)6~50的芳烷基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳氧基、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)5~50的芳硫基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基羰基、取代或無取代的曱硅烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基和羥基)。上述通式(x)中A,和A2為不同的基團、具有下述通式(xi)所示結(jié)構(gòu)的化合物。[化學式35]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>(通式(xi)中，A,和A2、R,Rs各自獨立，與通式(x)相同。其中，中心的蒽的9位和IO位上不鍵合與該蒽上所示的X-Y軸形成對稱型的基團的情形)。以上的基質(zhì)材料中，優(yōu)選蒽衍生物，進一步優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選非對稱蒽。由含有呻唑環(huán)的化合物形成的適合磷光發(fā)光的基質(zhì)是發(fā)生從激發(fā)狀態(tài)向磷光發(fā)光性化合物的能量移動、結(jié)果具有使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光的機能的化合物。基質(zhì)化合物只要是可以使激發(fā)子能量移動至磷光發(fā)光性化合物的化合物即可，沒有特別限定，可以根據(jù)目的適當選擇。啼唑環(huán)以外可以具有任意的雜環(huán)等。上述基質(zhì)化合物的具體例子有咔唑衍生物、三唑衍生物、嗨唑衍生物、噁二喳衍生物、咪唑衍生物、多芳基鏈烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氨烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二亞甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二曱烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、p塞喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基曱烷衍生物、二苯乙烯基吡口秦衍生物、萘茈等的雜環(huán)四羧酸肝、酞菁衍生物、8-喹啉醇衍生物的金屬絡(luò)合物、或以金屬酞菁鹽、苯并噁唑或苯并噻唑作為配位基的金屬絡(luò)合物所代表的各種金屬絡(luò)合物聚硅烷系化合物、聚(N-乙烯基?？ㄟ?衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等的導電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯撐衍生物、聚亞苯基亞乙烯基衍生物、聚藥衍生物等的高分子化合物等?；|(zhì)化合物可以單獨使用，也可以將兩種以上結(jié)合使用。具體例子有以下的化合物。磷光發(fā)光性摻雜劑是可由三重態(tài)激發(fā)子發(fā)光的化合物。但并不限定為由三重態(tài)激發(fā)子發(fā)光，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉金屬絡(luò)合物或鄰位金屬化金屬絡(luò)合物?？诓愤饘俳j(luò)合物優(yōu)選卟啉鉑絡(luò)合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨使用，也可以將兩種以上結(jié)合使用。形成鄰位金屬化金屬絡(luò)合物配位基有多種，優(yōu)選的配位基例如有2-苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)他啶衍生物、2-(l-萘基)p比啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可根據(jù)需要具有取代基。特別優(yōu)選氟化物、導入了三氟甲基的化合物作為藍色系摻雜劑。并且，輔助配位基可以具有乙酰丙酮配位基、苦味酸等的上述配位基以外的配位基。對磷光發(fā)光性摻雜劑在發(fā)光層中的含量沒有特別限定，可根據(jù)目的適當選擇，例如為0.1~70%(質(zhì)量)，優(yōu)選1~30%(質(zhì)量)。若磷光發(fā)光性化合物的含量低于0.1%(質(zhì)量)，則發(fā)光微弱，其含有效果未能充分發(fā)揮，超過70%(質(zhì)量)時，被稱為濃度消光的現(xiàn)象顯著，元件性能降低。發(fā)光層可根據(jù)需要含有空穴傳輸材料、電子傳輸材料、聚合物粘合劑。并且，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選5~50nm，更優(yōu)選7-50nm，最優(yōu)選10~50nm。若低于5nm，則難以形成發(fā)光層，色度的調(diào)節(jié)困難，而超過50nm時，則驅(qū)動電壓可能升高。(5)空穴注入/傳輸層(空穴傳輸帶區(qū))空穴注入/傳輸層是幫助空穴注入到發(fā)光層、在發(fā)光區(qū)域傳輸?shù)膶?，空穴遷移率大，離子化能量通常為5.6eV以下，較小。這樣的空穴注入/傳輸層優(yōu)選以更低的電場強度將空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層的材料，并且例如施加104~106V/cm的電場時，空穴的遷移率優(yōu)選至少為l(T4cm2/V.秒。本發(fā)明的芳族胺衍生物用于空穴傳輸帶區(qū)時，本發(fā)明的芳族胺衍生物可單獨形成空穴注入、傳輸層，也可以與其它的材料混合使用。與本發(fā)明的芳族胺衍生物混合、形成空穴注入/傳輸層的材料只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)即可，沒有特別限制，可以乂人以往光傳導材料中作為空穴的電荷傳輸材料常用的材料、或有機EL元件的空穴注入/傳輸層中使用的公知的材料中選擇任意的材料使用。本發(fā)明中，將具有空穴傳輸能力、可用于空穴傳輸帶區(qū)的材料稱為空穴傳輸材料。具體例子有三唑衍生物(參照美國專利3，112,197號說明書等)、噁二唑衍生物(參照美國專利3,189,447號說明書等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37-16096號公報等)、多芳基鏈烷衍生物(參照美國專利3,615,402號說明書、第3,820,989號說明書、第3,542,544號說明書，曰本特公昭45-555號公報、51-10983號公報，日本特開昭51-93224號公才艮、55-17105號公報、56-4148號公報、55-108667號公報、55-156953號公報、56-36656號公報等)、吡唑啉衍生物和吡唑酮衍生物(參照美國專利第3,180,729號說明書、第4,278,746號說明書，日本特開昭55-88064號公報、55-88065號公報、49-105537號公報、55-51086號公報、56-80051號公寺艮、56-88141號公報、57-45545號公報、54-112637號公報、55-74546號公報等)、苯二胺衍生物(參照美國專利第3,615,404號說明書，日本特公昭51-10105號公報、46-3712號公報、47-25336號公報、54-119925號公報等)、芳胺衍生物(參照美國專利第3,567,450號說明書、第3,240,597號說明書、第3,658,520號說明書、第4,232,103號說明書、第4，175，961號說明書、第4,012,376號說明書，日本特公昭49-35702號公報、39-27577號公報，日本特開昭55-144250號公報、56-119132號公報、56-22437號公報，西德專利第1,110,518號說明書等)、氨基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3,526,501號說明書等)、嗯唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等中的公開)、苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56-46234號公報等)、藥酮衍生物(參照日本特開昭54-110837號公報等)、腙衍生物(參照美國專利第3,717,462號說明書，日本特開昭54-59143號公報、55-52063號公報、55-52064號公報、55-46760號公報、57-11350號公報、57-148749號公報，日本特開平2-311591號公報等)、茛衍生物(參照曰本特開昭61-210363號公報、第61-228451號公報、61-14642號公報、61-72255號公報、62-47646號公報、62-36674號公報、62-10652號公報、62-30255號公報、60-93455號公報、60-94462號公報、60-174749號公報、60-175052號公報等)、硅氨烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅烷系(日本特開平2-204996號公報)、苯胺系共聚物(日本特開平2-282263號公報)等?？