本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，并且具體涉及一種柔性顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(organiclightemittingdisplay,oled)憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實(shí)現(xiàn)柔性化等優(yōu)異性能，逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。目前，oled廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、電視等終端產(chǎn)品。為了實(shí)現(xiàn)窄邊框，引線(xiàn)焊盤(pán)通常制作在基板的一側(cè)，并且oled進(jìn)行極小半徑的彎折。進(jìn)行彎折時(shí)，由于柔性顯示基板依然包含大量無(wú)機(jī)層，這些無(wú)機(jī)層容易發(fā)生損傷和斷裂，進(jìn)一步引發(fā)oled中導(dǎo)電布線(xiàn)的損傷與斷裂，引起柔性顯示基板和顯示裝置性能降低，甚至失效。因此，本領(lǐng)域中存在提高在彎折時(shí)的損傷抗性的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種具有在彎折時(shí)損傷抗性提高的柔性顯示基板、包括該柔性顯示基板的顯示裝置以及該柔性顯示基板的制作方法，其旨在減輕或消除一個(gè)或多個(gè)前文所述的缺陷。

在第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種柔性顯示基板，包括：柔性基板，以及設(shè)置在所述柔性基板上的柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)，其中每條導(dǎo)電布線(xiàn)在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽。

例如，每條導(dǎo)電布線(xiàn)中的所述多個(gè)凹槽不連續(xù)地分布。

例如，每條導(dǎo)電布線(xiàn)中的所述多個(gè)凹槽沿導(dǎo)電布線(xiàn)的長(zhǎng)度方向等間距分布。

例如，所述凹槽的深度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的厚度的10-90%。

例如，其中所述凹槽的寬度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的寬度的10-90%。

例如，所述導(dǎo)電布線(xiàn)與所述源漏極同層設(shè)置。

例如，所述柔性顯示基板還包括設(shè)置在所述柵極和所述源漏極之間的層間電介質(zhì)層，以及覆蓋所述源漏極和所述導(dǎo)電布線(xiàn)的平坦化層。

例如，所述導(dǎo)電布線(xiàn)與所述柵極同層設(shè)置。

在第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種顯示裝置，其包括如上文所述的柔性顯示基板。

根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示裝置具有與上文所述的柔性顯示基板相同或相似的益處，此處不再贅述。

在第三方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種柔性顯示基板的制作方法，包括：準(zhǔn)備柔性基板；在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)；以及在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域中，在每條導(dǎo)電布線(xiàn)中形成多個(gè)凹槽。

例如，所述凹槽的深度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的厚度的10-90%。

例如，所述凹槽的寬度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的寬度的10-90%。

例如，在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)包括：在形成所述源漏極的同時(shí)，形成所述多條導(dǎo)電布線(xiàn)。

例如，在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)包括：在形成所述柵極的同時(shí)，形成所述多條導(dǎo)電布線(xiàn)。

根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的柔性顯示基板的制作方法具有與上文所述的柔性顯示基板相同或相似的益處，此處不再贅述。

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種柔性顯示基板及其制作方法、顯示裝置。該顯示基板包括柔性基板，以及設(shè)置在所述柔性基板上的柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)，其中每條導(dǎo)電布線(xiàn)在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽。由于每條導(dǎo)電布線(xiàn)在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽，該柔性顯示基板在彎折時(shí)的變形減小，無(wú)機(jī)層的變形和裂紋得到抑制，導(dǎo)電布線(xiàn)在彎折時(shí)的損傷抗性提高。這改善了柔性顯示基板的抗彎折效果，提高柔性顯示基板以及顯示裝置的可靠性和壽命。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖做簡(jiǎn)單介紹。應(yīng)理解，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開(kāi)實(shí)施例的一些實(shí)施例，而不是旨在限制本公開(kāi)。

圖1為本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板的示意性剖面圖；

圖2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h為本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板在各個(gè)制作階段的示意性剖面圖；

