對于具有高電要求和熱要求的替代性的不含鉛的模片固定材料的需求在當(dāng)今時(shí)代中上升。高導(dǎo)電環(huán)氧樹脂和傳統(tǒng)的鉛基焊料膏仍然廣泛地用于許多應(yīng)用中。但是這些材料的主要缺點(diǎn)是它們在高溫操作中的限制，其導(dǎo)致焊料接頭疲勞和可靠性問題如金屬間化合物生長。全面地研究了納米結(jié)構(gòu)的金屬作為用于許多半導(dǎo)體互連挑戰(zhàn)的替代。在近些年廣泛地調(diào)查了金屬性納米顆粒，因?yàn)樗鼈兙哂辛钊烁信d趣的顯著區(qū)別于塊體材料的性質(zhì)。納米顆粒具有高表面能，其使納米顆粒能夠在與塊體材料對比更低的加工溫度下進(jìn)行顆粒聚結(jié)。遠(yuǎn)低于納米級金屬的熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度對于半導(dǎo)體封裝而言具有大的優(yōu)勢。在低溫下加工器件能避免初始的模片水平的應(yīng)力和潛在的電路損壞。由于若干元素(包括金、鈀、銀和銅)的納米顆粒在光電子領(lǐng)域或半導(dǎo)體領(lǐng)域作為傳導(dǎo)材料的潛在應(yīng)用，已經(jīng)很好地研究了它們。貴金屬納米顆粒例如銀和金，由于它們的高熱導(dǎo)率和優(yōu)異的不氧化性質(zhì)，在過去的幾年已經(jīng)是迄今最活躍的研究對象。然而，它們的高成本阻止它們普遍的實(shí)際應(yīng)用。所以具有適當(dāng)?shù)臒岱€(wěn)定性和傳導(dǎo)率的非貴金屬納米顆粒的使用在今天的電子世界中具有大的興趣。銅納米顆粒，由于其相對低的成本和高電導(dǎo)率，呈現(xiàn)用于取代在傳導(dǎo)材料中使用的貴金屬的高潛力。利用銅納米顆粒的主要問題是它們在環(huán)境條件下氧化的固有趨勢。在電子工業(yè)中，半導(dǎo)體器件至襯底的互連是器件封裝的重要部分。目前使用于模片固定和互連的主要材料為低熔點(diǎn)焊料，由于低操作溫度其不是理想的。由于銀的高電性能和熱性能，銀膏一般用在微電子封裝中。然而，銀的高成本限制其使用。本發(fā)明尋求解決至少一些與現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)的問題或至少提供對其商業(yè)上可接受的替代解決方案。在第一方面，本發(fā)明提供燒結(jié)粉末，其中至少一部分組成該燒結(jié)粉末的顆粒包含：包含第一材料的芯；和至少局部地涂覆該芯的殼體，該殼體包含具有比該第一材料低的氧化電勢的第二材料。除非清楚地相反指出，如這里限定的每個(gè)方面或?qū)嵤┓桨缚梢耘c任何其他一個(gè)或多個(gè)方面或者一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案組合。特別地，任何指出作為優(yōu)選或有益的特征可以與任何其他指出作為優(yōu)選或有益的特征組合。如這里使用的術(shù)語“燒結(jié)粉末”可以涵蓋能夠形成燒結(jié)接頭的粉末。通過放置在待接合的兩個(gè)工件之間的金屬顆粒的原子擴(kuò)散來形成燒結(jié)接頭。該燒結(jié)粉末可以包含規(guī)則形狀的顆粒(例如球)或不規(guī)則形狀的顆粒(例如須、板、棒或片)。如這里使用的術(shù)語“封端劑”可以涵蓋當(dāng)存在于金屬顆粒的表面上時(shí)減少該金屬顆粒的聚集、使在粉末生產(chǎn)過程中的顆粒大小控制成為可能并且降低顆粒的表面氧化或其他污染的物質(zhì)。如這里使用的術(shù)語“金屬”可以涵蓋合金。如這里使用的術(shù)語“D95”可以涵蓋在累積分布中在95％處最長顆粒尺寸的值。當(dāng)顆粒為球時(shí)，該最長尺寸將是球的直徑?？梢杂蓜?dòng)態(tài)光散射方法或激光散射方法確定D95值。如這里使用的術(shù)語“D50”可以涵蓋在累積分布中在50％處最長顆粒尺寸的值。當(dāng)顆粒為球時(shí)，該最長尺寸將是球的直徑?？梢杂蓜?dòng)態(tài)光散射方法或激光散射方法確定D50值。本發(fā)明人出人意料地發(fā)現(xiàn)，與現(xiàn)有技術(shù)的燒結(jié)粉末對比，本發(fā)明的燒結(jié)粉末可以呈現(xiàn)高電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率以及表面氧化的低敏感性。該燒結(jié)粉末還可以含有低成本材料，由此降低它們的制造成本。該第一材料可以呈現(xiàn)高電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。該第一材料典型地呈現(xiàn)在20℃下大于5×106S/cm、更典型地在20℃下大于5×107S/cm的熱導(dǎo)率。因此，這樣的高傳導(dǎo)率可以轉(zhuǎn)移至使用該燒結(jié)粉末形成的燒結(jié)接頭。該第一材料可以是金屬或非金屬。該第一材料(其典型地組成燒結(jié)粉末的大部分)可以是低成本材料例如銅。因此，可以降低制造該燒結(jié)粉末的成本。有益地，該第二材料具有比該第一材料低的氧化電勢。因此，該殼體可以起到降低該第一材料的氧化的作用，由此避免該燒結(jié)粉末的劣化。優(yōu)選地，該第二材料的氧化電勢比該第一材料的氧化電勢小至少0.2V，更優(yōu)選地比該第一材料的氧化電勢小至少0.5V。該第一材料典型地具有大于-0.4V、優(yōu)選地大于-0.2V的氧化電勢。該第二材料典型地具有小于-0.5V、優(yōu)選地小于-0.7V的氧化電勢。該第二材料可以是金屬或非金屬。典型地，該第二材料是貴金屬。該第二材料典型地組成該燒結(jié)粉末的僅一小部分，典型地小于50重量％的燒結(jié)粉末，更典型地小于25重量％的燒結(jié)粉末。結(jié)果是即使如果該第二材料是高成本(例如貴金屬，例如銀)，則在沒有顯著地增加該燒結(jié)粉末制造成本的情況下其可以呈現(xiàn)降低的劣化。至少一部分組成該燒結(jié)粉末的顆粒具有上面描述的“芯-殼”結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，大部分的組成該燒結(jié)粉末的顆粒具有芯-殼結(jié)構(gòu)，更優(yōu)選地基本上全部的組成該燒結(jié)粉末的顆粒具有芯-殼結(jié)構(gòu)。在一些優(yōu)選實(shí)施方案中，該燒結(jié)粉末基本上不含僅由該第一材料形成的顆粒和/或僅由該第二材料形成的顆粒。