類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，包括依次設(shè)置的呈真空狀態(tài)的進(jìn)架室、DLC鍍膜室以及出架室，還包括貫穿各室的軌道，軌道上設(shè)置用于裝夾待鍍膜基材的可在軌道上勻速移動的基材架，DLC鍍膜室為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復(fù)合鍍膜腔室，其內(nèi)設(shè)置用于鍍制DLC膜的第一工作靶。本方案通過將PVD和CVD鍍膜方式結(jié)合應(yīng)用于DLC膜鍍制，同時設(shè)置軌道和基材架，可以大面積連續(xù)的對待鍍膜基材表面鍍制DLC膜，與PECVD單體鍍膜設(shè)備、激光及離子束沉積設(shè)備相比，其性價比突出并且生產(chǎn)成本低廉，量產(chǎn)能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PECVD等設(shè)備的量產(chǎn)能力，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種鍍制類金剛鉆石膜的連續(xù)型鍍膜裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]1971年德國的Aisenberg和Chabot采用碳離子束首次制備出了具有金剛石特征的非晶態(tài)碳膜，由于所制備的薄膜具有與金剛石相似的性能，Aisenberg于1973年首次把它稱之為類金剛鉆石膜(DLC膜)。類金剛鉆石膜有著和金剛石幾乎一樣的性質(zhì)，如高硬度、耐磨損、高表面光潔度、高電阻率、優(yōu)良的場發(fā)射性能，高透光率及化學(xué)惰性等，它的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在機(jī)械、電子、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、光學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等各個領(lǐng)域。類金剛鉆石膜的沉積溫度低、表面平滑，具有比金剛石膜更高的性價比且在相當(dāng)廣泛的領(lǐng)域內(nèi)可以代替金剛鉆石膜，所以自80年代以來一直是研究的熱點。類金剛鉆石膜(DLC膜)的低摩擦系數(shù)和高耐磨性使類金剛鉆石膜已在切削工具、磁存儲、人工關(guān)節(jié)等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)階段，類金剛鉆石量產(chǎn)設(shè)備也主要應(yīng)用于刀具表面超硬膜，延長刀具壽命，硬盤磁碟，磁頭保護(hù)膜。設(shè)備主要為單體式鍍膜機(jī)，設(shè)備價格昂貴，且現(xiàn)有設(shè)備工藝無法大批量經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)，應(yīng)用于無色透明的光學(xué)類金剛鉆石保護(hù)膜。無色透明的類金剛鉆石膜可以在保證光學(xué)組件的光學(xué)性能的同時，明顯地改善其耐磨性和抗蝕性，現(xiàn)在已被應(yīng)用于光學(xué)透鏡的保護(hù)膜，光盤保護(hù)膜、手表表面的保護(hù)膜、眼鏡片(玻璃、樹脂)保護(hù)膜以及汽車擋風(fēng)玻璃保護(hù)膜等。另一光學(xué)性質(zhì)是其紅外增透保護(hù)特性，即它不僅具有紅外增透作用，又有保護(hù)基底材料的功能，可作為紅外區(qū)的增透和保護(hù)膜。但由于不能實現(xiàn)低成本大規(guī)模量產(chǎn)，推廣一直受限制。
[0004]目前，由于工藝技術(shù)及設(shè)備的影響，不能實現(xiàn)低成本，大規(guī)模生產(chǎn)，僅限于小批量生產(chǎn)，及實驗室階段。例如，中國專利文獻(xiàn)CN100337881C公開一種“包覆有DLC薄膜的塑料容器及其制造設(shè)備和制作方法”，其中，制造設(shè)備包括一個源氣體供給裝置，其具有一個容器側(cè)電極，該容器側(cè)電極形成了一個用于收容帶有頸部的塑料容器的減壓腔室的一部分，和一個對應(yīng)于所述容器側(cè)電極的相對電極，該相對電極被設(shè)置在所述塑料容器的內(nèi)部或者開口上方，所述容器側(cè)電極與相對電極經(jīng)由一個絕緣體相互面對，該絕緣體也形成了所述減壓腔室的一部分，一條源氣體進(jìn)入導(dǎo)管，一個排氣裝置，以及一個高頻供給裝置，所述容器側(cè)電極被制成使得當(dāng)所述容器被收容起來時，環(huán)繞在容器頸部周圍的內(nèi)壁的平均孔內(nèi)徑小于環(huán)繞在容器本體部分周圍的內(nèi)壁的平均孔內(nèi)徑，并且在所述頸部處于一個相對于容器豎直方向的水平橫剖面中容器外壁與容器側(cè)電極內(nèi)壁之間的平均距離被制成大于在所述本體部分處于一個相對于容器豎直方向的水平橫剖面中容器外壁與容器側(cè)電極內(nèi)壁之間的平均距離。此制造設(shè)備在對產(chǎn)品鍍制DLC膜時，只能單件鍍制，不能實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低，制造成本高。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于提供一種類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，以解決上述技術(shù)問題。
