專利名稱::配位金屬化合物、有機(jī)電致發(fā)光元件用材料、發(fā)光性涂膜形成用材料和有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及配位金屬化合物、發(fā)光性涂膜形成用材料、有機(jī)電致發(fā)光元件用材料和有機(jī)電致發(fā)光元件,特別涉及發(fā)光效率高、高溫保存下的穩(wěn)定性高的有機(jī)EL元件;以及可實現(xiàn)上述目標(biāo),對有機(jī)溶劑的溶解性優(yōu)異,不僅通過真空蒸鍍、還可通過簡便的濕式成膜法制備用于有機(jī)電致發(fā)光元件的配位金屬化合物;有機(jī)電致發(fā)光元件用材料和發(fā)光性涂膜形成用材料。
背景技術(shù):
:有機(jī)電致發(fā)光元件(以下將電致發(fā)光簡稱為EL)是通過施加電場,利用由陽極注入的空穴與由陰極注入的電子的復(fù)合能使熒光性物質(zhì)發(fā)光的原理的自發(fā)光元件。自從イ一ストマン·コダック公司的C.W.Tang等人報告了由層疊型元件得到的低電壓驅(qū)動有機(jī)EL元件(C.W.Tang,S.A.Vanslyke,AppliedPhysicsLetters,51卷、913頁、1987年等)以來,關(guān)于以有機(jī)材料作為構(gòu)成材料的有機(jī)EL元件的研究方興未艾。Tang等人以三(8-羥基喹啉)鋁為發(fā)光層,將三苯二胺衍生物用于空穴傳輸層。層疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)點有可提高空穴向發(fā)光層的注入效率;阻擋由陰極注入的電子,提高復(fù)合生成的激子的生成效率;將在發(fā)光層內(nèi)生成的激子封閉起來等。如該例所示,已知有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)有空穴傳輸(注入)層、電子傳輸發(fā)光層的2層型;或者空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層、電子傳輸(注入)層的3層型等。這樣的層疊型結(jié)構(gòu)元件中,為了提高注入的空穴和電子的復(fù)合效率,要對元件結(jié)構(gòu)或形成方法等進(jìn)行改進(jìn)。作為有機(jī)EL元件的發(fā)光材料,已知有三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物等螯合絡(luò)合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙烯基亞芳基衍生物、二唑衍生物等發(fā)光材料,有報道稱由它們可得到藍(lán)色至紅色的可見光區(qū)的發(fā)光,有望實現(xiàn)彩色顯示元件(例如參照日本特開平8-239655號公報、日本特開平7-138561號公報、日本特開平3-200289號公報等)。近年來,有人提出在有機(jī)EL元件的發(fā)光層中利用除發(fā)光材料之外的有機(jī)磷光材料(例如參照D.F.O’Brien和M.A.Baldo等“Improvedenergytransferinelectrophosphorescentdevices”AppliedPhysicslettersVol.74No.3,442~444頁,January18,1999、M.A.Baldo等“Veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescene”AppliedPhysicslettersVol.75No.1,4~6頁,July5,1999)。這樣,在有機(jī)EL元件的發(fā)光層中,通過利用有機(jī)磷光材料激發(fā)態(tài)的單重態(tài)和三重態(tài),可實現(xiàn)高的發(fā)光效率。有機(jī)EL元件內(nèi),電子與空穴復(fù)合時,因旋轉(zhuǎn)多重性的不同,單重態(tài)激子和三重態(tài)激子以1∶3的比例生成,因此可以認(rèn)為如果使用磷光性發(fā)光材料,可實現(xiàn)只用熒光的元件的3~4倍的發(fā)光效率。上述有機(jī)EL元件中,為了不使三重態(tài)的激發(fā)態(tài)或三重態(tài)的激子消光,采用了以下的層疊的構(gòu)成依次為陽極、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層(空穴阻擋層)、電子注入層、陰極,有機(jī)發(fā)光層中使用了基質(zhì)化合物和磷光發(fā)光性的化合物(例如參照美國專利第609714號說明書、國際公布WO01/41512號公報)。這些專利文獻(xiàn)中,基質(zhì)化合物使用了4,4-N,N-二咔唑聯(lián)苯,但該化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為110℃或以下,并且對稱性太好,因此容易結(jié)晶,另外進(jìn)行元件的耐熱試驗時,有短路或產(chǎn)生像素缺陷的問題。另外,在進(jìn)行蒸鍍時,存在雜質(zhì)或電極突起的部位等發(fā)生晶體生長,從耐熱試驗前的初期狀態(tài)即可發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生了缺陷。具有三次對稱性的咔唑衍生物也可作為基質(zhì)使用。但是,因為對稱性良好,蒸鍍時在存在雜質(zhì)或電極突起的部位等發(fā)生晶體生長,這無可避免地從耐熱試驗前的初期狀態(tài)即產(chǎn)生缺陷。磷光發(fā)光性化物通常使用銥絡(luò)合物,發(fā)光層由基質(zhì)化合物中以一定的比例(數(shù)質(zhì)量%或以下)混合有銥絡(luò)合物的物質(zhì)形成。通常,相對于基質(zhì)化合物,磷光發(fā)光性化合物的濃度越高,則發(fā)光強(qiáng)度越高,但達(dá)到數(shù)%~數(shù)十%左右時,該比例關(guān)系失調(diào),發(fā)光強(qiáng)度減小,元件的發(fā)光效率也低。已知這是濃縮猝滅或濃度失活,在日本特開平05-078655號公報或日本特開平05-320633號公報中有公布。這可認(rèn)為與發(fā)光中心材料之間或發(fā)光中心材料與其周邊材料的多聚化反應(yīng)導(dǎo)致的無輻射躍遷有關(guān)。因此,為了實現(xiàn)高效率,不能大量使用磷光發(fā)光性化合物,而必須使其濃度達(dá)到最佳。近年來,磷光發(fā)光性化合物的改良研究取得進(jìn)展,出現(xiàn)了適合用于簡便的濕式制膜的元件制作的材料(例如參照Shao-AnChen等,“High-EfficiencyRed-LightEmissionfromPolyfuluorenesGraftedwithCycolometalatedIridiumComplexesandChargeTransportMoiety”,J.Am.Chem.Soc.,Vol.125,636~637頁,2003和美國公開公報US2003/0091862A1)。但是,目前的材料發(fā)光效率低,并且高溫下元件的穩(wěn)定性低,缺乏實用性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述課題而設(shè),其目的在于提供發(fā)光效率高、高溫保存下穩(wěn)定性高的有機(jī)EL元件,以及可實現(xiàn)上述目的的對有機(jī)溶劑的溶解性優(yōu)異的配位金屬化合物、有機(jī)EL元件用材料、發(fā)光性涂膜形成用材料。本發(fā)明人為實現(xiàn)上述目的而進(jìn)行了深入地研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用具有含螺接的配體的配位金屬化合物作為發(fā)光材料,則分子之間的締合受到抑制,結(jié)果,可以制作發(fā)光效率高、高溫保存下具有高穩(wěn)定性的有機(jī)EL元件,從而完成了本發(fā)明。另外,該配位金屬化合物對有機(jī)溶劑的溶解性高,可適用于旋涂法等濕式制膜工藝。即,本發(fā)明提供一種配位金屬化合物,其是將具有螺接的配體與至少1個金屬原子配位而得到的。本發(fā)明中,配位是指配體與金屬原子之間形成碳原子-金屬原子鍵,同時,配體的雜原子的孤對電子與金屬原子形成配位鍵。本發(fā)明提供含有至少一種下述通式(1’)的結(jié)構(gòu)的化合物的有機(jī)EL元件用材料[式(1’)中,X、Y1和Y2各自獨立表示單鍵、-CR’R”-、-SiR’R”-、-CO-或NR’-,Q表示碳原子、硅原子或鍺原子。Z表示含有重金屬絡(luò)合物的2價基團(tuán)。R’、R”表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的基團(tuán)。R1~R8各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、鏈烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基或雜環(huán)基、以及碳原子數(shù)為6~50的芳基、芳氧基、芳硫基、芳氨基、二芳氨基或烷基芳基氨基的基團(tuán)。R1~R8中,相鄰的2個取代基可互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu)。];含有至少1個下述通式(4’)所示化合物的有機(jī)EL元件用材料(E1)-(C1)p1-(C2)p2-(Phos)-(C3)p3-(C4)p4-(E2)(4’)[式(4’)中,(Phos)是上述通式(1’)中除去R1~R8中的2個而形成的2價基團(tuán)。E1和E2各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基和羥基的基團(tuán)。C1~C4表示選自取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基和取代或未取代的碳原子數(shù)為6~50的2價亞芳基的基團(tuán)。p1~p4分別為0~20的整數(shù)。];上述通式(1’)的R1~R8中的至少1個為聚合性基團(tuán)或含有聚合性基團(tuán)的核碳原子數(shù)為6~50的芳基,并含有通過使通式(1’)所示的化合物聚合或共聚而構(gòu)成的聚合物的有機(jī)EL元件用材料;以及含有以下聚合物或共聚物的有機(jī)EL元件用材料,其中所述聚合物或共聚物以除去選自上述通式(1’)的R1~R8的2個而形成的2價基團(tuán)作為單元結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種有機(jī)EL元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中該有機(jī)薄膜層的至少一層含有上述配位金屬化合物或有機(jī)EL元件用材料。本發(fā)明還提供發(fā)光性涂膜形成用材料,該材料包含含有上述配位金屬化合物或有機(jī)EL元件用材料的有機(jī)溶劑;還提供使用上述發(fā)光性涂膜形成用材料或有機(jī)EL元件用材料而形成的有機(jī)EL元件。具體實施例方式首先,對本發(fā)明的配位金屬化合物進(jìn)行說明。本發(fā)明的配位金屬化合物是至少與1個具有螺接的配體配位而成的,優(yōu)選下述通式(1)所示的配位金屬化合物。(L1)x-M-(P-M)y-(L2)z(1)上述通式(1)中的L1為與金屬原子M配位的配體,是具有螺接的配體。上述通式(1)中的L1優(yōu)選為下述通式(2)所示的配體。A-(C)p-(B)q-(C)p-D-(2)首先,對通式(2)中的A進(jìn)行說明。通式(2)中,A是由下述通式(3)~(12)任意之一表示的基團(tuán)。通式(3)~(12)各自獨立,其中R為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基等,還可以分別互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu)。通式(3)~(12)中,a和b分別為0~4的整數(shù),c、d、e和f分別為2~4的整數(shù)。上述R的取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基對三聯(lián)苯-4-基等。上述R的取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基的例子有1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮雜茚基、2-異氮雜茚基、3-異氮雜茚基、4-異氮雜茚基、5-異氮雜茚基、6-異氮雜茚基、7-異氮雜茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1,7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1,7-菲咯啉-6-基、1,7-菲咯啉-8-基、1,7-菲咯啉-9-基、1,7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1,8-菲咯啉-3-基、1,8-菲咯啉-4-基、1,8-菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1,8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1,9-菲咯啉-2-基、1,9-菲咯啉-3-基、1,9-菲咯啉-4-基、1,9-菲咯啉-5-基、1,9-菲咯啉-6-基、1,9-菲咯啉-7-基、1,9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1,10-菲咯啉-3-基、1,10-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-1-基、2,9-菲咯啉-3-基、2,9-菲咯啉-4-基、2,9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2,8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2,8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2,8-菲咯啉-9-基、2,8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2,7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2,7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、3-吩嗪基、4-吩嗪基、10-吩嗪基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。上述R的取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基叔丁基、1,2,3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等。上述R的取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基是以-OY表示的基團(tuán),Y的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基叔丁基、1,2,3-三硝基丙基等。