該殼體至少局部地涂覆該芯。典型地，該殼體基本上涂覆該芯，更典型地完整涂覆該芯(即涂層是連續(xù)的)。本發(fā)明人出人意料地發(fā)現(xiàn)可以在低溫下且僅施加非常低的壓力(典型地基本上沒有壓力)來燒結(jié)如這里描述的燒結(jié)粉末。結(jié)果是在工件之間使用該燒結(jié)粉末的燒結(jié)接頭的形成可以在對該工件降低的損壞的情況下發(fā)生。另外，因?yàn)椴恍枰┘痈邏毫Γ院喕藷Y(jié)接頭的形成，并且燒結(jié)接頭的形成可以是更容易自動(dòng)化的。該燒結(jié)粉末優(yōu)選地還包含至少局部地涂覆該殼體的封端劑。使用封端劑可以幫助減少顆粒的聚集。這樣的聚集是不利的，因?yàn)槠淇梢栽黾釉摕Y(jié)粉末的燒結(jié)溫度。因此，使用封端劑使在較低溫度下工件之間的燒結(jié)接頭的形成成為可能，并且因此可以幫助降低由暴露至高燒結(jié)溫度引起的對工件的損壞。另外，使用封端劑可以幫助避免該第一材料和/或第二材料的劣化，例如由材料暴露至空氣引起的損壞。該封端劑可以是無機(jī)的和/或有機(jī)的。有機(jī)封端劑的示例包括聚合物和配位體。該封端劑優(yōu)選地包含以下的一種或多種：胺、醇、脂肪酸、硫醇和表面活性劑。這樣的封端劑可以與該第二材料形成弱的結(jié)合。因此可以降低對于破壞該結(jié)合所需要的溫度，這可以幫助降低燒結(jié)溫度。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，該封端劑包含油酸鹽(例如油酸鈉)和/或辛胺。在此實(shí)施方案中，該金屬顆?？梢曰旧贤扛灿性摲舛藙蛲暾扛灿蟹舛藙?。增加該封端劑在金屬顆粒上的覆蓋率可以幫助進(jìn)一步降低該金屬顆粒的聚集，并且因此進(jìn)一步降低燒結(jié)溫度。另外，可以用該封端劑涂覆大多數(shù)的金屬顆粒，或可以用封端劑涂覆基本上全部的金屬顆粒。該燒結(jié)粉末優(yōu)選地包含至多15重量％封端劑，更優(yōu)選地從0.1至5重量％封端劑，甚至更優(yōu)選地約0.5重量％封端劑。就這一點(diǎn)而言使用的術(shù)語“重量％”是基于該燒結(jié)粉末的總重量。如果該燒結(jié)粉末包含大于15重量％封端劑，則在燒結(jié)前可以需要較高的溫度來熔化該封端劑。此外，可以增加在產(chǎn)生的燒結(jié)接頭中含有的有機(jī)物的量。如果該燒結(jié)粉末包含小于0.1重量％封端劑，則該封端劑可以不充分地覆蓋該金屬的表面。這可以導(dǎo)致顆粒聚集的增加，并且因此導(dǎo)致燒結(jié)溫度的增加。該第一材料優(yōu)選地包含以下的一種或多種：銅、鎳、錫、鉬、鎢、鋁、石墨烯、氮化硼、碳化硼和氮化鋁。這樣的材料可以呈現(xiàn)低成本和高電導(dǎo)率的有利組合。更優(yōu)選地，該第一材料包含以下的一種或多種：銅、鎳、錫和鉬。除了低成本以及實(shí)用性以外，銅、鎳、錫和鉬的使用還可以降低在使用該燒結(jié)粉末形成的燒結(jié)接頭的界面處相鄰材料的CTE(熱膨脹系數(shù))失配的影響。由于CTE失配引起的熱應(yīng)力是燒結(jié)接頭熱疲勞的主要原因。該芯的鉬、鎳、銅和/或鎢可以充當(dāng)電子封裝中界面處相鄰金屬之間熱橋。在一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，該第一材料包含銅。該第一材料可以包含以下的一種或多種的合金：銅、鎳、錫、鉬、鎢和鋁。該第二材料優(yōu)選地包含以下的一種或多種：銀、金、鈀、鉑和石墨烯，更優(yōu)選地銀。這樣的材料在降低該芯的氧化方面是特別有效的。另外，這樣的材料可以有效地涂覆至該第一材料的納米顆粒上。該第二材料可以包含以下的一種或多種的合金：銀、金、鈀和鉑。在一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，該第一材料包含銅并且該第二材料包含銀。這樣的組合在導(dǎo)致燒結(jié)粉末呈現(xiàn)高電導(dǎo)率、低成本和降低的表面氧化的方面是特別有效的。銀和銅具有優(yōu)異的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率，并且因此能夠形成具有高電導(dǎo)率和/或熱導(dǎo)率的燒結(jié)接頭。因此，銀和銅的使用使該燒結(jié)粉末特別適合于在電子應(yīng)用(例如模片固定和微電子封裝)中使用。銅成本是特別低的。銀特別適合于降低銅的氧化。該顆粒優(yōu)選地具有小于100nm的D95，更優(yōu)選地從1nm至30nm的D50，甚至更優(yōu)選地從5nm至30nm的D50。大于100nm的顆粒可以導(dǎo)致低的表面與體積比，由此需要較高的燒結(jié)溫度和/或壓力。在替代性的實(shí)施方案中，該顆?？梢跃哂袕?.1至10μm的D95。較大的顆粒大小可以需要較少封端劑。因此，由于產(chǎn)生的接頭中殘余有機(jī)物的降低，電阻低得多。在此替代性的實(shí)施方案中，該燒結(jié)粉末可以包含小于15重量％封端劑，典型地約3重量％封端劑。該殼體可以包含第二材料的層和與該第二材料不同的第三材料的層。該第三材料可以包含，例如以下的一種或多種：銀、金、鈀、鉑和石墨烯。在該殼體中多個(gè)層的存在可以起到降低使用該燒結(jié)粉末形成的燒結(jié)接頭內(nèi)的熱應(yīng)力的作用。額外的層可以充當(dāng)熱橋，由此降低CTE失配。在又一方面，本發(fā)明提供納米顆粒，其包含：包含第一材料的芯；和至少局部地涂覆該芯的殼體，該殼體包含具有比該第一材料低的氧化電勢的第二材料?？梢允褂迷摷{米顆粒作為燒結(jié)粉末。本發(fā)明第一方面的優(yōu)選特征可應(yīng)用于此方面。在又一方面，本發(fā)明提供使用如這里描述的燒結(jié)粉末形成的燒結(jié)接頭。這樣的燒結(jié)接頭可以呈現(xiàn)特別高的強(qiáng)度和/或特別高的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。此外，該燒結(jié)接頭可以呈現(xiàn)熱沖擊后剪切強(qiáng)度非常小的改變，典型地剪切強(qiáng)度基本上沒有改變。在又一方面，本發(fā)明提供LED(發(fā)光二極管)、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)或PV電池(光伏電池)，其包含這里描述的燒結(jié)接頭。