圖3為本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板的一部分的示意性俯視圖；

圖4為本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板的示意性剖面圖；

圖5為本公開(kāi)一實(shí)施例的顯示裝置的示意性剖面圖；以及

圖6為本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板的制作方法的示意性流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，以下結(jié)合附圖對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，所舉實(shí)施例僅用于解釋本公開(kāi)，并非以此限定本公開(kāi)實(shí)施例的保護(hù)范圍。

附圖中示出的部件標(biāo)注如下：aa有效顯示區(qū)域；ba彎折區(qū)域；100載體基板；102柔性基板；104緩沖層；106有源層；108柵極絕緣層；110柵極；112層間電介質(zhì)層；114源漏導(dǎo)電層；116光致抗蝕劑；118源極；120漏極；122、1221、1222、122m數(shù)據(jù)線(xiàn)；422柵線(xiàn)；124、1241、1242、1243、1244、124n、424凹槽；126平坦化層；510第一電極；520像素定義層；530功能層；540第二電極；dw數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度方向；dl數(shù)據(jù)線(xiàn)的長(zhǎng)度方向。

以下結(jié)合圖1描述根據(jù)本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板。在一實(shí)施例中，如圖1所示，柔性顯示基板包括柔性基板102，以及設(shè)置在柔性基板102上的柵極110、源極118、漏極120和多條導(dǎo)電布線(xiàn)(圖中僅示出其中之一)。該柔性顯示基板還包括有源層106。有源層106、柵極110、源極118和漏極120在該柔性顯示基板的有效顯示區(qū)域aa形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。每條導(dǎo)電布線(xiàn)在該柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba設(shè)有多個(gè)凹槽124。

在一實(shí)施例中，有源層106由低溫多晶硅(ltps)形成。與非晶硅(a-si)相比，ltps的載流子遷移率顯著增加。這有效減小tft的面積，提高顯示裝置的開(kāi)口率，并且在提高顯示裝置的亮度的同時(shí)降低整體功耗。ltps通常通過(guò)諸如準(zhǔn)分子激光晶化(elc)的工藝在較低溫度下制備，這有利于ltps在柔性顯示基板和顯示裝置中的應(yīng)用。利用ltps形成有源層106，有利于提高響應(yīng)時(shí)間、分辨率以及顯示質(zhì)量。

在一實(shí)施例中，該柔性顯示基板還包括設(shè)置在柔性基板102和有源層106之間的緩沖層104。在一實(shí)施例中，緩沖層104為二氧化硅和氮化硅的雙層疊層，其中該雙層疊層包括接觸有源層106的二氧化硅層以及接觸柔性基板102的氮化硅層。二氧化硅促進(jìn)在形成ltps的有源層106時(shí)ltps的結(jié)晶質(zhì)量，并且氮化硅阻擋來(lái)自柔性基板102的污染物。

在一實(shí)施例中，該顯示基板還包括設(shè)置在有源層106和柵極110之間的柵極絕緣層108，以及設(shè)置在柵極110和源極118以及漏極120之間的層間電介質(zhì)層112。此外，該柔性顯示基板還包括覆蓋源極118、漏極120以及導(dǎo)電布線(xiàn)的平坦化層126。

在一實(shí)施例中，導(dǎo)電布線(xiàn)為數(shù)據(jù)線(xiàn)122。如圖1所示，數(shù)據(jù)線(xiàn)122和源極118以及漏極120同層設(shè)置。數(shù)據(jù)線(xiàn)122在柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba設(shè)有多個(gè)凹槽124。

在下文中以具有圖1所示構(gòu)造的柔性顯示基板為例，參考圖2a-2h簡(jiǎn)要描述該柔性顯示基板的制作過(guò)程。

如圖2a所示，在柔性基板102的有效顯示區(qū)域aa形成有源層106的圖形。

在一實(shí)施例中，在載體基板100上涂布柔性基板的前驅(qū)體材料，通過(guò)諸如烘干和固化的工藝將該前驅(qū)體材料形成為柔性基板102。例如，該載體基板100為玻璃基板，并且該柔性基板102為柔性的聚酰亞胺(pi)基板。

在一實(shí)施例中，在該柔性基板102上形成非晶硅層，利用諸如準(zhǔn)分子激光晶化(elc)的工藝將該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并且?duì)該多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成有源層106的圖形。

