專利名稱：涂敷顯影裝置及其方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如對(duì)半導(dǎo)體晶片、LCD基板(液晶顯示器用玻璃基 板)等基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理、曝光后的顯影處理等的涂敷顯 影裝置及其方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備以及LCD基板的制造工序中，利用所謂的光刻技術(shù) 對(duì)基板實(shí)施抗蝕劑圖形的形成。該技術(shù)通過下述一連串工序來進(jìn)行， 即，例如對(duì)半導(dǎo)體晶片(以下稱為"晶片")等基板涂敷抗蝕劑液，在 該晶片的表面形成液膜，使用光掩模對(duì)該抗蝕劑膜進(jìn)行曝光，之后進(jìn) 行顯影處理而得到期望的圖形。
這種處理一般是使用在進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷和顯影的涂敷顯影裝 置中連接曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置而進(jìn)行的，但是，為了進(jìn)一 步增大涂敷顯影裝置的處理速度，在專利文獻(xiàn)1中提出有一種結(jié)構(gòu)， 即，沿上下方向配置用來收納曝光處理前的模塊的區(qū)域與用來收納曝 光處理后的模塊的區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域中設(shè)置搬送單元，從而減輕搬送 單元的負(fù)載以提高搬送效率，以此來提高涂敷顯影裝置的處理能力。
例如，該技術(shù)如圖17所示，以載體塊S1、處理塊S2和界面塊S3 的順序連接設(shè)置這些塊，并且所述處理塊S2通過相互層疊用來進(jìn)行顯 影處理的顯影塊B1、 B2、用來進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷塊B4、
用來在抗蝕劑液涂敷之前或之后分別形成反射防止膜的反射防止膜形 成塊B3、 B5而構(gòu)成。在所述處理塊S2的各個(gè)塊B1 B5中配備用 來進(jìn)行顯影處理和抗蝕劑液涂敷處理、反射防止膜形成用的藥液涂敷 處理等的液處理的液處理部、多層排列進(jìn)行所述液處理之前或之后的 處理的處理單元的擱板(shdf)單元、在液處理部與擱板單元的各部 之間搬送晶片W的搬送單元A1 A5，并且具備通過擱板單元U5、 U6 在各個(gè)塊B之間交接晶片W的專用的交接臂。通過設(shè)置在載體塊Sl上的傳輸臂C將晶片W搬送至處理塊S2中，使用搬送單元A1 A5和交接臂D1、 D2將晶片W搬送至規(guī)定的 處理單元，由此，減輕傳輸臂C、搬送單元A1 A5、交接臂的負(fù)擔(dān)， 從而提高整個(gè)裝置的處理能力在上述裝置中，作為所述液處理部例如準(zhǔn)備3個(gè)液處理單元并且 具有與該液處理單元對(duì)應(yīng)個(gè)數(shù)的所述處理單元，能夠確保例如180個(gè)/hr 左右的處理能力，但是，要求出現(xiàn)一種超過市售裝置處理能力的200 個(gè)/hr 250個(gè)/hr左右的高處理能力的裝置。然而，若通過增多設(shè)置在顯影塊B1、涂敷塊B3的液處理部以及 進(jìn)行液處理部前后的處理的處理單元來實(shí)現(xiàn)處理能力的提高，則會(huì)導(dǎo) 致搬送單元的負(fù)擔(dān)增大，結(jié)果，難以提高裝置整體的處理能力。此外， 考慮增加顯影塊Bl等的層疊數(shù)來增加所述液處理部和處理單元的個(gè) 數(shù)，但是此時(shí)會(huì)增加在各個(gè)塊B1 B5之間進(jìn)行晶片W的交接的交接 臂的負(fù)擔(dān)，因此，仍然難以提高裝置整體的處理能力。而且，考慮通過橫向配置多個(gè)所述處理塊S2來提高處理能力，但 是若這樣增加處理塊S2本身來增加涂敷塊B4等的個(gè)數(shù)，則在向接近 載體塊Sl的處理塊S2的涂敷塊B3搬送晶片W時(shí)，向遠(yuǎn)離載體塊Sl 的處理塊S2的涂敷塊B4搬送晶片W時(shí)的搬送路徑各不相同，因此， 使搬送路徑變得復(fù)雜，存在使搬送程序的編成變得非常困難的問題。專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-203075號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種在涂敷顯 影裝置中能夠容易制成搬送程序并且能夠提高處理能力的技術(shù)。本發(fā)明的一種涂敷顯影裝置，其特征在于利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到載體塊中的基板上形成 包括抗蝕劑膜的涂敷膜，然后，經(jīng)由界面塊將該基板搬送至曝光裝置， 利用顯影處理用單位塊對(duì)經(jīng)由所述界面塊返回的曝光后的基板進(jìn)行顯 影處理并將其交接至所述載體塊，并且，在所述涂敷膜形成用單位塊 和顯影處理用單位塊中均包括用于將藥液涂敷在基板上的液處理模 塊、加熱基板的加熱模塊、冷卻基板的冷卻模塊、以及在這些模塊之間搬送基板的單位塊用的基板搬送單元，其中， 所述涂敷顯影裝置包括第一處理塊，其構(gòu)成為與所述載體塊連接地設(shè)置，并且層疊包括 涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊，通過設(shè)置在載體塊上的交接 單元來與載體塊之間進(jìn)行基板的交接；第二處理塊，其構(gòu)成為與所述界面塊連接地設(shè)置，并且層疊包括 涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊，通過設(shè)置在界面塊上的界面 臂來與界面塊之間進(jìn)行基板的交接；交接塊，設(shè)置在第一處理塊和第二處理塊之間，多層設(shè)置有通過 第一處理塊的單位塊的基板搬送單元以及第二處理塊的單位塊的基板 搬送單元進(jìn)行基板的交接的公共交接部，并且具有在這些公共交接部 彼此之間進(jìn)行基板的搬送的交接臂；顯影處理用單位塊，設(shè)置在第一處理塊和第二處理塊的至少一方，層疊在所述涂敷膜形成用單位塊上；第一直通搬送單元，設(shè)置在所述第一處理塊上，用于在載體塊與 交接塊的公共交接部之間進(jìn)行基板的交接；第二直通搬送單元，設(shè)置在所述第二處理塊上，用于在交接塊的 公共交接部和界面塊之間進(jìn)行基板的交接；以及用于控制所述交接單元、直通搬送單元、交接臂、基板搬送單元 和界面臂的單元，使得通過第一直通搬送單元從載體塊將基板搬送至 交接塊，將基板從該交接塊分配交接至第一處理塊的涂敷膜形成用的 單位塊和第二處理塊的涂敷膜形成用的單位塊，接著，將利用第一處 理塊和第二處理塊形成有包括抗蝕劑膜在內(nèi)的涂敷膜的基板從第一處 理塊和第二處理塊交接至交接塊，之后，通過第二直通搬送單元從交 接塊將基板搬送至界面塊。此外，在本發(fā)明的涂敷顯影裝置中，也可以取代通過第二直通搬 送單元將形成有包括抗蝕劑膜在內(nèi)的涂敷膜的基板從交接塊搬送至界 面塊，通過基板搬送單元將形成有包括抗蝕劑膜在內(nèi)的涂敷膜的基板 從第二處理塊搬送至界面塊。此外，在所述第一處理塊中，也可以在與載體塊鄰接的區(qū)域多層 設(shè)置有在該第一處理塊的層積的單位塊彼此之間進(jìn)行基板的交接并且在第一處理塊與載體塊之間進(jìn)行基板的交接的第一交接部，設(shè)置有在 這些第一交接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第一交接臂。此外，在所述第二處理塊中，也可以在與界面塊鄰接的區(qū)域多層 設(shè)置有在該第二處理塊的層積的單位塊彼此之間進(jìn)行基板的交接并且 在第二處理塊與界面塊之間進(jìn)行基板的交接的第二交接部，設(shè)置有在 這些第二交接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第二交接臂。所述第一直通搬送單元以及第二直通搬送單元也可以具有用于從 載體塊向界面塊搬送基板的進(jìn)路(前進(jìn))用的直通搬送單元以及用于 從界面塊向載體塊搬送基板的回路(返回)用的直通搬送單元。也可以是用于形成同類涂敷膜的單位塊通過交接塊鄰接設(shè)置在第 一處理塊和第二處理塊上，用于形成同類涂敷膜的單位塊的基板搬送 單元相對(duì)于交接塊的公共交接部進(jìn)行基板的交接。所述涂敷膜形成用單位塊包括在基板上形成抗蝕劑膜的單位塊 以及在基板上形成抗蝕劑膜之前或之后在基板上形成反射防止膜的單 位塊。在第一處理塊和第二處理塊中，在基板上形成抗蝕劑膜的單位 塊以及在基板上形成抗蝕劑膜之前或之后在基板上形成反射防止膜的 單位塊通過交接塊鄰接設(shè)置，所述單位塊的基板搬送單元相對(duì)于交接 塊的公共的共用交接部進(jìn)行基板的交接。所述交接塊包括用于相對(duì)于第一處理塊的涂敷膜形成用單位塊 進(jìn)行基板的交接的設(shè)置有多層的第一處理塊用的交接部；在這些第一 處理塊用的交接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第一處理塊用的交接 臂；用于相對(duì)于第二處理塊的涂敷膜形成用單位塊進(jìn)行基板的交接的 設(shè)置有多層的第二處理塊用的交接部；以及在這些第二處理塊用的交 接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第二處理塊B用的交接臂。本發(fā)明的一種涂敷顯影方法，其特征在于在該涂敷顯影方法中，利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到 載體塊中的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜，然后，經(jīng)由界面塊將 該基板搬送至曝光裝置，利用顯影處理用單位塊對(duì)經(jīng)由所述界面塊返 回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理并將其交接至所述載體塊，所述涂敷顯影方法依次包括利用所述載體塊的交接單元，將基板從所述載體塊交接至第一處理塊的第一直通搬送單元的工序，其中，所述第一處理塊與所述載體 塊連接設(shè)置，并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊而 構(gòu)成；利用所述第一直通搬送單元，將晶片搬送至交接塊的工序，其中，所述交接塊與所述第一處理塊以及層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi) 的多個(gè)單位塊而構(gòu)成的第二處理塊連接；利用設(shè)置在交接塊上的交接臂，將基本搬送至公共交接部的工序， 其中，所述公共交接部設(shè)置有多層交接塊，用于相對(duì)于第一處理塊以及第二處理塊的涂敷形成用單位塊進(jìn)行基板的交接；利用設(shè)置在第一處理塊的涂敷形成用單位塊上的基板搬送單元或 者設(shè)置在第二處理塊的涂敷形成有單位塊上的基板搬送單元，在各個(gè)單位塊接收公共交接部的基板的工序；在接收有基板的涂敷形成用單位塊內(nèi)進(jìn)行規(guī)定涂敷膜的形成處理 的工序；利用基板搬送單元，將形成有涂敷膜的基板搬送至交接塊的公共 交接部的工序；以及利用設(shè)置在第二處理塊上的第二直通搬送單元將交接塊的公共交 接部的基板搬送至界面塊的工序。