上述R的取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基的例子有芐基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、對甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對氯芐基、間氯芐基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氨基芐基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。上述R的取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基是-OY’表示的基團(tuán),Y’的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基對三聯(lián)苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮雜茚基、3-異氮雜茚基、4-異氮雜茚基、5-異氮雜茚基、6-異氮雜茚基、7-異氮雜茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1,7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1,7-菲咯啉-6-基、1,7-菲咯啉-8-基、1,7-菲咯啉-9-基、1,7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1,8-菲咯啉-3-基、1,8-菲咯啉-4-基、1,8-菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1,8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1,9-菲咯啉-2-基、1,9-菲咯啉-3-基、1,9-菲咯啉-4-基、1,9-菲咯啉-5-基、1,9-菲咯啉-6-基、1,9-菲咯啉-7-基、1,9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1,10-菲咯啉-3-基、1,10-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-1-基、2,9-菲咯啉-3-基、2,9-菲咯啉-4-基、2,9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2,8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2,8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2,8-菲咯啉-9-基、2,8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2,7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2,7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、3-吩嗪基、4-吩嗪基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。上述R的取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基以-SY’表示,Y’的例子與前述相同。上述R的取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基以-COOY表示,Y的例子與前述相同。通式(3)~(12)中,V為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-(R0和R0’各自獨立,為氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基)。R0和R0’的芳族烴基、芳族雜環(huán)基和烷基的具體例子分別為與上述R同樣的。通式(3)~(12)中,E表示環(huán)狀結(jié)構(gòu),該環(huán)狀結(jié)構(gòu)由包圍符號E的圓表示,具體為取代或未取代的核碳原子數(shù)為3~6且碳原子可被氮原子取代的環(huán)烷殘基、取代或未取代的核碳原子數(shù)為4~6的芳族烴殘基、或取代或未取代的核原子數(shù)為4~6的芳族雜環(huán)殘基。這些芳族烴殘基和芳族雜環(huán)殘基的具體例子有上述R的說明中碳原子數(shù)適合的2價殘基。核碳原子數(shù)為3~6且碳原子可被氮原子取代的環(huán)烷殘基的例子有環(huán)丙烷、環(huán)丁烷、環(huán)丙烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、吡咯烷、哌啶、哌嗪等的2價殘基。通式(3)~(12)中,Q為形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的原子基團(tuán),例如有亞乙基、亞丙基、亞正丁基、亞正戊基、亞正己基等亞烷基,以及這些亞烷基的至少1個碳原子取代為氮原子或氧原子等、形成雜環(huán)的基團(tuán)等,可以具有取代基,還可以是取代基之間鍵合,形成飽和或不飽和的環(huán)。通式(3)~(12)中,Z為-CR0R0’-、-SiR0R0’-或-GeR0R0’-(Ge為鍺原子,R0和R0’與前述相同)。上述通式(3)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(22)~(25)任意之一所示的基團(tuán)。通式(22)~(25)中,R、a、b與前述相同,R1~R8分別與上述R的說明相同。通式(22)~(25)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(4)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(26)~(29)任意之一所示的基團(tuán)。通式(26)~(29)中,R、a、b與前述相同,R1~R8分別與上述R的說明相同。通式(26)~(29)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(5)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(6)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(7)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(30)所示的基團(tuán)。通式(30)中,R、V、a、b與前述相同。A1~A4各自獨立,表示-CR’R”-、-SiR’R”-、-O-、-NR’-、-CO-。這里,R’、R”與前述R相同,R’和R”可以相同也可以不同。A1~A4中的至少2個相鄰的基團(tuán)分別由-CR’R”-表示,且相鄰的R’之間、R”之間或R’與R”形成飽和鍵或不飽和鍵,形成碳原子數(shù)為4~50的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。W為1~10的整數(shù)。通式(30)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(8)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(31)所示的基團(tuán)。通式(31)中,R、V、a、b、A1~A4、w與前述相同。通式(31)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(9)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(32)~(35)任意之一所示的基團(tuán)。通式(32)~(35)中,R、a、b、c與前述相同,R1~R8分別與上述R的說明相同。通式(32)~(35)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(10)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(36)~(39)任意之一所示的基團(tuán)。通式(36)~(39)中,R、a、b、c與前述相同,R1~R8分別與上述R的說明相同。通式(36)~(39)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(11)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(40)所示的基團(tuán)。通式(40)中,R、V、a、b、A1~A4、w、e與前述相同。通式(40)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(12)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(41)所示的基團(tuán)。通式(41)中,R、V、a、b、A1~A4、w、f與前述相同。通式(41)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。下面,對通式(2)中的B進(jìn)行說明。通式(2)中,B為下述通式(13)~(15)所示的基團(tuán),它們也可以單獨或組合。q為0~20(優(yōu)選0~10)的整數(shù)。通式(13)~(15)中,R、V、E、Z、Q、a和b與前述相同。上述通式(13)和(14)的基團(tuán)分別優(yōu)選為下述通式(42)和(43)所示的基團(tuán)。通式(42)和(43)中,R、V、a、b、A1~A4、w與前述相同。通式(42)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。通式(43)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(15)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(44)所示的基團(tuán)。通式(44)中,R與前述相同。下面,對通式(2)中的C進(jìn)行說明。通式(2)中,C為取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基或取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基,多個C可以相同也可以不同。p為0~20(優(yōu)選0~10)的整數(shù)。上述C的取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基的例子有亞甲基、亞乙基、亞丙基、イソピレン基、亞正丁基、仲亞丁基、亞異丁基、二甲基亞甲基、亞正戊基、亞正己基、亞正庚基、亞正辛基、氯亞甲基、1-氯亞乙基、2-氯亞乙基、2-氯亞異丁基、1,2-二氯亞乙基、1,3-二氯亞異丙基、1,2,3-三氯亞丙基、溴亞甲基、1-溴亞乙基、2-溴亞乙基、2-溴亞異丁基、1,2-二溴亞乙基、1,3-二溴亞異丙基、1,2,3-三溴亞丙基、碘亞甲基、1-碘亞乙基、2-碘亞乙基、2-碘亞異丁基、1,2-二碘亞乙基、1,3-二碘亞異丙基、1,2,3-三碘亞丙基、亞環(huán)丙基、亞環(huán)丁基、亞環(huán)戊基、亞環(huán)己基、4-甲基亞環(huán)己基、金剛烷-1,1-二基、金剛烷-1,3-二基等。上述C的取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基的例子有以下等。下面,對通式(2)中的D進(jìn)行說明。通式(2)中,與金屬原子配位的部分D優(yōu)選為從下述通式(20)所示的分子中除去氫原子的基團(tuán)。Q1和Q2各自獨立,為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或它們的衍生物,Q1和Q2中的至少1個為苯環(huán)或其衍生物,Q1和Q2中的任意1個與上述金屬原子M形成碳原子-金屬原子鍵,另一個形成配位鍵。Q1和Q2的芳族烴基、芳族雜環(huán)基的例子有與上述R的說明同樣的基團(tuán)。Z3為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-(R0和R0’與前述相同)。通式(20)的優(yōu)選的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(2)中,D優(yōu)選為取代或未取代的苯基吡啶基。上述通式(2)中,A和/或B含有至少1個以上具有螺骨架的結(jié)構(gòu)。在上述通式(2)中,優(yōu)選本發(fā)明的配位金屬化合物的A為選自下述通式(5)、(6)和(22)~(41)的基團(tuán),且B為選自下述通式(42)~(44)的基團(tuán)。上述通式(1)中的L1優(yōu)選為下述通式(16)所示的配體。上述通式(16)中,A為下述通式(3)~(12)任意之一所示的基團(tuán),多個A可以相同也可以不同。通式(3)~(12)中的R、V、E、Q、Z、a~f與前述相同。通式(16)中的C與前述相同,多個C可以相同也可以不同。s、t和u分別為0~20(優(yōu)選0~10)的整數(shù)。通式(16)中的B1為下述通式(17)~(19)任意之一所示的3價基團(tuán),它們可以單獨或組合。上述通式(17)~(19)中,R、V、Z、Q、a和b與前述相同。上述通式(17)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(45)所示的基團(tuán)。通式(45)中,R、a、b與前述相同。上述通式(18)的基團(tuán)優(yōu)選為下述通式(46)所示的基團(tuán)。通式(46)中,R、V、a、b、A1~A4、w與前述相同。通式(45)和(46)的基團(tuán)的例子如下所示,但并不限于這些。上述通式(16)中,與金屬原子配位的部分D優(yōu)選為從下述通式(20)所示的分子中除去氫原子的基團(tuán)。上述通式(16)中,D優(yōu)選為取代或未取代的苯基吡啶基。上述通式(16)中,A和/或B1含有至少1個以上具有螺骨架的結(jié)構(gòu)。在上述通式(16)中,優(yōu)選本發(fā)明的配位金屬化合物的A為選自下述通式(22)~(41)的基團(tuán),且B為下述通式(45)或(46)。上述通式(1)中的x為1至金屬原子M的價數(shù)的整數(shù),y為0~4的整數(shù),z為0~4的整數(shù)。上述通式(1)中的M為銥(Ir)、鉑(Pt)、鋨(Os)、銠(Rh)、錸(Re)、鈀(Pd)、釕(Ru)、鎢(W)、金(Au)或銀(Ag)的金屬原子,優(yōu)選Ir。y為1或以上時,多個金屬原子M可以相同也可以不同。當(dāng)y為1或以上時,上述通式(1)中的P是連接金屬原子M的配體,有以下的例子,但并不限于這些。上述通式(1)中的L2是與金屬原子M配位的配體,可以與上述L1相同,例如優(yōu)選F、Cl、Br、I等鹵素原子,含有雜原子的烷基或芳基、芳族雜環(huán)基等,優(yōu)選為選自鹵素原子、乙酰丙酮衍生物、8-羥基喹啉衍生物和苯基吡啶衍生物的至少一種。L2的具體例子如下所示。但并不限于這些。本發(fā)明的通式(1)所示的配位金屬化合物的具體例子如下所示,但并不限于這些例示化合物。下面,對本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料進(jìn)行說明。本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料含有至少一種下述通式(1’)所示結(jié)構(gòu)的化合物。