如上所述，在一實(shí)施例中，在形成該非晶硅層之前，在柔性基板102上形成緩沖層104。例如，緩沖層104為二氧化硅和氮化硅的雙層疊層，并且總厚度為200-500nm。

此處的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等過(guò)程。由于光刻膠涂布等過(guò)程為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉，本公開(kāi)各實(shí)施例在描述構(gòu)圖工藝時(shí)，不具體描述涂布光刻膠等過(guò)程，但是這不意味著這些過(guò)程不存在或被省略。

如圖2b所示，在形成了有源層106的圖形的柔性基板102上，形成柵極絕緣層108，并且在柵極絕緣層108上在有效顯示區(qū)域aa形成包括柵極110的圖形。

在一實(shí)施例中，通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積等方法，在形成了有源層106的圖形的柔性基板102上，沉積柵極絕緣層108。接著，通過(guò)濺射或蒸鍍等方法，在柵極絕緣層108上形成柵極金屬層，并且對(duì)該柵極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在有效顯示區(qū)域aa中形成柵極110的圖形。在一實(shí)施例中，柵極絕緣層108包括雙層疊層。

在替換實(shí)施例中，依次形成柵極絕緣層和柵極金屬層，對(duì)該柵極絕緣層和柵極金屬層二者進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在有效顯示區(qū)域aa中形成柵極絕緣層和柵極的疊層。此外，在形成柵極絕緣層和柵極的疊層之后，對(duì)有源層的露出部分進(jìn)行等離子體處理，這有利于提高后續(xù)形成的薄膜晶體管的溝道區(qū)的電氣性能。

如圖2c所示，形成層間電介質(zhì)層112，并且形成電連接到有源層106的源漏導(dǎo)電層114。

在一實(shí)施例中，通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積等方法，形成覆蓋柵極110和柵極絕緣層108的層間電介質(zhì)層112。對(duì)該層間電介質(zhì)層112進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成貫穿層間電介質(zhì)層112和柵極絕緣層108的接觸孔，使有源層106部分露出。接著，通過(guò)濺射或蒸鍍等方法形成源漏導(dǎo)電層114。源漏導(dǎo)電層114通過(guò)該接觸孔電連接到有源層106。在一實(shí)施例中，層間電介質(zhì)層112包括雙層疊層。

在一實(shí)施例中，源漏導(dǎo)電層114為mo、monb、al、alnd、ti、cu中的一種或多種形成的單層或疊層。例如，源漏導(dǎo)電層114為ti/al/ti疊層，并且每層厚度分別為500埃、6500埃、500埃。

如圖2d所示，在源漏導(dǎo)電層114上形成圖案化的光致抗蝕劑116。

在一實(shí)施例中，在源漏導(dǎo)電層114上形成光致抗蝕劑。利用灰階掩模版對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光工藝，形成完全曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域，移除完全曝光區(qū)域的光致抗蝕劑，部分移除部分曝光區(qū)域的光致抗蝕劑，并且完全保留未曝光區(qū)域的光致抗蝕劑。由此得到的圖案化的光致抗蝕劑116示于圖2d。

如圖2e所示，刻蝕完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的源漏導(dǎo)電層114。

在一實(shí)施例中，利用圖案化的光致抗蝕劑116為掩模版，通過(guò)刻蝕工藝移除完全曝光區(qū)域中的源漏導(dǎo)電層114。藉此在有效顯示區(qū)域aa中形成源極118和漏極120。源極118和漏極120通過(guò)貫穿層間電介質(zhì)層112和柵極絕緣層108的接觸孔，電連接到有源層106。

如圖2f所示，利用灰階掩模版移除部分曝光區(qū)域的光致抗蝕劑。

在一實(shí)施例中，利用灰階掩模版，移除部分曝光區(qū)域內(nèi)的光致抗蝕劑，由此露出彎折區(qū)域ba中的源漏導(dǎo)電層114的一部分。

如圖2g所示，刻蝕部分曝光區(qū)域?qū)?yīng)的源漏導(dǎo)電層114，在彎折區(qū)域ba中形成多個(gè)凹槽124。

在一實(shí)施例中，利用圖案化的光致抗蝕劑116為掩模版，通過(guò)刻蝕工藝部分移除部分曝光區(qū)域中的源漏導(dǎo)電層114。藉此在彎折區(qū)域ba中形成源漏導(dǎo)電層114的多個(gè)凹槽124。凹槽124未完全穿透源漏導(dǎo)電層114。

