專利名稱：印刷電路板用層積體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及印刷電路板用層積體。
背景技術：
一般，高頻領域的信號傳送中要求傳送速度的提高和噪聲的減低，從印刷電路板的基板材料、配線技術、電路形態(tài)等進行研究。
印刷電路板中，信號的傳送速度與印刷電路板的基板材料的介電常數(shù)的平方根成反比，所以如果使用低介電常數(shù)材料作為基板材料，則傳送速度快，可以減低噪聲。此外，如果使用低介電常數(shù)的基板材料，則可以減低鄰接電路間產生的不必要的電容值。因此，低介電常數(shù)的基板材料適合微波的發(fā)送接收電路內的放電電路、高速數(shù)字電路等的處理非常弱的高速信號的印刷電路板(日本專利特開平2-42786號公報)。
環(huán)氧樹脂印刷電路板為最普通的印刷電路板，但介電常數(shù)高，無法用于高頻領域。該印刷電路板可通過在玻璃纖維織布中浸含環(huán)氧樹脂后進行干燥的工序、使浸含的環(huán)氧樹脂形成半固化狀態(tài)而生成預浸料坯的工序以及使導電性金屬箔層積于預浸料坯的工序容易地進行制造。
聚四氟乙烯(以下稱為PTFE)等含氟樹脂具有介電常數(shù)和電介質損耗角正切低的特性。但是，由于含氟樹脂和金屬的粘接性不足，因此含氟樹脂印刷電路板無法通過與上述環(huán)氧樹脂印刷電路板同樣的容易的方法制造。一般，含氟樹脂印刷電路板通過將由玻璃纖維織布中浸含PTFE等的水性分散液并燒結得到的經(jīng)PTFE浸含的玻璃纖維織布構成的電絕緣體層和導電性金屬箔間介以由低熔點的熱固化性樹脂、粘接性膜、粘接劑等構成的粘接劑層進行粘接而制得(日本專利特開平11-199738號公報)。
然而，通過上述方法制造的含氟樹脂印刷電路板由于具有介電常數(shù)和電介質損耗角正切高的粘接劑層，所以含氟樹脂的介電常數(shù)和電介質損耗角正切低的特性受損。如果將該印刷電路板用于高頻領域，則傳送損失變得非常大。
此外，高頻領域中發(fā)現(xiàn)有表面效應。表面效應是指高頻電流只在導電體層的表面附近通過的現(xiàn)象。例如，1GHz時電流僅在表面至2.3μm深度的范圍內通過，10GHz時電流僅在表面至0.7μm深度的范圍內通過。
使用粘接劑的情況下，也為了提高電絕緣體層和導電體層的粘接性，在與電絕緣體層相接側的導電體層的表面設置3μm左右的凹凸，但具有凹凸的表面(以下也稱粗化面)和非粗化面之間在信號到達時間上產生偏差。因此，該凹凸需要盡量薄型化(日本專利特開平5-55746號公報)。
因此，需要開發(fā)無需粘接劑層、導電體層表面的凹凸薄、導電體層和電絕緣體層直接接合的含氟樹脂印刷電路板。
發(fā)明的揭示本發(fā)明的目的在于提供高頻領域中的信號應答性良好的含氟樹脂印刷電路板用層積體。
本發(fā)明提供具有由含氟共聚物形成的電絕緣體層(A)和與該電絕緣體層(A)相接的面的表面粗糙度在10μm以下的導電體層(B)直接接合的層積結構的印刷電路板用層積體，所述含氟共聚物含有基于四氟乙烯和/或三氟氯乙烯的重復單元(a)、基于含氟單體(但四氟乙烯和三氟氯乙烯除外)的重復單元(b)以及基于具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體的重復單元(c)，相對于((a)+(b)+(c))，(a)為50～99.89摩爾％，(b)為0.1～49.99摩爾％，(c)為0.01～5摩爾％。
本發(fā)明的印刷電路板用層積體的電絕緣體層(A)和導電體層(B)的粘接性良好。此外，本發(fā)明的印刷電路板用層積體中，含氟共聚物的低介電常數(shù)和低電介質損耗角正切等特性未受損，對于高頻信號的信號應答性良好。本發(fā)明提供高頻領域中非常穩(wěn)定地工作、電氣特性良好的低電介質損耗角正切的印刷電路板。本發(fā)明的印刷電路板用層積體中，導電體層(B)表面的凹凸薄，對高頻領域的適用性良好。另外，因為其制造工序簡單且生產性良好，所以可低成本地制造印刷電路板。