式(1’)中,X、Y1和Y2各自獨立,表示單鍵、-CR’R”-、-SiR’R”-、-CO-或-NR’,Q表示碳原子、硅原子或鍺原子。Z表示含有重金屬絡(luò)合物的2價基團(tuán)。R’、R”表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的基團(tuán)。R1~R8各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、鏈烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基或雜環(huán)基、以及碳原子數(shù)為6~50的芳基、芳氧基、芳硫基、芳氨基、二芳氨基或烷基芳基氨基的基團(tuán)。R1~R8中,相鄰的2個取代基可互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu)。Z的例子有從下述通式(2’)所示的金屬絡(luò)合物中除去2個氫形成的2價基團(tuán)。式(2’)中,L1表示金屬配位部分,該金屬配位部分與式(1’)的Y1和Y2鍵合,由下述通式(3’)表示。式(3’)中,A1和A2各自獨立,表示選自取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基的基團(tuán),兩者中至少1個為苯基或取代的苯基。式(3’)中,B1為單鍵、-CR’R”-、-SiR’R”-、-CO-或-NR’-。R’、R”表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的基團(tuán)。上述通式(3’)所示的金屬配位部分的優(yōu)選的例子如下所示。其中,特別優(yōu)選的金屬配位部分由有下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成。上述通式(2’)中,M表示選自Ir、Pt、Os、Rh、Re、Pd、Ru、W、Au和Ag的金屬原子,其中,優(yōu)選的金屬原子為Ir(銥)。式(2’)中,“L1→M”是指L1與金屬原子M配位,從以下選擇。(這里,L1的碳原子與金屬原子M鍵合,選自N、O和S的原子與金屬原子M形成配位鍵。)上述配位形式的例子中,特別優(yōu)選的是下述的配位形式,碳原子與金屬M鍵合,N原子與金屬M形成配位鍵。式(2’)中,L2是與金屬配位的配體,可以與L1相同也可以不同?!癓2→M”是指L2與金屬原子M配位,從鹵素原子的σ鍵或下述中選擇。(這里,L2的選自碳原子、O和N的原子與金屬原子M鍵合,選自N、O和S的原子與金屬原子M形成配位鍵。)L2優(yōu)選為選自鹵素原子、下述通式所示的乙酰丙酮衍生物、8-羥基喹啉衍生物和苯基吡啶衍生物的至少一種。式中,R11~R27各自獨立,表示選自氫原子、氰基、硝基、鹵素原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~20的烷基、烷氧基、烷基甲硅烷基或?;⑷〈蛭慈〈陌被?、取代或未取代的碳原子數(shù)為6~30的芳基的基團(tuán)。L2優(yōu)選乙酰丙酮衍生物、8-羥基喹啉衍生物和苯基吡啶衍生物。式(2’)中,n表示1~x(x金屬的價數(shù))的整數(shù),m表示0~(x-n)的整數(shù)。以下給出含有至少一種上述通式(1’)的結(jié)構(gòu)的化合物的例子,但本發(fā)明并不受該例示化合物的限制。本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料的例子有含有至少一種下述通式(4’)所示的化合物。(E1)-(C1)p1-(C2)p2-(Phos)-(C3)p3-(C4)p4-(E2)(4’)式(4’)中,(Phos)是上述通式(1’)中除去R1~R8中的2個而形成的2價基團(tuán)。通式(1’)中的Z優(yōu)選由上述通式(2’)表示。E1和E2各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基和羥基的基團(tuán)。C1~C4表示選自取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基和取代或未取代的碳原子數(shù)為6~50的2價亞芳基的基團(tuán)。p1~p4分別為0~20的整數(shù),優(yōu)選0~5的整數(shù)。E1和E2所示的取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基對三聯(lián)苯-4-基、芴基、9,9-二己基芴基、9,9-二辛基芴基等。取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基的例子有1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮雜茚基、2-異氮雜茚基、3-異氮雜茚基、4-異氮雜茚基、5-異氮雜茚基、6-異氮雜茚基、7-異氮雜茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1,7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1,7-菲咯啉-6-基、1,7-菲咯啉-8-基、1,7-菲咯啉-9-基、1,7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1,8-菲咯啉-3-基、1,8-菲咯啉-4-基、1,8-菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1,8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1,9-菲咯啉-2-基、1,9-菲咯啉-3-基、1,9-菲咯啉-4-基、1,9-菲咯啉-5-基、1,9-菲咯啉-6-基、1,9-菲咯啉-7-基、1,9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1,10-菲咯啉-3-基、1,10-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-1-基、2,9-菲咯啉-3-基、2,9-菲咯啉-4-基、2,9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2,8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2,8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2,8-菲咯啉-9-基、2,8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2,7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2,7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、3-吩嗪基、4-吩嗪基、10-吩嗪基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基叔丁基、1,2,3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等。取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基是以-OY表示的基團(tuán),Y的例子有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基叔丁基、1,2,3-三硝基丙基等。取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基的例子有芐基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、對甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對氯芐基、間氯芐基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氨基芐基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基是-OY’表示的基團(tuán),Y’的例子有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基對三聯(lián)苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異氮雜茚基、3-異氮雜茚基、4-異氮雜茚基、5-異氮雜茚基、6-異氮雜茚基、7-異氮雜茚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1,7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1,7-菲咯啉-6-基、1,7-菲咯啉-8-基、1,7-菲咯啉-9-基、1,7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1,8-菲咯啉-3-基、1,8-菲咯啉-4-基、1,8-菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1,8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1,9-菲咯啉-2-基、1,9-菲咯啉-3-基、1,9-菲咯啉-4-基、1,9-菲咯啉-5-基、1,9-菲咯啉-6-基、1,9-菲咯啉-7-基、1,9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1,10-菲咯啉-3-基、1,10-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-1-基、2,9-菲咯啉-3-基、2,9-菲咯啉-4-基、2,9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2,8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2,8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2,8-菲咯啉-9-基、2,8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2,7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2,7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、3-吩嗪基、4-吩嗪基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基1-吲哚基、4-叔丁基1-吲哚基、2-叔丁基3-吲哚基、4-叔丁基3-吲哚基等。取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基是-SY’表示的基團(tuán),Y’的例子與前述相同。取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基是-COOY表示的基團(tuán),Y的例子與前述相同。C1~C4所示的取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基的例子有亞甲基、亞乙基、亞丙基、イソピレン基、亞正丁基、仲亞丁基、亞異丁基、二甲基亞甲基、亞正戊基、亞正己基、亞正庚基、亞正辛基、氯亞甲基、1-氯亞乙基、2-氯亞乙基、2-氯亞異丁基、1,2-二氯亞乙基、1,3-二氯亞異丙基、1,2,3-三氯亞丙基、溴亞甲基、1-溴亞乙基、2-溴亞乙基、2-溴亞異丁基、1,2-二溴亞乙基、1,3-二溴亞異丙基、1,2,3-三溴亞丙基、碘亞甲基、1-碘亞乙基、2-碘亞乙基、2-碘亞異丁基、1,2-二碘亞乙基、1,3-二碘亞異丙基、1,2,3-三碘亞丙基、亞環(huán)丙基、亞環(huán)丁基、亞環(huán)戊基、亞環(huán)己基、4-甲基亞環(huán)己基、金剛烷-1,1-二基、金剛烷-1,3-二基等。C1~C4所示的取代或未取代的碳原子數(shù)為6~50的2價亞芳基的例子有以下結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。以下給出上述通式(4’)所示化合物,但本發(fā)明并不受這些化合物的限定。本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料的例子有含有以下說明的兩種聚合物(A、B)的。聚合物A是通式(1’)的R1~R8中的至少1個為聚合性基團(tuán)或含有聚合性基團(tuán)的核碳原子數(shù)為6~50的芳基,是含有使通式(1’)所示的化合物聚合或共聚而構(gòu)成的聚合物的。聚合性基團(tuán)的例子有乙烯基或環(huán)氧基等,優(yōu)選的聚合性基團(tuán)為乙烯基。以下給出聚合物A的例子,但本發(fā)明并不受該例示化合物的限制。共聚單體的例子有具有聚合性乙烯基的化合物。優(yōu)選如下所示的含乙烯基化合物。可以使用多個這些共聚單體進(jìn)行共聚。以下給出上述共聚物的例子,但本發(fā)明并不受這些例示化合物的限制。聚合物B是含有以下聚合物或共聚物的,其中所述聚合物或共聚物是以除去選自上述通式(1’)的R1~R8的2個而形成的2價基團(tuán)作為單元結(jié)構(gòu)。該單元結(jié)構(gòu)的例子如下所示。共聚的共聚單體優(yōu)選取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的2價芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的2價芳族雜環(huán)基、碳原子數(shù)為18~50的2價三芳胺衍生物,可以使用多個共聚單體共聚。進(jìn)一步優(yōu)選的共聚單體單元如下所示。上述聚合物A或B的優(yōu)選的分子量(Mw)為1000~3000000,特別優(yōu)選1000~1000000。以下給出上述聚合物B(也包含共聚物)的例子,但本發(fā)明并不受該例示化合物的限制。以下對本發(fā)明的有機(jī)EL元件的元件構(gòu)成進(jìn)行說明。本發(fā)明的有機(jī)EL元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中該有機(jī)薄膜層的至少一層含有上述配位金屬化合物或有機(jī)EL元件用材料。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的代表性元件有以下的結(jié)構(gòu)(1)陽極/發(fā)光層/陰極(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(5)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極(6)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極(7)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/附著改善層/陰極(8)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(9)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(10)陽極/無機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(11)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(12)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極等。