此外，在本發(fā)明中，也可以取代利用設(shè)置在第二處理塊上的第二 直通搬送單元將交接塊的公共交接部的基板搬送至界面塊，利用第二 處理塊的基板搬送單元搬送至界面塊。本發(fā)明的一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于保存有涂敷顯影裝置使用 的計(jì)算機(jī)程序，所述涂敷顯影裝置在從載體塊接收的基板上形成包括 抗蝕劑膜的涂敷膜，并對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理，所述程序編制 步驟組，以運(yùn)行上述涂敷顯影方法。根據(jù)本發(fā)明，在第一處理塊和第二處理塊之間設(shè)置有交接塊，用 于相對(duì)于這些第一處理塊以及第二處理塊的涂敷膜形成用的單位塊分 配交接基板，若晶片從載體塊被搬送至交接塊，則以該交接塊為基點(diǎn) 進(jìn)行基板的交接，使得將基板分別分配至第一處理塊的涂敷膜形成用 的單位塊和第二處理塊的涂敷膜形成用的單位塊。因此，因?yàn)樘幚韷K 為兩臺(tái)，所以能夠提高處理能力，此外，因?yàn)橄虻谝惶幚韷K的涂敷膜形成用的單位塊進(jìn)行搬送時(shí)的搬送路徑與向第二處理塊的涂敷膜形成 用的單位塊進(jìn)行搬送時(shí)的搬送路徑相同，因此易于做成搬送程序。


圖1是本發(fā)明所涉及的涂敷顯影裝置的實(shí)施方式的平面圖。圖2是所述涂敷顯影裝置的立體圖。圖3是所述涂敷顯影裝置的側(cè)部剖面圖。圖4是所述涂敷顯影裝置中C0T1層的單位塊的平面圖。圖5是所述C0T1層的單位塊的立體圖。圖6是設(shè)置在所述涂敷顯影裝置中的梭臂的截面圖和平面圖。圖7是用來說明所述涂敷顯影裝置中的晶片W的搬送路徑的側(cè)面圖。圖8是表示所述涂敷顯影裝置中的其它實(shí)施方式的平面圖。 圖9是表示所述涂敷顯影裝置的側(cè)面圖。圖10是用來說明所述涂敷顯影裝置中的晶片W的搬送路徑的側(cè) 面圖。圖11是所述涂敷顯影裝置的又一實(shí)施方式的側(cè)面圖。 圖12是用來說明所述涂敷顯影裝置中的晶片W的搬送路徑的側(cè) 面圖。圖13用來說明設(shè)置在所述涂敷顯影裝置中的梭臂的立體圖。 圖14是所述涂敷顯影裝置的又一實(shí)施方式的平面圖。 圖15是所述涂敷顯影裝置的又一實(shí)施方式的側(cè)面圖。 圖16是用來說明所述涂敷顯影裝置中的晶片W的搬送路徑的側(cè) 面圖。圖17是現(xiàn)有技術(shù)的涂敷顯影裝置的側(cè)面圖。標(biāo)號(hào)說明W 半導(dǎo)體晶片20 載體51 載體塊52 第一處理塊53 交接塊54 第二處理塊55 界面塊56 曝光裝置 A11 A23 主臂 C 傳輸臂Dl 第一交接臂D2 第二交接臂Gl、 G2梭臂F 界面臂100 控制部具體實(shí)施方式
首先，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的涂敷顯影裝置的實(shí)施方式所涉及的 抗蝕劑圖形形成裝置進(jìn)行說明。圖1是所述裝置的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖，圖2是其概略立體圖，圖3是其概略側(cè)面圖。該裝置包括用來搬入搬出密閉式收納有例如13個(gè)作為基板的晶片W的載體20的載 體塊S1、第一處理塊S2、交接塊S3、第二處理塊S4、界面塊S5、以 及曝光裝置S6。在該載體塊Sl中設(shè)置有能夠載放多個(gè)所述載體20的載放臺(tái)21、 從該載放臺(tái)21觀察設(shè)置在前方的壁面上的開關(guān)部22、以及構(gòu)成為能夠 經(jīng)由開關(guān)部22從載體20中取出晶片W的交接單元的傳輸臂C。該傳 輸臂C以能夠自由進(jìn)退、自由升降、圍繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)、沿著載體 20的排列方向自由移動(dòng)的方式構(gòu)成，使得能夠相對(duì)于后述的單位塊 Bll的交接模塊TRSll與輸入端口 Pl和輸出端口 P2進(jìn)行晶片W的交接。載體塊Sl的縱深一側(cè)與周圍被框體24包圍的第一處理塊S2連 接，該處理塊S2縱向排列有多個(gè)例如3個(gè)單位塊B11 B13而構(gòu)成， 在本例中，從下方一側(cè)依次被分割成作為顯影處理用單位塊的第一 顯影處理層(DEV1) Bll、作為用來在抗蝕劑膜的下層側(cè)進(jìn)行反射防 止膜(以下稱為"第一反射防止膜")處理的單位塊的第一反射防止膜 形成層(BCT1層)B12、作為用來進(jìn)行抗蝕劑膜的形成處理的單位塊的第一涂敷處理層(COTl層)B13，并且分別劃分這些DEV1層Bll、 BCTl層B12、 COTl層B13。此處，所述BCTl層B12與COTl層B13相當(dāng)于涂敷膜形成用單位塊。這些各個(gè)單位塊Bll、 B12、 B13分別采用同樣的方式構(gòu)成，并且 具備用來向晶片W涂敷涂敷液的液處理模塊、用來進(jìn)行在所述液處理 模塊中所進(jìn)行的處理的前處理以及后處理的各種處理模塊、用來在所 述液處理模塊與各種處理模塊之間進(jìn)行晶片W的交接的作為專用的基 板搬送單元的主臂A11 A13。而且，如圖1及圖3所示，在各單位塊Bll、 B12、 B13的與載體 塊S1鄰接的區(qū)域之內(nèi)，在傳輸臂C與各個(gè)主臂A11 A13能夠進(jìn)入的 位置設(shè)有交接用的擱板單元U1。在該擱板單元U1中設(shè)置有例如用來 在每個(gè)單位塊與其它的單位塊之間或者載體塊SI與第一處理塊S2之 間進(jìn)行晶片W交接的第一交接部，構(gòu)成為通過以自由進(jìn)退以及自由升 降的方式而構(gòu)成的第一交接臂D1，相對(duì)于設(shè)置在擱板單元U1中的各 個(gè)交接部進(jìn)行晶片W的交接。接下來，首先以COTl層B13為例，并且根據(jù)圖4及圖5對(duì)所述 單位塊B11 B13的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在該COT1層B13的大致中央， 沿著COTl層B13的縱向(長度方向)(圖4、圖5中Y方向)形成晶 片W的搬送區(qū)域Rl。在從載體塊Sl —側(cè)看到的該搬送區(qū)域Rl的兩 側(cè)，從前方一側(cè)(載體塊S1—側(cè))朝向后方一側(cè)，在右側(cè)設(shè)置有具有 成為液處理模塊的用來涂敷抗蝕劑液的涂敷模塊的涂敷處理部31。該涂敷處理部31的多個(gè)例如3個(gè)液處理模塊COTll COT13以 分別面臨搬送區(qū)域R1的方式，在沿Y方向排列的狀態(tài)下被收納在通 用的處理容器30的內(nèi)部。各個(gè)涂敷模塊COTll COT13從通用的藥 液噴嘴向例如被水平吸附固定在旋轉(zhuǎn)卡盤上的晶片W供給作為涂敷液 的抗蝕劑液，同時(shí)，通過使晶片W旋轉(zhuǎn)而使抗蝕劑液遍及晶片W的 整個(gè)表面，這樣在晶片W的表面涂敷抗蝕劑液。所述處理容器30在 與各個(gè)涂敷模塊COTll COT13對(duì)應(yīng)的位置具備晶片W的搬送口 33A 33C (參照?qǐng)D5)，晶片W通過各自的搬送口 33A 33C而在對(duì) 應(yīng)的涂敷模塊COTll COT13與主臂A13之間被搬送。此外，在該涂敷處理部31的搬送區(qū)域R1的對(duì)面一側(cè)設(shè)置有例如以2層X4列的方式設(shè)有處理模塊的擱板單元U4，在該圖中設(shè)有用來實(shí)施在涂敷處理部31中所進(jìn)行的處理的前處理以及后處理的各種處理模塊。上述各種處理模塊中包括對(duì)抗蝕劑液涂敷后的晶片W進(jìn)行加熱 處理，然后進(jìn)行冷卻處理的加熱冷卻模塊LHP;將晶片W調(diào)溫至規(guī)定溫度的調(diào)溫模塊CPL;以及周邊曝光裝置WEE等。作為所述加熱冷卻模塊LHP包括例如用來在其上面載放并加熱晶片W的加熱板34以及兼用搬送臂的冷卻板35，使用一種利用冷卻 板35在主臂A13與加熱板34之間進(jìn)行晶片W的交接，S卩，使用一種 將加熱模塊與冷卻模塊裝在一個(gè)單元中的這種結(jié)構(gòu)的裝置，但是加熱 模塊與冷卻模塊也可以分別獨(dú)立設(shè)置。另外，作為調(diào)溫模塊CPL使用 例如具備被水冷式冷卻的冷卻板的裝置。如圖5所示，這些加熱冷卻 模塊LHP和調(diào)溫模塊CPL等各個(gè)模塊分別被收納在處理容器36內(nèi)， 在各個(gè)處理容器36的面向搬送區(qū)域R1的面上形成有晶片搬入搬出口 37。在C0T1層B13的擱板單元Ul中，作為所述第一交接部設(shè)置有 交接模塊TRS13，構(gòu)成為COT1層B3的主臂A13和第一交接臂Dl相 對(duì)于該交接模塊TRS13能夠進(jìn)出。在該例中，在該交接模塊TRS13上， 當(dāng)主臂A13和第一交接臂Dl進(jìn)入時(shí)，在不與它們發(fā)生干擾的位置設(shè) 置有多個(gè)(例如3個(gè))用來保持晶片W背面一側(cè)的突部(突起)。接下來對(duì)設(shè)置在所述搬送區(qū)域Rl內(nèi)的主臂A13進(jìn)行說明。該主 臂A13采用在該C0T1層B13內(nèi)的所有模塊(放置晶片W的地方)、 例如在涂敷模塊COTll COT13、擱板單元Ul的交接模塊TRS13、 擱板單元U4的各個(gè)處理模塊、以及后述的交接塊S3的交接模塊TRS23 之間進(jìn)行晶片交接的方式而構(gòu)成，因此，它采用能夠自如進(jìn)退、自如 升降、圍繞垂直軸自如旋轉(zhuǎn)、沿著Y軸方向自如移動(dòng)的方式而構(gòu)成。如圖4及圖5所示，該主臂A13具備用來支承晶片W的背面一側(cè) 周邊區(qū)域的兩根保持臂51、 52，這些保持臂51、 52以在基臺(tái)53上相 互獨(dú)立且自如進(jìn)退的方式構(gòu)成。