附圖的簡單說明
圖1為表示本發(fā)明的印刷電路板用層積體的一例的截面圖。
符號的說明
1由含氟共聚物形成的電絕緣體層(A)2導電體層(B)實施發(fā)明的最佳方式本發(fā)明中的含氟共聚物含有基于四氟乙烯(以下稱為TFE)和/或三氟氯乙烯(以下稱為CTFE)的重復單元(a)、基于含氟單體(其中不包括TFE和CTFE)的重復單元(b)以及基于具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體的重復單元(c)。
作為本發(fā)明中的含氟單體，可以例舉氟乙烯、偏氟乙烯(以下稱為VdF)、三氟乙烯、六氟丙烯(以下稱為HFP)等氟烯烴，CF2＝CFOR1(R1為碳原子數(shù)1～10的可含氧原子的全氟烷基)，CF2＝CFOR2SO2X1(R2為在碳原子間可含氧原子的碳原子數(shù)1～10的全氟亞烷基，X1為鹵素原子或羥基)，CF2＝CFOR3CO2X2(其中，R3為在碳原子間可含氧原子的碳原子數(shù)1～10的全氟亞烷基，X2為氫原子或碳數(shù)3以下的烷基)，CF2＝CF(CF2)pOCF＝CF2(其中，p為1或2)，CH2＝CX3(CF2)qX4(其中，X3為氫原子或氟原子，q為2～10的整數(shù)，X4為氫原子或氟原子)以及全氟(2-亞甲基-4-甲基-1，3-二氧雜戊環(huán))等。
較好是選自VdF、HFP、CF2＝CFOR1和CH2＝CX3(CF2)qX4的1種以上，更好是CF2＝CFOR1或CH2＝CX3(CF2)qX4。
作為CF2＝CFOR1，可以例舉CF2＝CFOCF2CF3、CF2＝CFOCF2CF2CF3、CF2＝CFOCF2CF2CF2CF3、CF2＝CFO(CF2)8F等。較好是CF2＝CFOCF2CF2CF3。
作為CH2＝CX3(CF2)qX4，可以例舉CH2＝CH(CF2)2F、CH2＝CH(CF2)3F、CH2＝CH(CF2)4F、CH2＝CF(CF2)3H、CH2＝CF(CF2)4H等。較好是CH2＝CH(CF2)4F或CH2＝CH(CF2)2F。
作為本發(fā)明中的具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體(以下也稱AM單體)，可以例舉衣康酸酐(以下稱為IAH)、檸康酸酐(以下稱為CAH)、5-降冰片烯-2，3-二甲酸酐(以下稱為NAH)、馬來酸酐等。較好是選自IAH、CAH和NAH中的1種以上，更好是IAH或CAH。
如果使用選自IAH、CAH和NAH中的1種以上，則可以不使用采用馬來酸酐時所必需的特殊的聚合方法(參照日本專利特開平11-193312號)而容易地制造含有酸酐殘基的含氟共聚物，所以是更理想的。
本發(fā)明中的含氟共聚物中，相對于((a)+(b)+(c))，(a)為50～99.89摩爾％，(b)為0.1～49.99摩爾％，(c)為0.01～5摩爾％。較好是重復單元(a)為50～99.4摩爾％，重復單元(b)為0.5～49.9摩爾％，重復單元(c)為0.1～3摩爾％，更好是重復單元(a)為50～98.9摩爾％，重復單元(b)為1～49.9摩爾％，重復單元(c)為0.1～2摩爾％。如果重復單元(a)、(b)和(c)的含量在該范圍內，則電絕緣體層(A)的耐熱性、耐藥品性良好。另外，如果重復單元(b)的含量在該范圍內，則含氟共聚物的成形性良好，耐應力開裂性等機械物性良好。如果重復單元(c)的含量在該范圍內，則電絕緣體層(A)和導電體層(B)的接合性良好。
另外，本發(fā)明中的含氟共聚物中可以含有基于AM單體水解得到的衣康酸、檸康酸、5-降冰片烯-2，3-二甲酸、馬來酸等二羧酸的重復單元。含有該基于二羧酸的重復單元時，上述重復單元(c)的含量表示基于AM單體的重復單元和基于二羧酸的重復單元的總量。