但并不限于這些。本發(fā)明的配位金屬化合物和有機(jī)EL元件用材料可以用于上述的任意層中,優(yōu)選用于發(fā)光層中。將本發(fā)明的含螺接的化合物用于發(fā)光層時,通??膳c有機(jī)EL元件中所用的各種有機(jī)材料混合使用,特別優(yōu)選使用含苯乙烯基的胺化合物或芳胺化合物作為摻雜劑。優(yōu)選本發(fā)明的有機(jī)EL元件制備透光性的基板。這里所述透光性基板是支撐有機(jī)EL元件的基板,在400~700nm可見光區(qū)的光透射率為50%或以上,優(yōu)選為平滑的基板。具體有玻璃板、聚合物板等。玻璃板特別有堿石灰玻璃、含鋇·鍶的玻璃、鉛玻璃、硅鋁酸玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。聚合物板可以例舉聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚砜等。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的陽極承擔(dān)著將空穴注入空穴傳輸層或發(fā)光層的作用,具有4.5eV或以上的功函數(shù)是有效的。本發(fā)明中所使用的陽極材料的具體例子可采用氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、金、銀、鉑、銅等。作為陰極,其目的是向電子傳輸層或發(fā)光層注入電子,優(yōu)選功函數(shù)小的材料。陽極可通過蒸鍍法或濺射法等方法,使這些電極物質(zhì)形成薄膜來制作。如上所述,由陽極獲得發(fā)光層的發(fā)光時,優(yōu)選陽極對發(fā)光的透射率大于10%。還優(yōu)選電極的表面電阻為數(shù)百Ω/□或以下。陽極的膜厚根據(jù)材料而不同,通??稍?0nm~1μm,優(yōu)選10~200nm的范圍選擇。本發(fā)明的有機(jī)EL元件優(yōu)選在上述發(fā)光層和陽極之間具有空穴傳輸層,該空穴傳輸層含有芳胺衍生物作為主要成分。另外,空穴傳輸層中含有的空穴傳輸材料優(yōu)選三重態(tài)能量為2.52~3.7eV,進(jìn)一步優(yōu)選2.8~3.7eV。通過使用所述范圍的空穴傳輸材料,可以防止發(fā)光層的激發(fā)能量失活。上述空穴傳輸材料優(yōu)選下述通式(A)和(B)所示的材料。(式中,Ar7是碳原子數(shù)為6~40的芳基,Ar8和Ar9分別是氫原子或碳原子數(shù)為6~40的芳基,m為1~6的整數(shù)。)(式中,Ar10和Ar16是碳原子數(shù)為6~40的芳基,Ar11~Ar15分別是氫原子或碳原子數(shù)為6~40的芳基,稠合數(shù)p、q、r、s分別為0或1。)上述通式(A)和(B)中,碳原子數(shù)為6~40的芳基中,優(yōu)選的核原子數(shù)為5~40的芳基有苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、蒄基(コロニル)、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、苯硫基、苯并苯硫基、二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基(フルオランテニル)、苊并熒蒽基(アセナフトフルオランテニル)等。優(yōu)選的核原子數(shù)為5~40的亞芳基的例子有亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芘基、亞蒄基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞吡咯基、亞呋喃基、亞苯硫基、亞苯并苯硫基、亞二唑基、二苯基亞蒽基、亞吲哚基、亞咔唑基、亞吡啶基、亞苯并喹啉基、亞熒蒽基(フルオランテニレン)、亞苊并熒蒽基(アセナフトフルオランテニレン)等。碳原子數(shù)為6~40的芳基還可以被取代基取代,優(yōu)選的取代基有碳原子數(shù)為1~6的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)為1~6的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、核原子數(shù)為5~40的芳基、被核原子數(shù)為5~40的芳基取代的氨基、具有核原子數(shù)為5~40的芳基的酯基、具有碳原子數(shù)為1~6的烷基的酯基、氰基、硝基、鹵素原子。三重態(tài)能量為2.8eV或以上的空穴傳輸材料優(yōu)選為由下述通式(C)~(E)所示的化合物。(式中,Ar1、Ar2是可被碳原子數(shù)為1~6的烷基、烷氧基或苯基取代的、核碳原子數(shù)為6~18的芳基,R是碳原子數(shù)為4~6的烷基或烷氧基或核碳原子數(shù)為6~18的芳基。X表示單鍵、由-O-或-S-所示的連接基團(tuán),X可有可無。)(式中,Ar3表示核碳原子數(shù)為6~18的具有或不具有取代基的芳基,Ar4~Ar7分別表示核碳原子數(shù)為6~18的具有或不具有取代基的亞芳基,X1表示單鍵,-O-、-S-、-(CH2)n-(n為1~6的整數(shù))或-C(CH3)2-的連接基團(tuán),這些連接基團(tuán)可有可無,X2和X3分別表示單鍵,-O-、-S-、-(CH2)n-(n為1~6的整數(shù))或-C(CH3)2-的連接基團(tuán),它們可以相同也可以不同。)通式(C)和(D)中的Ar1~Ar7、R、X和X1~X3所示的各基團(tuán)以及取代基的具體例子與上述Cz和Ar1~Ar6所例舉的基團(tuán)相同。[式中,R1~R12各自獨立表示氫原子、鹵素原子、烷基、芳烷基、鏈烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、鹵代烷基、羥基、芳氧基、可具有取代基的芳族烴環(huán)基或芳族雜環(huán)基,R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10、R11和R12可分別在相鄰的取代基之間形成環(huán)。X表示如下所示的3價連接基團(tuán)。Ar1由可具有取代基的芳族烴環(huán)基、芳族雜環(huán)基或如下所示的通式(F)的任意之一表示。(式中,R13~R18各自獨立表示氫原子、鹵素原子、烷基、芳烷基、鏈烯基、氰基、可具有取代基的氨基、?;?、烷氧羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、鹵代烷基、羥基、芳氧基、可具有取代基的芳族烴基或芳族雜環(huán)基,R13和R14、R15和R16、R17和R18可分別在相鄰的取代基之間形成環(huán)。)]通式(F)中的R13~R18所示的各基團(tuán)以及取代基的具體例子與上述Cz和Ar1~Ar6所例舉的基團(tuán)相同。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中,空穴傳輸層如前述的說明。本發(fā)明的有機(jī)EL元件還可以具有空穴注入層,所述空穴注入層優(yōu)選為在更低的電場強(qiáng)度下將空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層的材料,進(jìn)一步優(yōu)選例如在施加104~106V/cm電場時,空穴的遷移率為10-4cm2/V·秒,可以從以往的在光導(dǎo)材料中常用作空穴電荷傳輸材料的材料、或公知用于空穴注入層的材料中選擇任意的材料使用??昭ㄗ⑷氩牧蟽?yōu)選具有以下特征的化合物具有傳輸空穴的能力、具有從陽極注入空穴的效果、對發(fā)光層或發(fā)光材料具有優(yōu)異的空穴注入效果、防止在發(fā)光層生成的激子向電子注入層或電子注入材料移動、且薄膜形成能力優(yōu)異。具體有酞菁衍生物、萘酞菁(ナフタロシアニン)衍生物、卟啉衍生物、唑、二唑、三唑、咪唑、咪唑啉酮、イミダゾ一ルチオン、吡唑啉、吡唑啉酮、四氫咪唑、唑、二唑、腙、酰腙、多芳基烷、芪、丁二烯、聯(lián)苯胺型三苯胺、苯乙烯基胺型三苯胺、二胺型三苯胺等、和它們的衍生物、以及聚乙烯基咔唑、聚硅烷、聚亞乙基二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸鹽、導(dǎo)電性高分子等高分子材料,但不限于這些。這些孔穴注入材料中,最有效的空穴注入材料是芳族叔胺衍生物或酞菁衍生物。芳族叔胺衍生物的具體例子有三苯胺、三甲苯胺、甲苯基二苯胺、N,N’-二苯基-N,N’-(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、N,N,N’,N’-(4-甲基苯基)-1,1’-苯基-4,4’-二胺、N,N,N’,N’-(4-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-二萘基-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、N,N’-(甲基苯基)-N,N’-(4-正丁基苯基)-菲-9,10-二胺、N,N-雙(4-二-4-甲苯氨基苯基)-4-苯基-環(huán)己烷等,或者具有這些芳族叔胺骨架的低聚物或聚合物,但并不限定于這些。酞菁(Pc)衍生物的具體例子有H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc等酞菁衍生物和萘酞菁衍生物,但不限于這些??昭ㄗ⑷?、傳輸層可將上述化合物用例如真空蒸鍍法、旋涂法、流延法、LB法等公知的方法,通過制成薄膜而形成??昭ㄗ⑷?、傳輸層的膜厚沒有特別限制,通常為5nm~5μm。只要該空穴注入、傳輸層在空穴傳輸帶域含有本發(fā)明的化合物,則可以由含有一種或2種或以上上述材料的一層構(gòu)成,或者將含有與上述空穴注入、傳輸層不同的化合物的空穴注入、傳輸層層疊。有機(jī)半導(dǎo)體層是幫助向發(fā)光層進(jìn)行空穴注入或電子注入的層,優(yōu)選具有10-10S/cm或以上的電導(dǎo)率。所述有機(jī)半導(dǎo)體層的材料可以使用含噻吩低聚物或日本特開平8-193191號公報所公布的含芳胺低聚物等的導(dǎo)電性低聚物、含芳胺樹枝狀聚合物等導(dǎo)電性樹枝狀聚合物等。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的發(fā)光層同時具有以下功能。即,(1)注入功能施加電場時,可由陽極或空穴傳輸層注入空穴,可由陰極或電子注入層注入電子的功能(2)傳輸功能使注入的電荷(電子和空穴)通過電場的力移動的功能(3)發(fā)光功能提供電子和空穴復(fù)合的場所,使其與發(fā)光相連接的功能。不過,空穴注入的容易程度和電子注入的容易程度可以有不同,以空穴和電子的遷移率表示的傳輸能力可以有大小,優(yōu)選使其中一方的電荷移動。形成該發(fā)光層的方法例如可采用蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。本發(fā)明中,在無損本發(fā)明的范圍內(nèi),可以根據(jù)需要,在發(fā)光層中含有除含本發(fā)明的配位金屬化合物的發(fā)光材料以外其它公知的發(fā)光材料(PVK、PPV、CBP、Alq、BAlq、公知的絡(luò)合物等)或下述說明的發(fā)光材料。本發(fā)明的化合物中,可以以金屬不配位的狀態(tài)使用,還可以在本發(fā)明的化合物中將不配位的金屬和配位的金屬混合使用。發(fā)光層中可含有的化合物的例子有如下述通式(L1)~(L22)的任意的結(jié)構(gòu)。另外,下述結(jié)構(gòu)中,苯基部分和噻吩部分可被烷基或碳原子數(shù)為6~10的芳基取代。(式中,Cz為咔唑基、碳原子數(shù)為18~60芳基咔唑基、氮雜咔唑基、碳原子數(shù)為18~60的芳基氮雜咔唑基、吖啶基、吩嗪基或二苯并氮雜?;?,可被取代。Ar1和Ar2各自獨立,為取代或未取代的碳原子數(shù)為6~60的芳基或者取代或未取代的碳原子數(shù)為3~60的雜環(huán)基。)通式(L1)~(L22)所示的發(fā)光材料有如下所示的化合物。這些化合物優(yōu)選為基質(zhì)材料,傳輸電荷,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為110℃或以上。如果三重態(tài)能量為2.76eV或以上,則具有激發(fā)發(fā)綠色、紅色光絡(luò)合物的能力,因而優(yōu)選。并且,這些化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為110℃或以上,三重態(tài)能量為2.82eV或以上,進(jìn)一步可為2.85eV或以上,因此高溫保存性優(yōu)異,與CBP相比,可進(jìn)一步提高綠色發(fā)光元件的發(fā)光效率。為激發(fā)發(fā)綠色、紅色光的絡(luò)合物,特別優(yōu)選三重態(tài)能量為2.82~2.92eV。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中,發(fā)光層的基質(zhì)材料的三重態(tài)能量為2.76eV或以上,則發(fā)藍(lán)色光的能力高,因而優(yōu)選,進(jìn)一步優(yōu)選為2.85或以上。優(yōu)選上述發(fā)光層的基質(zhì)材料為電子傳輸性。本發(fā)明中,基質(zhì)材料為電子傳輸性是指為下述(1)或(2)的任意之一的情況。(1)發(fā)光層中的基質(zhì)材料的電子遷移率為10-6cm2/Vs或以上的化合物。電子遷移率可通過飛行時間法(TOF)或空間電荷限制電流的瞬態(tài)測定來測定。TOF法記載于(Synth.Met.)111/112,(2000)331頁中,空間電荷限制電流的瞬態(tài)測定可參照ElectricalTransportinSolids,PergamonPress,1981年、第346~348頁的記載。(2)發(fā)光層的陽極一側(cè)區(qū)域的空穴和電子的復(fù)合容易因為陰極一側(cè)的復(fù)合而發(fā)生。這相當(dāng)于在將發(fā)光層的區(qū)域分為兩部分,制成(陰極/電子注入層/陰極側(cè)發(fā)光層/陽極側(cè)發(fā)光層/空穴傳輸層/陽極側(cè))的層構(gòu)成時,將只在陽極側(cè)發(fā)光層中添加磷光發(fā)光性化合物的元件AN和只在陰極側(cè)發(fā)光層中添加磷光發(fā)光性化合物的元件CA進(jìn)行比較,元件AN的發(fā)光效率大的情況。此時應(yīng)注意由電子注入層或空穴傳輸層不使發(fā)光層的激發(fā)狀態(tài)猝滅。上述電子傳輸性不意味著沒有空穴傳輸性。因此雖然為電子傳輸性,但測定空穴遷移率時,也有即使是大于10-7cm2/Vs的值,也稱其為電子傳輸性的情況。以往,作為發(fā)光層的基質(zhì)材料使用的聚乙烯基咔唑或雙咔唑等的聚咔唑化合物通常為空穴傳輸性,電子傳輸能力小。使用這樣的空穴傳輸性材料作為基質(zhì)材料,則發(fā)光層的陰極一側(cè)的界面附近成為主要的復(fù)合區(qū)域。此時,在發(fā)光層和陰極之間夾入電子注入層,電子注入層中含有能隙比形成發(fā)光層的基質(zhì)材料的能隙小的電子傳輸材料,則以發(fā)光層的陰極一側(cè)界面附近為中心產(chǎn)生的激發(fā)狀態(tài)因電子注入層而失活,效率極端降低。另外,形成電子注入層的電子傳輸材料的三重態(tài)能量比形成發(fā)光層的基質(zhì)材料的三重態(tài)能量小時,以發(fā)光層的陰極一側(cè)界面附近為中心產(chǎn)生的激發(fā)狀態(tài)因電子注入層而失活,效率極端降低。