昭ㄗ⑷?傳輸層的材料可以使用上述材料，優(yōu)選使用卟啉化合物(曰本特開昭63-295695號公報等中的公開)、芳族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(參照美國專利第4,127,412號說明書，曰本特開昭53-27033號公報、54-58445號公報、55-79450號公報、55-144250號公報、56-119132號公報、61-295558號公報、61-98353號公報、63-295695號公報等)，特別優(yōu)選芳族叔胺化合物。還有美國專利第5,061,569號中記載的分子內(nèi)具有2個縮合芳族環(huán)的、例如4，4，-雙(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(以下簡稱NPD),以及曰本特開平4-308688號公報中記載的三苯胺單元與3個星暴式(7夕一"一7卜型)連接得到的4，4，,4，，-三(N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(以下簡稱MTDATA)等<生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>(式中、11121~11126分別表示取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的雜環(huán)基的任一種。其中，R'2l~Rl26可以相同也可以不同。Rl2l和Rl22、r123和r124、r125和r126、R'2'和R126、R)22和R123、11124和11125可以形成縮環(huán))。并且，還可以使用美國公開2004/0113547中記載的下述式的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>(式中、R131~R136為取代基，優(yōu)選為氰基、硝基、磺酰基、羰基、三氟甲基、鹵素等的吸電子基團)。如這些材料所代表的，受體性材料也可用作空穴注入材料。它們的具體例子如上所述。并且，除顯示作為發(fā)光層材料的上述芳族二亞曱基系化合物之外，p型Si、p型SiC等無機化合物也可用作空穴注入/傳輸層的材料?？昭ㄗ⑷?傳輸層可通過例如真空蒸鍍法、旋涂法、流延法、LB法等公知的方法，將本發(fā)明的芳族胺衍生物制成薄膜來形成對空穴注入,/傳輸層的膜厚沒有特別限定，通常為5nm5〃m。該空穴注入/傳輸層只要在空穴傳輸帶區(qū)中含有本發(fā)明的芳族胺衍生物即可，可以由含有上述材料的l種或2種以上的一層構(gòu)成，也可以層合含有與上述空穴注入/傳輸層不同種的化合物的空穴注入/傳輸層?？梢栽O(shè)置有機半導體層作為幫助空穴注入到發(fā)光層的層，優(yōu)選具有10-|QS/cm以上的導電率的層。該有機半導體層的材料可以使用含噻吩低聚物或日本特開平8-193191號公報中公開的含芳胺低聚物等的導電性低聚物、含芳胺樹枝狀聚合物(^>K，7—)等的導電性樹枝狀聚合物等。(6)電子注入/傳輸層接著，電子注入層/傳輸層是幫助電子注入到發(fā)光層、傳輸?shù)桨l(fā)光區(qū)域的層，電子遷移率大；粘附改善層是在該電子注入層中由與陰極粘附特別良好的材料形成的層。有機EL元件是發(fā)出的光被電極(此時為陰極)反射，因此已知由陽極直接獲得的發(fā)光與經(jīng)由電極的反射獲得的發(fā)光產(chǎn)生干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子傳輸層可以以數(shù)nm~數(shù)/mi的膜厚適當選擇，特別是膜厚太厚時，為了避免電壓升高，施加104~106V/cm電場時優(yōu)選電子遷移率至少為l(T5cm2/Vs以上。電子注入層中使用的材料優(yōu)選為8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物或噁二唑衍生物。上述8-羥基喹淋或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例子有含有喔星(oxine)(通常為8-喹啉醇或8-羥基喹啉)螯合劑的金屬螯合才《、>乂4卜'化合物、例如三(8-喹啉醇)鋁作為電子注入材料。另一方面，瞎二唑衍生物例如有以下通式所示的電子傳遞化合物。[化學式39]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula>(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、A^分別表示取代或無取代的芳基,互相可以相同也可以不同。Ar4、Ar7、八1"8表示取代或無取代的亞芳基，分別可以相同也可以不同)。其中芳基例如有苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基。亞芳基例如有亞苯基、亞萘基、聯(lián)亞苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。取代基例如有碳原子數(shù)1~10的烷基、碳原子數(shù)1~10的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選具有薄膜形成性。上述電子傳遞性化合物的具體例子有下述的化合物。[化學式40]并且，電子注入層和電子傳輸層中使用的材料可以使用下述通式(A)(F)所示的材料。下述式(A)、(B)所示的含氮雜環(huán)衍生物[化學式41]9(通式(A)和(B)中，A1~A3各自獨立地表示氮原子或碳原子。在(A)式中，Ar'為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)660的芳基、或取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)360的雜芳基，在(B)式中，Ar'是使(A)式的Ar'為2價的亞芳基，A一為氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~60的芳基、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)3~60的雜芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~20的烷基、或者取代或無取代的碳原子數(shù)1~20的烷氧基、或者它們的2價基團。其中，Ar'和A一的任一方為取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)10-60的縮環(huán)基、或者取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)3~60的單雜縮環(huán)基、或者它們的2價基團。L1、L2和L各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~60的亞芳基、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)3-60的雜亞芳基、或者取代或無取代的亞芴基。R為氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)660的芳基、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)3~60的雜芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)1~20的烷基、或者取代或無取代的碳原子數(shù)1~20的烷氧基，n為0~5的整數(shù)，n為2以上時，多個R可以相同或不同，相鄰的多個R基之間可以鍵合，形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳族環(huán)。