本發(fā)明的含氟共聚物中，相對于所有重復單元的((a)+(b)+(c))較好是60摩爾％以上，更好是65摩爾％以上，最好是68摩爾％以上。
除了重復單元(a)、(b)、(c)之外，本發(fā)明中的含氟共聚物較好是還含有基于不含氟單體(但AM單體除外)的重復單元(d)。
作為不含氟單體，可以例舉乙烯(以下稱為E)、丙烯(以下稱為P)等碳數(shù)3以下的烯烴，乙酸乙烯酯(以下稱為VOA)等乙烯酯，乙基乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚等乙烯基醚等。較好是E、P或VOA，更好是E。
含有重復單元(d)的情況下，其含量以((a)+(b)+(c))/(d)的摩爾比計較好是100/5～100/90，更好是100/5～100/80，最好是100/10～100/66。
作為本發(fā)明中的含氟共聚物的優(yōu)選的具體例子，可以例舉TFE/CF2＝CFOCF2CF2CF3/IAH共聚物、TFE/CF2＝CFOCF2CF2CF3/CAH共聚物、TFE/HFP/IAH共聚物、TFE/HFP/CAH共聚物、TFE/VdF/IAH共聚物、TFE/VdF/CAH共聚物、TFE/CH2＝CH(CF2)4F/IAH/E共聚物、TFE/CH2＝CH(CF2)4F/CAH/E共聚物、TFE/CH2＝CH(CF2)2F/IAH/E共聚物、TFE/CH2＝CH(CF2)2F/CAH/E共聚物、CTFE/CH2＝CH(CF2)4F/IAH/E共聚物、CTFE/CH2＝CH(CF2)4F/CAH/E共聚物、CTFE/CH2＝CH(CF2)2F/IAH/E共聚物、CTFE/CH2＝CH(CF2)2F/CAH/E共聚物等。
由于電絕緣體層(A)和導電體層(B)的粘接性提高，因此作為本發(fā)明中的含氟共聚物的高分子末端基團，也較好是具有酯基、碳酸酯基、羥基、羧基、碳酰氟基、酸酐等官能團。該高分子末端基團較好是通過適當選擇含氟共聚物的制造時所使用的自由基聚合引發(fā)劑、鏈轉移劑等而引入。
本發(fā)明中的含氟共聚物的體積流速(以下稱為Q值)較好是0.1～1000mm3/s。Q值為體現(xiàn)含氟共聚物的熔融流動性的指標，作為分子量的基準。Q值大則表示分子量低，Q值小則表示分子量高。本發(fā)明中的Q值為使用島津制作所公司制流動試驗儀在比樹脂的熔點高50℃的溫度下于7kg的荷重下在直徑2.1mm、長8mm的孔中壓出時的含氟共聚物的壓出速度。若Q值過小，則擠出成形性差，若過大，則含氟共聚物的機械強度低。含氟共聚物的Q值更好是5～500mm3/s，最好是10～200mm3/s。
本發(fā)明的含氟共聚物的制造方法沒有特別限定，可以采用使用自由基聚合引發(fā)劑的聚合方法。作為聚合方法，可以例舉本體聚合，使用氟代烴、氯代烴、氯氟烴、醇、烴等有機溶劑的溶液聚合，使用水性介質和根據(jù)需要采用的適當?shù)挠袡C溶劑的懸浮聚合，使用水性介質和乳化劑的乳液聚合，特別好是溶液聚合。
作為自由基聚合引發(fā)劑，較好是半衰期10小時的溫度為0℃～100℃、更好是20～90℃的自由基聚合引發(fā)劑。作為具體例子，可以例舉偶氮二異丁腈等偶氮化合物，過氧化二異丁酰、過氧化二辛酰、過氧化二苯甲酰、過氧化二月桂酰等非氟類過氧化二?；?，過氧化二碳酸二異丙酯等過氧化二碳酸酯，過新戊酸叔丁酯、過異丁酸叔丁酯、過乙酸叔丁酯等過氧化酯，以(Z(CF2)rCOO)2(其中，Z為氫原子、氟原子或氯原子，r為1～10的整數(shù))表示的化合物等含氟過氧化二?；?，過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等無機過氧化物等。