在又一方面，本發(fā)明提供燒結(jié)膏，其包含：如這里描述的燒結(jié)粉末；黏合劑；溶劑；和任選的流變改進(jìn)劑和/或有機(jī)銀化合物和/或活化劑和/或表面活性劑和/或潤濕劑和/或過氧化氫或有機(jī)過氧化物。該膏可以是可印刷的和/或可分配的和/或可噴射的和/或可銷轉(zhuǎn)移的(pintransferable)。該膏可以具有特別有利于分配的黏度和流動(dòng)特性，這意味著可以使用該膏作為焊料的一對一的取代。與本領(lǐng)域已知的燒結(jié)膏對比，本發(fā)明的燒結(jié)膏在室溫下呈現(xiàn)高穩(wěn)定性。這意味著不需要該燒結(jié)膏的低溫儲(chǔ)存。這是本發(fā)明的燒結(jié)膏的特別重要的優(yōu)勢。典型地選擇黏合劑和/或溶劑使得在小于該燒結(jié)粉末的目標(biāo)燒結(jié)溫度的溫度下能從該膏去除它們(例如通過蒸發(fā)和/或燒掉)。這可以幫助促進(jìn)該金屬顆粒的幾乎完全燒結(jié)。當(dāng)在燒結(jié)過程中有機(jī)材料保留在該接頭內(nèi)時(shí)，可以發(fā)生該金屬顆粒的不充分燒結(jié)。這可以導(dǎo)致弱的燒結(jié)接頭。該黏合劑可以起到將該膏黏合在一起的作用使得其更容易在所需要的燒結(jié)接頭的位置準(zhǔn)確地處理和放置。合適的黏合劑的示例包括但是不限于：熱塑性聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯；或熱固性聚合物，例如聚氨酯、聚氰尿酸酯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、三聚氰胺甲醛樹脂和雙馬來酰亞胺樹脂。特別優(yōu)選的示例包括羥丙基甲基纖維素、三乙酰甘油酯和聚乙酸乙烯酯。優(yōu)選地該黏合劑包含環(huán)氧基樹脂。環(huán)氧基樹脂在將該膏黏合在一起的方面可以是特別有效的，使得更容易處理該膏并且可以更容易將該膏準(zhǔn)確地放置在所需要的燒結(jié)接頭的位置。此外，使用環(huán)氧樹脂可以在燒結(jié)前導(dǎo)致較強(qiáng)接頭的形成，這意味著在燒結(jié)前不存在將待接合的工件固定在一起的要求。當(dāng)該封端劑包含胺官能團(tuán)時(shí)，使用環(huán)氧樹脂是特別有益的。在這種情況下，胺充當(dāng)形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的硬化劑。這在燒結(jié)前可以導(dǎo)致特別強(qiáng)的接頭。該溶劑優(yōu)選地包含單萜醇和/或二醇和/或二醇醚，優(yōu)選地萜品醇和/或二乙二醇單正丁基醚。單萜醇和/或二醇醚在將該金屬顆粒分散在該膏內(nèi)的方面可以是特別有效的，其導(dǎo)致有機(jī)組分的基體內(nèi)金屬顆粒的均勻分布與減少的團(tuán)簇聚結(jié)和/或聚集。單萜醇和/或二醇醚的使用可以起到增加該燒結(jié)膏的流動(dòng)能力和印刷能力的作用?？梢蕴砑恿髯兏倪M(jìn)劑以控制該膏的黏度。合適的流變改進(jìn)劑的示例包括但不限于ThixcinR、CrayvallacSuper、及其組合。在燒結(jié)過程中，該有機(jī)銀化合物可以分解為金屬性銀，其可以增加該燒結(jié)接頭的熱導(dǎo)率。該有機(jī)銀化合物可以包含一種或多種的短鏈或長鏈羧酸(C＝1至30)，例如硬脂酸銀、棕櫚酸銀、油酸銀、月桂酸銀、新癸酸銀、癸酸銀、辛酸銀、己酸銀、乳酸銀、草酸銀、檸檬酸銀、醋酸銀和琥珀酸銀。在一些實(shí)施方案中，可以省略該有機(jī)銀化合物?？梢蕴砑踊罨瘎┮詮谋挥∷⒌谋砻嫒コ梢源嬖诘娜魏谓饘傺趸锖?或以去除在該燒結(jié)粉末中可以存在的任何氧化物。芳基或烷基羧酸可以作為活化劑使用，例如以下的一種或多種：己二酸、琥珀酸和戊二酸?？梢詫⒈砻婊钚詣┨砑又猎摕Y(jié)膏以幫助在該燒結(jié)膏內(nèi)分散燒結(jié)粉末。合適的表面活性劑的示例包括但不限于Disperbyk163、IGEPALCA-630、月桂基葡糖苷和TritonX100。該燒結(jié)膏優(yōu)選地還包含過氧化物。合適的過氧化物的示例包括但不限于過氧化氫或有機(jī)過氧化物，例如叔丁基過氧化氫和叔丁基過氧-2-乙基己酸酯。過氧化物將氧引入膏中，其可以有助于在模片固定方法中在模片區(qū)域下方的膏的燒結(jié)。該氧還可以使在惰性氣氛例如氮?dú)夥障略摻饘兕w粒的燒結(jié)成為可能。該燒結(jié)膏優(yōu)選地包含至多3重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物，優(yōu)選地從0.5至2重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物，更優(yōu)選地從0.7至1.8重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物。優(yōu)選液態(tài)過氧化物來控制流變和銀沉降。該燒結(jié)膏優(yōu)選地包含：從1至15重量％黏合劑；和/或從1至30重量％溶劑；和/或至多5重量％流變改進(jìn)劑；和/或至多10重量％有機(jī)銀化合物；和/或至多2重量％活化劑；和/或至多6重量％表面活性劑；和/或至多2重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物。在這些范圍內(nèi)的黏合劑和/或溶劑含量可以幫助提供具有特別所需的流動(dòng)能力和印刷能力的燒結(jié)膏。優(yōu)選地該燒結(jié)膏包含從2至8重量％黏合劑。在一個(gè)實(shí)施方案中該燒結(jié)膏包含約4.5重量％黏合劑。優(yōu)選地該燒結(jié)膏包含從5至30重量％溶劑。在一個(gè)實(shí)施方案中該燒結(jié)膏包含約26重量％溶劑。該燒結(jié)膏可以包含0至5重量％流變改進(jìn)劑和/或0至2重量％活化劑和/或0至6重量％表面活性劑和/或0至2過氧化氫或有機(jī)過氧化物。該燒結(jié)膏可以包含從62至90重量％燒結(jié)粉末。該燒結(jié)粉末可以形成該燒結(jié)膏的余量。在又一方面，本發(fā)明提供燒結(jié)膏，其包含：如這里公開的燒結(jié)粉末；有機(jī)銀化合物；溶劑；和任選的活化劑和/或流變改進(jìn)劑和/或表面活性劑和/或過氧化氫或有機(jī)過氧化物。