此外，基臺(tái)53以通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)54圍 繞垂直軸自如旋轉(zhuǎn)的方式被設(shè)置在搬送基體55上。圖中56是沿著搬 送區(qū)域R1的縱向(圖中Y方向)延伸的導(dǎo)軌56，圖中57是升降用導(dǎo) 軌，所述搬送基體55以沿著該升降用導(dǎo)軌57自如升降的方式構(gòu)成。另外，所述升降用導(dǎo)軌57的下端部潛入(插入)導(dǎo)軌56的下方而被 卡合固定，升降用導(dǎo)軌57沿著導(dǎo)軌56橫向移動(dòng)(圖中Y方向)，于是， 搬送基體55能夠在搬送區(qū)域R1內(nèi)橫向移動(dòng)。此處，為了在相對(duì)于擱 板單元U4的各個(gè)處理模塊進(jìn)行晶片W的交接時(shí)不與保持臂51、 52發(fā) 生干擾，升降用導(dǎo)軌57在與保持臂51、 52進(jìn)退的位置偏離的位置而 被設(shè)在搬送基體55上。再者，對(duì)其它的單位塊進(jìn)行簡單的說明，即，所述BCT1層B12 按照與C0T1層B13同樣的方式構(gòu)成，BCT1層B12作為液處理模塊 而設(shè)置有配備向晶片W供給第一反射防止膜形成用的涂敷液，并且用 來形成第一反射防止膜的多個(gè)例如3個(gè)反射防止膜形成模塊BCT11 BCT13的第一反射防止膜形成部，在擱板單元U4中配備在加熱板 上載放反射防止膜形成處理后的晶片W并對(duì)其進(jìn)行加熱處理，然后利 用冷卻板保持并進(jìn)行冷卻處理的加熱冷卻模塊LHP;以及用來將晶片 W調(diào)整至規(guī)定溫度的調(diào)溫模塊CPL等。此外，在擱板單元U1中作為 第一交接部而在第一交接臂Dl能夠進(jìn)出的位置設(shè)置有交接模塊 TRS12，構(gòu)成為在這些第一反射防止膜形成模塊BCT1、設(shè)置在這些擱 板單元U1、U4中的各種模塊、以及后述的交接塊S3的交接模塊TRS22 之間，利用主臂A12進(jìn)行晶片W的交接。此外，如圖3以及圖13所示，DEV1層Bll除擱板單元U4以3 層x4列的方式構(gòu)成并且設(shè)有梭臂Gl、 G4以外，其余均按照與上述 C0T1層B13大體相同的方式構(gòu)成，設(shè)有雙層用來向晶片W供給作為 涂敷液的顯影液并進(jìn)行顯影處理的顯影處理部32，在該顯影處理部32 的1層中例如設(shè)置有3個(gè)成為液處理模塊的顯影模塊DEV11 DEV13。 在擱板單元U4中包括對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的被稱作后 曝光烘焙(post exposure baking)模塊等的加熱模塊PEB;用來在該加 熱模塊PEB中的處理后將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度的冷卻模塊COL; 用來使水分飛濺而對(duì)顯影處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的被稱作后烘 焙(post baking)模塊等的加熱模塊POST;用來在該加熱模塊POST 中的處理后將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度的調(diào)溫模塊CPL等。所述第一反 射防止膜形成部和顯影處理部32按照與涂敷處理部31大體相同的方 式構(gòu)成。此外，在擱板單元Ul中，作為第一交接部而設(shè)置有交接模塊TRSll，形成為在顯影模塊DEV11 DEV13與在設(shè)置在擱板單元Ul 以及擱板單元U4中的各種模塊與后述的交接塊S3的交接模塊TRS21 之間，利用主臂All來進(jìn)行晶片W的交接。而且，在擱板單元U1中， 作為第一交接部，設(shè)置有用于在與載體塊Sl之間進(jìn)行晶片W的交接 的輸入端口 Pl和輸出端口 P2，它們用作后述的梭臂Gl、 G4專用的交 接部。第一處理塊S2的縱深一側(cè)與周圍被框體25包圍的交接塊S3連 接，進(jìn)一步在其縱深一側(cè)與周圍被框體26包圍的第二處理塊S4連接。 首先，對(duì)第二處理塊S4進(jìn)行說明，即，該第二處理塊S4除擱板單元 U3設(shè)置在與界面塊S5鄰接的區(qū)域內(nèi)之外，其它均與第一處理塊S2相 同地構(gòu)成。艮P，該處理塊S4從下方一側(cè)層疊設(shè)置有作為顯影處理用單位塊 的第二顯影處理層(DEV2層)B21、作為用于進(jìn)行第一反射防止膜的 形成處理的單位塊的第二反射防止膜形成層(BCT2層)B22、以及作 為用來進(jìn)行抗蝕劑膜的形成處理的單位塊的第二涂敷處理層(COT2 層)B23。此處，所述BCT2層B22與COT2層B23相當(dāng)于涂敷膜形 成用單位塊。此外，在擱板單元U3上設(shè)置有多層用于在第二處理塊 S4的單位塊B21 B23彼此之間以及第二處理塊S4與界面塊S5之間 進(jìn)行晶片W的交接的第二交接部。接著，對(duì)第二處理塊S4的單位塊B21 B23進(jìn)行簡單說明，艮口， 除后述的擱板單元U3被設(shè)置在界面塊S5 —側(cè)之外，COT2層B23與 C0T1層B13相同，BCT2層B22與BCT1層B12相同，DEV2層B21 與DEV1層B11相同。g卩，在COT2層B23中，作為液處理模塊設(shè)置 有用于對(duì)晶片W進(jìn)行抗蝕劑液涂敷的多個(gè)例如3個(gè)涂敷模塊COT21 COT23，在擱板單元U5中具有加熱冷卻模塊LHP、調(diào)溫模塊CPL、 周邊曝光裝置WEE等，在擱板單元U3中作為第二交接部在利用第二 交接臂D2能夠進(jìn)出的位置設(shè)置有交接模塊TRS33。構(gòu)成為能夠利用主 臂A23在這些涂敷模塊COT21 COT23與設(shè)置在擱板單元U3以及擱 板單元U5上的各種模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，BCT2層B22作為液處理模塊設(shè)置有多個(gè)例如3個(gè)用于對(duì)晶片W形成第一反射防止膜的第一反射防止膜形成模塊BCT21 BCT23,在擱板單元U5中具有加熱冷卻模塊LHP、調(diào)溫模塊CPL等。 此外，在擱板單元U3中作為第二交接部在利用第二交接臂D2能夠進(jìn) 出的位置設(shè)置有交接模塊TRS32,構(gòu)成為能夠利用主臂A22在這些第 一反射防止膜形成模塊BCT21 BCT23與設(shè)置在擱板單元U3以及擱 板單元U5上的各種模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。而且，DEV2層B21作為液處理模塊設(shè)置有多個(gè)例如3個(gè)用于對(duì) 晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影模塊DEV21 DEV23，在擱板單元U5中 具有加熱模塊PEB、冷卻模塊COL、加熱模塊POST、調(diào)溫模塊CPL 等。此外，在擱板單元U3中作為第二交接部在界面臂F以及第二交接 臂D2能夠進(jìn)出的位置設(shè)置有交接模塊TRS31，構(gòu)成為能夠利用主臂 A21在這些顯影模塊DEV21 DEV23與設(shè)置在擱板單元U3以及擱板 單元U5上的各種模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。而且，此外，在擱板單元U3中，作為第二交接部，在界面臂F 以及第二交接臂D2能夠進(jìn)出的位置設(shè)置有輸出端口 P3和輸入端口 P4，它們用作后述的梭臂G2、 G3專用的交接部。接著，對(duì)交接塊S3進(jìn)行說明。該交接塊S3是用于相對(duì)于第一處 理塊S2和第二處理塊S4進(jìn)行晶片W的交接的塊，如圖1和圖3所示， 在第一處理塊S2的各單位塊B11 B13的主臂A11 A13能夠進(jìn)出并 且第二處理塊S4的各單位塊B21 B23的主臂A21 A23能夠進(jìn)出的 位置設(shè)置有擱板單元U2。該擱板單元U2設(shè)置有用于例如在每一個(gè)單 位塊與其它的單位塊之間進(jìn)行晶片W的交接的公共交接部，構(gòu)成為能 夠通過以自由進(jìn)退以及自由升降的方式構(gòu)成的成為交接單元的交接臂 E，相對(duì)于設(shè)置在擱板單元U2中的公共交接部進(jìn)行晶片W的交接。在該例中，如圖3所示，第一處理塊S2的BCT1層B12與第二處 理塊S4的BCT2層B22、第一處理塊S2的C0T1層B13與第二處理 塊S4的COT2層B23、第一處理塊S2的DEV1層B21與第二處理塊 S4的DEV2層B21，分別經(jīng)由交接塊S3鄰接設(shè)置，如后所述，構(gòu)成為 進(jìn)行相同處理的單位塊的主臂彼此能夠相對(duì)于交接塊S3的共同的公共 交接部進(jìn)出(進(jìn)行訪問)。具體而言，分別在C0T1層B13、 COT2層B23的兩主臂A13、A23能夠進(jìn)出的位置設(shè)置交接模塊TRS23;在BCT 1層B12、 BCT 2 層B22的兩主臂A12、 A22能夠進(jìn)出的位置設(shè)置交接模塊TRS22;在 DEVl層Bll、 DEV2層B21的兩主臂All、 A21能夠進(jìn)出的位置設(shè) 置交接模塊TRS21;在DEVl層Bll以及DEV2層B21的梭臂G1、 G2能夠進(jìn)出的位置設(shè)置交接模塊TRS — A;在梭臂G3、 G4能夠進(jìn)出 的位置設(shè)置交接模塊TRS—B。此處，設(shè)置在擱板單元U1、 U2、 U3上的交接模塊TRS11 33， 構(gòu)成為與已經(jīng)說明的交接模塊TRS13相同的結(jié)構(gòu)，相對(duì)于該交接模塊 TRS11 TRS33進(jìn)行晶片W的交接的交接臂Dl、 D2、 E也同樣地構(gòu) 成。另一方面，在第二處理塊S4的擱板單元U3的縱深側(cè)經(jīng)由界面塊 S5連接有曝光裝置S6。在界面塊S5上設(shè)置有以自如進(jìn)退、自如升降、 自如圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)的方式而構(gòu)成的界面臂F，用來相對(duì)于所述第二處 理塊S4的擱板單元U3的第二交接部與曝光裝置S6進(jìn)行晶片W的交 接。此處，對(duì)于所述梭臂G1 G4參照?qǐng)D3禾P圖6進(jìn)行說明。所述梭 臂Gl、梭臂G2是從載體塊Sl向界面塊S5搬送晶片W的專用的進(jìn)路 (前進(jìn))用直通搬送單元，所述梭臂G3、梭臂G4是從界面塊S5向載 體塊S1搬送晶片W的專用的回路(返回)用直通搬送單元。首先，對(duì)梭臂G1進(jìn)行說明，即，構(gòu)成為載置晶片W的背面?zhèn)戎?