R'為氫原子、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)660的芳基、取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)3~60的雜芳基、取代或無取代的碳原子數(shù)i~20的烷基、或者取代或無取代的碳原子數(shù)1~20的烷氧基、或者-L-Ar'-Ar2)。式(C)所示的的含氮雜環(huán)衍生物H:Ar—:L一A/—Ar2(C)(式(C)中、HAr為可具有取代基的碳原子數(shù)3~40的含氮雜環(huán)，L為單鍵、可具有取代基的碳原子數(shù)660的亞芳基、可具有取代基的碳原子數(shù)3~60的雜亞芳基或可具有取代基的亞芴基，Ar'為可具有取代基的碳原子數(shù)6~60的2價芳族烴基，A—為可具有取代基的碳原子數(shù)6~60的芳基或可具有取代基的碳原子數(shù)3~60的雜芳基)。式(D)所示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物:[化學式42]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>(式(D)中，X和Y各自獨立地表示碳原子數(shù)1~6的飽和或不飽和烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的雜環(huán)、或者X與Y鍵合、形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，R廣R4各自獨立，是氫、卣素原子、取代或無取代的碳原子數(shù)1~6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞硫?；?、磺?；?、磺胺基、曱硅烷基、氨基曱酰基、芳基、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、曱?；喯趸?、曱酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異疏氰酸酯基或氰基，或者兩個取代基相鄰時，分別鍵合，形成取代或無取代的飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu))。式(E)所示的硼烷衍生物[化學式43]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>(式(E)中、R,-Rs和Z2各自獨立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>芳族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代硼基、烷氧基或芳氧基，X、Y和Z，各自獨立地表示飽和或不飽和的烴基、芳族基、雜環(huán)基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Z,和Z2的取代基相互鍵合，可形成縮環(huán)，n表示1~3的整數(shù)，n為2以上時，Z,可以不同。但不包含n為l，X、Y和R2為曱基，Rs為氫原子或取代硼基的情形，以及n為3、Z,為曱基的情形)。[化學式44](F)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula>[式(F)中，Q'和(^各自獨立地表示下述通式(G)所示的配位基，L表示面素原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的環(huán)烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的雜環(huán)基、-0111(111為氫原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的環(huán)烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的雜環(huán)基)或0-Ga-Q、Q"(QS和Q4、與Q'和Q4目同)所示的配位基]。[化學式45](G)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula>。該金屬絡(luò)合物作為n型半導體的性質(zhì)強，電子注入能力大。并且，形成絡(luò)合物時的生成能量也低，因此形成的金屬絡(luò)合物的金屬與配位基的鍵合性牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也增大。形成通式(G)的配位基的環(huán)A1和A2的取代基的具體例子有氯、溴、碘、氟的卣素原子，曱基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯曱基等的取代或無取代的烷基，苯基、萘基、3-曱基苯基、3-曱氧基笨基、3-氟苯基、3-三氯曱基苯基、3-三氟曱基苯基、3-硝基苯基等的取代或無取代的芳基，曱氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯曱氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3,3-四氟丙氧基、1，1，1,3，3,3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等的取代或無取代的烷氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟曱基苯氧基等的取代或無取代的芳氧基，曱硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟曱硫基等的取代或無取代的烷基硫基，苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟曱基苯硫基等的取代或無取代的芳硫基，氰基、硝基、氨基、曱基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等的一或二取代氨基，雙(乙酰氧基曱基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等的?；被u基、曱硅烷氧基、?；?、曱基氨基曱?；⒍趸被鶗貂；⒁一被鶗貂；?、二乙基氨基曱?；⒈被鶗貂；⒍』被鶗貂；?、苯基氨基曱?；鹊陌被鶗貂；?，羧酸基、磺酸基、酰亞胺基、環(huán)戊基、環(huán)己基等的環(huán)烷基，苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等的芳基，吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、二氫。引哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二嗯烷基、哌啶基、嗎啉基、吡嗪基、咔唑基、呋喃基、苯硫基、噁唑基、嗯二唑基、苯并嗯唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并p塞唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、呋喃基(7。，-A基)等的雜環(huán)基等。上述取代基之間可以鍵合，進一步形成6元芳環(huán)或雜環(huán)。本發(fā)明的有機EL元件的優(yōu)選形態(tài)是在傳輸電子的區(qū)域或者陰極與有機層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。其中，還原性摻雜劑定義為可將電子傳輸性化合物還原的物質(zhì)。因此只要具有一定的還原性即可，可以使用各種的還原性摻雜劑，例如可優(yōu)選使用選自堿金屬、石咸土類金屬、稀土類金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的卣化物、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的卣化物、稀土類金屬的氧化物或稀土類金屬的卣化物、堿金屬的有機絡(luò)合物、堿土類金屬的有機絡(luò)合物、稀土類金屬的有機絡(luò)合物的至少一種物質(zhì)。