與此相對,通過使形成發(fā)光層的基質(zhì)材料為電子傳輸性,或者使發(fā)光層為電子傳輸性,電子與空穴復(fù)合的區(qū)域離開了電子注入層和發(fā)光層的界面,可防止失活。本發(fā)明中,優(yōu)選發(fā)光層的基質(zhì)材料為電子欠缺性的含氮5元環(huán)衍生物或含氮6元環(huán)衍生物。這里,電子欠缺性是指例如將6π芳族環(huán)的碳變?yōu)?個或以上的氮的。優(yōu)選上述含氮5元環(huán)衍生物為具有至少一種選自咪唑、苯并咪唑、三唑、四唑、二唑、噻二唑、三唑和噻三唑骨架的,進(jìn)一步優(yōu)選具有咪唑、苯并咪唑骨架的。上述含氮6元環(huán)衍生物為具有至少一種選自三嗪、喹喔啉、喹啉、苯并嘧啶、吡啶、吡嗪和嘧啶骨架的,進(jìn)一步優(yōu)選為具有三嗪、嘧啶骨架的。特別優(yōu)選上述發(fā)光層中的基質(zhì)材料由下述通式(G)或(H)表示(Cz-)mA(G)(式中,Cz為取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的氮雜咔唑基。A為芳基取代含氮環(huán)基、二芳基取代含氮環(huán)基或者三芳基取代含氮環(huán)基。m為1~3的整數(shù))。Cz-An(H)(式中,Cz為取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的氮雜咔唑基。A為芳基取代含氮環(huán)基、二芳基取代含氮環(huán)基或者三芳基取代含氮環(huán)基。n為1~3的整數(shù))。通式(G)和(H)中,優(yōu)選的含氮環(huán)有吡啶、喹啉、吡嗪、嘧啶、喹喔啉、三嗪、咪唑、咪唑并吡啶等。通式(G)和(H)中,由Cz的部分決定電離電位的值,其值為5.6eV~5.8eV。優(yōu)選本發(fā)明的有機(jī)EL元件在上述發(fā)光層和陰極之間具有電子注入、傳輸層,該電子注入、傳輸層含有含氮環(huán)衍生物作為主要成分。上述電子注入、傳輸層所使用的電子傳輸材料優(yōu)選使用在分子內(nèi)含有1個或以上的雜原子的芳族雜環(huán)化合物,特別優(yōu)選含氮環(huán)衍生物。含氮環(huán)衍生物的具體化合物優(yōu)選具有5元環(huán)唑骨架的。芳族雜環(huán)化合物為基本骨架內(nèi)具有2個或以上除碳原子、氫原子以外的原子的化合物,可以是單環(huán)或稠環(huán)。優(yōu)選含氮環(huán)衍生物除1個氮原子之外,還具有1個或以上選自氮、氧、硫原子的原子,進(jìn)一步優(yōu)選骨架內(nèi)具有2個或以上氮原子的芳族雜環(huán)。雜原子可在稠合位置,也可以在非稠合位置。含有2個或以上雜原子的雜環(huán)骨架的例子優(yōu)選吡唑、咪唑、吡嗪、嘧啶、吲唑、嘌呤、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、蝶啶、啶、菲咯啉、吡咯并咪唑、吡咯并三唑、吡唑并咪唑、吡唑并三唑、吡唑并嘧啶、吡唑并三嗪、咪唑并咪唑、咪唑并噠嗪、咪唑并吡啶、咪唑并吡嗪、三唑并吡啶、苯并咪唑、萘并咪唑、苯并唑、萘并唑、苯并噻唑、萘并噻唑、苯并三唑、テトラザインデン、三嗪等。上述之中,該電子傳輸性基質(zhì)材料優(yōu)選咪唑并噠嗪、咪唑并吡啶、咪唑并吡嗪、苯并咪唑、萘并咪唑等具有稠合唑骨架的化合物或具有三嗪骨架的化合物,進(jìn)一步優(yōu)選稠合咪唑并吡啶。具有唑骨架的化合物優(yōu)選下述通式(J)所示的化合物。(式中,R表示芳基。X表示O、S或N-Ra(Ra表示氫原子、脂族烴基、芳基或雜環(huán)基。)。Q與N和X鍵合,表示形成雜環(huán)所必需的原子組。R和X、R和Q在可能的情況下鍵合形成環(huán)。)上述含氮環(huán)衍生物優(yōu)選為以下所示的化合物。另一方面,電子傳輸材料有以下的二唑衍生物。(式中Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分別表示取代或未取代的芳基,互相可以相同或不同。Ar4、Ar7、Ar8表示取代或未取代的亞芳基,互相可以相同或不同。)這里,芳基的例子有苯基、聯(lián)苯基、蒽基、苝基、芘基。亞芳基有亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞苝基、亞芘基等。取代基有碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選具有成膜性的。上述電子傳輸材料的具體例子有以下。電子傳輸材料也優(yōu)選含氮絡(luò)合物,含氮絡(luò)合物是單一種類的含氮環(huán)衍生物配位的金屬絡(luò)合物,上述含氮環(huán)優(yōu)選為喹啉、苯基吡啶、苯并喹啉或菲咯啉。上述金屬絡(luò)合物優(yōu)選為羥基喹啉的金屬絡(luò)合物或其衍生物。具體的有以8-羥基喹啉衍生物為配體的金屬絡(luò)合物,例如三(8-羥基喹啉)Al絡(luò)合物、三(5,7-二氯-8-羥基喹啉)Al絡(luò)合物、三(5,7-二溴-8-羥基喹啉)Al絡(luò)合物、三(2-甲基-8-羥基喹啉)Al絡(luò)合物、三(5-甲基-8-羥基喹啉)Al絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Zn絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)In絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Mg絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Cu絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Ca絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Sn絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Ga絡(luò)合物、三(8-羥基喹啉)Pb絡(luò)合物等的一種單獨或兩種或以上的組合。這些金屬絡(luò)合物的能隙小,因此來自陰極的電子注入性優(yōu)異,電子傳輸?shù)哪途眯愿?,可實現(xiàn)長壽命的元件。這些金屬絡(luò)合物的具體例子如下所示。作為上述電子注入層的構(gòu)成成分,除上述電子傳輸材料之外,無機(jī)化合物優(yōu)選使用絕緣體或半導(dǎo)體。電子注入層由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成,則可有效防止電流泄漏,提高電子注入性。這樣的絕緣體優(yōu)選使用至少一種選自堿金屬硫?qū)僭鼗?、堿土金屬硫?qū)僭鼗铩A金屬的鹵化物和堿土金屬的鹵化物的金屬化合物。電子注入層由這些堿金屬硫?qū)僭鼗锏葮?gòu)成,則可進(jìn)一步提高電子注入性,因而優(yōu)選。具體來說,優(yōu)選的堿金屬硫?qū)僭鼗锏睦佑蠰i2O、LiO、Na2S、Na2Se和NaO。優(yōu)選的堿土金屬硫?qū)僭鼗锢缬蠧aO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。優(yōu)選的堿金屬鹵化物例如有LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。優(yōu)選的堿土金屬鹵化物例如有CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物,或氟化物以外的鹵化物。半導(dǎo)體的例子有含有至少一種選自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn的元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的一種單獨或兩種或以上的組合。構(gòu)成電子注入層的無機(jī)化合物優(yōu)選為微晶性或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。如果電子注入層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成,則可形成更均勻的薄膜,因此可減少黑點等像素缺陷。所述無機(jī)化合物有上述堿金屬硫?qū)僭鼗?、堿土金屬硫?qū)僭鼗?、堿金屬的鹵化物和堿土金屬的鹵化物等。優(yōu)選本發(fā)明的有機(jī)EL元件的陰極和有機(jī)薄膜層的界面區(qū)域添加有還原性摻雜劑。還原性摻雜劑的例子有選自堿金屬、堿金屬絡(luò)合物、堿金屬化合物、堿土金屬、堿土金屬絡(luò)合物、堿土金屬化合物、稀土金屬、稀土金屬絡(luò)合物、稀土金屬化合物、以及它們的鹵化物、氧化物等的至少一種。上述堿金屬的例子有Li(功函數(shù)2.93eV)、Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)和Cs(功函數(shù)1.95eV)等,特別優(yōu)選功函數(shù)為3.0eV或以下的堿金屬。其中優(yōu)選Li、K、Rb、Cs。上述堿土金屬有Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0~2.5eV)和Ba(功函數(shù)2.52eV)等,特別優(yōu)選功函數(shù)為3.0eV或以下的堿土金屬。上述稀土金屬有Sc、Y、Ce、Tb、Yb等,特別優(yōu)選功函數(shù)為3.0eV或以下的稀土金屬。以上金屬中,優(yōu)選的金屬的還原能力特別高,通過向電子注入?yún)^(qū)域添加較少量,即可實現(xiàn)有機(jī)EL元件發(fā)光亮度的提高、壽命的延長。上述堿金屬化合物的例子有Li2O、Cs2O、K2O等堿金屬氧化物,LiF、NaF、CsF、KF等堿金屬鹵化物等,優(yōu)選LiF、Li2O、NaF的堿金屬氧化物或堿金屬氟化物。上述堿土金屬化合物的例子有BaO、SrO、CaO以及它們混合而成的BaxSr1-xO(0<x<1)、或者BaxCa1-xO(0<x<1)等,優(yōu)選BaO、SrO、CaO。上述稀土金屬化合物有YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3等,優(yōu)選YbF3、ScF3、TbF3。上述堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物只要是分別含有堿金屬離子、堿土金屬離子、稀土金屬離子的至少一種作為金屬離子的即可,并沒有特別限定。配體優(yōu)選羥基喹啉、苯并羥基喹啉、吖啶酚、菲啶酚(フェナントリジノ一ル)、羥基苯基唑、羥基苯基噻唑、羥基二芳基二唑、羥基二芳基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯并三唑、羥基フルボラン、聯(lián)吡啶、菲咯啉、酞菁、卟啉、環(huán)戊二烯、β-二酮類、偶氮甲堿類以及它們的衍生物等,但并不限于這些。還原性摻雜劑的添加形式優(yōu)選在上述界面區(qū)域形成層狀或島狀。形成方法優(yōu)選通過電阻加熱蒸鍍法蒸鍍還原性摻雜劑,同時蒸鍍形成界面區(qū)域的發(fā)光材料或電子注入材料的有機(jī)物,將還原性摻雜劑分散于有機(jī)物中。分散濃度按照摩爾比為有機(jī)物∶還原性摻雜劑=100∶1~1∶100,優(yōu)選5∶1~1∶5。將還原性摻雜劑制成層狀時,要將作為界面有機(jī)層的發(fā)光材料或電子注入材料形成為層狀,然后通過電阻加熱蒸鍍法單獨蒸鍍還原性摻雜劑,優(yōu)選層的厚度形成為0.1~15nm。將還原性摻雜劑制成島狀時,要將作為界面有機(jī)層的發(fā)光材料或電子注入材料形成為島狀,然后通過電阻加熱蒸鍍法單獨蒸鍍還原性摻雜劑,優(yōu)選島的厚度形成為0.05~1nm。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中,優(yōu)選主要成分與還原性摻雜劑的比例按照摩爾比為主要成分∶還原性摻雜劑=5∶1~1∶5,進(jìn)一步優(yōu)選2∶1~1∶2。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中,陰極以功函數(shù)小(4eV或以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物以及它們的混合物作為電極物質(zhì)。所述電極物質(zhì)的具體例子有鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂·銀合金、鋁/氧化鋁、鋁·鋰合金、銦、稀土金屬等。該陰極可如下制作通過蒸鍍或濺射等方法,使這些電極物質(zhì)形成薄膜。這里,從陰極獲得發(fā)光層的發(fā)光時,優(yōu)選陰極對發(fā)光的透射率大于10%。陰極的表面電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω/□或以下,膜厚通??稍?0nm~1μm,優(yōu)選50~200nm。本發(fā)明的有機(jī)EL元件是在超薄膜上施加電場,因此容易發(fā)生因泄漏或短路導(dǎo)致的像素缺陷。為防止該問題,優(yōu)選在一對電極間插入絕緣性薄膜。絕緣層所使用的材料例如有氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。還可以使用它們的混合物或?qū)盈B物。本發(fā)明的有機(jī)EL元件各層的形成方法沒有特別限定。可使用以往公知的真空蒸鍍法、旋涂法等的形成方法。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中使用的、含有上述通式(1)或(1’)所示的化合物的有機(jī)薄膜層可通過真空蒸鍍法、分子束外延法(MBE法)或溶解于溶劑的溶液的浸漬法、旋涂法、流延法、棒涂法、輥涂法等公知的涂布法形成。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚沒有特別限定,通常膜厚過薄則容易產(chǎn)生針孔等缺陷,相反過厚則需要施加高的電壓,效率變差,因此通常優(yōu)選數(shù)nm至1μm的范圍。本發(fā)明的配位金屬化合物具有螺原子團(tuán)或咔唑基,因此對有機(jī)溶劑的溶解性高。因此,本發(fā)明的化合物中,分子量高,由真空蒸鍍法難以形成薄膜時,可通過浸漬法、旋涂法、流延法、棒涂法、輥涂法等涂布法容易地形成薄膜。本發(fā)明的發(fā)光性涂膜形成用材料由含有上述配位金屬化合物的有機(jī)溶劑溶液形成。發(fā)光性涂膜形成用材料是指例如在本發(fā)明的有機(jī)EL元件中,形成涂膜來制備與發(fā)光相關(guān)的有機(jī)薄膜層、具體即發(fā)光層、空穴注入(傳輸)層、電子注入(傳輸)層等的材料。發(fā)光性涂膜形成用材料在制備時所使用的溶劑的例子有二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿、四氯化碳、四氯乙烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、氯甲苯等鹵素系烴系溶劑,二丁基醚、四氫呋喃、二烷、茴香醚等醚系溶劑,甲醇或乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、環(huán)己醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、乙二醇等醇系溶劑,苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、四氫化萘、十二烷基苯、己烷、辛烷、癸烷等烴系溶劑,乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯等酯系溶劑等。