邊部的臂61A通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)62A，沿著向第一處理塊S2的長度方向(圖 1中的Y方向)延伸的基體板63A自由移動(dòng)。圖6中的標(biāo)號(hào)64A表示 的是用于防止載置于臂61A上的晶片W發(fā)生位置偏移的限制部件。所述基體板63A的一端側(cè)，延伸至與載體塊S1鄰接的區(qū)域，使得 臂61A能夠移動(dòng)至與載體塊Sl的傳輸臂C之間進(jìn)行晶片W的交接的 第一交接位置，另一端側(cè)延伸至與交接塊S3鄰接的區(qū)域，使得臂61A 能夠移動(dòng)至相對(duì)于交接塊S3的交接模塊TRS—A進(jìn)行晶片W的交接 的第二交接位置。在所述基體板63A的一端側(cè)，在傳輸臂C能夠進(jìn)出(訪問)的位 置內(nèi)置有升降銷機(jī)構(gòu)65A。對(duì)于升降銷機(jī)構(gòu)65A而言，如圖6所示， 當(dāng)臂61A移動(dòng)至所述第一交接位置時(shí)，在臂61A的的內(nèi)側(cè)區(qū)域出沒(突出退回)，用于傳輸臂C與梭臂G1之間的晶片W的交接。接著，對(duì)梭臂G2進(jìn)行說明，即，圖中的標(biāo)號(hào)61B表示的是臂， 標(biāo)號(hào)63B表示的是沿著第二處理塊S4的長度方向(圖1中的Y方向) 延伸的基體板，標(biāo)號(hào)62B表示的是驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，標(biāo)號(hào)64B表示的是限制 部件。所述基體板63B的一端側(cè)延伸至與交接塊S3鄰接的區(qū)域，使得 臂61B能夠移動(dòng)至相對(duì)于交接塊S3的交接模塊TRS—A進(jìn)行晶片W 的交接的第三交接位置，另一端側(cè)延伸至與界面塊S5鄰接的區(qū)域，使 得臂61B能夠移動(dòng)至與界面塊S5的界面臂F之間進(jìn)行晶片W的交接 的第四交接位置。在所述基體板63B的另一端側(cè)，在界面臂F能夠進(jìn)出(訪問)的 位置內(nèi)置有升降銷機(jī)構(gòu)65B。對(duì)于升降銷機(jī)構(gòu)65B而言，如圖6所示， 當(dāng)臂61B移動(dòng)至所述第四交接位置時(shí)，用于在界面臂F和梭臂G2之 間進(jìn)行晶片W的交接。此外，所述交接模塊TRS—A在交接臺(tái)66的內(nèi)部內(nèi)置有升降銷機(jī) 構(gòu)67，如圖6所示，當(dāng)梭臂G1的臂61A移動(dòng)至所述第二交接位置時(shí)， 在臂61A的內(nèi)側(cè)區(qū)域出沒(突出退回)，用于在交接臂E和梭臂G1之 間進(jìn)行晶片W的交接，并且當(dāng)梭臂G2的臂61B移動(dòng)至所述第三交接 位置時(shí)，在臂61B的內(nèi)側(cè)區(qū)域出沒(突出退回)，用于在交接臂E與梭 臂G2之間進(jìn)行晶片W的交接。而且，對(duì)于該交接模塊TRS—A而言，以當(dāng)與所述交接塊S3的交 接臂E之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，不與交接臂E干涉的方式?jīng)Q定升降 銷機(jī)構(gòu)67的升降銷的配置位置，例如，預(yù)先使升降銷從交接臺(tái)66突 出，使交接臂E側(cè)相對(duì)于該升降銷升降，由此，在交接模塊TRS—A 與交接臂E之間進(jìn)行晶片W的交接。此處，所述梭臂Gl、梭臂G2用于從載體塊Sl向界面塊S5單向 搬送晶片W，基體板63A的一端側(cè)用作第一交接部的輸入端口 Pl，基 體板63B的另一端側(cè)用作第二交接部的輸出端口 P3。此外，梭臂G3、梭臂G4分別與梭臂G1、梭臂G2同樣地構(gòu)成， 在梭臂G4的基體板63D的一端側(cè)內(nèi)置有升降銷機(jī)構(gòu)65D,該一端側(cè) 用作在傳輸臂C與梭臂G4之間進(jìn)行晶片W的交接用的輸出端口 P2。 此外，在梭臂G3的基體板63C的另一端側(cè)內(nèi)置有升降銷機(jī)構(gòu)65C，該另一端側(cè)用作在界面臂F與梭臂G3之間進(jìn)行晶片W的交接用的輸入端口 P4。而且，在交接塊S3中設(shè)置有用于在與梭臂G3以及梭臂G4 之間進(jìn)行晶片W的交接的交接模塊TRS—B，該交接模塊TRS—B與 交接模塊TRS — A同樣地構(gòu)成。上述抗蝕劑圖形形成裝置具備由進(jìn)行各處理模塊的方案管理、晶 片W的搬送流程(搬送路線)的方案管理、各處理模塊中的處理、主 臂A11 A13、 A21 A23、傳輸臂C、第一以及第二交接臂D1、 D2、 交接臂E、梭臂G1 G4、界面臂F的驅(qū)動(dòng)控制的計(jì)算機(jī)而構(gòu)成的控制 部100。該控制部100具有例如由計(jì)算機(jī)程序組成的程序保存部，在程 序保存部中保存著具有步驟(命令)群的例如軟件構(gòu)成的程序，以實(shí) 施整個(gè)抗蝕劑圖形形成裝置的作用，即在晶片W上形成規(guī)定抗蝕劑圖 形的各處理模塊中的處理和晶片W的搬送等。這些程序被控制部100 讀取出來，于是整個(gè)抗蝕劑圖形形成裝置的作用被控制部ioo所控制。 再者，該程序在被收納在例如軟盤、硬盤、光盤、磁光盤、存儲(chǔ)卡等 存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)下被保存在程序保存部中。下面，參照?qǐng)D7，以在第一反射防止膜上形成抗蝕劑膜的情況為例， 對(duì)在上述這種抗蝕劑圖形形成裝置中的晶片W的搬送路線進(jìn)行說明。 晶片W的搬送是通過控制部100根據(jù)搬送流程(搬送路線)的方案， 控制主臂A11 A13、 A21 A23、傳輸臂C、第一以及第二交接臂Dl、 D2、交接臂E、梭臂G1 G4、界面臂F而進(jìn)行的。首先，從外部被搬入載體塊S1中的載體20內(nèi)的晶片W通過傳輸 臂C經(jīng)由擱板單元Ul的輸入端口 Pl被交接至梭臂Gl。接著，利用 梭臂G1搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—A，接著，通過交接臂E 被搬送至交接模塊TRS22。接著，在該交接模塊TRS22中的晶片W通 過主臂A12或者主臂A22而分別由第一處理塊S2的BCT1層或者第 二處理塊S4的BCT2層所接收。在第一處理塊S2中，被所述BCT1層所收取的晶片W，通過主臂 A12并且按照調(diào)溫模塊CPL—第一反射防止膜形成模塊BCT—加熱模 塊LHP—擱板單元Ul的交接模塊TRS12的路線被搬送，并在晶片W 的表面形成第一反射防止膜。接著，交接模塊TRS12的晶片W通過第一交接臂Dl被搬送至交接模塊TRS13，從此處利用主臂A13被C0T1層接收。接著，在COT1 層中，按照調(diào)溫模塊CPL—涂敷模塊COT—加熱模塊LHP—周邊曝光 裝置WEE—交接塊S3的交接模塊TRS23的路線被搬送，并在第一反 射防止膜上形成抗蝕劑膜。另一方面，對(duì)于被搬送至第二處理塊S4的晶片W而言，被所述 BCT2層所收取的晶片W，通過主臂A22并且按照調(diào)溫模塊CPL—第 一反射防止膜形成模塊BCT—加熱模塊LHP—擱板單元U3的交接模 塊TRS32的路線被搬送，并在晶片W的表面形成第一反射防止膜。接著，交接模塊TRS32的晶片W通過第二交接臂D2被搬送至交 接模塊TRS33，從此處通過主臂A23被COT2層接收。接著，在COT2 層中，按照調(diào)溫模塊CPL—涂敷模塊COT—加熱模塊LHP—周邊曝光 裝置WEE—交接塊S3的交接模塊TRS23的路線被搬送，并在第一反 射防止膜上形成抗蝕劑膜。這樣，分別在第一處理塊S2以及第二處理塊S4中形成有各自的 第一反射防止膜和抗蝕劑膜的晶片W被集中在交接塊S3的交接模塊 TRS23中。然后，通過交接臂E被搬送至交接模塊TRS—A，從此處 通過梭臂G2被搬送至擱板單元U3的輸出端口 P3，在此處被界面臂F 所接收。接著，晶片W通過界面臂F被搬送至曝光裝置S6，進(jìn)行規(guī)定 的曝光處理。接下來，對(duì)曝光處理后的晶片W的搬送路線進(jìn)行說明。首先，對(duì) 在第一處理塊S2中進(jìn)行顯影處理的情況進(jìn)行說明，gp，曝光處理后的 晶片W通過界面臂F被搬送至輸入端口 P4，從此處被梭臂G3所接收。 接著，晶片W通過梭臂G3被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—B， 接著，交接模塊TRS—B的晶片W通過交接臂E被搬送至交接模塊 TRS21，并從此處通過主臂All被第一處理塊S2的DEV1層所接收。在DEV1層中，按照加熱模塊PEB—冷卻模塊COL—顯影模塊 DEV—加熱模塊POST—調(diào)溫模塊CPL—擱板單元Ul的交接模塊 TRSll的路線被搬送，并進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。于是，被實(shí)施了顯影 處理的晶片W經(jīng)由所述交接模塊TRSll，通過傳輸臂C返回被載放在 載體塊S1中的原來的載體20中。另一方面，對(duì)在第二處理塊S4中進(jìn)行顯影處理的情況，曝光處理后的晶片W通過界面臂F被搬送至交接模塊TRS31，從此處通過主臂 A21被第二處理塊S4的DEV2層所接收。在DEV2層中，按照加熱 模塊PEB—冷卻模塊COL—顯影模塊DEV—加熱模塊POST—調(diào)溫模 塊CPL—交接塊S3的交接模塊TRS21的路線被搬送，并進(jìn)行規(guī)定的 顯影處理。接著，晶片W通過交接臂E被搬送至交接模塊TRS—B，接著通 過梭臂G4移動(dòng)至擱板單元U1的輸出端口 P2。由此，被實(shí)施了顯影處 理的晶片W經(jīng)由所述輸出端口 P2，從所述梭臂G4被交接至傳輸臂C， 并返回被載放在載體塊S1中的原來的載體20中。在這樣的抗蝕劑圖形形成裝置中，能夠?qū)崿F(xiàn)處理能力的提高。艮P， 因?yàn)榈谝惶幚韷KS2以及第二處理塊S4的各單位塊B11 B13、 B21 B23具有例如3各液處理模塊以及與該液處理模塊對(duì)應(yīng)個(gè)數(shù)的處理模 塊，所以，各處理塊S2、 S4的處理能力與背景技術(shù)所述的現(xiàn)有的抗蝕 劑圖形形成裝置的處理能力大致相同，但是，因?yàn)檫@兩個(gè)處理塊S2、 S4通過交接塊S3連接在一起，因此，增加的一個(gè)處理塊能夠提高處理 能力。此時(shí)，因此安裝在第一以及第二處理塊S2、 S4的內(nèi)部的模塊的個(gè) 數(shù)與現(xiàn)有的裝置大致相同，因此，在各單位塊B11 B13、 B21 B23 內(nèi)，不會(huì)增加主臂A11 A13、 A21 A23的負(fù)擔(dān)，不會(huì)因此而擔(dān)心導(dǎo) 致搬送處理能力降低。