本發(fā)明中，為了控制含氟共聚物的Q值，也較好是使用鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，可以例舉甲醇、乙醇等醇，1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氟丙烷、1，1-二氯-1-氟乙烷等氯氟烴，戊烷、己烷、環(huán)己烷等烴等。此外，如果使用具有酯基、碳酸酯基、羥基、羧基、碳酰氟基等官能團的鏈轉移劑，則可在含氟共聚物中引入具有粘接性的高分子末端基團，所以是理想的。作為該鏈轉移劑，可以例舉乙酸、乙酸酐、乙酸甲酯、乙二醇、丙二醇等。
聚合條件沒有特別限定，聚合溫度較好是0～100℃，更好是20～90℃。聚合壓力較好是0.1～10MPa，更好是0.5～3MPa。聚合時間較好是1～30小時。
聚合中的AM單體的粘度相對于所有單體較好是0.01～5％，更好是0.1～3％，最好是0.1～1％。若AM單體的濃度過高，則聚合速度下降。如果在前述范圍內，則制造時的聚合速度適度，而且含氟共聚物的粘接性良好。較好是在聚合中，隨著AM單體因聚合而被消耗，連續(xù)或間斷地向聚合槽內供給被消耗了的量，將AM單體的濃度維持在該范圍內。
電絕緣體層(A)的厚度較好是10～500μm。更好是20～300μm。如果厚度低于上述范圍，則印刷電路板容易變形或彎折，電路配線變得容易斷線。此外，如果高于上述范圍，則層積的情況下厚度增加，因此變得難以適應小型化和輕量化。如果在該范圍內，則層積膜不易發(fā)生變形或彎折，柔軟性良好，印刷電路板可以適應小型化、輕量化。
電絕緣體層(A)中的含氟共聚物也較好是含有介電常數(shù)和電介質損耗角正切低的無機填料。作為無機填料可以例舉二氧化硅、粘土、滑石、碳酸鈣、云母、硅藻土、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鈣、氧化鎂、氧化鐵、氧化錫、氧化銻、氫氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、堿式碳酸鎂、碳酸鎂、碳酸鋅、碳酸鋇、片鈉鋁石、水滑石、硫酸鈣、硫酸鋇、硅酸鈣、蒙脫石、膨潤土、活性白土、海泡石、伊毛縞石(imogolite)、絹云母、玻璃纖維、玻璃珠、二氧化硅類珠(バル一ン)、炭黑、碳納米管、碳納米角、石墨、碳纖維、玻璃珠、碳珠、木粉、硼酸鋅等。無機填料可以單獨使用1種，也可以同時使用2種以上。
無機填料的含量相對于含氟共聚物較好是0.1～100質量％，更好是0.1～60質量％。此外，這些無機填料如果是多孔質的，則電絕緣體層(A)的介電常數(shù)和電介質損耗角正切進一步降低，所以是理想的。此外，為了提高在含氟共聚物中的分散性，無機填料較好是使用硅烷偶聯(lián)劑或鈦酸酯偶聯(lián)劑等表面處理劑進行表面處理。
本發(fā)明中的導電體層(B)較好是由電阻低的導電性金屬箔構成，更好是由銅、銀、金和鋁的金屬箔構成。該金屬可以單獨使用1種，也可以同時使用2種以上。作為同時使用2種以上的金屬的方法，較好是在金屬箔上實施金屬鍍覆。特別好是實施了鍍金的銅箔。
本發(fā)明中的導電體層(B)較好是由銅、銀、金或鋁的金屬箔或者實施了鍍金的銅箔構成。導電體層(B)的厚度較好是0.1～100μm，更好是1～50μm，最好是1～30μm。
導電體層(B)的與該電絕緣體層(A)相接的面的表面粗糙度(以下稱為Rz)較好是在10μm以下。以下，將表面具有凹凸的面稱為粗化面。為了減低在高頻領域中使用時的表面效應，導電體層(B)的粗化面的Rz較好是0.1～5μm，更好是0.1～3μm，最好是0.1～2μm。導電體層(B)的與粗化面相反側的表面還較好是具備具有防銹性的鉻酸鹽等氧化物被膜。
本發(fā)明的印刷電路板用層積體具有電絕緣體層(A)和導電體層(B)直接接合的層積結構。圖1中表示本發(fā)明的印刷電路板用層積體的一例的截面圖。該層積體由電絕緣體層(A)1和導電體層(B)2構成。由電絕緣體層(A)2和導電體層(B)1構成的2層層積體可以用作單面印刷電路板。