更具體地說，優(yōu)選的還原性摻雜劑例如有選自Li(功函數(shù)2.9eV)、Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)和Cs(功函數(shù)1.95eV)的至少一種堿金屬，或者選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0~2.5eV)、以及Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一種的^威土類金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑。其中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑是選自K、Rb和Cs的至少一種的堿金屬，進一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，通過向電子注入?yún)^(qū)域添加較少的量，即可實現(xiàn)有機EL元件中的發(fā)光亮度的提高或長壽命。功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑優(yōu)選其中2種以上堿金屬的組合，特別優(yōu)選含有Cs的組合、例如Cs與Na、Cs與K、Cs與Rb、或者Cs與Na和K的組合。通過組合含有Cs，可高效發(fā)揮還原能力，通過添加到電子注入?yún)^(qū)，可提高有機EL元件的發(fā)光亮度或?qū)崿F(xiàn)長壽命。本發(fā)明中，陰極與有機層之間可以進一步設(shè)置由絕緣體或半導體構(gòu)成的電子注入層。這樣可以有效防止電流泄漏，^提高電子注入性。該絕緣體優(yōu)選使用選自堿金屬硫化物、堿土類金屬石克化物、堿金屬的卣化物和堿土類金屬的卣化物的至少一種金屬化合物。如果電子注入層由這些堿金屬硫化物等構(gòu)成，則可進一步提高電子注入性，從這一點考慮優(yōu)選。具體來說，優(yōu)選的堿金屬硫化物例如有Li20、K20、Na2S、Na2Se和Na20,優(yōu)選的堿土類金屬硫化物例如有CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。優(yōu)選的堿金屬卣化物例如有LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。優(yōu)選的堿土類金屬卣化物例如有CaF2、BaF2、SrF2、MgFs和BeF2等的氟化物、或者氟化物以外的卣化物。構(gòu)成電子傳輸層的半導體例如有含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的單獨一種或二種以上的組合。構(gòu)成電子傳輸層的無機化合物優(yōu)選微晶或非晶的絕緣性薄膜。如果電子傳輸層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則可形成更均勻的薄膜，因此可減少暗斑等像素缺陷。需要說明的是，該無機化合物例如有上述的堿金屬硫化物、堿土類金屬硫化物、堿金屬的囟化物和堿土類金屬的卣化物等。(7)陰極陰極是向電子注入/傳輸層或發(fā)光層注入電子，因此可使用功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、導電性化合物以及它們的混合物作為電極物質(zhì)。該電極物質(zhì)的具體例子有鈉、鈉/鉀合金、鎂、鋰、鎂/銀合金、鋁/氧化鋁、鋁/鋰合金、銦、稀土類金屬等。該陰極可通過將這些電極物質(zhì)采用蒸鍍或濺射等方法形成薄膜來制備。其中，由陰極獲取來自發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選陰極對發(fā)光的透光率大于10%。陰極的片電阻優(yōu)選數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nm~1〃m，優(yōu)選為50~200腿。(8)絕緣層有機EL元件是在超薄膜上施加電場，因此容易因泄漏或短路而發(fā)生像素缺陷。為防止該問題，優(yōu)選在一對電極間插入絕緣性的薄膜層。絕緣層中使用的材料例如有氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等，可以使用它們的混合物或?qū)雍衔铩?9)有機EL元件的制備方法按照以上例舉的材料和形成方法，可以形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要的空穴注入/傳輸層、以及根據(jù)需要的電子注入/傳輸層，進一步形成陰極，由此可以制備有機EL元件?？捎申帢O向陽極，按照與上述相反的順序制備有機EL元件。以下記載了在透光性基板上依次設(shè)置陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的構(gòu)成的有機EL元件制備例。首先，通過蒸鍍或濺射等方法，在適當?shù)耐腹庑曰迳?二形成含有陽極材料的薄膜，形成l^m以下、優(yōu)選10~200nm范圍的膜厚，制備陽極。接著，在該陽極上設(shè)置空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥男纬扇缟纤觯赏ㄟ^真空蒸鍍法、旋涂法、流延法、LB法等方法進行，從容易獲得均勻的膜、且難以發(fā)生針孔等角度考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成空穴注入層時，該蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物(空穴注入層材料)、目標空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)或復合結(jié)構(gòu)等而不同，通常優(yōu)選在蒸鍍源溫度50~450°C、真空度10-7~1(T3托、蒸鍍速度0.01~50nm/秒、基板溫度-50至300°C、膜厚5nm~5戸m的范圍適當選擇。接著，在空穴注入層上設(shè)置發(fā)光層的發(fā)光層的形成也可使用所需的有機發(fā)光材料，通過真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、流延法等方法將有機發(fā)光材料制成薄膜來形成，從容易獲得均勻的膜、且難以發(fā)生針孔等角度考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成發(fā)光層時，其蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物而不同，通常可從與空穴注入層相同的條件范圍中選擇。接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層、發(fā)光層同樣，從必須獲得均勻的膜考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。蒸鍍條件可從與空穴注入層、發(fā)光層同樣的條件范圍中選擇。本發(fā)明的芳族胺衍生物根據(jù)是否在發(fā)光帶區(qū)或空穴傳輸帶區(qū)的任意層中含有而不同，采用真空蒸鍍法時，可以與其它材料共蒸鍍。采用旋涂法時，可以通過與其它材料混合來含有。最后，層合陰極，可獲得有機EL元件。陰極由金屬構(gòu)成，因此可使用蒸鍍法、濺射法。為了防止基底有機物層在成膜時的損傷，優(yōu)選真空蒸鍍法。該有機EL元件的制備優(yōu)選通過一次抽真空，連貫地由陽極至陰極來制備。對本發(fā)明的有機EL元件各層的形成方法沒有特別限定?？梢圆捎靡酝恼婵照翦兎?、旋涂法等的形成方法。本發(fā)明的有機EL元件中使用的含有上述通式(l)所示化合物的有機薄膜層可通過真空蒸鍍法、分子束外延法(MBE法)或者溶解于溶劑所得的溶液的浸泡法、旋涂法、流延法、棒涂法、輥涂法等的涂布法等公知的方法來形成。對本發(fā)明的有機EL元件的各有機層的膜厚沒有特別限定，通常膜厚過薄，則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反如果過厚，則必須施加高電壓，效率變差，因此通常優(yōu)選數(shù)nm1/mi的范圍。需要說明的是，有機EL元件上施加直流電壓時，以陽極為"+"、陰極為"-'，的極性，施力口540V的電壓，則可觀測到發(fā)光。以相反的極性施加電壓，電流不流動，完全不產(chǎn)生發(fā)光。并且施加交流電壓時，只在陽極為"+"、陰極為"-"的極性時可觀測到均勻的發(fā)光。施加的交流波形可以是任意的。以下、根據(jù)合成例和實施例進一步詳細地說明本發(fā)明。合成例1~22中制備的中間體1~22的結(jié)構(gòu)式如下所述。