在燒結(jié)過程中，該有機(jī)銀化合物可以分解為金屬性銀，其可以增加該燒結(jié)接頭的熱導(dǎo)率。該有機(jī)銀化合物可以包含一種或多種的短鏈或長鏈羧酸(C＝1至30)，例如硬脂酸銀、棕櫚酸銀、油酸銀、月桂酸銀、新癸酸銀、癸酸銀、辛酸銀、己酸銀、乳酸銀、草酸銀、檸檬酸銀、醋酸銀和琥珀酸銀。在一些實(shí)施方案中，可以省略該有機(jī)銀化合物。該燒結(jié)膏優(yōu)選地還包含脂肪酸，優(yōu)選地以下的一種或多種：短鏈或長鏈(C＝2至30)羧酸或二羧酸或羥基羧酸，更優(yōu)選地月桂酸、硬脂酸、新癸酸、硬脂酸、油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、己二酸、馬來酸、檸檬酸或乳酸；或短鏈或長鏈(C＝2至30)胺，更優(yōu)選地丁胺、己胺、辛胺、十二胺或十六胺；或表面活性劑，更優(yōu)選地tritonX100、IGEPALCA-630或月桂基葡糖苷。脂肪酸的存在幫助將該膏黏合在一起。換句話說，脂肪酸的存在避免對于單獨(dú)的黏合劑(例如上面討論的環(huán)氧基樹脂黏合劑)的需求。因此，在該膏中有機(jī)物的總量較小，其導(dǎo)致較強(qiáng)的最終接頭。該燒結(jié)膏優(yōu)選地還包含過氧化物。合適的過氧化物的示例包括但不限于過氧化氫或有機(jī)過氧化物，例如叔丁基過氧化氫和叔丁基過氧-2-乙基己酸酯。過氧化物將氧引進(jìn)該膏中，其可以有助于在模片固定方法中在模片區(qū)域下方的膏的燒結(jié)。該氧還可以使在惰性氣氛例如氮?dú)夥障略摻饘兕w粒的燒結(jié)成為可能。該燒結(jié)膏優(yōu)選地包含至多3重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物，優(yōu)選地從0.5至2重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物，更優(yōu)選地從0.7至1.8重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物。優(yōu)選液態(tài)過氧化物來控制流變和銀沉降。優(yōu)選地該燒結(jié)膏是基本上不含樹脂的，更優(yōu)選地是完全不含樹脂的。樹脂的存在可以降低銀的熱導(dǎo)和電導(dǎo)。該溶劑優(yōu)選地包含單萜醇和/或二醇和/或二醇醚，更優(yōu)選地萜品醇和/或二乙二醇單正丁基醚。該燒結(jié)膏優(yōu)選地包含：從1至30重量％溶劑；和/或至多50重量％有機(jī)銀化合物，優(yōu)選地從0.1至25重量％，更優(yōu)選地從0.1至10重量％，甚至更優(yōu)選地從0.1至9重量％；和/或至多5重量％流變改進(jìn)劑；和/或至多2重量％活化劑；和/或至多6重量％表面活性劑；和/或至多2重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物。該燒結(jié)膏可以包含0至5重量％流變改進(jìn)劑和/或0至2重量％活化劑和/或0至6重量％表面活性劑和/或0至2重量％過氧化氫或有機(jī)過氧化物。該燒結(jié)粉末可以形成該燒結(jié)膏的余量。在又一方面，本發(fā)明提供燒結(jié)膜，其包含如這里描述的燒結(jié)粉末和黏合劑。可以在晶片水平、模片水平、封裝/襯底水平和/或模塊水平下施加該膜。例如通過將如這里描述的燒結(jié)膏印刷至聚酯片上，加熱該膏以至少局部地去除該溶劑并形成膜，并且然后從該聚酯片去除該膜，可以獲得這樣的膜。因?yàn)橥ㄟ^在略微升高的溫度下簡單地將該模片壓至該膜上，該膜能夠被轉(zhuǎn)移至該模片上，所以如這里描述的膜是尤其有益的。所轉(zhuǎn)移的膜是在某些情況下有助地提供的替代性應(yīng)用方法。可以在聚合物、玻璃、金屬或陶瓷的襯底上或直接在晶片上形成該膜。該膜可以在包含聚酯的聚合物襯底上。在聚合物襯底上可以形成該膜，其中該聚合物襯底包含隔離涂層(releasecoating)?？梢酝ㄟ^材料的印刷或澆注來施加該膏組合物從而生產(chǎn)該膜?？梢酝ㄟ^以連續(xù)層印刷來生產(chǎn)該膜?；蛘撸梢酝ㄟ^印刷來生產(chǎn)該膜以形成離散形狀的陣列。在又一方面，本發(fā)明提供模片固定的方法，其包含：(i)將這里描述的燒結(jié)膜放置在模片和待接合的襯底之間；和(ii)燒結(jié)該燒結(jié)膜，其中在沒有施加壓力的情況下進(jìn)行該燒結(jié)。這種“低壓力”或“無壓力”燒結(jié)是特別有益的，因?yàn)樗梢允乖摴に嚨淖詣?dòng)化更簡單。此外，可以降低對工件的損壞。關(guān)于采用加壓燒結(jié)的方法的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)包括：用于模片放置所需的較短時(shí)間(高UPH)、用于放置的低壓力要求(對于加工薄晶片高度有益)、與商用模片結(jié)合機(jī)(die-bonder)的兼容性以及在外部加熱設(shè)備中燒結(jié)(分批工藝以改進(jìn)UPH)。該燒結(jié)優(yōu)選地在從150至400℃的溫度下進(jìn)行至多120分鐘。這樣的條件可以導(dǎo)致該燒結(jié)膜的特別有效的燒結(jié)同時(shí)避免對該工件的損壞。步驟(i)優(yōu)選地包括：(a)將該燒結(jié)膜施加至該模片以形成具有模片側(cè)和燒結(jié)膜側(cè)的組件；和(b)使該組件的膜側(cè)與該襯底接觸。這樣的步驟可以使該工藝的自動(dòng)化更簡單，并且可以例如通過使用壓型器(stamp)來進(jìn)行。優(yōu)選地在從15至400℃的溫度和從0.1至5MPa的壓力下進(jìn)行步驟(a)持續(xù)從0.1至60秒。這樣的條件可以導(dǎo)致該燒結(jié)膜的特別有效的施加同時(shí)避免對該模片的損壞。優(yōu)選地在從15至400℃的溫度和從0.1至40MPa的壓力下進(jìn)行步驟(b)持續(xù)從0.1至60分鐘。這樣的條件可以導(dǎo)致該模片與該襯底的特別有效的接觸同時(shí)避免對該模片或襯底的損壞。在又一方面，本發(fā)明提供模片固定的方法，其包括：(i)將這里描述的燒結(jié)膜放置在待接合的襯底和模片之間；和(ii)燒結(jié)該燒結(jié)膜，其中進(jìn)行該燒結(jié)同時(shí)施加從0.1至40MPa的壓力。