此外，對(duì)于向各單位塊B11 B13、 B21 B23的晶片W的搬送而 言，第一以及第二處理塊S2、 S4內(nèi)的晶片W的搬送是使用第一以及 第二交接臂D1、 D2和各主臂A11 A13、 A21 A23進(jìn)行的，另一方 面，從載體塊Sl向第一處理塊S2或者第二處理塊S4的晶片W的搬 送是利用梭臂Gl和交接臂E來進(jìn)行的，從第一處理塊S2或者第二處 理塊S4向界面塊S5的晶片W的搬送是利用交接臂E以及梭臂G2來 進(jìn)行的，而且，從界面塊S5向交接塊S3的搬送以及從交接塊S3向載 體塊S1的搬送分別是通過梭臂G3、 G4進(jìn)行的。因此，即便增加處理塊，也能夠通過第一以及第二處理塊S2、 S4 的主臂A11 A13、 A21 A23和第一以及第二交接臂Dl、 D2、梭臂 G1 G4以及交接塊S3的交接臂E來分擔(dān)并進(jìn)行晶片W的搬送，因此，能夠減輕一個(gè)臂的負(fù)載，抑制搬送處理能力的降低。而且，在本例中，在晶片W從載體塊S1被搬送至交接塊S3后， 以此為基點(diǎn)對(duì)晶片W進(jìn)行分配并將其搬送至第一以及第二處理塊S2、S4，這樣，當(dāng)從第一處理塊S2觀察時(shí)，晶片W從該處理塊S2的后側(cè) 被搬入，因此，至晶片W被搬入為止的時(shí)間變長，導(dǎo)致處理能力降低， 但是，通過準(zhǔn)備從載體塊S1向界面塊S5的進(jìn)路(前進(jìn))用梭臂G1、 梭臂G2，以及從界面塊S5向載體塊Sl的回路用梭臂G3、梭臂G4， 梭臂Gl只需進(jìn)行從載體塊Sl向交接塊S3的搬送即可，因此，使搬送 處理能力降低的顧慮減少。而且，梭臂G1 G4在基體板63A 63D上僅僅沿橫向移動(dòng)，并 且晶片W的交接使用升降銷機(jī)構(gòu)65A 65D來進(jìn)行，因此，與梭臂Gl G4本身設(shè)置有升降機(jī)構(gòu)的情況相比，能夠使梭臂G1 G4的驅(qū)動(dòng)控制 變得容易，并且能夠使梭臂G1 G4輕量化，因此，可以預(yù)見能夠增 加搬送速度。此外，本發(fā)明的抗蝕劑圖形形成裝置能夠使搬送程序的編成變得 容易。即，設(shè)置兩個(gè)處理塊S2、 S4，曝光處理前的晶片W從載體塊 Sl被搬送至交接塊S3，并以此為基點(diǎn)被分配給第一處理塊S2的BCT1 層或者第二處理塊S4的BCT2層。因此，因?yàn)閺妮d體塊Sl至BCT1層或者BCT2層的晶片W的搬 送路徑相同，所以，以當(dāng)搬送至與載體塊S1鄰接的第一處理塊S2時(shí) 不使用梭臂G1，搬送至第二處理塊S4時(shí)使用梭臂Gl的方式，使在晶 片W的搬送中使用的臂根據(jù)作為搬送目標(biāo)的處理塊S2、 S4而不相同， 并且從載體塊Sl至將晶片W交接到第一處理塊S2、第二處理塊S4 為止的搬送工序數(shù)并不是不同的，因此，能夠容易地作成搬送程序。而且，在第一處理塊S2以及第二處理塊S4內(nèi)，分別獨(dú)立地以BCT1 層—C0T1層的路徑或者BCT2層—COT2層的路徑搬送晶片W，之后， 在C0T1層或者COT2層中進(jìn)行完處理的晶片W被集中在交接塊S3。 因此，因?yàn)榉謩e獨(dú)立地對(duì)第一處理塊S2以及第二處理塊S4內(nèi)的搬送 路徑進(jìn)行控制，所以，這一點(diǎn)也能夠使搬送程序的編成變得容易。此外，形成有抗蝕劑膜的晶片W—旦被集中在交接塊S3，則從此 處被搬送至界面塊S5，因此，對(duì)于第一以及第二處理塊S2、 S4—交接塊S3—界面塊S5為止的搬送路徑，無論是在第一處理塊S2中進(jìn)行處 理時(shí)還是在第二處理塊S4中進(jìn)行處理時(shí)均相同。因此，以當(dāng)從與界面 塊S5鄰接的第二處理塊S4進(jìn)行搬送時(shí)不使用梭臂G2，從第一處理塊 S2進(jìn)行搬送時(shí)使用梭臂G2的方式，使在晶片W的搬送中使用的臂根 據(jù)進(jìn)行處理的處理塊而不相同，并且至晶片W被交接到界面塊S5為 止的搬送工序數(shù)并不是不同的，因此，這一點(diǎn)也能夠使搬送程序的編 成變得容易。此外，在上述例子中，在第一處理塊S2以及第二處理塊S4中， DEV1層與DEV2層、BCT1層與BCT2層、C0T1層與COT2層互相 經(jīng)由交接塊S3鄰接設(shè)置，構(gòu)成為在BCT1層、BCT2層彼此、以及COT1 層、COT2層彼此等進(jìn)行相同涂敷膜的形成處理的單位塊中所設(shè)置的主 臂A12、 A22 (A13、 A23)能夠分別進(jìn)出(訪問)公共的交接模塊TRS22 (TRS23)。因此，從設(shè)置在交接塊S3中的交接臂E觀察，以被搬送至BCT1 層或者BCT2層之前的晶片W從交接模塊TRS—A被搬送至交接模塊 TRS22,形成有抗蝕劑膜的晶片W從交接模塊TRS23被搬送至交接模 塊TRS—A的方式，能夠不考慮晶片W在何種處理塊S2、 S4中進(jìn)行 處理來進(jìn)行晶片W的搬送，因此，這一點(diǎn)也能夠使搬送程序的編成變 得容易。以上，在上述例子中，當(dāng)曝光處理后的晶片W被搬送至第二處理 塊S4時(shí)，利用DEV2層的主臂A21直接從交接模塊TRS31進(jìn)行接收， 但是也可以由梭臂G3搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—B，并從此 處按照交接臂E—交接模塊TRS21—主臂A21的路徑搬送至DEV2層 內(nèi)。接著，使用圖8 圖IO對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。本例 中的抗蝕劑圖形形成裝置與上述裝置的不同點(diǎn)在于在第一處理塊S2 以及第二處理塊S4中沒有設(shè)置第一以及第二交接臂D1、 D2，在交接 塊S3中設(shè)置有上下兩層的交接臂El、 E2，設(shè)置在擱板單元U1 U3 中的模塊，以及晶片的搬送路徑。在該例子中，在擱板單元U1中，作為用于在載體塊S1與第一處 理塊S2的DEV1層之間進(jìn)行晶片W的交接的第一交接部，設(shè)置有交接模塊TRSll、輸入端口 Pl以及輸出端口 P2，此外，在擱板單元U3 中，作為用于在第二處理塊S4的DEV2層與界面塊S5之間進(jìn)行晶片 W的交接的第二交接部，設(shè)置有交接模塊TRS31、輸出端口 P3以及輸 入端口 P4。此外，在交接塊S3的擱板單元U2中，分別設(shè)置有通過DEV1 層、DEV2層的主臂A11、 A21進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS21; 通過梭臂Gl、 G2進(jìn)行訪問(進(jìn)行)的交接模塊TRS—A;通過梭臂 G3、 G4進(jìn)行訪問(進(jìn)行)的交接模塊TRS—B;通過BCT1層、BCT2 層的主臂A12、 A22進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS22、 TRS23;通 過C0T1層、COT2層的主臂A13、 A23進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊 TRS24、 TRS25。在交接塊S3中以上下兩層的方式設(shè)置有交接臂El、 E2，例如， 利用交接臂E2相對(duì)于所述交接模塊TRS21、 TRS — A、 TRS — B進(jìn)行 晶片W的交接，利用交接臂El相對(duì)于所述交接模塊TRS—A、TRS22、 TRS23、 TRS24、 TRS25進(jìn)行晶片W的交接。對(duì)于這種抗蝕劑圖形形成裝置中的晶片W的搬送路徑，參照?qǐng)D10， 以在第一反射防止膜上形成抗蝕劑膜的情況為例進(jìn)行說明。晶片W按 照載體塊S1—傳輸臂C—擱板單元Ul的輸入端口 P1—梭臂G1—交接 塊S3的交接模塊TRS—A—交接臂E1—交接模塊TRS22的路徑而被 搬送，交接模塊TRS22的晶片W通過主臂All、 A22而分別被BCT1 層、BCT2層所接收。接著，在BCT1層的內(nèi)部，通過主臂A12如上述那樣順次被搬送 至規(guī)定的模塊中之后，被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS23。另一方 面，在BCT2層的內(nèi)部，通過主臂A22如上述那樣順次被搬送至規(guī)定 的模塊中之后，被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS23。接著，交接模塊TRS23的晶片W通過交接臂El被搬送至交接模 塊TRS24，從此處通過主臂A13、 A23分別被COT1層、COT2層所接 收。然后，在COTl層中，通過主臂A13如上述那樣順次被搬送至規(guī) 定的模塊中之后，被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS25。另一方面， 在COT2層中，通過主臂A23順次被搬送至規(guī)定的模塊中之后，被搬 送至交接塊S3的交接模塊TRS25 。這樣形成有第一反射防止膜和抗蝕劑膜的晶片W被集中在交接塊S3的交接模塊TRS25中，通過交接臂El被搬送至交接模塊TRS—A 中，從此處通過梭臂G2移動(dòng)至擱板單元U3的輸出端口 P3。接著，晶 片W被交接至界面臂F并被搬送至曝光裝置S6，進(jìn)行規(guī)定的曝光。對(duì)于曝光處理后的晶片W，當(dāng)在第一處理塊S2中進(jìn)行顯影處理 時(shí)，按照界面臂F—輸入端口 P4—梭臂G3—交接塊S3的交接模塊TRS 一B—交接臂E2—交接模塊TRS21—主臂A11—DEV1層的路徑而被搬 送。然后，在DEV1層中，在通過主臂All被依次搬送至上述規(guī)定的 模塊中之后，被搬送至擱板單元U1的交接模塊TRSll，顯影處理后的 晶片W通過傳輸臂C，返回被載放在載體塊Sl中的原來的載體20中。另一方面，當(dāng)在第二處理塊S4中進(jìn)行顯影處理時(shí)，通過界面臂F 被搬送至交接模塊TRS31，從此處通過主臂A21被DEV2層所接收。 然后，在DEV2層中，通過主臂A21被依次搬送至規(guī)定的模塊中之后， 被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS21 。接著，晶片W按照交接臂E2— 交接模塊TRS—B—梭臂G4—輸出端口 P2的路徑而被搬送。然后，進(jìn) 行完顯影處理后的晶片W通過傳輸臂C經(jīng)由輸出端口 P2，返回被載 放在載體塊S1中的原來的載體20中。這種晶片W的搬送，通過控制部100基于收納在該控制部100中 的搬送方案，對(duì)主臂A11 A13、 A21 A23、傳輸臂C、交接臂E1、 E2、梭臂G1 G4、界面臂F進(jìn)行控制來進(jìn)行。