專利名稱：涂敷-玻璃基片的方法和設(shè)備的制作方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種涂敷一基片，特別是一玻璃基片，的方法和設(shè)備。更具體說，本發(fā)明涉及一種用以生產(chǎn)車輛或建筑門窗所用涂層玻璃的連續(xù)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝，及生產(chǎn)該涂層玻璃的設(shè)備。
2.相關(guān)技術(shù)概述在涂敷基片的領(lǐng)域中化學(xué)氣相沉積工藝是眾所周知的。通過將一氣態(tài)反應(yīng)物混合體束流導(dǎo)向基片的表面以使反應(yīng)物混合體將所需涂層沉積在基片表面上，而涂敷基片。在此工藝中所采用的涂料反應(yīng)物的物理形式可以是液體、氣化物，分散在氣體混合物中的液體或固體，懸浮顆粒，或者分散在氣體混合物中的氣化或霧狀涂料反應(yīng)物。
與CVD工藝相關(guān)的問題之一涉及沿基片的寬度產(chǎn)生一均勻厚度的涂層。在某些情況中，例如將一反射性金屬氧化涂層涂到一玻璃板上，涂層厚度必須均勻這一要求特別重要，因為涂層厚度的很小變化就會導(dǎo)致玻璃板有不均勻的顏色。例如，金屬氧化涂層上百萬分之一英寸的變化可在玻璃上產(chǎn)生一種不美的外觀。
一般說，為了產(chǎn)生具有恒定厚度的涂層，必須將氣態(tài)反應(yīng)物混合體均勻地涂在整個玻璃板上。業(yè)已提出了用來以均勻方式將氣態(tài)反應(yīng)物混合體涂在一玻璃板上的各種裝置。例如，美國專利NO.4，504，526公開了一種設(shè)備，它包括一組系列設(shè)置的，單獨的通道，這些通道相互連接一入口和一位于玻璃板附近的出口。每個單獨的通道包括一個橫截面積與相鄰?fù)ǖ赖臋M載面積不同的部分，使得流體流經(jīng)通道的速度改變。
在美國專利NO.4，535，000中，Gordon描述了一種用以將一金屬氮化物薄膜涂在一玻璃片上的化學(xué)氣相沉積工藝。Gordon建議采用多個涂敷裝置作為獲得一均勻涂層的手段，這是因為一個涂敷裝置的不均勻性通常比不過其它涂敷裝置的不均勻性，并且往往會抵消來自不同涂敷裝置的厚度誤差。
正如Sopko等在美國專利NO.3，580，679中所教導(dǎo)的，一個氣化物集氣管使一氣態(tài)混合體沿基片分配，該集氣管包括一組在它們的出口端相互隔開的氣化物通道，但這些氣化物通道在它們的入口處匯集在一共同通道中。為提高氣化物沉積的均勻性，建議每個通道包括至少兩個相對的曲面，這樣流經(jīng)通道的氣化物就至少兩次改變方向。此外，Sopko注意到可在通道內(nèi)設(shè)置導(dǎo)流板，以進一步干擾氣化物流束并沿氣化物集氣管的長度分配氣化物。
盡管以前提出的各種裝置，其中一些例子列舉如上，仍然存在關(guān)于用化學(xué)氣相沉積工藝將厚度均勻的涂層涂到基片上的問題。產(chǎn)生這種不均勻性的原因是不定的，但可能包括排氣平衡，待涂基片上的溫度差，受熱時涂敷設(shè)備中的尺寸變化，進入?yún)^(qū)域雷諾數(shù)的變化及隨之總流量的變化，以及涂敷裝置中積垢的積累等問題。無論是什么原因，最有利的是提供一種方法和設(shè)備，用以在化學(xué)氣相沉積工藝中消除涂到基片上的涂層厚度的任何均勻性欠佳問題。
本發(fā)明概述本發(fā)明涉及一種用化學(xué)氣相沉積工藝將一涂層涂到一基片上的設(shè)備。該設(shè)備包括一個氣體分配器，它帶有一個位于待涂基片附近的出口，用以將一氣態(tài)反應(yīng)物混合體導(dǎo)向基片的表面。氣態(tài)反應(yīng)物混合體包括一種或多種反應(yīng)物和一惰性載氣。設(shè)置有一組相通且沿分配器長度隔開的下降管，用以將氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到分配器。該設(shè)備包括用以測定沿寬度涂到基片上的涂層的厚度均勻性的裝置。最后，還設(shè)有一個將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個下降管的裝置，以改變流經(jīng)該下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度，即在橫跨基片的涂料氣體分配中產(chǎn)生故意的不均勻性，以提供所需的均勻涂層。在該下降管附近的涂層的沉積速率因此被改變，以改善沉積涂層的厚度均勻性。