在又一方面，本發(fā)明提供晶片結(jié)合的方法，其包括：(i)將這里描述的燒結(jié)膜放置在兩個(gè)或更多個(gè)待接合的晶片之間；和(ii)燒結(jié)該燒結(jié)膜，其中在沒有施加壓力的情況下進(jìn)行該燒結(jié)。在又一方面，本發(fā)明提供將燒結(jié)膜轉(zhuǎn)移至部件的方法，其包括：將這里描述的燒結(jié)膜施加至襯底以形成具有燒結(jié)膜側(cè)和襯底側(cè)的組件；使該組件的燒結(jié)膜側(cè)與部件接觸；將該組件加熱到從50至200℃的溫度；將從1至5MPa的壓力施加至該組件持續(xù)從0.1秒至60分鐘；和從該燒結(jié)膜分離該襯底。該襯底可以是聚合物的。該燒結(jié)膜可以是與該部件基本上相同的大小。該部件可以是LED。在又一方面，本發(fā)明提供用于模片固定的方法，其包括：將這里描述的燒結(jié)膜施加至襯底；將模片放置在該膜上以形成組件；將小于2MPa的壓力施加至該組件；和在100至400℃的溫度下燒結(jié)該組件持續(xù)0.1秒至5分鐘，施加小于3MPa的壓力。還可以在175至400℃的溫度下以無壓力方式燒結(jié)相同的組件，其使用提供用于啟動(dòng)和完成燒結(jié)的適當(dāng)程度的熱的各種工藝和設(shè)備。在又一方面，本發(fā)明提供用于模片固定固定的方法，其包括：將這里描述的燒結(jié)膜施加至襯底；將模片放置在該膜上以形成組件；將小于5MPa的壓力施加至該組件；和在100至400℃的溫度下燒結(jié)該組件持續(xù)0.1秒至60分鐘，施加小于40MPa的壓力。還可以在175至400℃的溫度下以無壓力方式燒結(jié)相同的組件，其使用提供用于啟動(dòng)和完成燒結(jié)的適當(dāng)程度的熱的各種工藝和設(shè)備。在又一方面，本發(fā)明提供用于模片固定固定的方法，其包括：將這里描述的燒結(jié)膜施加至晶片的背側(cè)上；將該晶片切片以形成多個(gè)模片；將至少一個(gè)模片放置在襯底上以形成組件；將大于1MPa的壓力施加至該組件；和在100至400℃的溫度下燒結(jié)該組件持續(xù)0.1秒至60分鐘。還可以在175至400℃的溫度下以無壓力方式燒結(jié)相同的組件，其使用提供用于啟動(dòng)和完成燒結(jié)的適當(dāng)程度的熱的各種工藝和設(shè)備。在又一方面，本發(fā)明提供用于晶片結(jié)合的方法，其包括：將這里描述的燒結(jié)膜施加至晶片的背側(cè)上；將另一個(gè)相同或不同類型的晶片放置在含有晶片的可燒結(jié)的Ag膜上以形成組件；將大于>0.1MPa的壓力施加至該組件；和在100400℃的溫度下燒結(jié)該組件持續(xù)0.25秒至120分鐘。還可以在175至400℃的溫度下以無壓力方式燒結(jié)相同的組件，其使用提供用于啟動(dòng)和完成燒結(jié)的適當(dāng)程度的熱的各種工藝和設(shè)備。在又一方面，本發(fā)明提供用于晶片結(jié)合的方法，其包括：將該燒結(jié)膜施加至晶片的背側(cè)上；將另一個(gè)相同或不同類型的晶片放置在含有晶片的燒結(jié)膜上以形成組件；將小于40MPa的壓力施加至該組件；和在100至400℃的溫度下燒結(jié)該組件持續(xù)0.25秒至120分鐘。還可以在175至400℃的溫度下以無壓力方式燒結(jié)相同的組件，其使用提供用于啟動(dòng)和完成燒結(jié)的適當(dāng)程度的熱的各種工藝和設(shè)備。在又一方面，本發(fā)明提供如這里描述的燒結(jié)粉末或如這里描述的燒結(jié)膏或膜在選自以下的方法中的用途：模片固定(例如芯片至板、芯片至襯底、芯片至散熱器、芯片至夾具)，晶片至晶片結(jié)合(例如芯片至散熱器)，反射層印刷，氣密以及近氣密的密封(例如用于封裝和周邊密封)，互連線(例如電路、焊點(diǎn))的生產(chǎn)，在半導(dǎo)體器件和襯底內(nèi)的孔填充(viafilling)，和倒裝芯片以及晶片凸塊。在又一方面，本發(fā)明提供制造如這里描述的燒結(jié)粉末的方法，該方法包括：(i)提供包含還原劑和含有第一材料的顆粒的溶液；(ii)降低來自步驟(i)的溶液中還原劑的濃度；(iii)使來自步驟(ii)的溶液與第二材料的來源接觸以用該第二材料至少局部地涂覆至少一些含有第一材料的顆粒，該第二材料具有比該第一材料低的氧化電勢；和(iv)由步驟(iii)的溶液回收至少一些涂覆有該第二材料的含有第一材料的顆粒。步驟(i)的溶液可以是水溶液。當(dāng)該第二材料包含金屬時(shí)，該第二材料來源可以包含金屬鹽，例如乙酸鹽和/或硝酸鹽。含有該第一材料的顆粒典型地是納米顆粒。如這里使用的術(shù)語“納米顆?！笨梢院w具有從1至100nm的最長尺寸的顆粒。可以通過X-射線衍射確定該最長尺寸。在不受理論約束的情況下，考慮到由金屬轉(zhuǎn)移反應(yīng)推動(dòng)該“殼體涂覆的”顆粒的形成。含有該第一材料(例如銅)的預(yù)成形顆粒的表面上出現(xiàn)第二材料來源(例如硝酸銀)的還原，其中該第一材料自身充當(dāng)對于該第二材料來源的還原劑。使用過量的強(qiáng)還原劑(例如肼或硼氫化物)來防止該第一材料(例如銅)被氧化。典型地使用從0.5至1摩爾的還原劑。然而，如果大過量的還原劑保留，則可以發(fā)生該第二材料來源的同時(shí)的還原，其可以使該芯殼結(jié)構(gòu)的形成中斷。步驟(ii)可以包括由該溶液去除該還原劑。作為替代或者另外，步驟(ii)可以包含該還原劑的去活和/或化學(xué)改性。步驟(ii)中，優(yōu)選地使還原劑的濃度降低至基本上零，更優(yōu)選地零。例如使用化學(xué)方法，可以在步驟(ii)中破壞該還原劑。步驟(i)可以包括：提供包含第一材料的來源的溶液；和使該溶液與還原劑接觸。使該溶液與還原劑接觸典型地包括將該還原劑添加至該溶液然后攪拌該溶液。可以攪動(dòng)該溶液，例如使用聲處理，從而增加顆粒形成的產(chǎn)量并且降低該顆粒的聚集。當(dāng)該第一材料包含金屬時(shí)，該第一材料來源可以包含金屬鹽。一旦添加了該還原劑，則可以加熱該溶液?？梢栽跊]有輻照該第一材料的來源和該還原劑的溶液的情況下有益地進(jìn)行步驟(i)。步驟(iii)中，典型地以粉末形式生產(chǎn)涂覆有該第二材料的含有第一材料的顆粒。因此，與以分散的狀態(tài)生產(chǎn)該顆粒的方法相比，顆粒的分離有益地不需要該分散體的酸化。