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>在氬氣流下，在1000mL的三頸燒瓶中加入47g4-溴聯(lián)苯、23g缺、9.4g高碘酸二水合物、42mL7K、360mL乙酸、llmL硫酸，在65°。下攪拌30分鐘，然后在90。C下反應(yīng)6小時。將反應(yīng)物注入水水中，過濾。用水洗涂，然后用甲醇洗滌，由此得到67g白色粉末。通過FD-MS(場解析質(zhì)譜)的分析，相對于C12H15BrI=359，獲得了m/z二358和360的主峰，因此鑒定為中間體l。合成例2(中間體2的合成)在氬氣流下，向50L的反應(yīng)容器中加入750g苯基硼酸、1000g2-溴噻吩、142g四(三苯基膦)合鈀(Pd(PPh3)4)、9L2M碳酸鈉(Na2(X)3)溶液、15L二曱氧基乙烷，然后在80。C下反應(yīng)8小時。將反應(yīng)液用曱苯/水進行萃取，用無水^l酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱純化，由此得到786g白色粉末。氬氣流下，向20L的反應(yīng)容器中加入786g上述得到的化合物和8LDMF(二曱基曱酰胺)，然后緩慢添加960gNBS(N-溴琥珀酰亞胺)，在室溫下反應(yīng)12小時。用己烷/水進行萃取，用無水^琉酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將所得粗產(chǎn)物進行柱純化，由此得到703g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體2。合成例3(中間體3的合成)在氬氣流下，向20L的反應(yīng)容器中加入703g中間體2、7L脫水THF(四氬p夫喃)，冷卻至-30。C。加入2.3Ln-BuLi(1,6M己烷〉容液)，反應(yīng)1小時。冷卻至-70。C，然后加入1658g硼酸三異丙酯(東京化成公司制備)。緩慢升溫，在室溫下攪拌l小時。加入1.7L10。/。鹽酸溶液，攪拌。用乙酸乙酯和水進行萃取，用水洗滌有機層。用無水硫酸鈉干燥，餾去溶劑。用己烷洗滌，由此得到359g白色粉末。在氬氣流下，向20L的反應(yīng)容器中加入506g上述得到的5-苯基-2-漆吩硼酸、600g4-碘溴苯、41g四(三苯膦)合鈀(Pd(PPh3)4)、2.6L2M碳酸鈉(Na2C03)溶液、IOL二曱氧基乙烷，然后在8(TC下反應(yīng)8小時。用曱苯/水萃取反應(yīng)液，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將所得粗產(chǎn)物進行柱純化，由此得到277g白色粉末。通過FD-MS的分析，鑒定為中間體3。合成例4(中間體4的合成)在氬氣流下，加入5.5g苯胺、15.7g中間體3、6.8g^k丁醇鈉(廣島和光公司制備)、0.46g三(二亞千基丙酮)合二把(O)(7V"卜、、y7*公司制備)和300mL脫水曱苯，在8(TC下反應(yīng)8小時。冷卻后，加入500mL水，Celite過濾混合物，濾液用曱苯進行萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得粗產(chǎn)物進行柱純化，用曱苯重結(jié)晶，濾取晶體，然后干燥，得到10.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體4。合成例5(中間體5的合成)在氬氣流下，加入185gl-乙酰胺(東京化成公司制備)、315g中間體3(和光純藥公司制備)、544g碳酸鉀(和光純藥公司制備)、12.5g銅粉(和光純藥公司制備)以及2L萘烷，在190。C下反應(yīng)4天。反應(yīng)后冷卻，添加2L曱苯，濾取不溶成分。將濾取物溶解于4.5L氯仿中，除去不溶成分，然后進行活性炭處理，濃縮。向其中加入3L丙酮，濾取175g析出晶體。通過FD-MS分析，鑒定為中間體5。合成例6(中間體6的合成)在氬氣流下，將中間體5懸浮于5L乙二醇(和光純藥公司制備)、50mL水中，添加210g85%氫氧化鉀水溶液，然后在120。C下反應(yīng)8小時。反應(yīng)后，向10L水中注加反應(yīng)液，濾取析出晶體，用水、曱醇洗滌。將所得晶體在3L四氫呋喃中加熱溶解，活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮，析出晶體。濾耳又該晶體，得到145g白色4分末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體6。合成例7(中間體7的合成)在氬氣流下，加入185gl-乙酰胺(東京化成公司制備)、315g中間體3(和光純藥公司制備)、544g碳酸鉀(和光純藥公司制備)、12.5g銅粉(和光純藥公司制備)和2L萘烷，在190。C下反應(yīng)4天。反應(yīng)后冷卻，添加2L甲苯，濾取不溶成分。將濾取物溶解于4.5L氯仿中，除去不溶成分，然后進行活性炭處理，濃縮。向其中加入3L丙酮，濾取175g析出晶體。向其中加入120g4,4，-二碘聯(lián)苯(和光純藥公司制備)、163g碳酸鉀(和光純藥公司制備)、3.8g銅粉(和光純藥公司制備)和600mL萘烷，在190。C下反應(yīng)4天。反應(yīng)后冷卻，添加600mL曱苯，濾取不溶成分。將濾取物溶解于1.4L氯仿中，除去不溶成分，然后進行活性炭處理，濃縮。向其中加入1L丙酮，濾取382g析出晶體。將其懸浮于1.5L乙二醇(和光純藥公司制備)、15mL水中，添加44g85%氫氧化鉀水溶液，然后在120。C下反應(yīng)8小時。反應(yīng)后，向IOL水中注加反應(yīng)液，濾取析出晶體，用水、甲醇洗滌。將所得晶體在1L四氫呋喃中加熱溶解，活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮，析出晶體。濾取晶體，得到130g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體7。合成例8(中間體8的合成)在氬氣流下，加入5.1g二苯基胺、10.8g中間體l、3g叔丁醇鈉(廣島和光公司制備)、0.5g雙(三苯膦)氯化鈀(II)(東京化成公司制備)和500mL二曱苯，在130。C下反應(yīng)24小時。冷卻后加入1000mL水，將混合物進行Celite過濾，將濾液用曱苯進行萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱純化，用曱苯重結(jié)晶，濾取晶體，然后干燥，得到3.4g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體8。合成例9(中間體9的合成)合成例8中，使用4-碘溴苯代替中間體1,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到2.8g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體9。合成例10(中間體10的合成)在氬氣流下，加入536g市售的4-二苯并呋喃硼酸、600g4-碘溴苯、41g四(三苯膦)合鈀(Pd(PPh3)4)、2.6L2M碳酸鈉(Na2C03)溶液、IOL二曱氧基乙烷，然后在8(TC下反應(yīng)8小時。將反應(yīng)液用曱苯/水進行萃取，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將所得粗產(chǎn)物進行柱純化，由此得到257g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體10。合成例11(中間體11的合成)合成例10中，使用硫茚-2-硼酸代替4-二苯并呋喃硼酸，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到241g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體11。合成例12(中間體12的合成)在氬氣流下，加入150g二苯并呋喃和1L乙酸，加熱溶解。滴加188g溴。過濾晶體，用乙酸和水洗滌，然后用曱醇重結(jié)晶，得到97g溴化合物。合成例3中，使用得到的溴化合物代替中間體2，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到46g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體12。合成例13(中間體13的合成)合成例9中，使用。卡唑代替二苯胺，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到28g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體13。