[0006]為達(dá)此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，包括依次設(shè)置的呈真空狀態(tài)的進(jìn)架室、DLC鍍膜室以及出架室，還包括貫穿所述進(jìn)架室、所述DLC鍍膜室以及出架室的軌道，所述軌道上設(shè)置用于裝夾待鍍膜基材的可在所述軌道上勻速移動的基材架，所述DLC鍍膜室為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復(fù)合鍍膜腔室，所述DLC鍍膜室內(nèi)設(shè)置用于鍍制DLC膜的第一工作革巴。
[0008]本方案的鍍膜裝置主要用于光學(xué)器件、平板顯示器、保護(hù)玻璃及觸摸屏產(chǎn)品等表面的鍍膜，通過將其DLC鍍膜室設(shè)置為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復(fù)合鍍膜腔室，并配合恒速運動的基材架，可以實現(xiàn)連續(xù)大面積的鍍膜生產(chǎn)。
[0009]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)架室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置工藝室，所述工藝室為磁控濺射工藝室，所述工藝室內(nèi)設(shè)置有對所述待鍍膜基材表面鍍制過渡層的第二工作靶。
[0010]優(yōu)選的，所述第二工作靶為硅靶。
[0011]進(jìn)一步的，所述過渡層為Si層或S1x層。通過在待鍍膜基材表面鍍制Si或者S1x過渡層，可以改善DLC膜的附著性能。
[0012]進(jìn)一步的，在所述工藝室內(nèi)設(shè)置離子源，用于對待鍍膜基材的表面進(jìn)行清洗。
[0013]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述工藝室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置氣氛隔離室，所述氣氛隔離室為可對所述工藝室和所述DLC鍍膜室之間的氣氛進(jìn)行隔離的狹縫及分子泵軟隔離腔室。
[0014]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述第一工作靶為硅靶或石墨靶。
[0015]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述DLC鍍膜室包括第一腔體，所述第一腔體內(nèi)設(shè)置有鍍膜用工作氣體，所述第一工作靶通過絕緣體固定在所述第一腔體內(nèi)并位于所述待鍍膜基材的一側(cè)。
[0016]進(jìn)一步的，所述待鍍膜基材上連接有偏置電壓，所述絕緣體一端與所述第一工作靶連接，另一端穿過所述第一腔體并延伸至所述DLC鍍膜室外，所述第一腔體的內(nèi)壁上設(shè)置罩蓋所述第一工作靶和所述絕緣體的第一陽極罩，所述第一陽極罩上對應(yīng)所述第一工作靶開設(shè)有靶孔，所述絕緣體內(nèi)并位于所述第一工作靶的一側(cè)設(shè)置磁鐵，所述磁鐵遠(yuǎn)離所述第一工作靶的一側(cè)設(shè)置第一陰極，所述第一陰極電連接有電極。
[0017]通過將第一工作靶選用硅靶，以在DLC鍍膜室內(nèi)采用高純硅靶磁控濺射+CVD工藝對待鍍膜基材表面鍍制硅摻雜含氫類金剛鉆石膜(DLC膜)。
[0018]通過將第一工作靶選用石墨靶，以在DLC鍍膜室內(nèi)采用高純石墨靶磁控濺射+CVD工藝對待鍍膜基材表面鍍制含氫類金剛鉆石膜(DLC膜)。
[0019]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述第一腔體外設(shè)置冷卻水管，所述冷卻水管的出水端延伸至所述絕緣體內(nèi)并位于所述第一工作靶的一側(cè)，用于對所述第一工作靶進(jìn)行冷卻。
[0020]進(jìn)一步的，所述第一腔體上設(shè)置用于抽取真空的真空孔和用于通入所述工作氣體的工作氣體孔。
[0021 ] 進(jìn)一步的，所述第一腔體上設(shè)置觀察窗。