其中優(yōu)選鹵素系烴系溶劑或烴系溶劑、醚系溶劑??梢詫⑦@些溶劑單獨使用,也可以將多種混合使用。但可使用的溶劑并不限于這些。優(yōu)選本發(fā)明的有機(jī)EL元件使用該發(fā)光性涂膜形成用材料形成。下面使用實施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明,但本發(fā)明并不受這些實施例的限定。實施例1(化合物(A17)的合成)化合物(A17)的合成途徑如下所示。(1)中間體1-1的合成在氬氣氛下,將溴化-2-吡啶基鋅(13.5g、60.6mmol)、1,3-二碘代苯(20g、60.6mmol)、Pd(PPh3)4(2.32g、2.0mmol)加入到無水四氫呋喃(300ml)中,在室溫下攪拌8小時。向反應(yīng)液中加入水,用乙酸乙酯萃取,用無水硫酸鎂干燥,然后用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器減壓濃縮。將得到的殘余物用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到目標(biāo)物質(zhì)。收量8.0g,收率47%(2)中間體1-2的合成在三頸燒瓶中加入3-溴代苯-1-硼酸(3.59g、17.9mmol)、中間體1-1(6.04g、21.5mmol)、Pd(PPh3)4(0.62g、0.54mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲基甲酰胺(50ml)和碳酸鉀(7.42g、53.7mmol)的水溶液(27ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體1-2。收量4.78g,收率86%(3)中間體1-3的合成在氬置換的300ml燒瓶中加入中間體1-2(4.0g、12.9mmol)、無水四氫呋喃(100ml),冷卻至-60℃,然后加入1.59M正丁基鋰的己烷溶液(12.6ml)。將反應(yīng)液在-20℃攪拌1小時,然后冷卻至-60℃,加入硼酸三異丙酯(6.28g、33.4mmol)的無水四氫呋喃溶液(40ml),攪拌1小時。將反應(yīng)液緩慢升溫至室溫,放置過夜。向反應(yīng)液中加入2N鹽酸(100ml),在室溫下攪拌1小時,然后分離有機(jī)層。將有機(jī)層用無水硫酸鎂干燥,然后用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器減壓濃縮。將得到的固體用正己烷洗滌,得到中間體1-3。收量2.94g,收率83%(4)中間體1-4的合成向三頸燒瓶中加入螺[茚滿-2,9’-芴-2’,7’-二溴](7.63g、17.9mmol)、中間體1-3(2.80g、17.9mmol)、Pd(PPh3)4(0.62g、0.54mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲氧基乙烷(50ml)和碳酸鈉(5.69g、53.7mmol)的水溶液(27ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體1-4。收量5.37g,收率52%(4)中間體1-5的合成向三頸燒瓶中加入4-(N-咔唑基)-苯基硼酸(2.47g、8.6mmol)、中間體1-4(3.82g、6.62mmol)、Pd(PPh3)4(0.36g、0.3mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲氧基乙烷(50ml)和碳酸鈉(1.97g、18.6mmol)的水溶液(27ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體1-5。收量3.13g,收率64%(5)化合物(A17)的合成在氬置換的燒瓶中加入中間體1-5(2.67g、3.62mmol)、乙酰丙酮銥(III)(Ir(acac)3)(0.35g、0.72mmol)、甘油(50ml),加熱回流15小時。過濾析出的固體,用甲醇洗滌。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物(A17)。通過90MHz1H-NMR和FD-MS(場解吸質(zhì)譜)的測定確認(rèn)是目標(biāo)物質(zhì)。FD-MS的測定結(jié)果如下所示。收量0.66g,收率38%FD-MS2403(M+,100)實施例2(化合物(A7)的合成)化合物(A7)的合成途徑如下所示。(1)中間體2-1的合成在氬置換的燒瓶中加入螺[茚滿-2,9’-芴-2’,7’-二溴](5.62g、13.2mmol)、無水四氫呋喃(50ml),冷卻至-60℃,然后加入1.59M正丁基鋰的己烷溶液(8.3ml、13.2mol)。將反應(yīng)液在-20℃攪拌1小時,然后冷卻至-60℃,加入硼酸三異丙酯(4.97g、26.4mmol)的無水四氫呋喃溶液(40ml),攪拌1小時。將反應(yīng)液緩慢升溫至室溫,放置過夜。向反應(yīng)液中加入2N鹽酸(100ml),在室溫下攪拌1小時,然后分離有機(jī)層。將有機(jī)層用無水硫酸鎂干燥,然后用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器減壓濃縮。將得到的固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑己烷/二氯甲烷=2/1)純化,得到中間體2-1。收量2.01g,收率39%(2)中間體2-2的合成向三頸燒瓶中加入中間體1-1(1.41g、5.0mmol)、中間體2-1(1.96g、5.0mmol)、Pd(PPh3)4(0.35g、0.3mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲氧基乙烷(20ml)和碳酸鈉(1.59g、15mmol)的水溶液(7.5ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體2-2。收量1.88g,收率75%(3)中間體2-3的合成向三頸燒瓶中加入中間體2-2(1.65g、3.3mmol)、3,5-二氯苯基硼酸(0.63g、3.3mmol)、Pd(PPh3)4(0.20g、0.17mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲基甲酰胺(10ml)和碳酸鉀(1.38g、10mmol)的水溶液(5ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體2-3。收量1.51g,收率81%(4)中間體2-4的合成向三頸燒瓶中加入中間體2-4(1.50g、2.65mmol)、4-(N-咔唑基)-苯基硼酸(1.90g、6.62mmol)、Pd2(dba)3(0.12g、0.13mmol)、碳酸銫(5.18g、15.9mmol),用氬氣置換。向其中加入三環(huán)己基膦(0.10g、0.36mmol)、二甲基甲酰胺(20ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體2-4。收量1.61g,收率62%(5)化合物(A7)的合成在氬置換的燒瓶中加入中間體2-4(1.47g、1.5mmol)、Ir(acac)3(0.15g、0.3mmol)、甘油(30ml),加熱回流15小時。過濾析出的固體,用甲醇洗滌。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物(A7)。通過90MHz1H-NMR和FD-MS的測定確認(rèn)是目標(biāo)物質(zhì)。FD-MS的測定結(jié)果如下所示。收量0.23g,收率25%FD-MS3126(M+,100)實施例3(化合物(A45)的合成)化合物(A45)的合成途徑如下所示。(1)中間體3-1的合成在氬氣氛下,加入螺[茚滿-2,9’-芴-2’,7’-二溴](5.63g、13.2mmol)、頻哪醇合乙硼烷(ピナコラ一トジボラン)(8.04g、31.7mmol)、PdCl2(dppf)(0.65g、0.79mmol)、乙酸鉀(7.73g、79.2mmol)、二甲基亞砜(50ml),在80℃攪拌8小時。向反應(yīng)液中加入水,過濾析出物并干燥。將得到的固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到目標(biāo)物質(zhì)。收量4.18g,收率81%(2)中間體3-2的合成向三頸燒瓶中加入中間體1-1(5g、17.8mmol)、3,5-二溴苯基硼酸(4.98g、17.8mmol)、Pd(PPh3)4(1.0g、0.9mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲氧基乙烷(50ml)和碳酸鈉(5.66g、53.4mmol)的水溶液(27ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化。收量6.37g,收率92%(3)中間體3-3的合成向三頸燒瓶中加入中間體3-2(1.65g、4.23mmol)、中間體3-1(5.0g、10.6mmol)、三(二亞芐基丙酮)合二鈀(0)Pd(PPh3)4(0.23g、0.2mmol),用氬氣置換。向其中加入二甲基甲酰胺(50ml)和碳酸鉀(2.49g、25.4mmol)的水溶液(13ml),加熱回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯萃取,減壓濃縮。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到中間體3-3。收量2.12g,收率75%(4)化合物(A45)的合成在氬置換的燒瓶中加入中間體3-3(2.0g、2.99mmol)、Ir(acac)3(0.29g、0.59mmol)、甘油(50ml),加熱回流15小時。過濾析出的固體,用甲醇洗滌。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物(A45)。通過90MHz1H-NMR和FD-MS的測定確認(rèn)是目標(biāo)物質(zhì)。FD-MS的測定結(jié)果如下所示。收量0.56g,收率43%FD-MS2478(M+,100)實施例4(有機(jī)EL元件的制作)將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(ジオマティック公司)在異丙醇中進(jìn)行5分鐘的超聲波洗滌,然后用UV臭氧洗滌30分鐘。使用實施例1中合成的化合物(A17)的氯仿溶液,通過旋涂法在該基板上成膜,以此作為發(fā)光層。此時的膜厚為50nm。在該膜上形成膜厚50nm的1,3,5-三[2-N-苯基苯并咪唑啉酮基]苯膜,以此作為電子傳輸層。之后,蒸鍍作為還原性摻雜劑的LiF,形成作為電子注入層(或陰極)的LiF膜。在該LiF膜上蒸鍍金屬Al,形成金屬陰極,制作有機(jī)EL元件。對所得有機(jī)EL元件進(jìn)行通電試驗,測定電壓、電流密度、發(fā)光效率、電功率,并觀察100℃下保存50小時后發(fā)光面的狀態(tài)。其結(jié)果如表1所示。實施例5實施例4中,使用實施例2中合成的化合物(A7)代替化合物(A17),以此作為發(fā)光層,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件。對所得的有機(jī)EL元件進(jìn)行通電試驗,測定電壓、電流密度、發(fā)光效率、電功率,并觀察100℃下保存50小時后發(fā)光面的狀態(tài)。其結(jié)果如表1所示。實施例6實施例4中,將12質(zhì)量%實施例3中合成的化合物(A45)加入到下述化合物CBP中,得到混合物,使用該混合物代替化合物(A17),以此作為發(fā)光層,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件。對所得的有機(jī)EL元件進(jìn)行通電試驗,測定電壓、電流密度、發(fā)光效率、電功率,并觀察100℃下保存50小時后發(fā)光面的狀態(tài)。其結(jié)果如表1所示。比較例1實施例4中,將12質(zhì)量%下述化合物Ir(ppy)3加入到上述化合物CBP中,得到混合物,使用該混合物代替化合物(A17),以此作為發(fā)光層,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件。對所得的有機(jī)EL元件進(jìn)行通電試驗,測定電壓、電流密度、發(fā)光效率、電功率,并觀察100℃下保存50小時后發(fā)光面的狀態(tài)。其結(jié)果如表1所示。比較例2實施例4中,將12質(zhì)量%下述化合物(H1)加入到下述化合物CBP中,得到混合物,使用該混合物代替化合物(A17),以此作為發(fā)光層,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件。對所得的有機(jī)EL元件進(jìn)行通電試驗,測定電壓、電流密度、發(fā)光效率、電功率,并觀察100℃下保存50小時后發(fā)光面的狀態(tài)。其結(jié)果如表1所示。表1如表1所示,使用本發(fā)明的配位金屬化合物的實施例4~6的有機(jī)EL元件與以往的使用磷光發(fā)光性化合物的比較例1和2的有機(jī)EL元件相比,可低電壓驅(qū)動,發(fā)光效率、電功率高。實施例4~6的有機(jī)EL元件具有高溫耐熱性,因此可長時間均勻發(fā)光。由比較例2可知,使用不具有螺接的化合物,則分子之間締合,放光效率低。實施例7(I)絡(luò)合物1的合成如下合成絡(luò)合物1。(1)化合物的合成氬氣氛下,將2,7-二溴芴(5g、15.4mmol)、二苯胺(10.4g、61.4mmol)、三(二亞芐基丙酮)合二鈀(0)(0.71g、0.8mmol)和叔丁醇鈉(4.84g、43.2mmol)懸浮于無水甲苯(50ml)中,加入三叔丁基膦/66質(zhì)量%甲苯溶液(0.38ml、1.3mmol),加熱回流10小時。將反應(yīng)混合物用硅膠過濾,用甲苯洗滌。從濾液中餾去溶劑,將所得的油用硅膠柱層析(己烷/二氯甲烷)純化,得到化合物1(收量5.86g,收率76%)。(2)化合物3的合成將氫化鋁鋰(2.7g、70.5mmol)懸浮于無水四氫呋喃(100ml)中,在室溫下滴加化合物2(8g、35.2mmol)的無水四氫呋喃溶液(100ml)。攪拌2小時后,依次向反應(yīng)液中加入乙酸乙酯(100ml)、水(100ml)。過濾反應(yīng)液,加入乙酸乙酯,分離有機(jī)層,用無水硫酸鎂干燥。餾去溶劑,得到化合物3(收量5.2g、收率68%)(3)化合物4的合成將化合物(3)(5.2g、23.9mmol)溶解于二氯甲烷(50ml)中,在室溫下加入N-溴琥珀酰亞胺(12.8g、71.7mmol),攪拌6小時。向反應(yīng)液中加入水(200ml),用乙醇洗滌析出的固體,得到化合物4(收量6.9g、收率84%)。(4)化合物5的合成氬氣氛下,將化合物1(5g、10mmol)、化合物4(3.4g、10mmol)、甲苯(15ml)、二甲基亞砜(15ml)、芐基三乙基氯化銨(0.05g、0.22mmol)和50質(zhì)量%氫氧化鈉水溶液(4ml)混合,在80℃攪拌8小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml)和甲苯(100ml),然后分離有機(jī)層,用飽和食鹽水洗滌,然后用無水硫酸鎂干燥。餾去溶劑,將所得殘余物用硅膠柱層析(己烷/二氯甲烷)純化,得到化合物5(收量3.9g、收率57%)。(5)化合物6的合成在氬氣氛下,將化合物5(3g、4.4mmol)、溴化-2-吡啶基鋅/0.5M四氫呋喃(11.4ml、5.7mmol)和四(三苯膦基)合鈀(0.15g、0.13mmol)加入到無水四氫呋喃中,加熱回流8小時。