本發(fā)明還涉及一種將厚度大致均勻的涂層涂到一基片的表面上的方法。借助于一組相通且沿分配器長度隔開的下降管，將包括一種或多種反物及一惰性載氣的氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到一氣體分配器。通過將氣態(tài)反應(yīng)物混合體從分配器上鄰近基片表面的出口導(dǎo)向基片表面，而在基片上形成一涂層。然后，測定在沿基片寬度的各種位置涂到基片上的涂層的厚度均勻性，并將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個個別的下降管，以改變流經(jīng)該下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度。這樣就改變了在該下降管附近涂層的沉積速率，以改善沉積涂層的厚度均勻性。此外將足夠數(shù)量的一惰性氣體引入一下降管將使得該下降管內(nèi)靜態(tài)壓力增加，從而增加了流到其余下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體的總流量。
所以，本發(fā)明提供了一種較為簡單且便宜的裝置，用以修正在CVD工藝中所得的涂層厚度的變化。此外，不論均勻性欠佳的原始原因如何，都可獲得一更為均勻的涂層。
附圖的簡單描述參照附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員從以下的詳細描述中可更容易地看出本發(fā)明的上述以及其它優(yōu)點，其中

圖1是略帶示意性的，部分被剖去的透視圖，示出了本發(fā)明的涂敷設(shè)備，和圖2是本發(fā)明設(shè)備的示意性方框圖。
本發(fā)明的陳述根據(jù)本發(fā)明，提供了一種將一涂層涂到一運動的熱玻璃帶的表面上的方法，包括a)設(shè)置一個橫跨待涂玻璃帶的寬度延伸的涂料氣體分配器，b)在沿該分配器的長度隔開的供給位置將一包括至少一種氣態(tài)反應(yīng)物的氣態(tài)涂料混合體供給到所述分配器，c)將氣態(tài)涂料混合體從分配器導(dǎo)向運動的熱玻璃帶的表面上，以在熱玻璃表面上形成一個涂層，d)在橫跨所涂寬度的隔開位置檢測已涂產(chǎn)品的至少一種光學(xué)性質(zhì)，和e)根據(jù)檢測出的涂層的不佳均勻性，有選擇地改變在一個或多個所述隔開的供給位置供給的氣態(tài)涂料混合體中所述至少一種氣態(tài)反應(yīng)物的濃度，以改善所述均勻性。
根據(jù)本發(fā)明還提供了一種通過化學(xué)氣相沉積工藝將一涂層涂到一基片上的設(shè)備，包括a)一氣體分配器，帶有一個位于待涂基片附近的出口，用以將包括一種或多種反應(yīng)物及一惰性載氣的氣態(tài)反應(yīng)物混合體導(dǎo)向基片的表面;b)一組相通且沿所述分配器的長度隔開的下降管，用以將氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到所述分配器;c)檢測裝置，用以測定沿基片寬度涂到基片上的涂層的厚度的均勻性;和d)流量控制裝置，用以將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個所述下降管，以改變流經(jīng)所述下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度，從而改變在該下降管附近涂層的沉積速率，以改善沉積涂層的厚度的均勻性。
最佳實施例的描述可結(jié)合各種基片及涂料采用本發(fā)明的方法及設(shè)備，并且本發(fā)明的方法和設(shè)備可用以涂敷一連續(xù)的板片或一系列分離的基片。在本發(fā)明的最佳實施例中，是涂敷一連續(xù)玻璃板。該玻璃板可以是由玻璃板生產(chǎn)工藝，任何平板玻璃生產(chǎn)工藝，或者浮法玻璃生產(chǎn)工藝制得的玻璃板。以下的描述涉及對移動中的浮法玻璃帶的涂敷，該浮法玻璃帶為或是在窯池中或是其次在附裝的退火爐中剛剛形成的浮法玻璃帶。
此外，本發(fā)明的方法和設(shè)備可應(yīng)用于任何一種或多種反應(yīng)物或涂料前體的化學(xué)氣相沉積。在最佳實施例中，本發(fā)明的方法和設(shè)備用于在一剛形成的浮法玻璃帶上，當(dāng)它被支承在熔融的錫浴上時，沉積一氮化鈦膜。使四鹵化鈦和最好為四氯化鈦和無水氨之類的還原劑的混合體在待沉積氮化鈦涂層的玻璃板表面上或附近反應(yīng)。最好在作為隋性載氣的氦中供給這兩種反應(yīng)物。制備氮化鈦涂層的此方法更充分地公開于美國專利Nos.4，545，000和5，087，525中，兩者作為一個整體結(jié)合在本文中作為參考。