合成例l4(中間體14的合成)在氬氣流下，加入670g。,唑、850kg碘苯、20L二甲苯、460gt-BuONa、乙酸鈀(Pd(0Ac)2)，回流8小時。過濾雜質(zhì)，將濾液在減壓下進行濃縮，用己烷洗滌，然后干燥，獲得820g為白色粉末的苯基。卡唑。中間體l的合成中，使用苯基啼唑代替4-溴聯(lián)苯，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到650g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體14。合成例15(中間體15的合成)合成例3中，使用中間體14代替中間體2,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到250g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體15。合成例16(中間體16的合成)合成例5中，使用中間體10代替中間體3，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到210g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體16。合成例17(中間體口的合成)合成例5中，4吏用中間體16代替乙酰胺，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到250g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體17。合成例18(中間體l8的合成)合成例6中，使用中間體17代替中間體5，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到163g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體18。合成例19(中間體19的合成)合成例4中，使用中間體10代替中間體3,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到9.2g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體19。合成例20(中間體20的合成)合成例7中，使用中間體10代替中間體3，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到116g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體20。合成例21(中間體21的合成)合成例8中，使用中間體19代替二苯基胺，使用4-碘溴苯代替中間體1除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到3.5g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體21。合成例22(中間體22的合成)合成例8中，使用中間體4代替二苯基胺，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到2.9g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體22。由合成實施例1~18制備的本發(fā)明的芳族胺衍生物一化合物HI~H18的結(jié)構(gòu)式如下所述。[化學式48]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage76</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage77</formula>合成實施例1(化合物HI的合成)在氬氣流下，加入2.5g中間體6、6.8g中間體10、2.6g叔丁醇鈉(廣島和光公司制備)、92mg三(二亞千基丙酮)合二鈀(O)(7》卜'、卩少f公司制備)、42mg三叔丁基膦和lOOmL脫水曱苯，在80。C下反應(yīng)8小時。冷卻后加入500mL水，將混合物進行Celite過濾，將濾液用曱苯進行萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得粗產(chǎn)物進行柱純化，用曱苯重結(jié)晶，濾取晶體，然后干燥，得到5.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H1。合成實施例2(化合物H2的合成)合成實施例1中，使用6.1g中間體11代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到4.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H2。合成實施例3(化合物H3的合成)合成實施例1中，使用6.8g中間體12代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到4.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H3。合成實施例4(化合物H4的合成)合成實施例1中，使用6.8g中間體13代替中間體10,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到5.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H4。合成實施例5(化合物H5的合成)合成實施例1中，使用7.7g中間體14代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到3.2g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H5。合成實施例6(化合物H6的合成)合成實施例1中，使用8.4g中間體15代替中間體10,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到4.4g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H6。合成實施例7(化合物H7的合成)合成實施例1中，使用9.9g中間體18代替中間體6，使用4.3gl-溴萘代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到7.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H7。合成實施例8(化合物H8的合成)合成實施例7中，使用5.5g4-溴-(9,9-二曱基)芴代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到6.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H8。合成實施例9(化合物H9的合成)合成實施例7中，使用6.5g4-溴三聯(lián)苯代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到7.5g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H9。合成實施例10(化合物H10的合成)合成實施例7中，使用6.8g中間體13代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到7.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物HIO。合成實施例11(化合物Hll的合成)合成實施例7中，使用7.7g中間體14代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到4.6g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物Hll。合成實施例12(化合物H12的合成)合成實施例7中，使用8.2g中間體8代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到9.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H12。合成實施例13(化合物H13的合成)合成實施例7中，使用6.8g中間體9代替l-溴萘，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到7.