在該裝置中，因?yàn)橐彩窃趦蓚€(gè)處理塊S2、 S4中進(jìn)行晶片W的處 理，所以能夠?qū)崿F(xiàn)處理能力的提高。此外，在各處理塊S2、 S4中沒有 設(shè)置交接臂D1、 D2，在交接塊S3中雙層地設(shè)置有交接臂E1、 E2，因 此，能夠使臂的總數(shù)減少，從而實(shí)現(xiàn)低成本化。此時(shí)，通過在交接塊 S3中上下雙層地設(shè)置交接臂E1、 E2,而能夠分擔(dān)進(jìn)行搬送，并且因?yàn)?各臂E1、 E2的移動(dòng)區(qū)域狹窄，因此沒有必要對(duì)搬送處理能力的降低存 在顧慮。此外，在本例子中，因?yàn)橐彩且越唤訅KS3作為基點(diǎn)進(jìn)行從載體塊 Sl向第一處理塊S2或者第二處理塊S4的晶片W的搬送和從第一處理 塊S2或者第二處理塊S4向界面塊S5的晶片W的搬送，因此，載體 塊S1—第一處理塊S2—界面塊S5的搬送路徑，與載體塊S1—第二處理塊S4—界面塊S5的搬送路徑相同，能夠使搬送程序的編成變得容 此時(shí)，在本例子中，當(dāng)曝光處理后的晶片W被搬送至第二處理塊S4時(shí)，也可以由梭臂G3搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—B，并從 此處按照交接模塊TRS21—主臂A21的路徑搬送至DEV2層內(nèi)。接著，使用圖11 圖13對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。本例 中的抗蝕劑圖形形成裝置與上述第一實(shí)施方式的裝置的不同點(diǎn)在于 在第一處理塊S2以及第二處理塊S4中沒有設(shè)置第一以及第二交接臂 Dl、 D2，在交接塊S3中設(shè)置有上下兩層的交接臂E1、 E2，在第一處 理塊S2以及第二處理塊S4中所設(shè)置的單位塊，設(shè)置在擱板單元Ul U3中的模塊，以及晶片的搬送路徑。在該例子中，第一處理塊S2從下方側(cè)開始層疊DEV1層和兩個(gè) BCT1層、BCT2層而構(gòu)成，第二處理塊S4從下方側(cè)開始層疊TCT1 層、TCT2層、C0T1層、COT2層而構(gòu)成。此處，所謂的TCT1層、 TCT2層是用于進(jìn)行形成于抗蝕劑膜的上層側(cè)的反射防止膜(以下稱為 "第二反射防止膜")的形成處理的第二反射防止膜形成處理層，相當(dāng) 于涂敷形成用的單位塊。所述第一處理塊S2的DEV1層和第二處理塊S4的TCT1層、TCT2 層，所述第一處理塊S2的BCT1層和第二處理塊S4的COT1層，所 述第一處理塊S2的BCT2層和第二處理塊S4的COT2層，分別經(jīng)由 交接塊S3鄰接設(shè)置。此處，BCT2層與BCT1層同樣地構(gòu)成，形成為通過主臂A14在 各模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，COT1層、COT2層與上述實(shí) 施方式的COT2層同樣地構(gòu)成，形成為分別通過主臂A24、 A25在各 模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。而且，TCT1層、TCT2層與上述實(shí)施方式的COT2層大致同樣地 構(gòu)成，在TCT1層的內(nèi)部，作為液處理模塊，設(shè)置有多個(gè)例如3個(gè)用 于在晶片W上形成第二反射防止膜的第二反射防止膜形成模塊TCT， 在擱板單元U5中設(shè)置有加熱冷卻模塊LHP、調(diào)溫模塊CPL、周邊曝 光裝置WEE等。此外，在擱板單元U3中，作為第二交接部在界面臂 F能夠進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的位置設(shè)置有交接模塊TRS31，構(gòu)成為在這些模塊之間通過主臂A26進(jìn)行晶片W的交接。另一方面，在TCT2層的內(nèi)部，作為液處理模塊，設(shè)置有多個(gè)例 如3個(gè)第二反射防止膜形成模塊TCT，并且在擱板單元U5中設(shè)置有加 熱冷卻模塊LHP、調(diào)溫模塊CPL、周邊曝光裝置WEE等。此外，在 擱板單元U3中，作為第二交接部在界面臂F能夠進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的 位置設(shè)置有交接模塊TRS30、 TRS32，構(gòu)成為在這些模塊之間通過主 臂A27進(jìn)行晶片W的交接。此外，TCT2層具有梭臂G6，所述交接模 塊TRS30被用作梭臂G6專用的交接模塊。此外，在擱板單元U1中，作為用于在載體塊S1與第一處理塊S2 的DEV1層之間進(jìn)行晶片W的交接的第一交接部而設(shè)置有交接模塊 TRSIO、 TRSll，其中的交接模塊TRS10被用作梭臂G5專用的交接模 塊。此外，在交接塊S3的擱板單元U2中設(shè)置有通過DEV1層的主 臂All和TCT1層的主臂A26以及TCT2層的主臂A27進(jìn)行訪問(進(jìn) 出)的交接模塊TRS21、 TRS22;通過梭臂G1、 G2進(jìn)行訪問(進(jìn)出) 的交接模塊TRS20;通過BCT1層的主臂A12和C0T1層的主臂A24 進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS23、 TRS24;通過BCT2層的主臂 A14和COT2層的主臂A25進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS25 、 TRS26 ， 其中的交接模塊TRS20被用作梭臂G5、 G6專用的交接模塊。在交接塊S3中上下兩層地設(shè)置有交接臂El、 E2，構(gòu)成為通過交 接臂E2相對(duì)于例如上述交接模塊TRS21、 TRS22、 TRS20進(jìn)行晶片W 的交接，通過交接臂E1相對(duì)于上述交接模塊TRS20、 TRS23、 TRS24、 TRS25、 TRS26進(jìn)行晶片W地交接。對(duì)于本例子中的的梭臂G5、 G6，參照?qǐng)D13以設(shè)置在DEV1層中 的梭臂G5為例進(jìn)行說明，g口，其具有支撐晶片W的背面一側(cè)周邊區(qū) 域的用于沿著基臺(tái)72進(jìn)退的一根保持臂71，所述基臺(tái)72以通過旋轉(zhuǎn) 機(jī)構(gòu)73圍繞垂直軸自如旋轉(zhuǎn)的方式被設(shè)置在搬送基體74上。所述搬 送基體74構(gòu)成為例如在擱板單元U4的上部側(cè)，在沿著擱板單元的 長度方向(圖中的Y方向)設(shè)置的支撐部件76與搬送區(qū)域R1相對(duì)的 面上，沿著向搬送區(qū)域R1的長度方向延伸設(shè)置的導(dǎo)軌75在所述長度 方向上移動(dòng)，由此，構(gòu)成為在所述擱板單元Ul的交接模塊TRS10與交接塊S3的交接模塊TRS20之間進(jìn)行晶片W的搬送。此外，梭臂G6也與梭臂G5同樣地構(gòu)成，構(gòu)成為在交接塊S3的 交接模塊TRS20與擱板單元U3的交接模塊TRS30之間進(jìn)行晶片W的 搬送。其中，交接模塊TRSIO、 TRS20、 TRS30與上述說明的交接模 塊TRS13具有同樣的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D12，以在第一反射防止膜上形成抗蝕劑膜，并且在其上形 成第二反射防止膜的情況為例，對(duì)該抗蝕劑圖形形成裝置的晶片W的 搬送路徑進(jìn)行說明。晶片W按照載體塊S1—傳輸臂C—擱板單元Ul 的交接模塊TRS10—梭臂G5—交接塊S3的交接模塊TRS20—交接臂 E1—交接模塊TRS23或者交接模塊TRS25的路徑而被搬送。然后，交 接模塊TRS23或者交接模塊TRS25的晶片W通過主臂A12、 A14被 各BCT1層、BCT2層所接收。然后，在BCT1層的內(nèi)部，通過主臂A12被依次搬送至規(guī)定的模 塊之后，被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS24。另一方面，在BCT2 層的內(nèi)部，通過主臂A14被依次搬送至規(guī)定的模塊之后，被搬送至交 接塊S3的交接模塊TRS26。接著，交接模塊TRS24、 TRS26的晶片W從此處通過主臂A24、 A25被各C0T1層、COT2層所接收。然后，在COTl層中，按照調(diào)溫 模塊CPL—涂敷模塊COT—加熱模塊LHP—交接塊S3的交接模塊 TRS23的路徑而被搬送，在第一反射防止膜上形成抗蝕劑膜。而且， 在COT2層中，按照調(diào)溫模塊CPL—涂敷模塊COT—加熱模塊LHP— 交接塊S3的交接模塊TRS25的路徑而被搬送，在第一反射防止膜上 形成抗蝕劑膜。接著，晶片W分別從交接模塊TRS23、 TRS25通過交接臂El被 搬送至交接模塊TRS20，之后，通過交接臂E2分別被搬送至交接模塊 TRS21、 TRS22，從此處通過主臂A26、 A27分別被TCT1層、TCT2 層所接收。在TCT1層中，按照調(diào)溫模塊CPL—第二反射防止膜形成 模塊TCT—加熱模塊LHP—周邊曝光裝置WEE—交接塊S3的交接模 塊TRS31的路徑而被搬送，在抗蝕劑膜上形成第二反射防止膜。另一 方面，在TCT2層中，按照調(diào)溫模塊CPL—第二反射防止膜形成模塊 TCT—加熱模塊LHP—周邊曝光裝置WEE—交接塊S3的交接模塊TRS32的路徑而被搬送，在抗蝕劑膜上形成第二反射防止膜。然后，交接模塊TRS31、 TRS32的晶片W通過界面臂F被搬送至 曝光處理裝置S6，在此處進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。另一方面，對(duì)于曝光 處理后的晶片W而言，按照界面臂F—交接模塊TRS30—梭臂G6—交 接塊S3的交接模塊TRS20—交接臂E2—交接模塊TRS21或者 TRS22—主臂All—DEV1層的路徑而被搬送。然后，在DEV1層中，通過主臂All被依次搬送至規(guī)定的模塊中 之后，被搬送至擱板單元Ul的交接模塊TRS11 ，接著，交接模塊TRS11 的晶片W通過傳輸臂C返回至載置在載體塊S1中的原來的載體20中。這種晶片W的搬送，通過控制部100基于收納在該控制部100中 的搬送方案，對(duì)主臂A11 A14、 A24 A27、傳輸臂C、交接臂E1、 E2、梭臂G5、 G6、界面臂F進(jìn)行控制來進(jìn)行。這樣，也可以在第一處理塊S2中設(shè)置DEV1層并且在第二處理塊 S4中設(shè)置TCT1層以及TCT2層，此時(shí)，因?yàn)槭褂脙蓚€(gè)處理塊S2、 S4 進(jìn)行處理，因此能夠?qū)崿F(xiàn)處理能力的提高。此時(shí)，BCT1層禾口 C0T1層、以及BCT2層禾口 COT2層夾著交接土央 S3彼此鄰接設(shè)置，因此，從BCT1層在與COT1層之間(從BCT2層 在與COT2層之間)進(jìn)行的晶片W的交接，能夠通過公共的交接模塊 TRS24 (TRS26)進(jìn)行。