現(xiàn)在參照圖1，其中示出了一個通常用10表示的設(shè)備，用以將一涂層涂到一連續(xù)玻璃帶或板12之類的基片上。玻璃板12通常被支承于一熔融的錫浴上(如果在退火爐中完成涂敷則支承在輥子上)并沿如圖中右下方箭頭所示的軌跡移動。生產(chǎn)工藝要求通常在浮法玻璃生產(chǎn)過程中形成一玻璃基片，并當(dāng)其熱的時候連續(xù)進給玻璃板12，使之通過圖中所示的涂敷設(shè)備10。涂敷設(shè)備通常位于一個密封區(qū)內(nèi)，在該密封區(qū)保持一種無氧化性的氣氛。該無氧化性氣氛通常是一種氣體，包括約99%體積的氮和1%體積的氫。然而，只要能獲得所需的結(jié)果，即防止錫浴氧化，可用其它惰性氣體代替氮，或者增加或減少氮的比例。
更具體說涂敷設(shè)備10包括一個氣化物分配器14，它面對玻璃板12定位并橫跨玻璃板12的寬度。借助于下面將詳細描述的供給組件將氣化反應(yīng)物混合體供給到氣化物分配器14。通常與氮或氦之類的惰性載氣混合的第一氣化反應(yīng)物經(jīng)供給管線16供給到一混合裝置18。在混合裝置18內(nèi)，第一氣化反應(yīng)物與經(jīng)供給管線20供給到混合裝置18內(nèi)的第二氣化反應(yīng)物混合。在被引入混合裝置18之前，第二氣化反應(yīng)物也通常與惰性載氣混合。對兩種反應(yīng)物最好采用同一載氣。
由第一和第二反應(yīng)物以及載氣(單數(shù))或載氣(復(fù)數(shù))的混合體構(gòu)成的氣化物混合體從混合裝置18通到一個加套集氣管22?？梢詡鹘y(tǒng)方式使用加套集氣管22將氣化物混合體的溫度保持在任何特定場合的具體涂敷條件所需的范圍內(nèi)，并沿集氣管的長度提供恒定成分的混合體。借助于一系列相互連通的下降管24將氣化物混合體從集氣管22供給到氣化物分配器14。下降管24將氣化物混合體從集氣管22供給到氣化物分配器14。下降管24通常沿集氣管22和分配器14大致均勻地間隔開。
從下降管24，氣化物混合體流入一個在分配器14上形成的通道26。通道26最好設(shè)有一組導(dǎo)流板28，它們迫使氣化物混合體經(jīng)過一系列的方向改變，以便更均勻地沿分配器14的長度分配氣化物混合體。這樣就改善了沉積在玻璃板12上的涂層的均勻性。氣化物混合體流過導(dǎo)流板28并經(jīng)出口30流出分配器14，出口30位于玻璃板12附近。在氣化物混合體內(nèi)的第一和第二反應(yīng)物在玻璃板12的表面上或附近反應(yīng)，當(dāng)玻璃板12通過分配器14時連續(xù)地將所需涂層沉積在玻璃板12上。
盡管設(shè)置了一系列將氣化物混合體供給到分配器14的隔開下降管24，及一系列導(dǎo)流板28，沉積在玻璃板12上的涂層的厚度在玻璃板12的寬度上常常并不均勻。如上所述，這可能起因于許多因素，諸如排氣平衡，待涂基片上的溫度差，受熱時涂敷設(shè)備中的尺寸變化，進入?yún)^(qū)域雷諾數(shù)的變化及隨之總流量的變化，以及涂敷設(shè)備上積垢的積累。當(dāng)在玻璃板12上沉積一反射性涂層時，這種不均勻性可在玻璃板12的寬度上導(dǎo)致透射性和反射顏色方面不可接受的變化。
為改善涂層厚度的任何可檢測出的不均勻性，在涂敷設(shè)備10的一組下降管24上設(shè)有一連接臂或側(cè)臂32。在最佳實施例中，所有下降管24都設(shè)有一個側(cè)臂32。每個側(cè)臂32都經(jīng)過一單獨的供給管線34與一流量控制裝置36連通。流量控制裝置36可連接于一種或多種反應(yīng)物的一供給源。作為另一種選擇，流量控制裝置36也可連接于一惰性氣體(最好是作為反應(yīng)物的載氣所用的同一惰性氣體)的供給源。在最佳實施例中，流量控制裝置36即連接于一種或多種反應(yīng)物的一供給源，也連接于一惰性氣體的一供給源。流量控制裝置36控制一種或多種反應(yīng)物或者一惰性氣體(或兩者)通過單獨的供給管線34(示意性地示出)的流量。流量控制裝置36可以是控制此流量的任何適當(dāng)裝置，例如從加利福尼亞Monterey的Sierra儀器公司可購得的Dierra質(zhì)量流量控制器。