向反應(yīng)液中加入水,用乙酸乙酯萃取,用無水硫酸鎂干燥,然后用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器減壓濃縮。將得到的殘余物用硅膠逐層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物6(收量1.9g,收率63%)。(6)絡(luò)合物1的合成向氬置換的燒瓶中加入化合物6(1.5g、2.2mmol)、乙酰丙酮銥(III)(Ir(acac)3)(1.08g、2.2mmol)和甘油(50ml),在250℃加熱攪拌15小時。再向反應(yīng)液中加入2-苯基吡啶(0.68g、4.4mmol),在250℃加熱攪拌10小時。過濾析出的固體,用甲醇洗滌。將所得固體用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到絡(luò)合物1(收量0.88g,收率34%)。通過1H-NMR、FD-MS鑒定是上式所表示的絡(luò)合物1。(II)有機(jī)EL元件的制作將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(ジオマティック公司)在異丙醇中進(jìn)行5分鐘的超聲波洗滌,然后用UV臭氧洗滌30分鐘。通過旋涂法,在該基板上形成聚亞乙基二氧噻吩·聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT·PSS)的膜。此時的膜厚為50nm。接著使用混合有12質(zhì)量%合成的絡(luò)合物1的上述公知化合物(CBP)的氯仿溶液成膜。此時的膜厚為50nm。在該膜上形成50nm的1,3,5-三[2-N-苯基苯并咪唑啉酮基]苯膜。然后蒸鍍還原性摻雜劑LiF,形成作為電子注入層(陰極)的LiF膜。在該LiF膜上蒸鍍金屬Al,形成金屬陰極,制作有機(jī)EL元件。在施加表1所示的規(guī)定直流電壓的條件下,對所得有機(jī)EL元件測定發(fā)光效率。結(jié)果如表1所示。實施例8實施例7(II)中,使用絡(luò)合物2代替絡(luò)合物1,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件,進(jìn)行同樣的測定。結(jié)果如表2所示。絡(luò)合物2如下合成。(1)化合物7的合成在氬氣氛下,將2,7-二溴芴(5g、15.4mmol)、4-(N-咔唑基)苯基硼酸(11.1g、38.6mmol)、四(三苯膦基)合鈀(1.07g、0.92mmol)、甲苯(100ml)和2M碳酸鈉水溶液(46ml)混合,加熱回流10小時。向反應(yīng)液中加入水,過濾析出的固體,用水洗滌。用硅膠柱層析(二氯甲烷)純化,得到化合物7(收量8.3g,收率83%)。(2)化合物8的合成上述化合物5的合成中,使用化合物7(6.5g、10mmol)代替化合物1,除此之外進(jìn)行同樣的反應(yīng),得到化合物8(收量4.1g,收率50%)。(3)化合物9的合成上述化合物6的合成中,使用化合物8(3.7g、4.4mmol)代替化合物5,除此之外進(jìn)行同樣的反應(yīng),得到化合物9(收量2.5g,收率68%)。(4)絡(luò)合物2的合成上述絡(luò)合物1的合成中,使用化合物9(1.8g、2.2mmol)代替化合物6,除此之外進(jìn)行同樣的反應(yīng),得到絡(luò)合物2(收量0.64g,收率22%)。通過1H-NMR、FD-MS鑒定是上式所表示的絡(luò)合物2。比較例3實施例7中,代替絡(luò)合物1,使用混合有12質(zhì)量%Ir(ppy)3的CBP作為發(fā)光層,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件,進(jìn)行同樣的測定。其結(jié)果如表2所示。表2由上述表2可知使用本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料——絡(luò)合物1或絡(luò)合物2的實施例7、8的有機(jī)EL元件與使用公知材料Ir(ppy)3的比較例3的有機(jī)EL元件相比,低電壓下的發(fā)光效率高。實施例9(I)絡(luò)合物3的合成(1)化合物10的合成在氬氣氛下,將化合物2(5g、22mmol)、雙(頻哪醇(ピナコラト))合二硼(5.1g、20mmol)、[1,1-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯合鈀(II)·二氯甲烷絡(luò)合物(0.49g、0.6mmol)和乙酸鉀(5.9g、60mmol)溶解于二甲基亞砜(30ml)中,在80℃加熱10小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml),使固體析出,減壓下干燥。用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物10(收量5.0g,收率92%)。(2)化合物11的合成在氬氣氛下,將化合物10(5.0g、18.4mmol)、2-溴吡啶(3.49g、22mmol)、四(三苯膦基)合鈀(0.63g、0.55mmol)和2M碳酸鉀水溶液(28ml)加入到甲苯(50ml)中,在80℃加熱10小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml),使固體析出,減壓下干燥。用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物11(收量3.4g,收率83%)。(3)化合物12的合成在氬氣氛下,將氫化鋁鋰(1.2g、30.5mmol)懸浮于無水四氫呋喃(100ml)中,在室溫下滴加化合物11(3.4g、15.3mmol)的無水四氫呋喃溶液(100ml)。攪拌2小時,然后依次向反應(yīng)液中加入乙酸乙酯(100ml)、水(100ml)。過濾反應(yīng)液,加入乙酸乙酯,分離有機(jī)層,用無水硫酸鎂干燥。餾去溶劑,得到化合物12(收量3.1g、收率95%)(4)化合物13的合成將化合物12(3.1g、14.5mmol)溶解于二氯甲烷(50ml)中,在室溫下加入N-溴琥珀酰亞胺(5.2g、29mmol),在室溫下攪拌6小時。向反應(yīng)液中加入水(200ml),用乙醇洗滌析出的固體,得到化合物13(收量4.5g、收率91%)。(5)化合物14的合成氬氣氛下,將2-溴芴(2.45g、10mmol)、化合物13(3.4g、10mmol)、甲苯(15ml)、二甲基亞砜(15ml)、芐基三乙基氯化銨(0.05g、0.22mmol)和50質(zhì)量%氫氧化鈉水溶液(4ml)混合,在80℃攪拌8小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml)和甲苯(100ml),然后分離有機(jī)層,用飽和食鹽水洗滌,然后用無水硫酸鎂干燥。餾去溶劑,將所得殘余物用硅膠柱層析(己烷/二氯甲烷)純化,得到化合物14(收量2.3g、收率54%)。(6)化合物15的合成在氬氣氛下,將化合物14(2.3g、5.4mmol)、4-乙烯基苯基硼酸(0.8ml、5.4mmol)和四(三苯膦基)合鈀(0.19g、0.16mmol)加入到二甲氧基乙烷(10ml)和2M碳酸鈉水溶液(8ml)中,在60℃攪拌10小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml)和甲苯(100ml),萃取有機(jī)層,用無水硫酸鎂干燥。減壓下濃縮萃取液,將得到的殘余物用硅膠柱層析(洗脫溶劑二氯甲烷)純化,得到化合物15(收量1.1g,收率46%)。(7)化合物16的合成將N-乙烯基咔唑(0.81g、4.2mmol)和化合物15(0.1g、0.22mmol)、2,2-偶氮雙(異丁腈)(0.01g、0.061mmol)加入到乙酸丁酯(10ml)中,在80℃加熱攪拌10小時。向反應(yīng)液中加入丙酮,使固體析出,過濾。再將固體溶解于二氯甲烷中,加入甲醇,使固體析出,用甲醇洗滌固體,得到化合物16(收量0.83g)。通過NMR分析,得知化合物16中,m∶n=5∶95。另外,分子量(Mw)用聚苯乙烯換算為18000。(8)絡(luò)合物3的合成向氬置換的燒瓶中加入化合物6(0.8g)、Ir(acac)3(0.1g、0.2mmol)、甘油(50ml),在250℃加熱攪拌15小時。再向反應(yīng)液中加入2-苯基吡啶(0.068g、0.44mmol),在250℃加熱攪拌10小時。向反應(yīng)液中加入甲醇,使固體析出,過濾析出的固體,用甲醇洗滌,得到絡(luò)合物3(收量0.8g)。通過CHN和Ir的元素分析,鑒定是上式所表示的絡(luò)合物3。(II)有機(jī)EL元件的制作將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(ジオマティック公司)在異丙醇中進(jìn)行5分鐘的超聲波洗滌,然后用UV臭氧洗滌30分鐘。通過旋涂法,在該基板上形成聚亞乙基二氧噻吩·聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT·PSS)的膜。此時的膜厚為50nm。接著使用合成的絡(luò)合物3的氯仿溶液成膜。此時的膜厚為50nm。在該膜上形成50nm的1,3,5-三[2-N-苯基苯并咪唑啉酮基]苯膜。然后蒸鍍還原性摻雜劑LiF,形成作為電子注入層(陰極)的LiF膜。在該LiF膜上蒸鍍金屬Al,形成金屬陰極,制作有機(jī)EL元件。在施加表2所示的規(guī)定直流電壓的條件下,對所得有機(jī)EL元件測定發(fā)光效率,并觀察高溫保存后(110℃、50小時后)的發(fā)光面的發(fā)光狀態(tài)。結(jié)果如表3所示。表3<tablesid="table3"num="003"><tablewidth="739">實施例9比較例4發(fā)光層的材料絡(luò)合物-3絡(luò)合物-5電壓(V)8.410.2發(fā)光效率(cd/A)14.12.3110℃、50小時后發(fā)光面的狀態(tài)良好發(fā)生較多黑點</table></tables>由表3可知使用本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料——絡(luò)合物3的實施例9的有機(jī)EL元件與比較例4的有機(jī)EL元件相比,低電壓驅(qū)動,發(fā)光效率也高,高溫耐熱性高。由比較例4可知具有酯部分的金屬化合物缺乏耐熱穩(wěn)定性,使用該化合物的元件發(fā)生較多黑點。實施例10實施例9(II)中,使用絡(luò)合物4代替絡(luò)合物3,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件,在施加表4所示的規(guī)定的直流電壓的條件下測定所得有機(jī)EL元件的發(fā)光效率,并觀察高溫保存后(110℃、50小時后)的發(fā)光面的發(fā)光狀態(tài)。結(jié)果如表4所示。絡(luò)合物4如下合成。(1)化合物17的合成氬氣氛下,將2,7-二溴芴(3.24g、10mmol)、化合物13(3.4g、10mmol)、甲苯(15ml)、二甲基亞砜(15ml)、芐基三乙基氯化銨(0.05g、0.22mmol)和50質(zhì)量%氫氧化鈉水溶液(4ml)混合,在80℃攪拌8小時。向反應(yīng)液中加入水(100ml)、甲苯(100ml),然后分離有機(jī)層,用飽和食鹽水洗滌,然后用無水硫酸鎂干燥。餾去溶劑,將所得殘余物用硅膠柱層析(己烷/二氯甲烷)純化,得到化合物17(收量2.2g、收率43%)。(2)共聚物18的合成在氬氣氛下,將化合物17(0.15g、0.3mmol)和2,5-二溴噻吩(1.38ml、5.7mmol)加入到二甲基甲酰胺(10ml)中,使用雙(1,5-二氯辛二烯)合鎳(0)作為催化劑,按照常規(guī)方法進(jìn)行共聚。向反應(yīng)液中加入水,使固體析出,用甲醇洗滌。將所得固體真空干燥,得到化合物18(收量0.51g)。通過NMR分析,得知化合物18中,m∶n=5∶95。另外,分子量(Mw)用聚苯乙烯換算為18000。(3)絡(luò)合物4的合成氬氣氛下,將化合物18(0.51g)和Ir(acac)3(0.13g、0.27mmol)加入到間甲酚(10ml)中,在250℃加熱攪拌12小時。接著,向該反應(yīng)液中加入苯基吡啶(0.08g、0.58mmol),在250℃攪拌12小時。反應(yīng)后,加入丙酮進(jìn)行再沉淀,過濾,回收共聚物。將回收的共聚物的DMF溶液加入到丙酮中,再沉淀,過濾沉淀物。將回收的沉淀真空干燥,得到絡(luò)合物4(收量0.52g)。通過CHN和Ir的元素分析,鑒定是上式所表示的絡(luò)合物4。比較例4實施例9中,使用下式所示的絡(luò)合物5代替絡(luò)合物3,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件,進(jìn)行同樣的測定。其結(jié)果如表3所示。絡(luò)合物5的分子量用聚苯乙烯換算為17000,下式中,m∶n=5∶95。比較例5實施例9中,使用下式所示的絡(luò)合物6代替絡(luò)合物3,除此之外同樣地制作有機(jī)EL元件,進(jìn)行同樣的測定。其結(jié)果如表4所示。絡(luò)合物6的分子量用聚苯乙烯換算為18000,下式中,m∶n=5∶95。表4<tablesid="table4"num="004"><tablewidth="652">實施例10比較例5發(fā)光層的材料絡(luò)合物-4絡(luò)合物-6電壓(V)6.38.7發(fā)光效率(cd/A)25.615.8</table></tables>由上述表4可知使用本發(fā)明的有機(jī)EL元件用材料——絡(luò)合物4的實施例10的有機(jī)EL元件與比較例5的有機(jī)EL元件相比,低電壓驅(qū)動,發(fā)光效率也高,高溫耐熱性高。產(chǎn)業(yè)實用性如以上的詳細(xì)說明,本發(fā)明的配位金屬化合物和有機(jī)EL元件用材料至少有1個具有螺接的配體配位,因此空間障礙大,分子之間的締合得到抑制,將其作為發(fā)光材料使用的有機(jī)EL元件的發(fā)光效率高,高溫保存下的穩(wěn)定性高。另外,本發(fā)明的配位金屬化合物和有機(jī)EL元件用材料對有機(jī)溶劑的溶解性高,作為發(fā)光性涂膜形成用材料,可適合旋涂法等濕式制膜工藝,因此可以低成本提供有機(jī)EL元件。因此,使用本發(fā)明的配為金屬化合物和有機(jī)EL元件用材料的有機(jī)EL元件作為具有實用性的有機(jī)EL元件,極為有用。權(quán)利要求1.配位金屬化合物,其是將具有螺接的配體與至少1個金屬原子配位而得到的。2.權(quán)利要求1的配位金屬化合物,其由下述通式(1)所示(L1)x-M-(P-M)y-(L2)z(1)式中,M為銥(Ir)、鉑(Pt)、鋨(Os)、銠(Rh)、錸(Re)、鈀(Pd)、釕(Ru)、鎢(W)、金(Au)或銀(Ag)的金屬原子,L1為與金屬原子M配位的配體,是具有螺接的配體,L2為與金屬原子M配位的配體,當(dāng)y為1或以上時,P是連接金屬原子M的配體,x為1至金屬原子M的價數(shù)的整數(shù),y為0~4的整數(shù),z為0~4的整數(shù),y為1或以上時,多個金屬原子M可以相同也可以不同。3.