優(yōu)選地，該第一材料包含銅并且該第二材料包含銀。銅在還原該銀來源而不中斷該芯-殼結(jié)構(gòu)的形成的方面是特別有效的。該還原劑優(yōu)選地包含肼(例如水合肼)和/或硼氫化物(例如硼氫化鈉)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中：該還原劑包含肼；和步驟(ii)包含在堿性條件下使該還原劑與丙酮接觸。通過在堿性介質(zhì)中添加丙酮來破壞過量的肼。在堿性介質(zhì)中該過量的肼與丙酮反應(yīng)以形成對應(yīng)的烷烴。這根據(jù)Wolf-Kishner反應(yīng)的原理起作用。在此實(shí)施方案中，優(yōu)選該第一材料包含銅并且該第二材料包含銀?？梢酝ㄟ^例如氫氧離子提供該堿性條件。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中：該第一材料包含銅；該第二材料包含銀；和步驟(iii)中銀與銅的重量比為從40:60至85:15。較高水平的銅可以導(dǎo)致該銀殼體不充分地涂覆該銅顆粒。較低水平的銅可以導(dǎo)致增加的制造成本。步驟(i)的溶液優(yōu)選地包含封端劑。這可以導(dǎo)致該顆粒至少局部地涂覆有封端劑。步驟(iv)可以包含過濾和/或離心?？梢岳缬盟?或丙酮清洗所回收的顆粒。在又一方面，本發(fā)明提供制造燒結(jié)粉末的方法，該燒結(jié)粉末包含涂覆有包含銀的層的含銅納米顆粒，該方法包含：(i)提供包含肼還原劑和含銅納米顆粒的溶液；(ii)在堿性條件下使來自步驟(i)的溶液與丙酮接觸以降低在該溶液中肼還原劑的濃度；(iii)使來自步驟(ii)的溶液與銀鹽接觸以用包含銀的層至少局部地涂覆至少一些含銅納米顆粒；和(iv)由步驟(iii)的溶液回收至少一些涂覆有包含銀的層的含銅納米顆粒。步驟(ii)中，優(yōu)選地使該還原劑的濃度降低至基本上零，更優(yōu)選地零。步驟(ii)中典型地破壞過量的還原劑(典型地肼)。步驟(ii)可以包括使來自步驟(i)的溶液與丙酮和氫氧離子接觸。在又一方面，本發(fā)明提供制造如這里描述的燒結(jié)膏的方法，其包括：提供如這里描述的燒結(jié)粉末；和將該燒結(jié)粉末與黏合劑和任選的流變改進(jìn)劑和/或有機(jī)銀化合物和/或活化劑和/或表面活性劑和/或潤濕劑和/或過氧化氫或有機(jī)過氧化物一起分散在溶劑中。在又一方面，本發(fā)明提供制造燒結(jié)接頭的方法，其包括以下步驟：在兩個(gè)或更多個(gè)待接合的工件附近提供如這里描述的燒結(jié)粉末或如這里描述的燒結(jié)膏或膜；和加熱該燒結(jié)粉末或燒結(jié)膏或膜以至少局部地?zé)Y(jié)該金屬。有益地，可以在大氣壓下進(jìn)行該加熱步驟?？梢栽诘蛪毫?在約175至250℃的溫度下典型地1-5MPa持續(xù)0.1至60秒)下將該燒結(jié)粉末或燒結(jié)膏或膜放置在工件附近。優(yōu)選地在至少140℃的溫度下，更優(yōu)選地從150至350℃，甚至更優(yōu)選地從160至300℃進(jìn)行該加熱步驟。低于140℃的溫度可以不導(dǎo)致在該燒結(jié)粉末中顆粒的充分燒結(jié)和/或可以不導(dǎo)致通過蒸發(fā)和/或燒掉的有機(jī)物的充分去除。高于350℃的溫度可以導(dǎo)致對工件的損壞。現(xiàn)在將參考下列非限制性圖片進(jìn)一步描述本發(fā)明，其中：圖1顯示實(shí)施例1的燒結(jié)粉末的粉末X-射線衍射(XRD)圖樣。圖2顯示實(shí)施例1的燒結(jié)粉末的UV-vis光譜。圖3顯示實(shí)施例1的燒結(jié)粉末的熱重分析(TGA)曲線。圖4顯示實(shí)施例1的燒結(jié)粉末的掃描差示量熱法(DSC)曲線。圖5顯示實(shí)施例1的燒結(jié)粉末的透射電子顯微鏡(TEM)顯微照片。圖6顯示實(shí)施例2的燒結(jié)粉末的粉末X-射線衍射(XRD)圖樣。圖7顯示實(shí)施例2的燒結(jié)粉末的UV-vis光譜。圖8顯示實(shí)施例2的燒結(jié)粉末的透射電子顯微鏡(TEM)圖像。圖9顯示實(shí)施例4的印刷圖樣的顯微圖像。圖10顯示實(shí)施例5的燒結(jié)層的SEM圖像。圖11顯示實(shí)施例6的燒結(jié)接頭的SEM圖像。圖12顯示實(shí)施例7的分配圖樣的顯微圖像?，F(xiàn)在將關(guān)于下列非限制性實(shí)施例描述本發(fā)明。實(shí)施例1-芯殼Ag-Cu納米顆粒的合成與表征伴隨連續(xù)的攪拌，將乙酸銅(154g，0.7713m)的水溶液添加至油酸鈉(30g，0.098m)的水溶液。將水合肼(300g，6m)添加至上面的溶液。攪拌產(chǎn)生的反應(yīng)混合物持續(xù)45分鐘然后添加氫氧化鈉和丙酮。然后使該反應(yīng)混合物攪拌持續(xù)10分鐘。然后將硝酸銀(70.67g，0.416m)的水溶液添加至該反應(yīng)混合物并且攪拌持續(xù)1小時(shí)。黑色顏色顆粒的形成表明納米顆粒的形成。然后過濾產(chǎn)生的納米粉末并且用水和丙酮清洗。以相似的方式，通過改變銀和銅鹽的摩爾比合成了不同組成的芯殼結(jié)構(gòu)。通過改變銅前體和銀前體的摩爾濃度制作不同組成的銀與銅芯-殼結(jié)構(gòu)的納米顆粒。XRD圖樣和SPR圖像確定該結(jié)構(gòu)為“芯殼”。圖1中顯示的XRD揭示具有面心立方結(jié)構(gòu)的銅和銀兩者的存在。XRD圖樣沒有顯示任何銅/亞銅氧化物峰的存在。通過謝樂公式(Scherrer’sformula)由XRD圖樣計(jì)算的顆粒大小為大約20-25nm。通過使用顆粒大小分析儀(MicrotracNanotracUltraNPA253)確認(rèn)此顆粒大小，其表明大約20nm的D50。通過XRF分析進(jìn)一步確認(rèn)銅與銀的百分比。UV-vis光譜(圖2)顯示對于銀典型的在456nm處的表面等離子體共振，其反過來確認(rèn)銀是該殼體并且銅是該芯的事實(shí)。TGA(圖3)顯示該封端劑的兩步分解過程。觀察到在187℃下急劇的下降伴隨大約5％的重量損失。該第二步驟包括在190℃下大約8％的重量損失。該TGA照片清晰地表明直至300℃都沒有發(fā)生銅的氧化。大于300℃TGA曲線中輕微的重量增長揭示銅的氧化。DSC(圖4)顯示197℃和210℃的起始溫度的兩個(gè)放熱峰。放熱峰兩者表明該封端劑由該芯殼的脫離和該封端劑的分解。