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H13。合成實施例14(化合物H14的合成)合成實施例1中，使用中間體20代替中間體6、使用中間體3代替中間體IO,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到52g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H5。合成實施例15(化合物H15的合成)合成實施例1中，使用中間體22代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到10.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H15。合成實施例16(化合物H16的合成)合成實施例1中，使用中間體20代替中間體6、使用中間體23代替中間體IO，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到9.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H16。合成實施例17(化合物H17的合成)合成實施例1中，使用中間體7代替中間體6、使用中間體18代替中間體IO,除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到10.4g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H17。合成實施例18(化合物H18的合成)合成實施例1中，使用4.8g三(4-溴苯基)胺代替中間體6，使用15.3g中間體18代替中間體10，除此之外同樣地進行反應(yīng)，得到10.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H18。實施例1(有機EL元件的制備)將25mmx75mmxl.lmm厚的、帶ITO透明電極的玻璃基板(^才"Tf4少夕公司制備)在異丙基醇中進行5分鐘超聲波洗滌，然后進行30分鐘UV臭氧洗滌。將洗滌后的帶透明電極線的玻璃基板安裝于真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成透明電極線一側(cè)的面上覆蓋上述透明電極，使用膜厚60nm的上述化合物Hl膜作為空穴傳輸材料，進行成膜。該Hl膜發(fā)揮空穴注入層的功能。在該Hl膜上形成膜厚20nm的下述化合物層TBDB。該膜發(fā)揮空穴傳輸層的功能。再蒸鍍膜厚40nm的下述化合物EM1，進行成膜。同時，蒸鍍下述具有苯乙烯基的胺化合物Dl作為發(fā)光分子，使EM1與Dl的重量比為40:2。該膜發(fā)揮發(fā)光層的功能。在該膜上形成膜厚10nm的下述Alq膜。它發(fā)揮電子注入層的功能。然后二元蒸鍍還原性摻雜劑Li(Li源廿工久y、7夕一公司制備)和Alq，形成Alq:Li膜(膜厚10nm)作為電子注入層(陰極)。該Alq:Li膜上蒸鍍金屬Al,形成金屬陰極，從而形成有機EL元件。對于所得有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色。發(fā)光效率是使用；、乂/L夕公司制備的csiooo(商品名)，測定亮度，計算iomA/cm2的發(fā)光效率。進一步測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰壽命，結(jié)果如表l所示。[化學式50]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage82</formula>實施例2~7(有機EL元件的制備)實施例1中，使用表1記載的化合物代替化合物HI作為空穴傳輸材料，除此之外同樣地制備有機EL元件。對于所得有機EL元件，與實施例1同樣，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，進一步測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰壽命，結(jié)果如表1所示。t匕4交仿j1~11實施例1中，使用下述比較化合物1~11代替化合物Hl作為空穴傳輸材料，除此之外同樣地制備有機EL元件。對于所得有機EL元件，與實施例1同樣，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，進一步測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰壽命，結(jié)果如表l所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage83</formula>[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage84</column></row><table>實施例8(有機EL元件的制備)實施例1中，使用下述芳胺化合物D2代替具有苯乙烯基的胺化合物D1，除此之外同樣地制備有機EL元件。Me為甲基。對于所得有機EL元件，與實施例1同樣，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，進一步測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰壽命，結(jié)果如表1所示。[化學式52]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage85</formula>比較例12實施例8中，使用上述比較化合物1代替化合物HI作為空穴傳輸材料，除此之外同樣地制備有機EL元件。對于所得有機EL元件，與實施例l同樣，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，進一步測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰壽命，結(jié)果如表l所示。產(chǎn)業(yè)實用性如以上的詳細說明，本發(fā)明的芳族胺衍生物的分子難以結(jié)晶，用作有機EL元件用材料時，可使驅(qū)動電壓降低，可得到壽命長的有機EL元件，制備有機EL元件時的成品率提高。因此，作為實用性高的有機EL元件極為有用。權(quán)利要求1.下述通式(1)所示的芳族胺衍生物通式(1)中，Ar1～Ar3中的至少一個由下述通式(2)表示，并且Ar1～Ar3中的至少一個由下述通式(3)～(7)的任一式表示通式(2)～(7)中，R2～R11各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的芳基、碳原子數(shù)1～50的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基，R1和R12各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的芳基、碳原子數(shù)1～50的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基，a為0～2的整數(shù)，b、c、d、f、h、j為0～4的整數(shù)，e、g、i為0～3的整數(shù)，X為硫或氧，L1和L4～L6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的亞芳基，L2～L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的亞芳基，通式(1)中，Ar1～Ar3中，非通式(2)～(7)的基團各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的芳基，該芳基的取代基為環(huán)原子數(shù)6～50的芳基、碳原子數(shù)1～50的支鏈或直鏈的烷基、鹵素原子、氰基或下述通式(8)所示的基團通式(8)中、L7表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的亞芳基，Ar5～Ar6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的芳基、或者取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6～50的雜芳基。2.權(quán)利要求1所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(l)中，Ar,由上述通式(2)表示，A&和Ar3由上述通式(2)~(7)的任一式表示。