如圖2h所示，移除未曝光區(qū)域的光致抗蝕劑116，并且形成平坦化層126。

在一實(shí)施例中，移除未曝光區(qū)域的光致抗蝕劑116，藉此在柔性顯示基板的有效顯示區(qū)域aa中形成薄膜晶體管的源極118和漏極120，并且同時(shí)在柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba中形成具有凹槽的導(dǎo)電布線(xiàn)。在此實(shí)施例中，該導(dǎo)電布線(xiàn)為與源極118和漏極120同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)122，并且數(shù)據(jù)線(xiàn)122上設(shè)置有多個(gè)凹槽124。凹槽124未完全穿透數(shù)據(jù)線(xiàn)122。在一實(shí)施例中，凹槽124的深度為數(shù)據(jù)線(xiàn)122的厚度的10-90%，例如50%。凹槽124未完全穿透數(shù)據(jù)線(xiàn)122是有利的，因?yàn)檫@減小了數(shù)據(jù)線(xiàn)122斷路的可能性。

如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉，“源漏極和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置”是利用同一成膜工藝形成一膜層，并且對(duì)該膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝而形成源漏極的圖形和數(shù)據(jù)線(xiàn)的圖形。從結(jié)構(gòu)上說(shuō)，源漏極和數(shù)據(jù)線(xiàn)在柔性顯示基板的各層中位于同一堆疊層級(jí)。應(yīng)指出，同層設(shè)置的源漏極和數(shù)據(jù)線(xiàn)與柔性基板的距離不一定相同。

在一實(shí)施例中，在柔性顯示基板上形成平坦化層126，以覆蓋源極118、漏極120和數(shù)據(jù)線(xiàn)122。平坦化層126的引入有助于減少或消除柔性基板上由各器件層引入的段差，從而為后續(xù)形成的器件層提供相對(duì)平整的表面。在一實(shí)施例中，平坦化層126由有機(jī)樹(shù)脂形成。有機(jī)樹(shù)脂填充數(shù)據(jù)線(xiàn)122中的凹槽124，這增加了數(shù)據(jù)線(xiàn)122在凹槽124處的強(qiáng)度。

在一實(shí)施例中，通過(guò)諸如旋涂(spincoating)的涂布工藝，在柔性顯示基板上形成該平坦化層126。在另一實(shí)施例中，通過(guò)噴墨打印(inkjetprinting)工藝，在柔性顯示基板上形成該平坦化層126。此外，在形成平坦化層126時(shí)，例如在柔性顯示基板上多次執(zhí)行上述涂布工藝或噴墨打印工藝。這有利于形成表面更平整的平坦化層126。

通過(guò)上述工藝步驟，完成本公開(kāi)實(shí)施例的柔性顯示基板的制作。應(yīng)指出，此處的載體基板100是在制作過(guò)程中為該柔性顯示基板提供支撐和保護(hù)的作用。在一實(shí)施例中，該載體基板100為玻璃基板，該柔性基板102為聚酰亞胺基板，通過(guò)例如激光剝離(laserliftoff)工藝將柔性顯示基板從載體基板剝離。

在上述實(shí)施例中，以柵極位于源極和漏極的下方的底柵型薄膜晶體管為例，描述了該柔性顯示基板。然而，本公開(kāi)實(shí)施例不對(duì)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)類(lèi)型進(jìn)行限定。例如，薄膜晶體管可以為頂柵型，其中柵極位于源極和漏極的上方。在下文中，參考圖3簡(jiǎn)要描述導(dǎo)電布線(xiàn)中形成的凹槽。

