專利名稱：基板輸送方法及基板輸送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板輸送方法及基板輸送裝置，更詳細(xì)地講，涉及例如半導(dǎo)體晶片或LCD玻璃基板等基板的輸送方法及基板輸送裝置。
背景技術(shù)：
一般，在半導(dǎo)體設(shè)備的制造中，為了在半導(dǎo)體晶片或LCD玻璃基板等(以下稱作基板)之上形成ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)的薄膜或電極圖案而使用照相平版印刷技術(shù)。在該照相平版印刷技術(shù)中，在基板上涂布光致抗蝕劑，將由此形成在基板上的抗蝕劑膜對應(yīng)于規(guī)定的電路圖案曝光，通過對該曝光圖案進(jìn)行顯影處理而在抗蝕劑膜上形成電路圖案。
在進(jìn)行這樣的一系列的處理時(shí)，以往以來使用涂布顯影處理裝置。在該涂布顯影處理裝置中，具備對基板實(shí)施規(guī)定的處理、即表面處理、清洗處理、抗蝕劑涂布處理、曝光后處理及曝光前后的加熱處理等的處理單元。
在這些各單元間的基板輸送中使用輸送裝置，在輸送裝置中，具備對處理單元輸送(送入、送出)基板的沿鉛直方向、水平方向及水平的旋轉(zhuǎn)方向移動(dòng)自如的輸送臂(也稱作小鉗子)。在該輸送臂上，安裝有用來不給基板帶來損傷而進(jìn)行支撐的合成樹脂制的支撐部件。此外，支撐部件設(shè)定為比基板的外形尺寸大一些的尺寸，對應(yīng)于基板的尺寸誤差來支撐基板，將基板交接給設(shè)在各處理單元中的基板載置機(jī)構(gòu)(日本特開平11-243133號公報(bào))。
在這種基板輸送中，為了實(shí)現(xiàn)吞吐量的提高及成品率的提高，要求高速且高精度地進(jìn)行輸送臂與載置機(jī)構(gòu)的基板的交接。
但是，如果高速且高精度地對處理單元輸送(送入、送出)基板，則由于如上述那樣支撐部件比基板的外形尺寸大，所以通過使輸送臂移動(dòng)到處理單元中時(shí)的慣性力使輸送的基板的動(dòng)作變得不穩(wěn)定。因此，會(huì)發(fā)生基板的位置偏移而使處理精度降低。例如有下述等問題(1)在涂布處理中涂布膜的膜厚變得不均勻。
(2)在基板的周邊曝光處理中基板的規(guī)定的周邊的曝光變得不充分。
(3)在加熱處理中加熱會(huì)變得不均勻，不能實(shí)現(xiàn)膜厚的均勻化，帶來成品率的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，目的是高速且高精度地進(jìn)行穩(wěn)定的基板的輸送及向載置機(jī)構(gòu)的交接。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)的基板輸送方法，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方、將基板交接到載置機(jī)構(gòu)上，同時(shí)使輸送臂沿傾斜方向下降而將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。
在此情況下，也可以在通過設(shè)在上述輸送臂上的載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，使輸送臂沿傾斜方向下降。
根據(jù)另一技術(shù)方案，本發(fā)明是將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)的基板輸送方法，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方，將基板交接給相對于載置裝置升降的支撐銷時(shí)，在由設(shè)在上述輸送臂上的頭部檢測裝置檢測到支撐銷的頭部后，使上述輸送臂沿傾斜方向下降，然后使支撐銷下降而將基板載置到載置機(jī)構(gòu)上。
根據(jù)另一技術(shù)方案，本發(fā)明是將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)的基板輸送方法，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方，將基板交接到載置機(jī)構(gòu)上后，使輸送臂沿著該輸送臂的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)后、沿鉛直方向下降。
在以上的方法中，也可以通過設(shè)在上述輸送臂上的基板的跳起檢測裝置檢測有無將基板交接給載置機(jī)構(gòu)后的狀態(tài)下的基板的跳起；在檢測到跳起的情況下，通過輸送臂使基板上升后，使其下降而載置到載置機(jī)構(gòu)上。
在此情況下，也可以在檢測到跳起的情況下發(fā)出警報(bào)。
本發(fā)明的基板輸送裝置是具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置，具備載置部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述載置機(jī)構(gòu)的載置部；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述載置部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)。在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿傾斜方向下降。
根據(jù)另一技術(shù)方案，本發(fā)明是具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置，具備支撐銷，在升降機(jī)構(gòu)的作用下相對于上述載置機(jī)構(gòu)的載置部升降，將基板交接給載置機(jī)構(gòu)；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；頭部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述支撐銷的頭部；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述頭部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，并且控制上述升降機(jī)構(gòu)；在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述頭部檢測裝置檢測到支撐銷的頭部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿傾斜方向下降，然后驅(qū)動(dòng)上述升降機(jī)構(gòu)，使上述支撐銷下降。