如果確定在一特定區(qū)域沉積在玻璃板12上的涂層太薄，就啟動流量控制裝置36以便將一種或多種反應(yīng)物經(jīng)相關(guān)的供給管線34和側(cè)臂32供給到位于該特定區(qū)域的一個或多個下降管24。由于玻璃板12上薄膜形成的反應(yīng)速率取決于玻璃板12上方氣相反應(yīng)物的濃度，所以其中一種反應(yīng)物濃度的有效增加就會增加沉積速率及沉積在該特定區(qū)域的涂層的厚度。以這種方式，可在玻璃板12的整個寬度上獲得一更均勻的涂層厚度及顏色，和透光和/或陽光系數(shù)。
另一方面，如果確定在一特定區(qū)域沉積在玻璃板12上的涂層太厚，就啟動流量控制裝置36以將一惰性氣體經(jīng)相關(guān)的供給管線34和側(cè)臂32供給到位于該特定區(qū)域的一個或多個下降管24。將一惰性氣體引入一個別的下降管24就降低了穿過該下降管24的氣化物混合物中反應(yīng)物的濃度，從而在該下降管24的區(qū)域中減小了在玻璃板12上的沉積速率。此外，將附加的惰性氣體引入一下降管24，如果體積足夠，就會在它被引入的下降管24內(nèi)導(dǎo)致一定的靜態(tài)壓力增加。這就會減小到該下降管24的氣化物混合體的總流量，并使得到周圍下降管24的氣化物混合體的總流量增加。這再次導(dǎo)致在惰性氣體被引入的下降管24附近沉積一較薄的涂層。
圖2示意性地示出了本發(fā)明的方法。氣化反應(yīng)物經(jīng)供給管線16和20供給到加套集氣管22，經(jīng)下降管24下降到分配器14。氣化物混合體經(jīng)位于玻璃板12附近的一個出口流出分配器14。氣化物混合體中的第一和第二反應(yīng)物在玻璃板12的表面或其附近反應(yīng)，當(dāng)玻璃板12通過分配器14時就在其上連續(xù)地沉積所需的涂層。
最好設(shè)置一個厚度檢測裝置38，用以檢測沉積在玻璃板12上的涂層的厚度。當(dāng)沉積一反射性涂層時，最好借助于一個位于涂敷設(shè)備10下游的光度計38來檢測厚度。較薄的反射性涂層會導(dǎo)致較高的透射系數(shù)并改變反射的顏色，這可由光度計來檢測。在于玻璃板上沉積氮化鈦涂層的情況下，一較薄的涂層會導(dǎo)致被反射顏色的b＊成分的值更負，其中b＊測定CIE-Lab色標中黃-籃顏色的量。這樣，就可通過檢測在玻璃板12整個寬度上的b＊成分來間接地確定涂層厚度的均勻性。在一最佳實施例中，采用了一個外形掃描光度計來確定沿玻璃板12的寬度沉積的涂層的厚度。
根據(jù)由用以確定沉積涂層之厚度的任何適當(dāng)裝置38所提供的可視輸出信號，可利用手動控制裝置40手動地啟動流量控制裝置。在另一種最佳實施例中，厚度檢測裝置48連接于一個程序控制器42，它連接于流量控制器36并響應(yīng)收到來自厚度檢測裝置38的一個信號自動地啟動流量控制裝置36。當(dāng)該信號表示涂層厚度的不均勻性超出了編制在控制器42內(nèi)的一預(yù)定可接受范圍時，控制器42就啟動流量控制裝置36，以將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個個別的下降管24，以改變流經(jīng)該下降管24的氣化反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度。因此，在該下降管附近涂層的沉積速率被改變，從而改善了基片上涂層的厚度均勻性。
在本申請和附圖中，示出并描述了本發(fā)明的一個最佳實施例，并建議了各種改動和變化，但應(yīng)理解它們無意完全覆蓋，并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)可實現(xiàn)其它改動和變化。這里所含的建議被選擇及包括來達到說明的目的，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可更充分地理解本發(fā)明及其原理，并能夠以最適合某一特定情況的條件的各種方式改動它并實施它。例如，應(yīng)當(dāng)理解根據(jù)本發(fā)明可采用多于一個的任何數(shù)量的下降管和相關(guān)側(cè)臂，這取決于特定的場合。
權(quán)利要求