因此，BCT1層—COT1層(BCT2層—COT2 層)的晶片W的搬送通過主臂A12—交接模塊TRS24—主臂A24 (主 臂A14—交接模塊TRS26—主臂A25)來進(jìn)行，因?yàn)樵谶M(jìn)行這些搬送 時(shí)沒有必要使用交接臂El，因此能夠減輕交接臂E1的負(fù)擔(dān)，為搬送 處理能力的提高做出貢獻(xiàn)。此外，因?yàn)閺妮d體塊Sl向BCT1層或者BCT2層的晶片W的交 接相同，此外從BCT1 (BCT2)層向COTl (COT2)層的晶片W的交 接相同，所以能夠很容易地進(jìn)行搬送程序的編成。接著，參照?qǐng)D14 圖16對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。本例 中的抗蝕劑圖形形成裝置與上述第一實(shí)施方式的裝置的不同點(diǎn)在于 設(shè)置在第一以及第二處理塊S2、 S4中的單位塊的配置，在第一處理塊 S2以及第二處理塊S4中沒有設(shè)置第一以及第二交接臂D1、 D2，交接 塊S3的結(jié)構(gòu)，設(shè)置在擱板單元U1 U3中的模徑。在第一處理塊S2中從下方側(cè)開始以DEVI層、COTl層、BCTl 層的順序?qū)盈B有這些層，在第二處理塊S4中從下方側(cè)開始以DEV2層、 COT2層、BCT2層的順序?qū)盈B有這些層。DEVI層、DEV2層彼此， COT1層、COT2層彼此，BCT1層、BCT2層彼此分別通過交接塊S3 鄰接設(shè)置。其中，DEV1層、DEV2層、COT1層、COT2層、BCT1 層、BCT2層的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同。交接塊S3具有互相鄰接的兩個(gè)擱板單元U2K U22，在這些擱板 單元U21、 U22中分別多層地構(gòu)成有交接部，并且構(gòu)成為通過交接臂 E3相對(duì)于擱板單元U21對(duì)各交接部進(jìn)行晶片W的交接，通過交接部 E4相對(duì)于擱板單元U22對(duì)各交接部進(jìn)行晶片W的交接。所述擱板單元U21用于相對(duì)于第一處理塊S2進(jìn)行晶片W的交接， 因此，擱板單元U21的各交接部被設(shè)置在處理塊S2的主臂A11 A13 能夠訪問(進(jìn)出)的位置。此外，擱板單元U22用于相對(duì)于第二處理 塊S4進(jìn)行晶片W的交接，因此，擱板單元U22的各交接部被設(shè)置在 處理塊S4的主臂A21 A23能夠訪問(進(jìn)出)的位置。而且，這些擱板單元U21、 U22具有梭臂Gl、 G2專用的公共交 接模塊TRS—A、梭臂G3、 G4專用的公共交接模塊TRS—B，這些交 接模塊TRS —A、 TRS—B分別被設(shè)置在兩個(gè)梭臂G1、 G2、兩個(gè)梭臂 G3、 G4能夠進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的位置。另一方面，所述交接臂E3、 E4構(gòu)成為能夠自如進(jìn)退、自如升降以及繞著垂直軸周圍自如旋轉(zhuǎn)，構(gòu) 成為兩個(gè)交接臂E3、 E4能夠相對(duì)于這些交接模塊TRS—A、 TRS—B 進(jìn)行訪問(進(jìn)出)。此外，在交接塊S3的擱板單元U21中設(shè)置有通過DEV1層的主 臂A11進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS21;通過C0T1層B13的主 臂A13進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS22、 TRS23;通過BCT1層 的主臂A12進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS24、 TRS25。而且，在 交接塊S3的擱板單元U22中設(shè)置有通過DEV2層的主臂A21進(jìn)行 訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS41;通過COT2層的主臂A23進(jìn)行訪問 (進(jìn)出)的交接模塊TRS42、 TRS43;通過BCT2層的主臂A22進(jìn)行 訪問(進(jìn)出)的交接模塊TRS44、 TRS45。而且，在第一處理塊S2的擱板單元U1中，作為用于在載體塊S1與DEV1層之間進(jìn)行晶片W的交接的第一交接部而設(shè)置有交接模塊 TRSll、輸入端口 Pl、輸出端口 P2。接著，在第二處理塊S4的擱板 單元U3中，作為用于在DEV2層與界面塊S5之間進(jìn)行晶片W的交接 的第二交接部而設(shè)置有輸出端口P3、輸入端口P4。參照?qǐng)D16，以在第一反射防止膜上形成抗蝕劑膜的情況為例，對(duì) 該抗蝕劑圖形形成裝置的晶片W的搬送路徑進(jìn)行說明。晶片W從載 體塊S1的傳輸臂C經(jīng)由擱板單元U1的輸入端口P1被交接至梭臂G1， 并被搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—A，從此處被分配搬送至第一 處理塊S2和第二處理塊S4。艮口，當(dāng)被搬送至第一處理塊S2時(shí)，首先按照交接模塊TRS—A— 交接臂E3—交接模塊TRS24的路徑而被搬送，通過主臂A12被BCT1 層所接收。然后，在BCT1層的內(nèi)部，通過主臂A12被依次搬送至規(guī) 定的模塊中之后，被搬送至擱板單元U21的交接模塊TRS25中。之后，晶片W按照交接模塊TRS25—交接臂E3—交接模塊TRS22 的路徑而被搬送，從此處被C0T1層的主臂A13所接收。然后，在C0T1 層中，被依次搬送至規(guī)定的模塊中之后，被搬送至擱板單元U21的交 接模塊TRS23。接著，晶片W從交接模塊TRS23通過交接臂E3被搬 送至交接模塊TRS—A，從此處通過梭臂G2經(jīng)由輸出端口 P3被交接 至界面臂F。然后，被搬送至曝光裝置S6，進(jìn)行規(guī)定的曝光。另一方面，當(dāng)被搬送至第二處理塊S4時(shí)，按照交接模塊TRS — 交接臂E4—交接模塊TRS44的路徑而被搬送，從此處通過主臂A22 被BCT2層所接收。然后，在BCT2層中，通過主臂A22被依次搬送 至規(guī)定的模塊中之后，被搬送至擱板單元U22的交接模塊TRS45中。之后，晶片W按照交接模塊TRS45—交接臂E4—交接模塊TRS42 的路徑而被搬送，從此處被COT2層的主臂A23所接收，在COT2層 中，被依次搬送至規(guī)定的模塊中之后，被搬送至擱板單元U22的交接 模塊TRS43。之后，晶片W從交接模塊TRS43通過交接臂E4被搬送 至交接模塊TRS—A，從此處通過梭臂G2被搬送至輸出端口 P3，從而 被交接至界面臂F。然后，對(duì)于曝光處理后的晶片W，當(dāng)被搬送至第一處理塊S2的DEVI層中時(shí)，按照界面臂F—輸入端口 P4—梭臂G3—交接模塊TRS 一B—交接臂E3—交接模塊TRS21—主臂All—DEVI層的路徑而被搬 送。然后，在DEV1層內(nèi)，依次被搬送至上述規(guī)定的模塊中之后，經(jīng) 由擱板單元U1的交接模塊TRSll，通過傳輸臂C，返回至載置于載體 塊S1中的原來的載體20中。另一方面，當(dāng)被搬送至第二處理塊S4的DEV2層中時(shí)，按照界面 臂F—交接模塊TRS31—主臂A21—DEV2層的路徑而被搬送。然后， 在DEV2層內(nèi)，依次被搬送至上述規(guī)定的模塊中之后，按照擱板單元 U22的交接模塊TRS41—交接臂E4—交接模塊TRS—B—梭臂G4—擱 板單元U1的輸出端口 P2的路徑而被搬送，通過傳輸臂C，返回至載 置于載體塊S1中的原來的載體20中。這種晶片W的搬送，通過控制部100基于收納在該控制部100中 的搬送方案，對(duì)主臂A11 A13、 A21 A23、傳輸臂C、交接臂E3、 E4、梭臂G1 G4、界面臂F進(jìn)行控制來進(jìn)行。這樣，通過在交接塊S3中設(shè)置設(shè)置有多層用于在與第一處理塊 S2之間進(jìn)行晶片的交接的交接部的擱板單元U21;設(shè)置有多層用于在 與第二處理塊S4之間進(jìn)行晶片的交接的交接部的擱板單元U22;相對(duì) 于這些擱板單元U21、 U22的交接部進(jìn)行訪問(進(jìn)出)的交接臂E3、 E4，而能夠減輕交接臂E3、 E4的負(fù)擔(dān)，能夠?qū)崿F(xiàn)處理能力的提高。此外，在本例子中，因?yàn)橐彩且越唤訅KS3作為基點(diǎn)進(jìn)行從載體塊 Sl向第一處理塊S2或者第二處理塊S4的晶片W的搬送和從第一處理 塊S2或者第二處理塊S4向界面塊S5的晶片W的搬送，因此，載體 塊S1—第一處理塊S2—界面塊S5的搬送路徑，與載體塊S1—第二處 理塊S4—界面塊S5的搬送路徑相同，能夠使搬送程序的編成變得容 易。此時(shí)，在本例子中，當(dāng)曝光處理后的晶片W被搬送至第二處理塊 S4時(shí)，也可以由梭臂G3搬送至交接塊S3的交接模塊TRS—B，并從 此處按照交接模塊TRS41—主臂A21的路徑搬送至DEV2層內(nèi)。以上，在本發(fā)明中，在第一處理塊S2以及第二處理塊S4中均設(shè) 置有梭臂，但是也可以使用公用的梭臂進(jìn)行搬送。此外，按照去路用 和回路用來分別獨(dú)立地設(shè)置梭臂，但是，也可以設(shè)置作為去路用和回路用所公用的梭臂。而且，梭臂也可以設(shè)置在第一處理塊S2以及第二 處理塊S4的最上層的單位塊中，進(jìn)路(前進(jìn))用的梭臂和回路(返回) 用的梭臂也可以分別獨(dú)立地設(shè)置在不同的單位塊中。此外，作為梭臂， 可以采用圖6所示結(jié)構(gòu)和圖13所示結(jié)構(gòu)的任意一種。此外，本發(fā)明也可以適用于作為涂敷膜只形成抗蝕劑膜的情況， 在抗蝕劑膜上形成第二反射防止膜的情況，形成第一反射防止膜和抗蝕劑膜和第二反射防止膜的情況。而且，在第一處理塊S2和第二處理 塊S4雙方都具有涂敷形成用的單位塊，只要第一處理塊S2以及第二 處理塊S4中的任意一個(gè)具有顯影處理用單位塊，則設(shè)置在第一以及第 二處理塊S2、 S4中的單位塊可以從BCT層、COT層、TCT層以及 DEV層中自由地選擇，其各自的層疊順序也可以自由設(shè)定。此外，作為在擱板單元U4、 U5中所設(shè)置的處理模塊，也可以設(shè) 置與上述例子不同的其它的模塊。另外，作為設(shè)置在擱板單元U1、 U2、 U3中的交接部，既可以增加交接模塊的數(shù)量，亦可以設(shè)置將調(diào)溫裝置 兼用作交接部這種構(gòu)造的模塊。而且，在擱板單元U1 U3中，既可 以設(shè)置進(jìn)行疏水化處理的模塊，也可以設(shè)置檢查涂敷膜的膜厚和檢査 晶片W扭曲程度的檢査單元。此外，本發(fā)明不僅能適用于處理半導(dǎo)體晶片，也可適用處理液晶 顯示器用的玻璃基板(LCD基板)這種基板的涂敷顯影裝置。