根據(jù)另一技術(shù)方案，本發(fā)明是具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置，具備載置部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述載置機(jī)構(gòu)的載置部；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述載置部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)；在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂向沿著該輸送臂的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)后，沿鉛直方向下降。
在以上的基板輸送裝置中，也可以還具備跳起檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測有無將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上后的狀態(tài)下的基板的跳起；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述跳起檢測裝置的檢測信號控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)。并且，在該情況下，其特征在于，在由上述跳起檢測裝置檢測到載置于載置機(jī)構(gòu)上的基板的跳起的情況下，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在通過輸送臂使基板暫時(shí)上升后，使其下降而將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。
另外，也可以還具有在檢測到基板的跳起的情況下發(fā)出警報(bào)的警報(bào)機(jī)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制伴隨著輸送臂的移動(dòng)的慣性力帶來的基板的偏移，能夠?qū)⒒遢d置在載置機(jī)構(gòu)上的規(guī)定位置上。因而，能夠高速且高精度地進(jìn)行以后的基板處理。此外，能夠修正起因于偏移的基板的載置機(jī)構(gòu)上的位置偏移。
此外，在檢測到跳起的情況下，通過由輸送臂暫時(shí)使基板上升并再次下降而載置到載置機(jī)構(gòu)上，能夠?qū)?yīng)向載置機(jī)構(gòu)的載置時(shí)發(fā)生了跳起的情況，能夠以對準(zhǔn)位置的狀態(tài)將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。在檢測到跳起的情況下，通過發(fā)出警報(bào)，能夠?qū)⒃谙蜉d置機(jī)構(gòu)上的載置時(shí)發(fā)生了跳起的情況通知給外部。


圖1是表示裝載有實(shí)施方式的基板輸送裝置的抗蝕劑液涂布顯影處理系統(tǒng)的一例的概略俯視圖。
圖2是圖1的抗蝕劑液涂布顯影處理系統(tǒng)的概略正視圖。
圖3是圖1的抗蝕劑液涂布顯影處理系統(tǒng)的概略后視圖。
圖4是表示本發(fā)明的具備輸送臂的主輸送裝置的立體圖。
圖5A是表示本發(fā)明的輸送臂的俯視圖，圖5B是其要部仰視圖。
圖6A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖，圖6B是表示基板的交接狀態(tài)的概略側(cè)視圖。
圖7是表示第1實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀態(tài)的流程圖。
圖8A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖，圖8B是表示第2實(shí)施方式的基板的交接狀態(tài)的概略側(cè)視圖。
圖9是表示第2實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀態(tài)的流程圖。
圖10是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖。
圖11是表示第3實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀況的流程圖。
圖12是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的基板輸送裝置的輸送臂的概略立體圖。
圖13A是表示第4實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖，圖13B是在載置狀態(tài)不充分的情況下使輸送臂上升的狀態(tài)的要部概略側(cè)視圖，圖13C是表示再次使輸送臂下降的狀態(tài)的要部概略側(cè)視圖。
圖14是表示第4實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀況的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式。這里，對將本發(fā)明的基板輸送裝置應(yīng)用到半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)中的情況進(jìn)行說明。
圖1是表示上述抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)的一例的概略俯視圖，圖2是圖1的概略正視圖，圖3是圖1的概略后視圖。
上述抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)主要由以下部分構(gòu)成盒站10(輸送部)，用來通過晶片盒1以多片、例如25片為單位將作為被處理用的基板的半導(dǎo)體晶片W(以下稱作晶片W)從外部送入到系統(tǒng)中或者從系統(tǒng)送出、或?qū)?將晶片W送入、送出；處理站20，具備將在涂布顯影處理工序中對每一片晶片W實(shí)施規(guī)定的處理的單張式的各種處理單元堆積配置在規(guī)定位置上而成的處理裝置；接口部30，用來在與該處理站20相鄰設(shè)置的曝光裝置(未圖示)之間交接晶片W。
盒站10如圖1所示，在盒載置臺2上的突起3的位置上，將多個(gè)、例如4個(gè)以內(nèi)的帶蓋的晶片盒1使各自的晶片出入口朝向處理臺20側(cè)沿著水平的X方向載置為一列，對置于各晶片盒1而配設(shè)有蓋開閉裝置5，此外，可在盒排列方向(X方向)及沿著垂直方向(鉛直方向)收容在晶片盒1內(nèi)的晶片W的晶片排列方向(Z方向)上移動(dòng)的晶片輸送臂4(也稱作小鉗子)有選擇地輸送到各晶片盒1。此外，晶片輸送臂4可向θ方向旋轉(zhuǎn)而構(gòu)成，也能夠輸送到屬于后述的處理站20側(cè)的第3組G3的多級單元部的調(diào)節(jié)單元(ALIM)及擴(kuò)展單元(EXT)。
