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用于管理EEPROM存儲(chǔ)器存取晶體管的擊穿的裝置和方法與流程

文檔序號(hào):11459455閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
提供了一種非易失性電可擦除和可編程存儲(chǔ)器類型的存儲(chǔ)器裝置,包括,連接至位線(BL)的存儲(chǔ)器單元(CEL)的矩陣存儲(chǔ)板(PM),配置用以選擇存儲(chǔ)器單元(CEL)并施加編程脈沖(VSBL)至對(duì)應(yīng)位線(BL)的編程裝置(MPR)。根據(jù)通常特征,存儲(chǔ)板(PM)位于處于浮置電勢(shì)的局部阱(PW)中,并且編程裝置(MPR)配置用于增加所述局部阱(PW)的電勢(shì)而同時(shí)施加編程脈沖至已被選存儲(chǔ)器單元(CEL)的位線(BL)。

技術(shù)研發(fā)人員:F·塔耶特
受保護(hù)的技術(shù)使用者:意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.07.27
技術(shù)公布日:2017.08.25
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