3.權(quán)利要求1所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(l)中，Ar,和Ar2由上述通式(2)表示，Ar3由上述通式(2)~(7)的任一式表示。4.權(quán)利要求1所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(2)中，L,為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基，R,為苯基、萘基或菲基，a為O。5.下述通式(9)~(12)中任一式所示的芳族胺4汙生物Ar6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(10)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(11)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(i2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>Ar25通式(9)中，Ar7~Ar,o中的至少一個由下述通式(13)表示，并且Ar7~Ar1()中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示；通式(10)中，Aru~Ar15中的至少一個由下述通式(13)表示，并且Aru~Ar15中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示；通式(ll)中，Ar16~Ar21中的至少一個由下述通式(13)表示，并且4Ar16~Ar21中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示；通式(12)中，Ar22Ar27中的至少一個由下述通式(13)表示，并且Ar22~Ar27中的至少一個由下述通式(14)~(18)的任一式表示；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>通式(13)~(18)中，R2~R,各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)650的芳基、碳原子數(shù)150的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基，R!和R,2各自獨立地表示氫原子、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基、碳原子數(shù)150的直鏈或支鏈的烷基、鹵素原子或氰基，a為02的整凄t，b、c、d、f、h、j為04的整凄史，e、g、i為0~3的整數(shù)，X為硫或氧，L,和U~U各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基，L2L3各自獨立地表示單鍵、取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的亞芳基；通式(9)~(12)中，Ar廣Ar27中，非通式(14)~(18)的基團各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)原子數(shù)6~50的芳基，L8~L,6各自獨立地表示取代或無取代的環(huán)碳原子數(shù)6~50的亞芳基。6.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(9)中，Ar7和Ar8由上述通式(13)表示，Ar9和Arlt)由上述通式(14)~(18)的任一式表示。7.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(9)中，Ar7和Ar9由上述通式(13)表示，Ar8和Ar1()由上述通式(14)~(18)的任一式表示。8.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(10)中，Ar由上述通式(13)表示，Ar,3和Ar,4由上述通式(14)(18)的任一式表示。9.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(10)中，Ar13和Ar,4由上述通式(13)表示，Arn由上述通式(14)~(18)的任一式表示。10.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(ll)中，Ar,6和Ar21由上述通式(13)表示，A和Ar19由上述通式(14)~(18)的任一式表示。11.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(ll)中，Ar,s和Ar19由上述通式(13)表示，Ar!6和Ar21由上述通式(14)~(18)的任一式表示。12.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(12)中，Ar22、Ar24和Ar26由上述通式(13)表示，Ar23、Ar25禾口Ar27由上述通式(14)~(18)的任一式表示。13.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(13)中，L,為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞藥基，R,為苯基、萘基或菲基，a為0。14.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(9)~(12)中，Ar廣Ar27各自獨立地表示苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基。15.權(quán)利要求5所述的芳族胺衍生物，其中，上述通式(9)~(12)中，Ls-L,6各自獨立地表示亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞藥基。16.權(quán)利要求l或5所述的芳族胺衍生物，該芳族胺衍生物為有機電致發(fā)光元件用材料。17.權(quán)利要求1或5所述的芳族胺衍生物，該芳族胺衍生物為有機電致發(fā)光元件用空穴傳輸材料。18.有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件是在陰極和陽極之間夾持由至少含有發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層，其中該有機薄膜層的至少一層中單獨或作為混合物的成分含有權(quán)利要求1或5所述的芳族胺衍生物。19.權(quán)利要求18所述的有機電致發(fā)光元件，其中，上述有機薄膜層具有空穴傳輸層和/或空穴注入層，在該空穴傳輸層和/或空穴注入層中含有上述芳族胺衍生物。20.權(quán)利要求18所述的有機電致發(fā)光元件，其中，上述有機薄膜層具有至少含有空穴傳輸層和空穴注入層的空穴傳輸區(qū)域，該空穴21.權(quán)利要求18所述的有機電致發(fā)光元件，其中，作為主要成分在空穴傳輸層和/或空穴注入層中含有上述芳族胺衍生物。22.權(quán)利要求18所述的有機電致發(fā)光元件，其中，發(fā)光層中含有苯乙烯基胺化合物和/或芳胺化合物。23.權(quán)利要求18所迷的有機電致發(fā)光元件，其中，構(gòu)成上述空穴注入層和/或空穴傳輸層的各層中，與陽極接觸的層是含有受體材料的層。24.權(quán)利要求1S所述的有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件是藍色系發(fā)光。全文摘要本發(fā)明提供具有噻吩結(jié)構(gòu)的特定結(jié)構(gòu)的芳族胺衍生物、以及在陰極和陽極之間夾持由至少含有發(fā)光層的一層或多層形成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，其中該有機薄膜層的至少一層中單獨或作為混合物的成分含有上述芳族胺衍生物，所述芳族胺衍生物分子難以結(jié)晶，且可降低驅(qū)動電壓，同時，制備有機電致發(fā)光元件時的成品率提高，并且所述芳族胺衍生物可實現(xiàn)壽命長的有機電致發(fā)光元件。文檔編號C09K11/06GK101687837SQ20088002354公開日2010年3月31日申請日期2008年8月4日優(yōu)先權(quán)日2007年8月6日發(fā)明者河村昌宏,藪之內(nèi)伸浩申請人:出光興產(chǎn)株式會社