處理站20如圖1所示，在中心部設(shè)有具備在移動(dòng)組件22的作用下垂直(鉛直)移動(dòng)的后述的晶片輸送臂50的垂直輸送型的主晶片輸送組件21，在該主晶片輸送組件21的周圍，所有的處理單元以1組或多組而多級地配置。在該例中，是5組G1、G2、G3、G4及G5的多級配置結(jié)構(gòu)，第1及第2組G1、G2的多級單元排列在系統(tǒng)正面?zhèn)?，?組G3的多級單元與盒站10相鄰配置，第4組G4的多級單元與接口部30相鄰配置，第5組G5的多級單元配置在背部側(cè)。
在此情況下，如圖2所示，在第1組G1中，將在杯(容器)23內(nèi)使晶片W與顯影液供給機(jī)構(gòu)(未圖示)對置而將抗蝕劑圖案顯影的顯影單元(DEV)、和將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤(未圖示)上而進(jìn)行規(guī)定的處理的抗蝕劑涂布單元(COT)從垂直方向的下方開始依次層疊為兩級。第2組G2也同樣，將兩臺抗蝕劑涂布單元(COT)及顯影單元(DEV)從垂直方向的下方開始依次層疊為兩級。這樣將抗蝕劑涂布單元(COT)配置在下級側(cè)的理由是因?yàn)榭刮g劑液的排液在構(gòu)造以及維護(hù)方面都比較麻煩。但是，根據(jù)需要也可以將抗蝕劑涂布單元(COT)配置在上級。
如圖3所示，在第3組G3中，從垂直方向的下方開始依次配置有例如8級將晶片W載置在晶片載置臺24上而進(jìn)行規(guī)定的處理的烤箱型的處理單元、例如將晶片W冷卻的冷卻單元(COL)，對晶片W進(jìn)行疏水化處理的粘附單元(AD)，進(jìn)行晶片W的位置匹配的調(diào)節(jié)單元(ALIM)，進(jìn)行晶片W的送入送出的擴(kuò)展單元(EXT)，和烘烤晶片W的4個(gè)熱盤單元(HP)。第4組G4也同樣，從垂直方向的下方開始依次配置有例如8級烤箱型處理單元、例如冷卻單元(COL)，擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL)，擴(kuò)展單元(EXT)，冷卻單元(COL)，具有速冷功能的兩個(gè)激冷熱盤單元(CHP)及兩個(gè)熱盤單元(HP)。
如上所述，通過將處理溫度較低的冷卻單元(COL)、擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL)配置在下級，將處理溫度較高的熱盤單元(HP)、激冷熱盤單元(CHP)及粘附單元(AD)配置在上級，能夠減少單元間的熱相互干涉。當(dāng)然，也可以進(jìn)行隨機(jī)的多級配置。
另外，如圖1所示，在處理站20中，在與第1及第2組G1、G2的多級單元(旋轉(zhuǎn)型處理單元)相鄰的第3及第4組G3、G4的多級單元(烤箱型處理單元)的側(cè)壁之中，分別沿垂直方向豎直設(shè)置有管道25、26。在這些管道25、26中，流動(dòng)著下降流的清潔空氣或特別是溫度調(diào)節(jié)后的空氣。通過該管道構(gòu)造，在第3及第4組G3、G4的烤箱型處理單元中產(chǎn)生的熱被截?cái)?，不?huì)波及到第1及第2組G1、G2的旋轉(zhuǎn)型處理單元。
此外，在該處理系統(tǒng)中，在主晶片輸送組件21的背部側(cè)也如圖1中虛線所示，可以配置第5組G5的多級單元。該第5組G5的多級單元從主晶片輸送組件21觀察能夠沿著導(dǎo)軌27向側(cè)方移動(dòng)。因而，在設(shè)置了第5組G5的多級單元的情況下，也可通過使單元滑動(dòng)來確保空間部，所以對于主晶片輸送組件21能夠容易地從背后進(jìn)行維護(hù)作業(yè)。
接口部30在進(jìn)深方向上具有與處理站20相同的尺寸，但在寬度方向上做成較小的尺寸。在該接口部30的正面部配置有兩級可移動(dòng)性的拾取盒31和固定型的緩沖盒32，在背面部配設(shè)有作為進(jìn)行晶片W的周邊部的曝光及識別標(biāo)志區(qū)域的曝光的曝光機(jī)構(gòu)的周邊曝光裝置33，在中央部配設(shè)有作為輸送機(jī)構(gòu)的晶片的輸送臂34。該輸送臂34構(gòu)成為，向X、Z方向移動(dòng)而輸送到兩個(gè)盒31、32及周邊曝光裝置33。此外，輸送臂34可向θ方向旋轉(zhuǎn)，也能夠輸送到屬于處理站20側(cè)的第4組G4的多級單元的擴(kuò)展單元(EXT)及相鄰的曝光裝置側(cè)的晶片交接臺(未圖示)。
上述那樣構(gòu)成的處理系統(tǒng)設(shè)置在清潔室40內(nèi)，并且在系統(tǒng)內(nèi)也通過高效率的垂直層流方式提高各部的清潔度。
在上述那樣構(gòu)成的抗蝕劑液涂布顯影處理系統(tǒng)中，首先在盒站10中，蓋開閉裝置5動(dòng)作而將規(guī)定的晶片盒1的蓋打開。接著，晶片輸送臂4訪問收容盒載置臺2上的未處理的晶片W的盒1，從該盒1中取出1片晶片W。晶片輸送臂4如果從盒1取出晶片W，則移動(dòng)到配置在處理站20側(cè)的第3組G3的多級單元內(nèi)的調(diào)節(jié)單元(ALIM)，將晶片W載置在調(diào)節(jié)單元(ALIM)內(nèi)的晶片載置臺24上。晶片W在晶片載置臺24上接受定向平面對準(zhǔn)及中心對準(zhǔn)。然后，主晶片輸送組件21從相反側(cè)訪問調(diào)節(jié)單元(ALIM)，從晶片載置臺24獲取晶片W。
在處理站20上，主晶片輸送組件21將晶片W首先送入到屬于第3組G3的多級單元的粘附單元(AD)中。在該粘附單元(AD)內(nèi)晶片W受到疏水化處理。如果結(jié)束了疏水化處理，則主晶片輸送組件21將晶片W從粘附單元(AD)送出，接著向?qū)儆诘?組G3或第4組G4的多級單元的冷卻單元(COL)送入。在該冷卻單元(COL)內(nèi)，晶片W被冷卻到抗蝕劑涂布處理前的設(shè)定溫度、例如23℃。如果結(jié)束了冷卻處理，則主晶片輸送組件21將晶片W從冷卻單元(COL)送出，接著向?qū)儆诘?組G1或第2組G2的多級單元的抗蝕劑涂布單元(COT)送入。在該抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)，晶片W通過旋轉(zhuǎn)涂布法在晶片表面上以均勻的膜厚涂布抗蝕劑。