[0022]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)架室與所述工藝室之間設(shè)置第一真空過渡室，和/或，所述出架室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置第二真空過渡室。
[0023]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室均與真空抽空系統(tǒng)連接，所述真空抽空系統(tǒng)包括第一真空抽空系統(tǒng)和第二真空抽空系統(tǒng)，所述進(jìn)架室和所述出架室與所述第二真空抽空系統(tǒng)連接，所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室以及所述第二真空過渡室與所述第一真空抽空系統(tǒng)連接。
[0024]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)架室與所述第一真空過渡室之間、所述第一真空過渡室與所述工藝室之間、所述DLC鍍膜室與所述第二真空過渡室之間，所述第二真空過渡室與所述出架室之間、所述出架室與外界以及所述進(jìn)架室與外界之間均設(shè)置有隔離閥。
[0025]作為類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室呈直線型或者U型布置。
[0026]優(yōu)選的，所述DLC鍍膜室使用的電源為RF電源、高頻率脈沖直流電源、磁控濺射電源中的任意一種。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以獲知其它可以使用的電源也同樣適用于本實用新型。
[0027]本實用新型的有益效果:本方案通過將PVD和CVD鍍膜方式結(jié)合應(yīng)用于DLC膜鍍制，同時設(shè)置軌道和基材架，可以大面積連續(xù)的對待鍍膜基材表面鍍制DLC膜，與PECVD單體鍍膜設(shè)備、激光及離子束沉積設(shè)備相比，其性價比突出并且生產(chǎn)成本低廉，量產(chǎn)能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PECVD等設(shè)備的量產(chǎn)能力，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]下面根據(jù)附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0029]圖1為本實用新型的實施例所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為圖1中所示的DLC鍍膜室的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖1 中:
[0032]1、進(jìn)架室；2、第一真空過渡室；3、工藝室；4、氣氛隔離室；5、DLC鍍膜室；6、第二真空過渡室；7、出架室；8、隔離閥；9、第一真空抽空系統(tǒng)；10、第二真空抽空系統(tǒng)；11、待鍍膜基材；12、第一工作靶；13、第二工作靶；14、離子源。
[0033]圖2 中:
[0034]510、第一腔體；511、絕緣體；512、偏置電壓；513、第一陽極罩；514、祀孔；515、磁鐵；516、第一陰極；517、電極；518、冷卻水管；519、真空孔；520、工作氣體孔；521、觀察窗。

【具體實施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖并通過【具體實施方式】來進(jìn)一步說明本實用新型的技術(shù)方案。
[0036]如圖1和2所示，本實用新型實施例所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，包括依次設(shè)置的呈真空狀態(tài)的進(jìn)架室1、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室5以及出架室7，還包括貫穿進(jìn)架室1、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室5以及出架室7的軌道，軌道上設(shè)置用于裝夾待鍍膜基材11的可在軌道上勻速移動的基材架，工藝室3為磁控濺射工藝室，工藝室3內(nèi)設(shè)置有對待鍍膜基材11表面鍍制過渡層的第二工作靶13，DLC鍍膜室5為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復(fù)合鍍膜腔室，DLC鍍膜室5內(nèi)設(shè)置用于鍍制DLC膜的第一工作靶12。
[0037]氣氛隔離室4為可對工藝室3和DLC鍍膜室5之間的氣氛進(jìn)行隔離的狹縫及分子泵軟隔離腔室。
