大面積高透鍍膜玻璃的制作方法
【專利摘要】一種大面積高透鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片為浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉積第一氮化硅SiNx層、第一陶瓷AZO層、第一金屬鎳鉻NiCr層、金屬銀Ag層、第二金屬鎳鉻NiCr層、第二陶瓷AZO層和第二氮化硅SiNx層；所述第一氮化硅SiNx層厚度為50-100nm，所述第一陶瓷AZO層10-30nm，所述第一金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-10nm，所述金屬銀Ag層厚度為3-9nm，所述第二金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-10nm，第二陶瓷AZO層10-30nm，所述第二氮化硅SiNx層厚度為80-160nm。本實(shí)用新型的積極效果：解決因使用新型單靶直流濺射沉基陶瓷AZO靶制作高透產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)電紋狀質(zhì)量問題，適用于鍍多層鍍膜結(jié)構(gòu)，能有效降低電源、靶材和其它附帶費(fèi)用。
【專利說明】大面積高透鍍膜玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及鍍膜玻璃應(yīng)用領(lǐng)域，特別是一種大面積高透鍍膜玻璃。

【背景技術(shù)】
[0002]在真空環(huán)境下制造玻璃，普遍使用單旋轉(zhuǎn)AZO靶。采用“單靶直流濺射方式”用于濺射陶瓷AZO靶材，對直流濺射來說優(yōu)點(diǎn)在于穩(wěn)定性好、濺射率沉基率高、設(shè)備投資成本低廉可省下一根AZO靶材和一臺(tái)中頻電源一對端頭費(fèi)用。缺點(diǎn)是無法陰陽極轉(zhuǎn)換，缺少陽極或者因陽極失效帶來諸多問題。而且玻璃在鍍膜過程中可能會(huì)因?yàn)殡娫疵}沖不匹配造成尾部出現(xiàn)電紋。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是解決玻璃在鍍膜過程中可能會(huì)因?yàn)殡娫疵}沖不匹配造成尾部出現(xiàn)電紋，提供一種大面積高透鍍膜玻璃。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是按如下方式實(shí)現(xiàn)的:一種大面積高透鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片為浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉積第一氮化硅SiNx層、第一陶瓷AZO層、第一金屬鎳鉻NiCr層、金屬銀Ag層、第二金屬鎳鉻NiCr層、第二陶瓷AZO層和第二氮化硅SiNx層；所述第一氮化硅SiNx層厚度為50-100nm，所述第一陶瓷AZO層10-30nm，所述第一金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-lOnm，所述金屬銀Ag層厚度為3-9nm，所述第二金屬鎳鉻NiCr層厚度為3_10nm，第二陶瓷AZO層第一陶瓷AZO層10_30nm,所述第二氮化娃SiNx層厚度為80_160nm。
[0005]本實(shí)用新型的積極效果:解決因使用新型單靶直流濺射沉基陶瓷AZO靶制作高透產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)電紋狀質(zhì)量問題，適用于鍍多層鍍膜結(jié)構(gòu)，能有效降低電源、靶材和其它附帶費(fèi)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是真空工藝濺射具備必須設(shè)備。
[0007]圖中:Icathode(整個(gè)陰極)2magnet (陰極體)3target (革巴材)4substrate (傳輸棍道)5anode (陽極)6working gas (工藝氣體)7power supply (電源供應(yīng))
[0008]圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0010]如圖2所示，本實(shí)用新型所述大面積高透鍍膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片為浮法玻璃基片。在浮法玻璃基片上依次沉積第一氮化娃SiNx層、第一陶瓷AZO層、第一金屬鎳鉻NiCr層、金屬銀Ag層、第二金屬鎳鉻NiCr層、第二陶瓷AZO層和第二氮化硅SiNx層。
[0011]第一氮化娃SiNx層厚度為50-100nm,第一陶瓷AZO層厚度為10-30nm,第一金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-10nm，金屬銀Ag層厚度為3_9nm，第二金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-1Onm,第二陶瓷AZO層厚度為10_30nm，第二氮化硅SiNx層厚度為80_160nm。
[0012]生產(chǎn)操作過程:
[0013]I)采用腔體能提供本底真氣壓達(dá)到5.0*10-6mbar以上，濺射氣壓達(dá)到
2.0*10-3-5.0*10-3mbar 左右環(huán)境。
[0014]2)單靶陶瓷AZO及銀靶濺射腔室內(nèi)壁傳動(dòng)輥?zhàn)由螼型圈必須保持清潔。
[0015]3)具備濺射用到的陰極包括陰極蓋板、端頭、靶村、電源、工藝氣體環(huán)境和冷卻水坐寸ο
[0016]4)采用單極性正脈沖磁控濺射直流電源用于控制單靶動(dòng)力電源。
[0017]本實(shí)用新型的積極效果:解決因使用新型單靶直流濺射沉基陶瓷AZO靶制作高透產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)電紋狀質(zhì)量問題，適用于鍍多層鍍膜結(jié)構(gòu)，能有效降低電源、靶材和其它附帶費(fèi)用。
【權(quán)利要求】
1.一種大面積高透鍍膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基片，所述玻璃基片為浮法玻璃基片；在所述浮法玻璃基片上依次沉積第一氮化硅SiNx層、第一陶瓷AZO層、第一金屬鎳鉻NiCr層、金屬銀Ag層、第二金屬鎳鉻NiCr層、第二陶瓷AZO層和第二氮化娃SiNx層；所述第一氮化硅SiNx層厚度為50-100nm，所述第一陶瓷AZO層厚度為10_30nm，所述第一金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-10nm，所述金屬銀Ag層厚度為3_9nm，所述第二金屬鎳鉻NiCr層厚度為3-10nm，第二陶瓷AZO層厚度為10_30nm，所述第二氮化硅SiNx層厚度為80_160nm。
【文檔編號(hào)】B32B17/06GK204224460SQ201420310379
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月11日
【發(fā)明者】楊宏斌, 李忠祥 申請人:北京物華天寶鍍膜科技有限公司