如果結(jié)束了抗蝕劑涂布處理，則主晶片輸送組件21將晶片W從抗蝕劑涂布單元(COT)送出，接著向熱盤單元(HP)內(nèi)送入。在熱盤單元(HP)內(nèi)，晶片W被載置在載置臺上，在規(guī)定的溫度、例如100℃下進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的預(yù)烘烤處理。由此，能夠從晶片W的涂布膜將殘留溶劑蒸發(fā)除去。如果結(jié)束了預(yù)烘烤，則主晶片輸送組件21將晶片W從熱盤單元(HP)送出，接著向?qū)儆诘?組G4的多級單元的擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL)輸送。在該擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL)內(nèi)，晶片W被冷卻到適于下個(gè)工序、即周邊曝光裝置的周邊曝光處理的溫度、例如24℃。在該冷卻后，主晶片輸送組件21將晶片W向正上方的擴(kuò)展單元(EXT)輸送，將晶片W載置在該擴(kuò)展單元(EXT)內(nèi)的載置臺(未圖示)上。如果將晶片W載置在該擴(kuò)展單元(EXT)內(nèi)的載置臺上，則接口部30的輸送臂34從相反側(cè)訪問而獲取晶片W。接著，輸送臂34將晶片W向接口部30內(nèi)的周邊曝光裝置33送入。在周邊曝光裝置33中，對晶片W表面的周邊部的剩余抗蝕劑膜(部)照射光而實(shí)施周邊曝光。
在周邊曝光結(jié)束后，輸送臂34將晶片W從周邊曝光裝置33的殼體內(nèi)送出，向相鄰的曝光裝置側(cè)的晶片獲取臺(未圖示)移送。在此情況下，也有時(shí)將晶片W在向曝光裝置交接前暫時(shí)收納在緩沖盒32中。
如果通過曝光裝置完成了整面曝光、晶片W被送回到曝光裝置側(cè)的晶片獲取臺，則接口部30的輸送臂34訪問該晶片獲取臺而獲取晶片W，將獲取的晶片W向?qū)儆谔幚碚?0側(cè)的第4組G4的多級單元的擴(kuò)展單元(EXT)送入，載置在晶片獲取臺上。在此情況下，也有時(shí)將晶片W在向處理臺側(cè)交接前暫時(shí)收納在接口部30內(nèi)的緩沖盒32中。
通過主晶片輸送組件21將載置于晶片獲取臺上的晶片W輸送給激冷熱盤單元(CHP)，為了防止條紋的產(chǎn)生、或者為了引起化學(xué)增強(qiáng)型抗蝕劑(CAR)的氧觸媒反應(yīng)，例如在120℃下實(shí)施規(guī)定時(shí)間的后曝光烘烤處理。
然后，將晶片W送入到屬于第1組G1或第2組G2的多級單元的顯影單元(DEV)中。在該顯影單元(DEV)內(nèi)，對晶片W表面的顯影液沒有遺漏地供給顯影液而實(shí)施顯影處理。通過該顯影處理，將形成在晶片W表面上的抗蝕膜顯影為規(guī)定的電路圖案，并且將晶片W的周邊部的剩余抗蝕劑膜除去，還將附著在形成(實(shí)施)于晶片W表面上的調(diào)整標(biāo)志M的區(qū)域上的抗蝕劑膜除去。這樣，如果顯影結(jié)束，則對晶片W表面澆灑漂洗液而將顯影液洗掉。
如果顯影工序結(jié)束，則主晶片輸送組件21將晶片W從顯影單元(DEV)送出，接著向?qū)儆诘?組G3或第4組G4的多級單元的熱盤單元(HP)送入。在該熱盤單元(HP)內(nèi)對晶片W在例如100℃下進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的后烘烤處理。由此，使因顯影而膨潤的抗蝕劑硬化而提高了耐藥性。
如果結(jié)束了后烘烤，則主晶片輸送組件21將晶片W從熱盤單元(HP)送出，接著向某一個(gè)冷卻單元(COL)送入。這里，在晶片W回到常溫后，主晶片輸送組件21接著將晶片W向?qū)儆诘?組G3的擴(kuò)展單元(EXT)移送。如果將晶片W載置在該擴(kuò)展單元(EXT)的載置臺(未圖示)上，則盒站10側(cè)的晶片輸送臂4從相反側(cè)訪問而獲取晶片W。接著，晶片輸送臂4將獲取的晶片W裝入到盒載置臺上的處理后晶片收容用的晶片盒1的規(guī)定的晶片收容槽中，在將所有的處理后的晶片W收納在晶片盒1內(nèi)后，蓋開閉裝置5動(dòng)作而將蓋關(guān)閉，結(jié)束處理。
接著，參照圖4至圖14詳細(xì)地說明本發(fā)明的基板輸送裝置。這里，對通過主晶片輸送組件21進(jìn)行的晶片W的輸送進(jìn)行說明。
主晶片輸送組件21如圖4所示，在具有在上端及下端相互連接而對置的一對壁部51、52的筒狀支撐體53的內(nèi)側(cè)裝備有沿鉛直方向(Z方向)升降自如的升降組件54a。此外，筒狀支撐體53連結(jié)在馬達(dá)等的旋轉(zhuǎn)組件54b的旋轉(zhuǎn)軸上，在該旋轉(zhuǎn)組件54b的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力的作用下以旋轉(zhuǎn)軸為中心與升降組件54a一體地旋轉(zhuǎn)。因而，升降組件54a沿θ方向旋轉(zhuǎn)自如。
并且，在升降組件54a的輸送基臺56上，具備例如3根本發(fā)明的晶片輸送臂50(以下稱作輸送臂50)。這些作為晶片W的輸送機(jī)構(gòu)的3根輸送臂50、50、50都具有自如地通過筒狀支撐部53的兩壁部51、52間的側(cè)面開口部57的形態(tài)及大小，能夠在由內(nèi)裝于輸送基臺56中的未圖示的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)和傳動(dòng)帶構(gòu)成的移動(dòng)組件(未圖示)的作用下沿著X、Y方向進(jìn)行水平方向的前后移動(dòng)。
因而，在上述升降組件54a、旋轉(zhuǎn)組件54b及移動(dòng)組件(未圖示)構(gòu)成的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55的作用下，輸送臂50、50、50在鉛直方向(Z方向)上升降自如，沿著水平方向(X、Y方向)前后移動(dòng)自如以及在水平方向(X、Y方向)上旋轉(zhuǎn)自如。
這些輸送臂50、50、50基本上具有相同的結(jié)構(gòu)，所以如果以下根據(jù)位于最上部的輸送臂50進(jìn)行說明，則該輸送臂50如圖5所示，由為了支撐晶片W的周緣部而構(gòu)成為約3/4圓環(huán)狀的“C字型”的框部50a、和與該框部50a的中央一體地形成、并且用來支撐框部50a的臂部50b構(gòu)成。并且，通過內(nèi)裝于輸送基臺56中的移動(dòng)組件(未圖示)使設(shè)在臂部50b上的撐條50c滑動(dòng)，使輸送臂50整體向輸送基臺56的前后移動(dòng)。
在框部50a上設(shè)有直接支撐晶片W的合成樹脂制、例如聚醚醚酮(PEEK)制的3個(gè)支撐部件58a、58b、58b。在這些支撐部件58a、58b、58b中，支撐部件58a安裝在距臂部50b最近的位置上，支撐部件58b、58b安裝在框部50a的前端部附近。