[0038]在本實施例中，第二工作靶13為硅靶，第一工作靶12不限于為硅靶，還可以為石墨靶。過渡層為Si層，通過在待鍍膜基材11表面鍍制Si過渡層，可以改善DLC膜的附著性能。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以獲知其它可以改善DLC膜的附著性能的過渡層也同樣適用于本實用新型，例如，過渡層還可以為S1x層。
[0039]在工藝室3內(nèi)設(shè)置離子源14，用于對待鍍膜基材11的表面進(jìn)行離子清洗。
[0040]進(jìn)架室I與工藝室3之間設(shè)置第一真空過渡室2，出架室7與DLC鍍膜室5之間設(shè)置第二真空過渡室6，進(jìn)架室1、第一真空過渡室2、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室5、第二真空過渡室6以及出架室7均與真空抽空系統(tǒng)連接，真空抽空系統(tǒng)包括第一真空抽空系統(tǒng)9和第二真空抽空系統(tǒng)10，進(jìn)架室I和出架室7與第二真空抽空系統(tǒng)10連接，第一真空過渡室2、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室5以及第二真空過渡室6與第一真空抽空系統(tǒng)9連接。
[0041]進(jìn)架室I與第一真空過渡室2之間、第一真空過渡室2與工藝室3之間、DLC鍍膜室5與第二真空過渡室6之間，第二真空過渡室6與出架室7之間、出架室7與外界以及進(jìn)架室I與外界之間均設(shè)置有隔離閥8。
[0042]在本實施例中，進(jìn)架室1、第一真空過渡室2、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室
5、第二真空過渡室6以及出架室7呈直線型布置，當(dāng)然，進(jìn)架室1、第一真空過渡室2、工藝室3、氣氛隔離室4、DLC鍍膜室5、第二真空過渡室6以及出架室7的布置形式不限于直線型布置，還可以為U型布置。
[0043]DLC鍍膜室5包括第一腔體510，第一腔體510內(nèi)設(shè)置有鍍膜用工作氣體，第一工作靶12通過絕緣體511固定在第一腔體510內(nèi)并位于待鍍膜基材11的一側(cè)，待鍍膜基材11上連接有偏置電壓512，絕緣體511 —端與第一工作靶12連接，另一端穿過第一腔體510并延伸至工藝室3外，第一腔體510的內(nèi)壁上設(shè)置罩蓋第一工作靶12和絕緣體511的第一陽極罩513，第一陽極罩513上對應(yīng)第一工作靶12開設(shè)有靶孔514，絕緣體511內(nèi)并位于第一工作靶12的一側(cè)設(shè)置磁鐵515，磁鐵515遠(yuǎn)離第一工作靶12的一側(cè)設(shè)置第一陰極516，第一陰極516電連接有電極517。
[0044]第一腔體510外設(shè)置冷卻水管518，冷卻水管518的出水端延伸至絕緣體511內(nèi)并位于第一工作靶12的一側(cè)，用于對第一工作靶12進(jìn)行冷卻。
[0045]第一腔體510上設(shè)置用于抽取真空的真空孔519和用于通入工作氣體的工作氣體孔 520。
[0046]第一腔體510上設(shè)置觀察窗521。可以提供操作者查看DLC鍍膜室5的工作情況。
[0047]本實用新型的能實現(xiàn)低成本，大規(guī)模量產(chǎn)無色透明類金剛鉆石光學(xué)保護(hù)膜產(chǎn)品，采用PVD+CVD混合的磁控濺射工藝設(shè)備，在線連續(xù)式大面積鍍膜生產(chǎn)。
[0048]磁控反應(yīng)濺射，如直流脈沖、射頻、中頻磁控濺射等(高純石墨靶)+CVD復(fù)合沉積工藝:通入Ar，烴烷，摻雜工藝氣體-C2F6，CF4，CHF3等氟化氣體，及SiH4，TMS等含硅氣體，得到硅或氟摻雜含氫DLC/含氫DLC?；蚋呒児璋写趴貫R射+CVD復(fù)合沉積工藝(通入Ar,烴烷)得到硅摻雜含氫DLC。
[0049]本實用新型針對無色透明的光學(xué)保護(hù)類金剛鉆石膜，在工藝及設(shè)備領(lǐng)域綜合了磁控濺射工藝和CVD工藝，以及大面積在線連續(xù)式磁控濺射的優(yōu)點，以極其高的性價比實現(xiàn)并得到無色透明的DLC膜，同時保持高硬度(大于鉛筆硬度-9H，或納米硬度15?20GPa以上)，致密，疏水防污，防指紋，抗菌的特性。
[0050]對比現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0051]一、本實用新型在大規(guī)模量產(chǎn)及低生產(chǎn)制造成本方面與現(xiàn)有的磁控濺射單體設(shè)備，PECVD單體鍍膜設(shè)備，激光及離子束沉積設(shè)備相比，其性價比突出并且生產(chǎn)成本低廉，量產(chǎn)能力遠(yuǎn)超過PECVD等設(shè)備的量產(chǎn)能力；
[0052]二，大面積有效鍍膜,面積可達(dá)1000mm*1200mm以上；
[0053]三,使用廉價的石墨祀材,娃祀材及烴類工藝氣體,材料成本低廉,來源廣泛；
[0054]四，可以常溫鍍膜；