權(quán)利要求
1.一種涂敷顯影裝置，其特征在于利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到載體塊中的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜，然后，經(jīng)由界面塊將該基板搬送至曝光裝置，利用顯影處理用單位塊對(duì)經(jīng)由所述界面塊返回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理并將其交接至所述載體塊，并且，在所述涂敷膜形成用單位塊和顯影處理用單位塊中均包括用于將藥液涂敷在基板上的液處理模塊、加熱基板的加熱模塊、冷卻基板的冷卻模塊、以及在這些模塊之間搬送基板的單位塊用的基板搬送單元，其中，所述涂敷顯影裝置包括第一處理塊，其構(gòu)成為與所述載體塊連接地設(shè)置，并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊，通過設(shè)置在載體塊上的交接單元與載體塊之間進(jìn)行基板的交接；第二處理塊，其構(gòu)成為與所述界面塊連接地設(shè)置，并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊，通過設(shè)置在界面塊上的界面臂與界面塊之間進(jìn)行基板的交接；交接塊，設(shè)置在第一處理塊和第二處理塊之間，多層設(shè)置有通過第一處理塊的單位塊的基板搬送單元以及第二處理塊的單位塊的基板搬送單元進(jìn)行基板的交接的公共交接部，并且具有在這些公共交接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的交接臂；顯影處理用單位塊，設(shè)置在第一處理塊和第二處理塊的至少一方，層疊在所述涂敷膜形成用的單位塊上；第一直通搬送單元，設(shè)置在所述第一處理塊上，用于在載體塊與交接塊的公共交接部之間進(jìn)行基板的交接；第二直通搬送單元，設(shè)置在所述第二處理塊上，用于在交接塊的公共交接部和界面塊之間進(jìn)行基板的交接；以及用于控制所述交接單元、直通搬送單元、交接臂、基板搬送單元和界面臂的單元，使得通過第一直通搬送單元從載體塊將基板搬送至交接塊，從該交接塊將基板分配交接至第一處理塊的涂敷膜形成用單位塊和第二處理塊的涂敷膜形成用單位塊，接著，將利用第一處理塊和第二處理塊形成有包括抗蝕劑膜的涂敷膜的基板從第一處理塊和第二處理塊交接至交接塊，之后，通過第二直通搬送單元將基板從交接塊搬送至界面塊。
2. 如權(quán)利要求l所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 通過第二直通搬送單元將形成有包括抗蝕劑膜的涂敷膜的基板從交接塊搬送至界面塊被取代為通過基板搬送單元將形成有包括抗蝕 劑膜的涂敷膜的基板從第二處理塊搬送至界面塊。
3. 如權(quán)利要求2所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 在所述第一處理塊中，在與載體塊鄰接的區(qū)域多層設(shè)置有在該第一處理塊的層積的單位塊彼此之間進(jìn)行基板的交接并且在第一處理塊 與載體塊之間進(jìn)行基板的交接的第一交接部，并設(shè)置有在這些第一交 接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第一交接臂。
4. 如權(quán)利要求l所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 在所述第一處理塊中，在與載體塊鄰接的區(qū)域多層設(shè)置有在該第一處理塊的層積的單位塊彼此之間進(jìn)行基板的交接并且在第一處理塊 與載體塊之間進(jìn)行基板的交接的第一交接部，并設(shè)置有在這些第一交 接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第一交接臂。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 在所述第二處理塊中，在與界面塊鄰接的區(qū)域多層設(shè)置有在該第二處理塊的層積的單位塊彼此之間進(jìn)行基板的交接并且在第二處理塊 與界面塊之間進(jìn)行基板的交接的第二交接部，并設(shè)置有在這些第二交 接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第二交接臂。
6. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述第一直通搬送單元以及第二直通搬送單元具有用于從載體塊向界面塊搬送基板的進(jìn)路用的直通搬送單元以及用于從界面塊向載體 塊搬送基板的回路用的直通搬送單元。
7. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 在第一處理塊和第二處理塊中，用于形成同類涂敷膜的單位塊通過交接塊鄰接地設(shè)置，用于形成同類涂敷膜的單位塊的基板搬送單元 相對(duì)于交接塊的公共交接部進(jìn)行基板的交接。
8. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述涂敷膜形成用單位塊包括在基板上形成抗蝕劑膜的單位塊以及在基板上形成抗蝕劑膜之前或者之后在基板上形成反射防止膜的單位塊。
9. 如權(quán)利要求8所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 在第-一處理塊和第二處理塊中，在基板上形成抗蝕劑膜的單位塊以及在基板上形成抗蝕劑膜之前或者之后在基板上形成反射防止膜的 單位塊通過交接塊鄰接地設(shè)置，所述單位塊的基板搬送單元相對(duì)于交 接塊的共用的公共交接部進(jìn)行基板的交接。
10. 如權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述交接塊包括用于相對(duì)于第一處理塊的涂敷膜形成用單位塊進(jìn)行基板的交接的設(shè)置有多層的第一處理塊用的交接部；在這些第一 處理塊用的交接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第一處理塊用的交接 臂；用于相對(duì)于第二處理塊的涂敷膜形成用單位塊進(jìn)行基板的交接的 設(shè)置有多層的第二處理塊用的交接部；以及在這些第二處理塊用的交 接部彼此之間進(jìn)行基板的搬送的第二處理塊用的交接臂。
11. 一種涂敷顯影方法，其特征在于在該涂敷顯影方法中，利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到 載體塊中的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜，然后，經(jīng)由界面塊將 該基板搬送至曝光裝置，利用顯影處理用單位塊對(duì)經(jīng)由所述界面塊返 回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理并將其交接至所述載體塊，所述涂敷顯影方法依次包括利用所述載體塊的交接單元，將基板從所述載體塊交接至第一處理塊的第一直通搬送單元的工序，其中，所述第一處理塊構(gòu)成為與所 述載體塊連接，并且層疊有包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位 塊；利用所述第一直通搬送單元，將基板搬送至交接塊的工序，其中， 所述交接塊與所述第一處理塊以及層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內(nèi)的多個(gè)單位塊而構(gòu)成的第二處理塊連接；利用設(shè)置在交接塊上的交接臂，將基本搬送至公共交接部的工序， 其中，所述公共交接部設(shè)置有多層交接塊，用于相對(duì)于第一處理塊以及第二處理塊的涂敷形成用單位塊進(jìn)行基板的交接；利用設(shè)置在第一處理塊的涂敷形成用單位塊上的基板搬送單元或 者設(shè)置在第二處理塊的涂敷形成有單位塊上的基板搬送單元，在各個(gè) 單位塊接收公共交接部的基板的工序；在接收有基板的涂敷形成用單位塊內(nèi)進(jìn)行規(guī)定涂敷膜的形成處理 的工序；利用基板搬送單元，將形成有涂敷膜的基板搬送至交接塊的公共 交接部的工序；以及利用設(shè)置在第二處理塊上的第二直通搬送單元將交接塊的公共交 接部的基板搬送至界面塊的工序。
12. 如權(quán)利要求ll所述的涂敷顯影方法，其特征在于，還包括 取代利用設(shè)置在第二處理塊上的第二直通搬送單元將交接塊的公共交接部的基板搬送至界面塊的工序，進(jìn)行利用第二處理塊的基板搬 送單元將交接塊的公共交接部的基板搬送至界面塊的工序。
13. —種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于存儲(chǔ)有涂敷顯影裝置使用的計(jì)算機(jī)程序，所述涂敷顯影裝置在從 載體塊接收的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜并對(duì)曝光后的基板進(jìn) 行顯影處理，所述程序編制步驟組，以運(yùn)行權(quán)利要求11或者12所述的涂敷顯影方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種易于對(duì)搬送程序進(jìn)行編程并且能夠提高處理能力的技術(shù)，在第一處理塊和第二處理塊之間設(shè)置有交接塊，利用第一直通搬送單元將基板從載體塊搬送至交接塊，從此處將基板分配交接至第一處理塊的涂敷膜形成用單位塊和第二處理塊的涂敷膜形成用單位塊。接著，若通過第一和第二處理塊分別形成有涂敷膜的的基板被集中在交接塊，則從此處通過第二直通搬送單元將晶片交接至界面塊。因?yàn)樘幚韷K增加，所以能夠提高處理能力，此外因?yàn)閺妮d體塊向第一處理塊的搬送路徑與向第二處理塊的搬送路徑相同，所以容易對(duì)搬送程序進(jìn)行編程。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101276745SQ200810090960
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者土屋勝裕, 松岡伸明, 林伸一, 林田安, 橋本隆浩 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社