TEM顯微照片(圖5)指出該納米顆粒的從1nm至25nm的顆粒大小。該顆?？雌饋硎乔蛐蔚男螤畈⑶覜]有顯示任何聚集。實(shí)施例2：Ag-Ni納米顆粒的合成與表征將氯化鎳(50g，0.2103m)的乙醇溶液添加至辛胺(10g，0.07摩爾)。使該反應(yīng)混合物攪拌持續(xù)10分鐘然后添加NaOH和水合肼(250g，5摩爾)。然后在50-60℃下加熱產(chǎn)生的反應(yīng)混合物持續(xù)45分鐘。然后將該反應(yīng)混合物冷卻至室溫。然后將硝酸銀(40g，0.23摩爾)的二醇溶液添加至該反應(yīng)混合物并且攪拌持續(xù)1小時(shí)。然后過濾并且用乙醇和丙酮清洗產(chǎn)生的納米粉末。XRD圖樣和SPR圖像確定該結(jié)構(gòu)為芯殼。圖6中顯示的XRD揭示具有面心立方結(jié)構(gòu)的鎳和銀兩者的存在。通過謝樂公式由XRD圖樣計(jì)算的顆粒大小為大約10-55nm。通過使用顆粒大小分析儀(MicrotracNanotracUltraNPA253)確認(rèn)此顆粒大小，其表明大約12nm的D50。鎳與銀的百分比為36:64，其與XRF分析相符。該銀鎳納米顆粒的TEM圖像(圖8)揭示3至35nm的大小范圍內(nèi)的納米顆粒的形成。晶格條紋顯示本質(zhì)為多晶的。實(shí)施例3：納米Cu芯Ag殼體膏的合成樣品1：將0.1g的月桂酸添加至40g的實(shí)施例1的粉末。向該混合物添加9.463g的溶劑混合物(4.69g的萜品醇、4.69g的三乙二醇和0.83g的碳酸丙烯酯)并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)(threerollmill)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品2：將0.1g的月桂酸添加至40g的實(shí)施例1的粉末。向該混合物添加0.956g的乳酸銀和9.257g的溶劑混合物(4.377g的萜品醇、4.377g的三乙二醇和0.503g的碳酸丙烯酯)并且在軌道式混合器中混合。混合后在三輥研磨機(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品3：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.264g的thixcinR、5.864g的萜品醇、5.864g的三乙二醇、0.5336g的1,3丙二醇和0.5336g的丁基甲醇和0.264g的BYK163并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品4：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.264g的thixcinR、5.064g的萜品醇、5.864g的三乙二醇、0.528g的1,3丙二醇和0.528g的丁基甲醇和1.064g的肉豆蔻酸并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品5：向40g的實(shí)施例1的粉末添加2.664g的丙烯酸、5.328g的辛醇、5.064g的十八烯、0.264g的thixcinR并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品6：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.2664g的thixcinR和13.064g的三乙二醇并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品7：向40g的實(shí)施例1的粉末添加2.664g的丙烯酸、5.328g的辛醇、5.064g的十八烯、0.264g的thixcinR并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品8：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.2856g的thixcinR、0.5713g的聚二甲基硅氧烷二縮水甘油醚封端、14.6552g的三乙二醇、1.628g的萜品醇并且在軌道式混合器中混合。混合后在三輥研磨機(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品9：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.2856g的thixcinR、0.5713g的草酸銀和16.28g的三乙二醇并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品10：向40g的實(shí)施例1的粉末添加0.5333g的谷氨酸、0.5333g的1,3丙二醇、0.5333g的丁基甲醇、5.7329g的萜品醇、5.7329g的三乙二醇和0.266g的BYK163并且在軌道式混合器中混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品11：向40g的實(shí)施例1的粉末添加1.013g的乳酸銀、0.1066g的ThixcinR、0.1066g的月桂酸、0.5333g的碳酸丙烯酯、5.786g的萜品醇和5.786g的三甘醇(trigol)并且在軌道式混合器中在1000rpm下混合。混合后在三輥研磨機(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品12：向40g的實(shí)施例1的粉末添加3.8604的納米銀粉末、0.1103g的月桂酸、0.9104g的碳酸丙烯酯、5.144g的萜品醇和5.144g的三甘醇(trigol)并且在軌道式混合器中在1000rpm下混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品13：向40g的實(shí)施例1的粉末添加1.588g的納米銀粉末、0.5296g的乳酸銀、0.1059g的月桂酸、0.874g的碳酸丙烯酯、4.94g的萜品醇和4.94g的三甘醇(trigol)并且在軌道式混合器中在1000rpm下混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品14：向40g的實(shí)施例1的粉末添加1.056g的納米銀粉末、1.056的乳酸銀、0.1056g的月桂酸、0.6616g的碳酸丙烯酯、4.936g的萜品醇、4.936g的三甘醇(trigol)和0.21112g的BYK163并且在軌道式混合器中在1000rpm下混合?