在框部50a的下表面的關(guān)于該框部50a的內(nèi)側(cè)中心點(diǎn)對置的部位上，安裝有檢測載置機(jī)構(gòu)、例如抗蝕劑涂布單元(COT)的旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部的載置部檢測裝置59。該載置部檢測裝置59例如由發(fā)光元件59a和受光元件59b構(gòu)成(參照圖5B)。
(第1實(shí)施方式)圖6A是表示本發(fā)明的基板輸送裝置的第1實(shí)施方式的概略側(cè)視圖，圖6B是表示晶片的交接狀態(tài)的概略側(cè)視圖。
第1實(shí)施方式涉及將由上述輸送臂50輸送的晶片W輸送到抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)、交接給配設(shè)在抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)的載置機(jī)構(gòu)、即旋轉(zhuǎn)卡盤60的裝置。
旋轉(zhuǎn)卡盤60與馬達(dá)61的旋轉(zhuǎn)軸62連結(jié)，在馬達(dá)61的驅(qū)動(dòng)下沿水平方向旋轉(zhuǎn)自如地形成。另外，馬達(dá)61與控制機(jī)構(gòu)、例如中央運(yùn)算處理裝置(CPU)等控制器70電氣地連接，能夠根據(jù)來自控制器70的控制信號以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a具備真空吸附面，通過未圖示的真空裝置的驅(qū)動(dòng)而將晶片W吸附保持在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上。
移動(dòng)機(jī)構(gòu)55及載置部檢測裝置59與控制器70電氣地連接。因而，根據(jù)來自控制器70的控制信號控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，輸送臂50在鉛直方向(Z方向)上升降自如，沿著水平方向(X、Y方向)前后移動(dòng)自如，以及沿著水平方向(X、Y方向)旋轉(zhuǎn)自如。由此，輸送臂50能夠沿傾斜的方向下降。控制該輸送臂50的斜向下降動(dòng)作以使其在由載置部檢測裝置59的發(fā)光元件59a和受光元件59b檢測到旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a的時(shí)刻啟動(dòng)。
接著，參照圖6A、圖6B及圖7所示的流程圖說明第1實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀況。
首先，通過輸送臂50將晶片W從上述冷卻單元(COL)送出，移動(dòng)到抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)的旋轉(zhuǎn)卡盤60的上方(步驟S7-1)。然后，如圖6A的(i)所示，使輸送臂50沿鉛直方向下降(步驟S7-2)。在該輸送臂50的下降的過程中，通過從載置部檢測裝置59的發(fā)光元件59a發(fā)出的光被旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a遮擋而檢測到載置部60a，將該檢測信號傳遞給控制器70(步驟S7-3)。于是，如圖6A、圖6B的(ii)所示，根據(jù)來自控制器70的控制信號而驅(qū)動(dòng)輸送臂50的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，使輸送臂50沿傾斜方向下降(步驟S7-4)。由此，抑制了輸送臂50的伴隨著旋轉(zhuǎn)卡盤60的向上方的移動(dòng)的慣性力帶來的晶片W的偏移，修正了起因于該偏移的晶片W的在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上的位置偏移，而進(jìn)行吸引保持。
在將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上的狀態(tài)下，未圖示的抗蝕劑涂布嘴移動(dòng)到晶片W的上方，將抗蝕劑液從該嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋轉(zhuǎn)卡盤60旋轉(zhuǎn)而將抗蝕劑涂布到晶片W表面上(步驟S7-5)。如果結(jié)束了抗蝕劑涂布處理，則輸送臂50將晶片W從抗蝕劑涂布單元(COT)送出，接著向熱盤單元(HP)輸送。
(第2實(shí)施方式)圖8A是表示第2實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖，圖8B是表示第2實(shí)施方式的晶片W的交接狀態(tài)的概略側(cè)視圖。
第2實(shí)施方式涉及將由上述輸送臂50輸送的晶片交接給例如作為配設(shè)在上述熱盤單元(HP)內(nèi)的載置機(jī)構(gòu)的載置臺A的裝置。這里，輸送臂50及該輸送臂50的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55等與第1實(shí)施方式相同，所以對于相同的部分賦予相同的標(biāo)號而省略說明。另外，在輸送臂50的下表面的關(guān)于框部50a的內(nèi)側(cè)中心點(diǎn)對置的部位上，安裝有檢測后述的支撐銷63的頭部63a的頭部檢測裝置59A。該頭部檢測裝置59A與上述的載置部檢測裝置59同樣，例如由發(fā)光元件59a和受光元件59b構(gòu)成。
另一方面，在載置臺60A中內(nèi)裝有加熱器64，通過該加熱器64將載置在載置臺60A上的晶片W加熱到例如100℃。在載置臺60A的同心圓上的3個(gè)部位上設(shè)有貫通孔65。在這些貫通孔65內(nèi)分別可升降地插入有支撐銷63，這3根支撐銷63的下端部連接在保持部件66上。此外，保持部件66連結(jié)在升降機(jī)構(gòu)67的升降桿68上，在升降機(jī)構(gòu)67的驅(qū)動(dòng)下支撐銷63升降而能夠突出到載置臺60A的上方。
上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)55、頭部檢測裝置59A(發(fā)光元件59a和受光元件59b)以及升降機(jī)構(gòu)67與控制器70電氣地連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號而受到控制。
接著，參照圖8A、圖8B及圖9所示的流程圖說明第2實(shí)施方式的動(dòng)作狀況。