1.一種將一涂層涂到一運動的熱玻璃帶的表面上的方法，包括a)設(shè)置一個橫跨待涂玻璃帶的寬度延伸的涂料氣體分配器，b)在沿該分配器的長度隔開的供給位置將一包括至少一種氣態(tài)反應(yīng)物的氣態(tài)涂料混合體供給到所述分配器，c)將氣態(tài)涂料混合體從分配器導(dǎo)向運動的熱玻璃帶的表面上，以在熱玻璃表面上形成一個涂層，d)在橫跨所涂寬度的隔開位置檢測已涂產(chǎn)品的至少一種光學(xué)性質(zhì)，和e)根據(jù)檢測出的涂層的不佳均勻性，有選擇地改變在一個或多個所述隔開的供給位置供給的氣態(tài)涂料混合體中所述至少一種氣態(tài)反應(yīng)物的濃度，以改善所述均勻性。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中氣態(tài)涂料混合體借助于一組連通的且沿分配器的長度隔開的下降管供給到氣體分配器，并根據(jù)觀察到的欠佳均勻性將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個個別的下降管，以改變流經(jīng)該下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中的一種或多種反應(yīng)物的濃度，從而改變在該下降管附近的涂層的沉積速率，以改善涂層厚度的均勻性。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中將恒定成分的氣態(tài)前體涂料混合體最初經(jīng)一供給集氣管供給到所述下降管。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過向在一個或多個所述隔開的供給位置供給的氣態(tài)反應(yīng)物混合體增添附加的反應(yīng)物或附加的惰性氣體，有選擇地改變所述至少一種氣態(tài)反應(yīng)物的濃度。
5.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述氣態(tài)涂料混合體由一種或多種氣態(tài)反應(yīng)和和一惰性載氣組成。
6.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中在橫跨所涂寬度的隔開位置測定涂層的厚度，并且根據(jù)檢測到的涂層厚度的欠佳均勻性改變所述至少一種氣態(tài)混合體的濃度，以改善沉積涂層的厚度的均勻性。
7.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中通過檢測反射的顏色來間接地確定涂層的厚度。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中通過檢測玻璃側(cè)反射的顏色來間接地確定涂層的厚度。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中通過檢測玻璃側(cè)反射顏色的b＊成分來間接地確定涂層的厚度。
10.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中通過檢測透射系數(shù)來間接地確定涂到基片上的涂層的厚度。
11.如權(quán)利要求1到9的任何一個所述的方法，其中用一光度計檢測反射的顏色。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中用一外形掃描光度計檢測反射的顏色。
13.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中借助于一質(zhì)量流量控制器將一種或多種氣態(tài)反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個隔開的供給位置。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中將一種或多種氣態(tài)反應(yīng)物供給到一區(qū)域附近的個別隔開供給位置，在該區(qū)域觀察到沉積涂層的厚度比較小。
15.如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所限定的方法，其中將一惰性氣體供給到一區(qū)域附近的個別隔開供給位置，在該區(qū)域觀察到沉積涂層的厚度比較大。
16.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中借助于一組相通的并沿分配器的長度隔開的下降管將包括一四鹵化鈦，一還原劑和一惰性載氣的氣態(tài)混合體供給到氣體分配器。
17.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中借助于一組相通的且沿分配器的長度隔開的下降管將包括在作為隋性載氣的氦中的四氯化鈦和氨的氣態(tài)混合體供給到氣體分配器。