圖3示意性示出了通過(guò)上述工藝步驟形成的多條導(dǎo)電布線(xiàn)。在此情形中，該導(dǎo)電布線(xiàn)為與薄膜晶體管的源極118和漏極120同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)122。如所示，在柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba，每條數(shù)據(jù)線(xiàn)1221、1222…122m上形成有多個(gè)凹槽1241、1242、1243、1244…124n。

在一實(shí)施例中，在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)1221、1222…122m中，凹槽1241、1242、1243、1244…124n不連續(xù)地分布。即，這些凹槽不相互鄰接。每條數(shù)據(jù)線(xiàn)在凹槽的位置處厚度減薄，由此形成交替布置的厚部和薄部。這使得數(shù)據(jù)線(xiàn)122更耐受無(wú)機(jī)層的損傷和斷裂導(dǎo)致的沖擊。

在一實(shí)施例中，在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)1221、1222…122m中，凹槽1241、1242、1243、1244…124n沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)122的長(zhǎng)度方向dl等間距分布。這對(duì)于均勻地提高數(shù)據(jù)線(xiàn)122在彎折時(shí)的損傷抗性是有利的。

在一實(shí)施例中，凹槽1241、1242、1243、1244…124n的寬度為數(shù)據(jù)線(xiàn)122的寬度的10-90%，例如50%。此處的寬度定義為沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)122的寬度方向dw的寬度。這種情況下，凹槽不跨過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)122的整個(gè)寬度。例如，在數(shù)據(jù)線(xiàn)122的寬度方向dw上，每個(gè)凹槽的最多一條邊緊鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)的邊緣設(shè)置。

這避免了數(shù)據(jù)線(xiàn)的厚部和薄部交接處平行于彎折線(xiàn)時(shí)，數(shù)據(jù)線(xiàn)有可能損傷或斷裂的問(wèn)題。

圖3的俯視圖僅僅示出了數(shù)據(jù)線(xiàn)中的凹槽的空間分布和形狀的一種示例性情形。本公開(kāi)實(shí)施例不對(duì)每條數(shù)據(jù)線(xiàn)中的凹槽的空間排布進(jìn)行約束。例如，在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)中，所有凹槽沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)的長(zhǎng)度方向dl在一條直線(xiàn)上分布，或者隨機(jī)分布。例如，不同數(shù)據(jù)線(xiàn)中的凹槽按相同規(guī)律分布，或者按不同規(guī)律分布。例如，在圖3所示的俯視圖中，凹槽的形狀為矩形、圓角矩形、正方形、圓角正方形、橢圓形、圓形中的任何一種。

結(jié)合圖1、2a-2h、3在上文描述的各個(gè)實(shí)施例中，在彎折區(qū)域ba中形成有凹槽的導(dǎo)電布線(xiàn)為與薄膜晶體管的源漏極同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)。本公開(kāi)實(shí)施例的構(gòu)思適用于柔性顯示基板中反復(fù)彎折時(shí)可能損傷和斷裂的任何導(dǎo)電布線(xiàn)。

在下文中，結(jié)合圖4描述該導(dǎo)電布線(xiàn)為與薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置的柵線(xiàn)的情形。

圖4描述根據(jù)本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板。在圖4中，使用相同或相似的附圖標(biāo)記表示與圖1的柔性顯示基板相同或相似的部件，并且省略了對(duì)這些部件的描述。

如圖4所示，柔性顯示基板包括多條導(dǎo)電布線(xiàn)(圖中僅示出其中之一)，并且每條導(dǎo)電布線(xiàn)在該柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba設(shè)有多個(gè)凹槽424。在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電布線(xiàn)為柵線(xiàn)422，其和柔性顯示基板中的薄膜晶體管的柵極110同層設(shè)置。數(shù)據(jù)線(xiàn)122在柔性顯示基板的彎折區(qū)域ba設(shè)有多個(gè)凹槽424。類(lèi)似地，關(guān)于凹槽424的描述可參考上文有關(guān)凹槽124的描述。在此實(shí)施例中，柵線(xiàn)422與薄膜晶體管的柵極110例如利用灰階掩模版形成，如上文結(jié)合圖2c-2h所描述。