；旌虾笤谌佈心C(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。樣品15：向40g的實(shí)施例1的粉末添加3.92g的萜品醇、9.78g的三乙二醇和1.10g的二(2-乙基己基)磺基琥珀酸鈉并且在軌道式混合器中在1000rpm下混合。混合后在三輥研磨機(jī)中研磨該混合物持續(xù)幾分鐘以提供均勻的膏。實(shí)施例4：印刷絲網(wǎng)印刷/雕版印花是用于太陽能電池的印刷電子器件和金屬噴涂的廣泛使用的技術(shù)。該技術(shù)依靠由雕版至襯底的圖樣轉(zhuǎn)移。使用DEK印刷機(jī)將根據(jù)本發(fā)明的含AgCu、AgNi和AgMo芯-殼的粉末的膏使用3mil的雕版印刷至涂覆有Ni/Ag或Ni/Au的直接結(jié)合的銅(DBC)上。圖9中顯示的印刷圖樣的顯微圖像并且表明該Cu芯Ag殼體納米膏的良好的可印刷性。印刷圖樣顯示沒有大約75微米厚度的起伏。實(shí)施例5：壓力燒結(jié)和模片固定為了涂覆有Ag/Ni或Au/Ni的直接結(jié)合銅(DBC)上所印刷的圖樣，使用Tresky模片結(jié)合機(jī)在不同的壓力放置涂覆有Ag/Ni或Au/Ni的模型(dummy)硅模片。圖10中顯示的SEM圖像揭示該燒結(jié)層良好的致密化。兩個(gè)界面(模片側(cè)以及該襯底側(cè))顯示該燒結(jié)層的擴(kuò)散。使用Dage系列4000來確定接頭強(qiáng)度。采用3-5MPa范圍內(nèi)的壓力，剪切強(qiáng)度為>40MPa。全部的失效是內(nèi)聚破壞。以下表1中列出采用不同壓力的模片剪切強(qiáng)度。燒結(jié)壓力按MPa計(jì)的模片剪切5>403>402>40125-270.523-25表1：對于不同燒結(jié)壓力的模片剪切強(qiáng)度實(shí)施例6：無壓力燒結(jié)和模片固定為了涂覆有Ag/Ni或Au/Ni的直接結(jié)合銅(DBC)上所印刷的圖樣，使用模片結(jié)合機(jī)放置涂覆有Ag/Ni或Au/Ni的模型硅模片。該整體經(jīng)受200-300℃的燒成溫度持續(xù)45-90分鐘。對該燒結(jié)接頭的形態(tài)做橫截面圖。使用SEM分析顯微結(jié)構(gòu)。圖11中顯示的SEM圖像揭示該燒結(jié)層良好的致密化。兩個(gè)界面(模片側(cè)以及該襯底側(cè))顯示該燒結(jié)層的擴(kuò)散。使用Dage系列4000來確定接頭強(qiáng)度。當(dāng)在室溫以及高溫完成時(shí)模片剪切沒有顯示任何劣化(20-30MPa)。實(shí)施例7：分配施加使用Datacon模片結(jié)合機(jī)將根據(jù)本發(fā)明的含AgCu、AgNi和AgMo顆粒的膏分配至涂覆有Ni/Ag或Ni/Au的直接結(jié)合銅(DBC)上和Ni/Ag或Ni/Au引線框架上。所分配的圖樣的顯微圖像在圖12中顯示。然后在箱式爐中300℃下燒結(jié)組件持續(xù)45分鐘。獲得的模片剪切為大約16MPa。實(shí)施例8：膜形成使用帶式澆注機(jī)(含AgCu顆粒的膏)生產(chǎn)大約10-50微米的膜。在150℃下采用2.5MPa的壓力持續(xù)1秒對該膜進(jìn)行壓型。觀察到膜由Mylar片至該模片(Au/Ni表面處理)的良好的轉(zhuǎn)移能力且該膜內(nèi)沒有擴(kuò)張(flare)和裂紋。然后在300℃下在3MPa和1MPa的壓力下持續(xù)90秒將所壓型的模片放置在DBC(Au/Ni表面處理)上。分別觀察到大約55MPa和30MPa的良好的模片剪切。失效模式是整體失效。當(dāng)在高溫(260℃)下完成膜片剪切時(shí)最有希望的結(jié)果之一是觀察到大約25％的接頭強(qiáng)度的增加。實(shí)施例9：倒裝芯片固定研究該銅芯銀殼體膏狀膜(實(shí)施例3)用于倒裝芯片類型固定。此工藝中，在帶式澆注機(jī)的幫助下在Mylar片上澆注膜。然后使用carver壓機(jī)將澆注的膜壓型在硅晶片上。然后使用切片機(jī)將所壓型的硅晶片切片然后UV固化。然后使用Datacon模片結(jié)合機(jī)將切片的晶片固定至襯底。該工藝步驟如下：(i)膜形成，(ii)膜轉(zhuǎn)移至Si晶片，(iii)涂覆的Si晶片的切片，(iv)使用模片結(jié)合機(jī)模片固定，(v)無壓力燒結(jié)以及(vi)模片剪切和表征。以下陳述這些步驟的進(jìn)一步細(xì)節(jié)和條件：膜澆注和壓型條件：通過在150℃下持續(xù)15分鐘將膏輥壓至Mylar片上來在帶式澆注機(jī)的幫助下將銅銀膏的膜澆注在Mylar片上。然后使用Carver壓機(jī)(其中上板設(shè)置在130℃并且下板設(shè)置至50℃)將該澆注的膜轉(zhuǎn)移至該硅模片。施加10MPa的壓力持續(xù)2分鐘。然后是壓型的硅晶片。發(fā)現(xiàn)該膜的厚度為大約25微米。模片固定和表征：然后采用Datacon模片結(jié)合機(jī)將切片的硅晶片固定至Au表面處理的DBC。設(shè)置150℃的工具溫度和225℃的基板溫度并施加0.1MPa的壓力持續(xù)1秒。然后在225℃下后固化該組件持續(xù)1小時(shí)。該燒結(jié)組件的CSAM圖像沒有顯示任何種類的分層或空隙。上面提到的組件的橫截面的SEM顯示納米顆粒在該襯底側(cè)和該模片兩者上良好的擴(kuò)散。將模片剪切并且發(fā)現(xiàn)接頭強(qiáng)度為大約30MPa且具有整體失效模式。熱可靠性：測試所組裝的樣品用于熱可靠性測試，其包括熱沖擊和熱循環(huán)(-40℃至125℃)持續(xù)1000個(gè)循環(huán)。發(fā)現(xiàn)在接頭強(qiáng)度方面沒有觀察到劣化以及在界面處沒有分層。用解釋和說明的方式提供了前述詳細(xì)的說明，并且其不意圖限制所附權(quán)利要求的范圍。在這里說明的本優(yōu)選實(shí)施方案中的許多變體對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將是明顯的并且仍處于所附權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3