三嗪類衍生物電子傳輸化合物及其有機電致發(fā)光器件的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光材料領域，具體涉及一種三嗪類衍生物的有機電致發(fā)光 化合物及其有機電致發(fā)光器件，屬于有機電致發(fā)光器件顯示技術領域。
【背景技術】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（OLEDs)為在兩個金屬電極之間通過旋涂或者真空蒸鍍沉積 一層有機材料制備而成的器件，一個經典的三層有機電致發(fā)光器件包含空穴傳輸層、發(fā)光 層和電子傳輸層。由陽極產生的空穴經空穴傳輸層跟由陰極產生的電子經電子傳輸層結合 在發(fā)光層形成激子，而后發(fā)光。有機電致發(fā)光器件可以根據(jù)需要通過改變發(fā)光層的材料來 調節(jié)發(fā)射各種需要的光。
[0003] 有機電致發(fā)光器件作為一種新型的顯示技術，具有自發(fā)光、寬視角、低能耗、效率 高、薄、色彩豐富、響應速度快、適用溫度范圍廣、低驅動電壓、可制作柔性可彎曲與透明的 顯示面板以及環(huán)境友好等獨特優(yōu)點，可以應用在平板顯示器和新一代照明上，也可以作為 IXD的背光源。
[0004] 自從20世紀80年代底發(fā)明以來，有機電致發(fā)光器件已經在產業(yè)上有所應用，比如 作為相機和手機等屏幕，但是目前的0LED器件由于效率低，使用壽命短等因素制約其更廣 泛的應用，特別是大屏幕顯示器。而制約其中的一個重要因素就是有機電致發(fā)光器件中的 有機電致發(fā)光材料的性能。另外由于0LED器件在施加電壓運行的時候，會產生焦耳熱，使 得有機材料容易發(fā)生結晶，影響了器件的壽命和效率，因此，也需要開發(fā)穩(wěn)定高效的有機電 致發(fā)光材料。
[0005] 在0LED材料中，由于大多有機電致發(fā)光材料傳輸空穴的速度要比傳輸電子的速 度快，容易造成發(fā)光層的電子和空穴數(shù)量不平衡，這樣器件的效率就比較低。三（8-羥基 喹啉）鋁（Alq 3)自發(fā)明以來，已經被廣泛地研究，但是作為電子傳輸材料它的電子迀移率 還是很低，并且自身會降解的內在特性，在以之為電子傳輸層的器件中，會出現(xiàn)電壓下降的 情況，同時，由于較低的電子迀移率，使得大量的空穴進入到Alq 3層中，過量的空穴以非發(fā) 光的形式輻射能量，并且在作為電子傳輸材料時，由于它發(fā)綠光的特性，在應用上受到了限 制。因此，發(fā)展穩(wěn)定并且具有較大電子迀移率的電子傳輸材料，對有機電致發(fā)光器件的廣泛 使用具有重大的價值。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明首先提供一種三嗪類衍生物有機電致發(fā)光電子傳輸化材料，其為具有如下 結構式I的化合物：
[0007]
[0008] 其中，&、R2、R3、心分別獨立地選自氫、氘原子、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、 C6-C30的取代或者未取代的芳基；
[0009] L選自單鍵、C1-C6的烷基、C6-C30的取代或未取代的芳基、C3-C30的取代或者未 取代的雜芳基；
[0010] A 選自 0、S、Se、SO、S02。
[0011] 優(yōu)選地，&、R2、R3、心分別獨立地選自C1-C8烷基、C6-C30的取代或者未取代的芳 基；
[0012] L選自單鍵、C6-C30的取代或未取代的芳基；
[0013] A 選自 0、S。
[0014] 更優(yōu)選地，&、R2、R3、心分別獨立地選自于甲基、乙基、丙基、異丙基、叔丁基、正丁 基、正己基、苯基、萘基、聯(lián)苯基；
[0015] L選自單鍵、苯環(huán)、聯(lián)苯基。
[0016] 進一步優(yōu)選地，本發(fā)明的三嗪類衍生物為下列結構式1-16的化合物：
[0017]
[0018]
[0019]
[0020] 本發(fā)明的三嗪類衍生物的有機電致發(fā)光電子傳輸材料可以應用在有機電致發(fā)光 器件、有機太陽能電池、有機薄膜晶體管或有機光感受器領域。
[0021] 本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件，該器件包含陽極、陰極和有機層，有機層 包含發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層中的一層或一 層以上，其中所述有機層中至少有一層含有如結構式I所述的三嗪類衍生物的有機電致發(fā) 光電子傳輸材料：
[0022]
[0023] 其中H L、A的定義如前所述。
[0024] 其中有機層為發(fā)光層和電子傳輸層；
[0025] 或者有機層為發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層；
[0026] 或者有機層為發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層；或者 有機層為發(fā)光層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層；
[0027] 或者有機層為發(fā)光層、空穴傳輸層和電子注入層。
[0028] 優(yōu)選地，其中如結構式I所述的三嗪類衍生物所在的層為電子傳輸層或電子注入 層；