首先，通過輸送臂50將上述晶片W從上述抗蝕劑涂布單元(COT)送出，移動(dòng)到熱盤單元(HP)內(nèi)的載置臺60A的上方(步驟S9-1)。于是，升降機(jī)構(gòu)67驅(qū)動(dòng)而使支撐銷63上升(步驟S9-2)，支撐受輸送臂50保持的晶片W。此時(shí)，通過從頭部檢測裝置59A的發(fā)光元件59a發(fā)出的光被支撐銷63的頭部63a遮擋而檢測到頭部63a，將該檢測信號傳遞給控制器70(步驟S9-3)。于是，如圖8B所示，根據(jù)來自控制器70的控制信號而驅(qū)動(dòng)輸送臂59的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，使輸送臂50沿傾斜方向下降(步驟S9-4)。由此，抑制了輸送臂50的伴隨著旋轉(zhuǎn)卡盤60的向上方的移動(dòng)的慣性力帶來的晶片W的偏移，并將修正了偏移的晶片W支撐在支撐銷63上。然后，驅(qū)動(dòng)升降機(jī)構(gòu)67而使支撐銷63下降，將晶片W載置在載置臺60A上(步驟S9-5)。
在將晶片W載置在載置臺60A上的狀態(tài)下，加熱器64動(dòng)作而在規(guī)定的溫度、例如100℃下進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的預(yù)烘烤處理(步驟S9-6)。由此，能夠從晶片W上的涂布膜將殘留溶劑蒸發(fā)除去。如果結(jié)束了預(yù)烘烤，則輸送臂50將晶片W從熱盤單元(HP)送出，接著向?qū)儆诘?組G4的多級單元的擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL)輸送。
(第3實(shí)施方式)圖10是表示第3實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖。
第3實(shí)施方式與第1實(shí)施方式同樣，涉及將由上述輸送臂50輸送的晶片W輸送到抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)、交接給配設(shè)在抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)的載置機(jī)構(gòu)、即旋轉(zhuǎn)卡盤60的裝置，是使將晶片W載置到旋轉(zhuǎn)卡盤60上時(shí)的動(dòng)作為不同的方式的情況。即，如圖10所示，是在將輸送臂50向旋轉(zhuǎn)卡盤60的上方移動(dòng)、將晶片W載置到旋轉(zhuǎn)卡盤60上后、使輸送臂50向沿著該輸送臂50的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)(iii)后、向鉛直方向下降(iv)的情況。
另外，在第3實(shí)施方式中，其他部分與第1實(shí)施方式相同，所以對相同的部分賦予相同的標(biāo)號而省略說明。
接著，參照圖10及圖11所示的流程圖說明第3實(shí)施方式的動(dòng)作狀況。
首先，通過輸送臂50將晶片W從上述冷卻單元(COL)送出，移動(dòng)到抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)的旋轉(zhuǎn)卡盤60的上方(步驟S11-1)。然后，使輸送臂50沿鉛直方向下降(步驟S11-2)。在該輸送臂50的下降的過程中，通過從載置部檢測裝置59的發(fā)光元件59a發(fā)出的光被旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a遮擋而檢測到載置部60a，將該檢測信號傳遞給控制器70(步驟S11-3)。于是，如圖10所示，根據(jù)來自控制器70的控制信號而驅(qū)動(dòng)輸送臂50的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，使輸送臂50向沿著該輸送臂50的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)(iii)后，向鉛直方向下降(iv)(步驟S11-4)。由此，抑制了輸送臂50的伴隨著旋轉(zhuǎn)卡盤60的向上方的移動(dòng)的慣性力帶來的晶片W的偏移，修正了起因于該偏移的晶片W的在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上的位置偏移，而進(jìn)行吸引保持。
在將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上的狀態(tài)下，未圖示的抗蝕劑涂布嘴移動(dòng)到晶片W的上方，將抗蝕劑液從該嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋轉(zhuǎn)卡盤60旋轉(zhuǎn)而將抗蝕劑涂布到晶片W表面上(步驟S11-5)。如果結(jié)束了抗蝕劑涂布處理，則輸送臂50將晶片W從抗蝕劑涂布單元(COT)送出，接著向熱盤單元(HP)輸送。
(第4實(shí)施方式)圖12是表示有關(guān)第4實(shí)施方式的輸送臂的概略立體圖，圖13A是表示第4實(shí)施方式的基板輸送裝置的概略側(cè)視圖，圖13B是表示在載置狀態(tài)不充分的情況下使輸送臂上升的狀態(tài)的要部概略側(cè)視圖，圖13C是表示再次使輸送臂下降的狀態(tài)的要部概略側(cè)視圖。
第4實(shí)施方式是在上述第1、3實(shí)施方式中、能夠?qū)μ庉d置在作為載置機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W因跳起而不能進(jìn)行充分的載置的情況的例子。即，第4實(shí)施方式是在輸送臂50中設(shè)置檢測載置于旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W的跳起的跳起檢測裝置80、并且具備發(fā)生了跳起的情況的對應(yīng)功能的例子。
在第4實(shí)施方式中，在輸送臂50的框部50a的上表面的關(guān)于該框部50a的內(nèi)側(cè)中心點(diǎn)對置的位上，安裝有檢測載置于作為載置機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W的跳起的跳起檢測裝置80。該跳起檢測裝置80例如具有發(fā)光元件80a和受光元件80b(參照圖12)。該跳起檢測裝置80與控制器70電氣地連接，在通過跳起檢測裝置80檢測到載置于旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W的跳起的情況下，將該檢測信號傳遞給控制器70。此外，在控制器70上電氣地連接著警報(bào)機(jī)構(gòu)、例如報(bào)警器90，在通過跳起檢測裝置80檢測到載置于旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W的跳起的情況下，根據(jù)來自控制器70的信號，報(bào)警器90發(fā)出警報(bào)。