此外，作為本發(fā)明的印刷電路板用層積體，可以例舉在上述單面印刷電路板用層積體的另一面層積導電體層(B)而得到的由導電體層(B)/電絕緣體層(A)/導電體層(B)的3層構成的兩面印刷電路板用層積體以及層積多層電絕緣體層(A)/導電體層(B)而得到的多層印刷電路板用層積體。這些層積體本身可以用作印刷電路板。
另外，使用上述2層層積體等作為累積層，可以制造在基體基板的表面層積單層或多層累積層而形成的多層電路基板(累積基板)。作為累積基板中使用的基體基板，也可以使用含有除含氟共聚物以外的樹脂的電絕緣體。作為該電絕緣體的具體例子，可以例舉將多塊基材通過層壓等方法與含氟共聚物復合化而得到的電絕緣體等，所述基材為玻璃纖維等無機纖維的織布或聚酯、聚酰胺、芳族聚酰胺樹脂、含氟樹脂、木棉等有機纖維的織布、不織布、紙等。其中，較好是使用使PTFE等含氟樹脂與玻璃纖維、二氧化硅纖維等的織布復合化而得到的電絕緣體作為基體基板。
作為本發(fā)明的印刷電路板用層積體的制造方法，可以例舉各種的壓縮成形法、擠出成形法、層壓成形法、被覆成形法等?？梢岳e將含氟共聚物通過擠出成形法、加壓成形法等方法成形而得到膜后，將得到的含氟共聚物膜和形成導電體層(B)的導電性金屬箔層壓的方法；在導電性金屬箔上擠出含氟共聚物的膜并層壓的方法等。特別是擠出層壓的方法的生產性良好且可以低成本地制造，所以是理想的。
制造本發(fā)明的印刷電路板用層積體時，作為通過加壓成形接合電絕緣體層(A)和導電體層(B)時的加壓條件，溫度較好是200～380℃，更好是220～350℃。壓力較好是0.3～30MPa，更好是0.5～20MPa，最好是1～10MPa。時間較好是3～240分鐘，更好是5～120分鐘，最好是10～80分鐘。作為加壓成形中使用的加壓板，較好是不銹鋼板。
作為在本發(fā)明的層積體的表面形成配線電路而制造印刷電路板的方法，可以例舉蝕刻層積體表面的導電體層(B)的方法、對表面進行鍍覆處理的方法等。
實施例以下，例舉實施例，對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明并不局限于這些實施例。例1～4為實施例，例5為比較例。另外，介電常數(shù)和電介質損耗角正切、粘接性使用如下的方法進行測定。
將含氟共聚物加壓成形，得到200μm的膜。紅外吸收光譜中，含氟共聚物中的基于IAH或CAH的重復單元中的C＝O伸縮振動的吸收峰都出現(xiàn)在1870cm-1。測定該吸收峰的吸光度，使用M＝aL的關系式確定基于IAH或CAH的重復單元的含量M(摩爾％)。在這里，L為1870cm-1處的吸光度，a為系數(shù)。作為a，使用將IAH作為模型化合物確定的a＝0.87。
將厚3mm的含氟共聚物的膜切成200mm×120mm的大小，制成試驗膜。在試驗膜的兩面涂布導電糊料進行配線，測定1MHz時的介電常數(shù)和電介質損耗角正切。
根據(jù)IPC TM-650 2.4.8進行測定。制成切斷層積膜而得到的長150mm、寬10mm的試驗膜。試驗膜的自長度方向的一端到50mm的位置，將電絕緣體層(A)和導電體層(B)剝離。然后，將該位置作為中央，使用拉伸試驗機，以50毫米/分鐘的拉伸速度180度剝離，將最大荷重作為剝離強度(N/10mm)。剝離強度越大，表示粘接性越好。
將內容積為94升的帶攪拌機的聚合槽脫氣，加入71.3kg的1-氫十三氟己烷(以下稱為HTH)、20.4kg的1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氟丙烷(旭硝子公司制，AK225cb，以下稱為AK225cb)、562g的CH2＝CH(CF2)2F、4.45g的IAH，將聚合槽內升溫至66℃，導入TFE/E的摩爾比為89/11的初始單體混合氣體，升壓至1.5MPa/G。作為聚合引發(fā)劑，加入1L的過新戊酸叔丁酯的0.7％HTH溶液，使聚合開始。連續(xù)地加入TFE/E的摩爾比為59.5/40.5的單體混合氣體，使聚合中壓力恒定。此外，相對于聚合中加入的TFE和E的總摩爾數(shù)，連續(xù)地加入相當于3.3摩爾％的量的CH2＝CH(CF2)2F和相當于0.8摩爾％的量的IAH。聚合開始9.9小時后，加入的單體混合氣體達到7.28kg時，將聚合槽內溫降溫至室溫的同時，清掃至常壓。