18.如任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中用一個與設(shè)置來檢測所述光學(xué)性質(zhì)的檢測裝置連接的可編程控制器控制有選擇的改變。
19.一種將一涂層涂到一基片的表面上的方法，包括的步驟為a)借助于一組相通且沿分配器的長度隔開的下降管，將包括一種或多種反應(yīng)及一惰性載氣的氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到氣體分配器;b)通過將氣態(tài)反應(yīng)物混合體從靠近基片表面在分配器上形成的出口導(dǎo)向基片表面，在基片上形成一涂層;c)沿基片的寬度在各位置測定涂到基片上的涂層的厚度;和d)根據(jù)在步驟C中觀察到的涂層厚度的顯著欠佳均勻性，將一種或多種反應(yīng)物或者一惰性氣體供給到一個或多個個別的下降管，以改變流經(jīng)該下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度，從而改善在該下降管附近涂層的沉積速率，以改善沉積涂層的厚度的均勻性。
20.一種通過化學(xué)氣相沉積工藝將一涂層涂到一基片上的設(shè)備，包括a)一氣體分配器，帶有一個位于待涂基片附近的出口，用以將包括一種或多種反應(yīng)物及一惰性載氣的氣態(tài)反應(yīng)物混合體導(dǎo)向基片的表面;b)一組相通且沿所述分配器的長度隔開的下降管，用以將氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到所述分配器;c)檢測裝置，用以測定沿基片寬度涂到基片上的涂層的厚度的均勻性;和d)流量控制裝置，用以將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個所述下降管，以改變流經(jīng)所述下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度，從而改變在該下降管附近涂層的沉積速率，以改善沉積涂層的厚度的均勻性。
21.如權(quán)利要求20所限定的設(shè)備，包括一集氣管，用以最初將恒定成分的氣態(tài)前體涂料混合體輸送到所有所述下降管。
22.如權(quán)利要求20或21所限定的設(shè)備，還包括一個連接于所述檢測裝置的可編程控制器，它響應(yīng)收到一來自檢測裝置的信號自動地啟動所述流量控制裝置。
23.如權(quán)利要求20到22中的任何一個所限定的設(shè)備，其中所述檢測裝置包括一個光度計。
24.如權(quán)利要求23所限定的設(shè)備，其中所述光度計包括一個外形掃描光度計。
25.如權(quán)利要求20到24中的任何一個所限定的設(shè)備，其中所述流量控制裝置包括一質(zhì)量流量控制器。
26.如權(quán)利要求20到25中的任何一個所限定的設(shè)備，其中一組所述下降管設(shè)有通過單獨的供給管線連接于所述流量控制裝置的側(cè)臂。
27.如權(quán)利要求26所限定的設(shè)備，其中每個所述下降管均設(shè)有一個通過單獨的供給管線連接于所述流量控制裝置的側(cè)臂。
28.大致如說明書中所描述的一種將涂層涂到一基片表面上的方法。
29.大致如參照附圖所描述的一種將涂層涂到一基片表面上的設(shè)備。
全文摘要
將一涂層涂到一基片上的設(shè)備(10)，包括一帶有出口(30)的氣體分配器(14)，出口(30)位于基片附近并用以將一氣態(tài)反應(yīng)物混合體導(dǎo)向基片的表面。設(shè)置有一組相通且沿分配器的長度隔開的下降管(24)，用以將氣態(tài)反應(yīng)物混合體供給到分配器。該設(shè)備包括用以測定沿寬度涂到基片上的涂層(38)的厚度均勻性的裝置。最后，設(shè)有將一種或多種反應(yīng)物或一惰性氣體供給到一個或多個下降管的裝置，以改變流經(jīng)一個或多個下降管的氣態(tài)反應(yīng)物混合體中一種或多種反應(yīng)物的濃度。所以就改變了在該下降管附近涂層的沉積速率，從而改善了沉積涂層的均勻性。
文檔編號C03C17/00GK1105180SQ94190191
公開日1995年7月12日 申請日期1994年4月14日 優(yōu)先權(quán)日1993年4月16日
發(fā)明者R·D·古德曼 申請人:利比-歐文斯-福特公司