[0055]五，相對于現(xiàn)有藍(lán)寶石保護(hù)屏，只有其生產(chǎn)成本的十分之一以下，卻可以提供類似或更高抗劃傷等性能。藍(lán)寶石是自然界中只低于金剛鉆石(納米硬度10GPa)的物質(zhì)-其洛氏硬度9，納米硬度約20GPa，工業(yè)生產(chǎn)主要采用生長工藝融爐，生成數(shù)百公斤的藍(lán)寶石錠，再切割研磨成保護(hù)玻璃片，周期長達(dá)數(shù)星期，成本及其昂貴，現(xiàn)主要用于LED行業(yè)的基板，聞檔手表玻屏。
[0056]本實用新型采用的術(shù)語“第一”、“第二”等，均是便于描述而采用的表述方式，并無特殊含義。
[0057]需要聲明的是，上述【具體實施方式】僅僅為本實用新型的較佳實施例及所運用技術(shù)原理，在本實用新型所公開的技術(shù)范圍內(nèi)，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所容易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，包括依次設(shè)置的呈真空狀態(tài)的進(jìn)架室、DLC鍍膜室以及出架室，還包括貫穿所述進(jìn)架室、所述DLC鍍膜室以及出架室的軌道，所述軌道上設(shè)置用于裝夾待鍍膜基材的可在所述軌道上勻速移動的基材架，所述DLC鍍膜室為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復(fù)合鍍膜腔室，所述DLC鍍膜室內(nèi)設(shè)置用于鍍制DLC膜的第一工作靶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進(jìn)架室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置工藝室，所述工藝室為磁控濺射工藝室，所述工藝室內(nèi)設(shè)置有對所述待鍍膜基材表面鍍制過渡層的第二工作靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述工藝室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置氣氛隔離室，所述氣氛隔離室為可對所述工藝室和所述DLC鍍膜室之間的氣氛進(jìn)行隔離的狹縫及分子泵軟隔離腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述第一工作靶為硅靶或石墨靶。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述DLC鍍膜室包括第一腔體，所述第一腔體內(nèi)設(shè)置有鍍膜用工作氣體，所述第一工作靶通過絕緣體固定在所述第一腔體內(nèi)并位于所述待鍍膜基材的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述第一腔體外設(shè)置冷卻水管，所述冷卻水管的出水端延伸至所述絕緣體內(nèi)并位于所述第一工作靶的一偵牝用于對所述第一工作靶進(jìn)行冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進(jìn)架室與所述工藝室之間設(shè)置第一真空過渡室，和/或，所述出架室與所述DLC鍍膜室之間設(shè)置第二真空過渡室。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進(jìn)架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室均與真空抽空系統(tǒng)連接，所述真空抽空系統(tǒng)包括第一真空抽空系統(tǒng)和第二真空抽空系統(tǒng)，所述進(jìn)架室和所述出架室與所述第二真空抽空系統(tǒng)連接，所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室以及所述第二真空過渡室與所述第一真空抽空系統(tǒng)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進(jìn)架室與所述第一真空過渡室之間、所述第一真空過渡室與所述工藝室之間、所述DLC鍍膜室與所述第二真空過渡室之間，所述第二真空過渡室與所述出架室之間、所述出架室與外界以及所述進(jìn)架室與外界之間均設(shè)置有隔離閥。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述所述進(jìn)架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室呈直線型或者U型布置。
【文檔編號】C23C14/56GK203834012SQ201420160343
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月3日
【發(fā)明者】蔣紹洪 申請人:蔣紹洪