將得到的漿料的含氟共聚物1投入加入了77kg水的200L的造粒槽，攪拌下升溫至105℃，蒸餾除去溶劑的同時進行造粒。通過將得到的造粒物在150℃干燥15小時，得到6.9kg的含氟共聚物1的造粒物1。
根據(jù)熔融NMR分析、含氟量分析以及紅外吸收光譜分析的結果，含氟共聚物1的共聚組成以基于TFE的重復單元/基于CH2＝CH(CF2)2F的重復單元/基于IAH的重復單元/基于E的重復單元的摩爾比計為93.5/5.7/0.8/62.9。熔點為230℃，Q值為48mm3/s。
將含氟共聚物1擠出成形，得到厚50μm的膜1。含氟共聚物1的介電常數(shù)為2.7，電介質損耗角正切為0.005。
將作為導電體層(B)的厚18μm、寬380mm、Rz7.0μm的電解銅箔CF-T9FZ-HTE-18(福田金屬箔粉公司制)和膜1在溫度280℃、壓力3.7MPa、5分鐘的條件下進行真空壓制，得到厚68μm的由含氟共聚物1的層/電解銅箔的層構成的2層層積膜。該層積膜中的含氟共聚物1的層和電解銅箔的層的剝離強度為31N/10mm，表現(xiàn)出足夠的粘接力。
將實施例1中使用的聚合槽脫氣，加入902kg的AK225cb、0.216kg的甲醇、31.6kg的CF3＝CFOCF2CF2CF3、0.43kg的IAH，將聚合槽內升溫至50℃，加入TFE至壓力達到0.38MPa。作為聚合引發(fā)劑溶液，加入50mL過氧化二(全氟丁酰)的0.25％AK225cb溶液，使聚合開始。連續(xù)地加入TFE，使聚合中壓力恒定。適當追加前述聚合引發(fā)劑溶液，將TFE的加入速度保持大致恒定。聚合引發(fā)劑總計加入120mL。此外，連續(xù)地加入相當于連續(xù)加入的TFE的1摩爾％的量的IAH。聚合開始6小時后，加入的TFE達到7.0kg時，將聚合槽內冷卻至室溫的同時，清掃未反應TFE。
將得到的漿料狀含氟共聚物2投入加入了75kg水的200L的造粒槽，攪拌下升溫至105℃，蒸餾除去溶劑的同時進行造粒。通過將得到的造粒物在150℃干燥5小時，得到7.5kg的含氟共聚物2的造粒物2。
根據(jù)熔融NMR分析、含氟量分析以及紅外吸收光譜分析的結果，含氟共聚物2的共聚組成為基于TFE的重復單元/基于CF2＝CFOCF2CF2CF3的重復單元/基于IAH的重復單元＝97.7/2.0/0.3。熔點為292℃，Q值為15mm3/s。
將含氟共聚物2的造粒物2擠出成形，得到厚50μm的膜2。含氟共聚物2的介電常數(shù)為2.7，電介質損耗角正切為0.005。
將電解銅箔CF-T9FZ-HTE-18和膜2在與例1同樣的條件下進行真空壓制，得到厚68μm的由含氟共聚物2的層/電解銅箔的層構成的2層層積膜。該層積膜中的含氟共聚物2的層和電解銅箔的層的剝離強度為20N/10mm寬，表現(xiàn)出足夠的粘接力。
除了作為例1的導電體層(B)使用厚18μm、寬380mm、Rz0.8μm的壓延銅箔RCF-T4A-18(福田金屬箔粉公司制)之外，與例1同樣地進行操作，得到厚68μm的由壓延銅箔的層/含氟共聚物1的層構成的2層層積膜。該層積膜中的含氟共聚物1的層和壓延銅箔的層的剝離強度為20N/10mm寬，表現(xiàn)出足夠的粘接力。
除了作為例2的導電體層(B)使用壓延銅箔RCF-T4A-18之外，與例2同樣地進行操作，得到厚68μm的由含氟共聚物2的層/壓延銅箔的層構成的2層層積膜。該層積膜中的含氟共聚物2的層和壓延銅箔的層的剝離強度為15N/10mm寬，表現(xiàn)出足夠的粘接力。