另外，在第4實(shí)施方式中，其他部分與第1實(shí)施方式相同，所以對相同的部分賦予相同的標(biāo)號而省略說明。
接著，參照圖13及圖14所示的流程圖說明第4實(shí)施方式的基板輸送裝置的動(dòng)作狀況。
首先，通過輸送臂50將晶片W從上述冷卻單元(COL)送出，移動(dòng)到抗蝕劑涂布單元(COT)內(nèi)的旋轉(zhuǎn)卡盤60的上方(步驟S14-1)。然后，使輸送臂50沿鉛直方向下降(步驟S14-2)。在該輸送臂50的下降的過程中，通過從載置部檢測裝置59的發(fā)光元件59a發(fā)出的光被旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a遮擋而檢測到載置部60a，將該檢測信號傳遞給控制器70(步驟S14-3)。于是，根據(jù)來自控制器70的控制信號而驅(qū)動(dòng)輸送臂50的移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，使輸送臂50沿傾斜方向下降，將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60上(步驟S14-4)。此時(shí)，通過跳起檢測裝置80檢測有無晶片W的跳起(步驟S14-5)。根據(jù)該檢測，在有晶片W的跳起的情況下，將該檢測信號傳遞給控制器70，根據(jù)來自控制器70的控制信號驅(qū)動(dòng)移動(dòng)機(jī)構(gòu)55，輸送臂50上升而使載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W向旋轉(zhuǎn)卡盤60的上方上升，然后，再次使輸送臂50下降，將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60上(步驟S14-6)。此時(shí)，再次通過跳起檢測裝置80檢測有無晶片W的跳起(步驟S14-5)。此外，在有晶片W的跳起的情況下，將來自控制器70的信號傳遞給報(bào)警器90，使其發(fā)出警報(bào)(步驟S14-7)。
在沒有檢測到載置于旋轉(zhuǎn)卡盤60上的晶片W的跳起的情況下，確認(rèn)為晶片W以正確的狀態(tài)載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60上。并且，在將晶片W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤60的載置部60a上的狀態(tài)下，未圖示的抗蝕劑涂布嘴移動(dòng)到晶片W的上方，將抗蝕劑液從該嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋轉(zhuǎn)卡盤60旋轉(zhuǎn)而將抗蝕劑涂布到晶片W表面上(步驟S14-8)。如果結(jié)束了抗蝕劑涂布處理，則輸送臂50將晶片W從抗蝕劑涂布單元(COT)送出，接著向熱盤單元(HP)輸送。
在上述實(shí)施方式中，對于將本發(fā)明的基板輸送裝置應(yīng)用到涂布顯影處理系統(tǒng)中的處理站20的主晶片輸送結(jié)構(gòu)部21與抗蝕劑涂布單元(COT)或熱盤單元(HP)中的情況進(jìn)行了說明，但也可以應(yīng)用到主晶片輸送結(jié)構(gòu)部21與其他處理單元的晶片W的輸送中。此外，也能夠應(yīng)用于處理站20以外的接口部30的輸送臂34與周邊曝光裝置33之間的晶片W的輸送中。
此外，在上述實(shí)施方式中，對于將本發(fā)明的基板輸送裝置應(yīng)用在半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)的加熱處理裝置中的情況進(jìn)行了說明，但當(dāng)然也能夠應(yīng)用于LCD玻璃基板的抗蝕劑涂布顯影系統(tǒng)的基板輸送裝置中。
權(quán)利要求
1.一種基板輸送方法，將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方、將基板交接到載置機(jī)構(gòu)上，同時(shí)使輸送臂沿傾斜方向下降而將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。
2.如權(quán)利要求1所述的基板輸送方法，其特征在于，在通過設(shè)在上述輸送臂上的載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，使輸送臂沿傾斜方向下降。
3.一種基板輸送方法，將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方，將基板交接給相對于載置裝置升降的支撐銷時(shí)，在由設(shè)在上述輸送臂上的頭部檢測裝置檢測到支撐銷的頭部后，使上述輸送臂沿傾斜方向下降，然后使支撐銷下降而將基板載置到載置機(jī)構(gòu)上。
4.一種基板輸送方法，將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，使上述輸送臂移動(dòng)到上述載置機(jī)構(gòu)的上方，將基板交接到載置機(jī)構(gòu)上后，使輸送臂沿著該輸送臂的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)后、沿鉛直方向下降。
5.如權(quán)利要求1所述的基板輸送方法，其特征在于，通過設(shè)在上述輸送臂上的基板的跳起檢測裝置檢測有無將基板交接給載置機(jī)構(gòu)后的狀態(tài)下的基板的跳起；在檢測到跳起的情況下，通過輸送臂使基板上升后，使其下降而載置到載置機(jī)構(gòu)上。
6.如權(quán)利要求5所述的基板輸送方法，其特征在于，通過設(shè)在上述輸送臂上的基板的跳起檢測裝置檢測有無將基板交接給載置機(jī)構(gòu)后的狀態(tài)下的基板的跳起，在檢測到跳起的情況下發(fā)出警報(bào)。
7.一種基板輸送裝置，具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，具備載置部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述載置機(jī)構(gòu)的載置部；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述載置部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)；在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿傾斜方向下降。
