技術(shù)編號(hào)：11459455
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器，特別是電可擦除和可編程(EEPROM)類型的非易失性存儲(chǔ)器。背景技術(shù)在EEPROM存儲(chǔ)器中，位元的邏輯值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中，存儲(chǔ)器單元通常包括存取晶體管以及具有控制柵極和浮置柵極的狀態(tài)晶體管。浮置柵極晶體管的編程或擦除存在于借由可以為10至20伏、通常13伏量級(jí)的高電壓脈沖Vp通過隧穿效應(yīng)(“福勒-諾德海姆效應(yīng)”)而將電荷注入至晶體管的柵極中或者從晶體管的柵極抽出。編寫EEPOM存儲(chǔ)器所必需的該13伏的高電壓無法減小，并且施加了關(guān)于技術(shù)工藝和產(chǎn)品可靠性的緊密約束。實(shí)...
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