權(quán)利要求2的配位金屬化合物,其中上述通式(1)中的L1為下述通式(2)所表示的配體A-(C)p-(B)q-(C)p-D-(2)式中,A是由下述通式(3)~(12)任意之一表示的基團(tuán);通式(3)~(12)各自獨立,其中R為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基等,還可以分別互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu);V為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-,其中R0和R0’各自獨立,為氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基;E表示環(huán)狀結(jié)構(gòu),該環(huán)狀結(jié)構(gòu)由包圍符號E的圓表示,為取代或未取代的核碳原子數(shù)為3~6且碳原子可被氮原子取代的環(huán)烷殘基、取代或未取代的核碳原子數(shù)為4~6的芳族烴殘基、或取代或未取代的核原子數(shù)為4~6的芳族雜環(huán)殘基;Q為形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的原子基團(tuán),Z為-CR0R0’-、-SiR0R0’-或-GeR0R0’-,其中Ge為鍺原子,R0和R0’與前述相同;a和b分別為0~4的整數(shù),c、d、e和f分別為2~4的整數(shù);C為取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基或取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基,多個C可以相同也可以不同,P為0~20的整數(shù);B為下述通式(13)~(15)所示的基團(tuán),它們也可以單獨或組合,q為0~20的整數(shù);通式(13)~(15)中,R、V、E、Z、Q、a和b與前述相同;D為與金屬原子配位的部分;通式(2)中,A和/或B含有至少1個或以上具有螺骨架的結(jié)構(gòu)。4.權(quán)利要求2的配位金屬化合物,其中上述通式(1)中的L1為下述通式(16)所表示的配體式中,A為下述通式(3)~(12)任意之一所示的基團(tuán),多個A可以相同也可以不同;通式(3)~(12)各自獨立,其中R為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基等,還可以分別互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu);V為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-,其中R0和R0’各自獨立,為氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基;E表示環(huán)狀結(jié)構(gòu),該環(huán)狀結(jié)構(gòu)由包圍符號E的圓表示,為取代或未取代的核碳原子數(shù)為3~6且碳原子可被氮原子取代的環(huán)烷殘基、取代或未取代的核碳原子數(shù)為4~6的芳族烴殘基、或取代或未取代的核原子數(shù)為4~6的芳族雜環(huán)殘基;Q為形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的原子基團(tuán),Z為-CR0R0’-、-SiR0R0’-或-GeR0R0’-,其中Ge為鍺原子,R0和R0’與前述相同;a和b分別為0~4的整數(shù),c、d、e和f分別為2~4的整數(shù);C為取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基或取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基,多個C可以相同也可以不同;s、t和u分別為0~20的整數(shù);B1為下述通式(17)~(19)任意之一所示的基團(tuán),它們也可以單獨或組合;通式(17)~(19)中,R、V、Z、Q、a和b與前述相同;D為與金屬原子配位的部分;通式(16)中,A和/或B1含有至少1個或以上具有螺骨架的結(jié)構(gòu)。5.權(quán)利要求3的配位金屬化合物,其中上述通式(2)中,與金屬原子配位的部分D是從下述通式(20)所示的分子中除去氫原子的基團(tuán),Q1和Q2各自獨立,為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或它們的衍生物,Q1和Q2中的至少1個為苯環(huán)或其衍生物,Q1和Q2中的任意1個與上述金屬原子M形成碳原子-金屬原子鍵,另一個形成配位鍵,Z3為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-,其中R0和R0’與前述相同。6.權(quán)利要求4的配位金屬化合物,其中上述通式(16)中,與金屬原子配位的部分D是從下述通式(20)所示的分子中除去氫原子的基團(tuán),Q1和Q2各自獨立,為取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳族烴基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基或它們的衍生物,Q1和Q2中的至少1個為苯環(huán)或其衍生物,Q1和Q2中的任意1個與上述金屬原子M形成碳原子-金屬原子鍵,另一個形成配位鍵,Z3為單鍵、-CR0R0’-、-SiR0R0’-、-O-、-CO-或-NR0-,其中R0和R0’與前述相同。7.權(quán)利要求3的配位金屬化合物,其中上述通式(2)中,A為選自下述通式(5)、(6)和(22)~(41)的基團(tuán),且B為選自下述通式(42)~(44)的基團(tuán)式中,R、V、a、b、c、e、f與前述相同,R1~R10各自獨立,與前述R相同,A1~A4各自獨立表示-CR’R”-、-SiR’R”-、-O-、-NR’-、-CO-,其中,R’、R”與前述R相同,R’和R”可以相同也可以不同,A1~A4中的至少2個相鄰的基團(tuán)分別由-CR’R”-表示,且相鄰的R’之間、R”之間或R’與R”可以形成飽和鍵或不飽和鍵,也可以形成碳原子數(shù)為4~50的環(huán)狀結(jié)構(gòu),W為1~10的整數(shù)。8.權(quán)利要求4的配位金屬化合物,其中上述通式(16)中,A為選自下述通式(22)~(41)的基團(tuán),且B為下述通式(45)或(46)式中,R、V、a、b、c、e、f與前述相同,R1~R10各自獨立,與前述R相同,A1~A4各自獨立表示-CR’R”-、-SiR’R”-、-O-、-NR’-、-CO-,其中,R’、R”與前述R相同,R’和R”可以相同也可以不同,A1~A4中的至少2個相鄰的基團(tuán)分別由-CR’R”-表示,且相鄰的R’之間、R”之間或R’與R”可以形成飽和鍵或不飽和鍵,也可以形成碳原子數(shù)為4~50的環(huán)狀結(jié)構(gòu),W為1~10的整數(shù)。9.權(quán)利要求2的配位金屬化合物,其中上述通式(1)中,L2為選自鹵素原子、乙酰丙酮衍生物、8-羥基喹啉衍生物和苯基吡啶衍生物的至少一種。10.權(quán)利要求3的配位金屬化合物,其中上述通式(2)中,D為苯基吡啶基,通式(1)中的M為銥原子。11.權(quán)利要求4的配位金屬化合物,其中上述通式(16)中,D為苯基吡啶基,通式(1)中的M為銥原子。12.有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其含有至少一種下述通式(1’)結(jié)構(gòu)的化合物式(1’)中,X、Y1和Y2各自獨立,表示單鍵、-CR’R”-、-SiR’R”-、-CO-或-NR’-,Q表示碳原子、硅原子或鍺原子;Z表示含有重金屬絡(luò)合物的2價基團(tuán);R’、R”表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的基團(tuán);R1~R8各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、鏈烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基或雜環(huán)基、以及碳原子數(shù)為6~50的芳基、芳氧基、芳硫基、芳氨基、二芳氨基或烷基芳基氨基的基團(tuán);R1~R8中,相鄰的2個取代基可互相鍵合,形成環(huán)結(jié)構(gòu)。13.有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其含有至少一種下述通式(4’)所示的化合物(E1)-(C1)p1-(C2)p2-(Phos)-(C3)p3-(C4)p4-(E2)(4’)式(4’)中,(Phos)是上述通式(1’)中除去R1~R8中的2個而形成的2價基團(tuán),E1和E2各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為7~50的芳烷基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基和羥基的基團(tuán);C1~C4表示選自取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的亞烷基和取代或未取代的碳原子數(shù)為6~50的2價亞芳基的基團(tuán);p1~p4分別為0~20的整數(shù)。14.有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其含有通過使通式(1’)所示的化合物聚合或共聚而構(gòu)成的聚合物,其中權(quán)利要求12的上述通式(1’)的R1~R8中至少1個是聚合性基團(tuán)或含有聚合性基團(tuán)的核碳原子數(shù)為6~50的芳族基,。15.有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其含有以下的聚合物或共聚物,所述聚合物或共聚物是以除去選自權(quán)利要求2的上述通式(1’)的R1~R8的2個而形成的2價基團(tuán)為單元結(jié)構(gòu)。16.權(quán)利要求12~15中任一項的有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其中權(quán)利要求12的上述通式(1’)中的Z是從含有下述通式(2’)所示的金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)中除去氫原子而形成的2價基團(tuán)式(2’)中,L1表示金屬配位部分,該金屬配位部分由與式(1’)的Y1和Y2鍵合的下述通式(3’)表示,M表示選自Ir、Pt、Os、Rh、Re、Pd、Ru、W、Au和Ag的金屬原子;式(3’)中,A1和A2各自獨立,表示選自取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基的基團(tuán),兩者中至少1個為苯基或取代的苯基;式(3’)中,B1為單鍵、-CR’R”-、-SiR’R”-、-CO-或-NR’-;R’和R”各自獨立表示選自氫原子、取代或未取代的核碳原子數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的核原子數(shù)為5~50的芳族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基的基團(tuán);式(2’)中,“L1→M”是指L1與金屬原子M配位,從以下選擇其中,L1的碳原子與金屬原子M鍵合,選自N、O和S的原子與金屬原子M形成配位鍵;式(2’)中,L2是與金屬配位的配體,可以與L1相同也可以不同,“L2→M”是指與金屬原子M配位,從鹵素原子的σ鍵或下述中選擇其中,選自L2的碳原子、O和N的原子與金屬原子M鍵合,選自N、O和S的原子與金屬原子M形成配位鍵;式(2’)中,n表示1~x(x金屬的價數(shù))的整數(shù),m表示0~(x-n)的整數(shù)。17.權(quán)利要求16的有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其中在通式(2’)中,L2為選自鹵素原子、下述通式所示的乙酰丙酮衍生物、8-羥基喹啉衍生物和苯基吡啶衍生物的至少一種式中,R11~R27各自獨立,表示選自氫原子、氰基、硝基、鹵素原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1~20的烷基、烷氧基、烷基甲硅烷基或?;⑷〈蛭慈〈陌被?、取代或未取代的碳原子數(shù)為6~30的芳基的基團(tuán)。18.權(quán)利要求16的有機(jī)電致發(fā)光元件用材料,其中通式(2’)中的M為Ir(銥)。19.有機(jī)電致發(fā)光元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中該有機(jī)薄膜層的至少一層含有權(quán)利要求1~11中任一項的配位金屬化合物。20.權(quán)利要求19的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中上述發(fā)光層含有權(quán)利要求1~11中任一項的配位金屬化合物。21.有機(jī)電致發(fā)光元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中該有機(jī)薄膜層的至少一層含有權(quán)利要求12~18中任一項的有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。22.權(quán)利要求21的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中發(fā)光層中含有有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。23.發(fā)光性涂膜形成用材料,其包含含有權(quán)利要求1~11中任一項的配位金屬化合物的有機(jī)溶劑。24.發(fā)光性涂膜形成用材料,其包含含有權(quán)利要求12~18中任一項的有機(jī)電致發(fā)光元件用材料的有機(jī)溶劑。25.有機(jī)電致發(fā)光元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中上述有機(jī)薄膜層的至少一層使用權(quán)利要求23的發(fā)光性涂膜形成用材料形成。26.有機(jī)電致發(fā)光元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,其中上述有機(jī)薄膜層的至少一層使用權(quán)利要求24的發(fā)光性涂膜形成用材料形成。全文摘要本發(fā)明提供將具有螺接的配體與至少1個金屬原子配位而成的配位金屬化合物;有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件用材料;有機(jī)EL元件,其是在陰極和陽極之間夾持至少包括發(fā)光層的包含一層或多層的有機(jī)薄膜層的有機(jī)電致發(fā)光元件,該有機(jī)薄膜層的至少一層含有上述配位金屬化合物或有機(jī)EL元件用材料;發(fā)光性涂膜形成用材料,該材料包含含有上述配位金屬化合物或有機(jī)EL元件用材料的有機(jī)溶劑溶液;以及有機(jī)EL元件,該有機(jī)EL元件使用上述發(fā)光性涂膜形成用材料或有機(jī)EL元件用材料而形成,為實現(xiàn)發(fā)光效率高、高溫保存下的穩(wěn)定性高的有機(jī)EL元件,提供對有機(jī)溶劑的溶解性優(yōu)異的配位金屬化合物、有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件用材料、發(fā)光性涂膜形成用材料。文檔編號C08G61/00GK1852910SQ20048002454公開日2006年10月25日申請日期2004年8月23日優(yōu)先權(quán)日2003年8月26日發(fā)明者井上哲也,伊藤光則,池田秀嗣,巖隈俊裕,細(xì)川地潮申請人:出光興產(chǎn)株式會社