8.一種基板輸送裝置，具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，具備支撐銷，在升降機(jī)構(gòu)的作用下相對于上述載置機(jī)構(gòu)的載置部升降，將基板交接給載置機(jī)構(gòu)；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；頭部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述支撐銷的頭部；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述頭部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，并且控制上述升降機(jī)構(gòu)；在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述頭部檢測裝置檢測到支撐銷的頭部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿傾斜方向下降，然后驅(qū)動(dòng)上述升降機(jī)構(gòu)，使上述支撐銷下降。
9.一種基板輸送裝置，具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由上述輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，具備載置部檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測上述載置機(jī)構(gòu)的載置部；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使上述輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述載置部檢測裝置的檢測信號控制上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)；在將由上述輸送臂輸送的基板交接給上述載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在上述載置部檢測裝置檢測到載置機(jī)構(gòu)的載置部后，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂向沿著該輸送臂的移動(dòng)前方的水平方向移動(dòng)后，沿鉛直方向下降。
10.如權(quán)利要求7所述的基板輸送裝置，其特征在于，具備跳起檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測有無將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上后的狀態(tài)下的基板的跳起；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述跳起檢測裝置的檢測信號控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)；在由上述跳起檢測裝置檢測到載置于載置機(jī)構(gòu)上的基板的跳起的情況下，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在通過輸送臂使基板暫時(shí)上升后，使其下降而將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。
11.如權(quán)利要求9所述的基板輸送裝置，其特征在于，具備跳起檢測裝置，設(shè)在上述輸送臂上，檢測有無將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上后的狀態(tài)下的基板的跳起；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自上述跳起檢測裝置的檢測信號控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)；在由上述跳起檢測裝置檢測到載置于載置機(jī)構(gòu)上的基板的跳起的情況下，根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在通過輸送臂使基板暫時(shí)上升后，使其下降而將基板載置在載置機(jī)構(gòu)上。
12.如權(quán)利要求10所述的基板輸送裝置，其特征在于，具有根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號、在檢測到載置于載置機(jī)構(gòu)上的基板的跳起的情況下發(fā)出警報(bào)的警報(bào)機(jī)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求11所述的基板輸送裝置，其特征在于，具有根據(jù)來自上述控制機(jī)構(gòu)的控制信號、在檢測到載置于載置機(jī)構(gòu)上的基板的跳起的情況下發(fā)出警報(bào)的警報(bào)機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明是一種具備輸送基板的輸送臂、和從輸送臂獲取由輸送臂輸送的基板的載置機(jī)構(gòu)的基板輸送裝置，具備載置部檢測裝置，設(shè)在輸送臂上，檢測載置部；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿升降及水平方向移動(dòng)；控制機(jī)構(gòu)，根據(jù)來自載置部檢測裝置的檢測信號控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)。在將由輸送臂輸送的基板交接給載置機(jī)構(gòu)時(shí)，在載置部檢測裝置檢測到旋轉(zhuǎn)卡盤的載置部后，根據(jù)來自控制機(jī)構(gòu)的控制信號驅(qū)動(dòng)移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使輸送臂沿傾斜方向下降，將基板載置在載置部上。因而，能夠高速且高精度地進(jìn)行穩(wěn)定的基板的輸送以及向載置部的交接。
文檔編號H01L21/68GK1979792SQ200610164150
公開日2007年6月13日 申請日期2006年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月6日
發(fā)明者森川勝洋 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社