[0029] 優(yōu)選地，其中結構式I所述的三嗪類衍生物為結構式1-16的化合物；
[0030] 如結構式I所述的三嗪類衍生物用于發(fā)光器件制備時，可以單獨使用，也可以和 其他化合物混合使用；如結構式I所述的三嗪類衍生物可以單獨使用其中的一種化合物， 也可以同時使用結構式I中的兩種或兩種以上的化合物。
[0031] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，進一步優(yōu)選的方式為，該有機電致發(fā)光器件包含陽 極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其中電子傳輸層或電子注入層中 含有結構式I的化合物；進一步優(yōu)選地，電子傳輸層或電子注入層中含有的化合物為結構 式1-16的化合物。
[0032] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，結構式I化合物作為電子傳輸層時也可以兼做電 子注入層。
[0033] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件有機層的總厚度為l-1000nm，優(yōu)選50-500nm。
[0034] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件在使用本發(fā)明具有結構式I的化合物時，可以搭配使 用其他材料，如在空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層 中等，而獲得藍光、綠光、黃光、紅光或者白光。
[0035] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層和空穴注入層，所需材料具有很好的 空穴傳輸性能，能夠有效地把空穴從陽極傳輸?shù)桨l(fā)光層上。包括其它小分子和高分子 有機化合物，包括但不限于咔唑類化合物、三芳香胺化合物、聯(lián)苯二胺化合物、芴類化合 物、酞菁類化合物、六氰基六雜三苯（hexanitrilehexaazatriphenylene)、2, 3, 5, 6-四 氟-7, 7'，8, 8' -四氰二甲基對苯醌（F4-TCNQ)、聚乙烯基咔唑、聚噻吩、聚乙烯或聚苯磺酸。
[0036] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層，具有很好的發(fā)光特性，可以根據(jù)需要調節(jié) 可見光的范圍?？梢院腥缦禄衔?，包括但是不限于萘類化合物、芘類化合物、芴類化合 物、菲類化合物、屈類化合物、熒蒽類化合物、蒽類化合物、并五苯類化合物、茈類化合物、二 芳乙烯類化合物、三苯胺乙烯類化合物、胺類化合物、咔唑類化合物、苯并咪唑類化合物、呋 喃類化合物、金屬有機熒光絡合物、金屬有機磷光絡合物（如1^?丨、0心(：11、411)、聚乙烯咔 唑、聚有機硅化合物、聚噻吩等有機高分子發(fā)光材料，它們可以單獨使用，也可以多種混合 物使用。
[0037] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的有機電子傳輸材料要求具有很好的電子傳輸性能，能 夠有效地把電子從陰極傳輸?shù)桨l(fā)光層中，具有很大的電子迀移率。除本發(fā)明的具有結構式 I化合物外，還可以選擇如下化合物，但是不限于此：氧雜惡唑、噻唑類化合物、三氮唑類化 合物、三氮嗪類化合物、三氮雜苯類化合物、喔啉類化合物、二氮蒽類化合物、含硅雜環(huán)類化 合物、喹啉類化合物、菲啰啉類化合物、金屬螯合物（如A1 q3)、氟取代苯類化合物、苯并咪唑 類化合物。
[0038] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的電子注入層，可以有效的把電子從陰極注入到有機層 中，除本發(fā)明的具有結構式I化合物外，主要選自堿金屬或者堿金屬的化合物，或選自堿土 金屬或者堿土金屬的化合物或者堿金屬絡合物，可以選擇如下化合物，但是不限于此：堿金 屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物或者鹵化物、堿土金屬的氧化物或者鹵化物、稀土 金屬的氧化物或者鹵化物、堿金屬或者堿土金屬的有機絡合物；優(yōu)選為鋰、氟化鋰、氧化鋰、 氮化鋰、8-羥基喹啉鋰、銫、碳酸銫、8-羥基喹啉銫、媽、氟化媽、氧化媽、鎂、氟化鎂、碳酸 鎂、氧化鎂，這些化合物可以單獨使用也可以混合物使用，也可以跟其他有機電致發(fā)光材料 配合使用。
[0039] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中有機層的每一層，可以通過真空蒸鍍法、分子束蒸 鍍法、溶于溶劑的浸涂法、旋涂法、棒涂法或者噴墨打印等方式制備。對于金屬電機可以使 用蒸鍍法或者濺射法進行制備。
[0040] 器件實驗表明，本發(fā)明如結構式I所述的三嗪類衍生物具有較好熱穩(wěn)定性，高發(fā) 光效率，高發(fā)光純度。采用該有機電致發(fā)光化合物制作的器件具有電致發(fā)光效率良好和色 純度優(yōu)異以及壽命長的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0041] 圖1為本發(fā)明的一種有機電致發(fā)光器件結構示意圖；
[0042] 其中，110代表為玻璃基板，120代