將作為含氟共聚物的不含基于AM單體的重復單元的乙烯/四氟乙烯類共聚物フルオンETFEC-88AXP(旭硝子公司制，以下稱為ETFE)擠出成形而得到厚50μm的ETFE膜，使用該ETFE膜，與例1同樣地進行操作，制成68μm的由ETFE膜的層/電解銅箔的層構成的2層層積膜。該層積膜中，ETFE膜的層和電解銅箔的層的剝離強度為0.03N/10mm寬，可簡單地用剝離，粘接性不足。
產業(yè)上利用的可能性由本發(fā)明的印刷電路板用層積體得到的印刷電路板可用于需要高頻特性的雷達、網(wǎng)絡的路由器、底板、無線基礎架構用途。此外，可以用于需要耐藥品性和耐熱性的汽車用各種傳感器和引擎控制傳感器用基板。另外，可以用作累積印刷電路板和柔性印刷電路板。此外，也可以用作ID標記用的基板材料。
另外，在這里引用2004年12月9日提出申請的日本專利申請2004-356277號的說明書、權利要求書、附圖和摘要的所有內容作為本發(fā)明說明書的揭示。
權利要求
1.印刷電路板用層積體，其特征在于，具有由含氟共聚物形成的電絕緣體層(A)和與該電絕緣體層(A)相接的面的表面粗糙度在10μm以下的導電體層(B)直接接合的層積結構，所述含氟共聚物含有基于四氟乙烯和/或三氟氯乙烯的重復單元(a)、基于除四氟乙烯和三氟氯乙烯之外的含氟單體的重復單元(b)以及基于具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體的重復單元(c)，相對于((a)+(b)+(c))，(a)為50～99.89摩爾％，(b)為0.1～49.99摩爾％，(c)為0.01～5摩爾％。
2.如權利要求1所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述含氟共聚物還含有基于不包括具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體的不含氟單體的重復單元(d)，((a)+(b)+(c))/(d)的摩爾比為100/5～100/90。
3.如權利要求1或2所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體為選自衣康酸酐、檸康酸酐和5-降冰片烯-2，3-二甲酸酐的1種以上。
4.如權利要求1～3中任一項所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述導電體層(B)由銅、銀、金或鋁的金屬箔或者實施了鍍金的銅箔構成。
5.如權利要求1～4中任一項所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述導電體層(B)的厚度在20μm以下。
6.如權利要求1～5中任一項所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述導電體層(B)由銅箔構成。
7.如權利要求1～6中任一項所述的印刷電路板用層積體，其特征在于，前述表面粗糙度為0.1～5μm。
全文摘要
具有由含氟共聚物形成的電絕緣體層(A)和與該電絕緣體層(A)相接的面的表面粗糙度在10μm以下的導電體層(B)直接接合的層積結構的印刷電路板用層積體，所述含氟共聚物含有基于四氟乙烯和/或三氟氯乙烯的重復單元(a)、基于除四氟乙烯和三氟氯乙烯之外的含氟單體的重復單元(b)以及基于具有酸酐殘基和聚合性不飽和鍵的單體的重復單元(c)，相對于((a)+(b)+(c))，(a)為50～99.89摩爾％，(b)為0.1～49.99摩爾％，(c)為0.01～5摩爾％。該印刷電路板用層積體的高頻領域中的信號應答性良好。
文檔編號B32B15/08GK101090817SQ200580042090
公開日2007年12月19日 申請日期2005年12月7日 優(yōu)先權日2004年12月9日
發(fā)明者巖佐毅, 船木篤, 樋口義明 申請人:旭硝子株式會社