在圖1和4中，導(dǎo)電布線(xiàn)中的凹槽的橫截面形狀被示例性地示為矩形。在其它實(shí)施例中，凹槽的橫截面形狀例如為倒立的梯形或倒立的三角形。應(yīng)指出，在導(dǎo)電布線(xiàn)中設(shè)置任何橫截面形狀的凹槽，都有利于提高導(dǎo)電布線(xiàn)在彎折時(shí)的損傷抗性。

在下文中，結(jié)合圖5描述根據(jù)本公開(kāi)一實(shí)施例的顯示裝置。如圖5所示，在圖1所示的柔性顯示基板中形成接觸孔，該接觸孔貫穿平坦化層126，使漏極120部分露出。接著，通過(guò)濺射或蒸鍍等方法形成金屬層，并且通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一電極510。第一電極510通過(guò)該接觸孔電連接到漏極120。在形成有第一電極510的平坦化層126上形成像素定義層520，并且通過(guò)構(gòu)圖工藝露出第一電極510的大部分表面區(qū)域。接著，在形成有像素定義層520的柔性顯示基板上依次形成功能層530和第二電極540。在一實(shí)施例中，功能層530包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等。第一電極510、功能層530和第二電極540形成oled，由此得到一種顯示裝置。

在上述實(shí)施例中，以oled為例描述了該顯示裝置。然而，本公開(kāi)實(shí)施例的顯示裝置不限于此。在其它實(shí)施例中，該顯示裝置例如為采用柔性基板的薄膜晶體管液晶顯示裝置(tftlcd)。在這種情形下，該顯示裝置的制作過(guò)程包括在圖1所示的柔性顯示基板上滴注液晶、與諸如彩膜基板的對(duì)置基板對(duì)盒等步驟。這些步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。

本公開(kāi)實(shí)施例的顯示裝置可以是任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，例如液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等。

在下文中，結(jié)合圖6描述根據(jù)本公開(kāi)一實(shí)施例的柔性顯示基板的制作方法。如圖6所示，一種柔性顯示基板的制作方法，包括：步驟s610準(zhǔn)備柔性基板；步驟s620在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)；以及步驟s630在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域中，在每條導(dǎo)電布線(xiàn)中形成多個(gè)凹槽。

在一實(shí)施例中，所述凹槽的深度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的厚度的10-90%，例如50%。

在一實(shí)施例中，所述凹槽的寬度為所述導(dǎo)電布線(xiàn)的寬度的10-90%，例如50%。

在一實(shí)施例中，在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)包括：在形成所述源漏極的同時(shí)，形成所述多條導(dǎo)電布線(xiàn)。具體步驟例如參考上文結(jié)合圖2c-2h所描述。

在一實(shí)施例中，在所述柔性基板上形成柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)包括：在形成所述柵極的同時(shí)，形成所述多條導(dǎo)電布線(xiàn)。具體步驟例如參考上文結(jié)合圖2c-2h所描述。

在本公開(kāi)實(shí)施例中，每條導(dǎo)電布線(xiàn)在柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽。凹槽的目的是在導(dǎo)電布線(xiàn)中引入不同厚度的部分，例如上文所述的厚部和薄部，使得導(dǎo)電布線(xiàn)在彎折時(shí)的損傷抗性提高。如上述實(shí)施例所使用的表述，相對(duì)于該厚部而言，該薄部被稱(chēng)為凹槽。然而，相對(duì)于該薄部而言，該厚部例如被稱(chēng)為凸起部。因此，在本公開(kāi)上下文中，“導(dǎo)電布線(xiàn)設(shè)有凹槽”也可以理解為“導(dǎo)電布線(xiàn)設(shè)有凸起部”。

綜上所述，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種柔性顯示基板及其制作方法、顯示裝置。該顯示基板包括柔性基板，以及設(shè)置在所述柔性基板上的柵極、源漏極和多條導(dǎo)電布線(xiàn)，其中每條導(dǎo)電布線(xiàn)在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽。由于每條導(dǎo)電布線(xiàn)在所述柔性顯示基板的彎折區(qū)域設(shè)有多個(gè)凹槽，該柔性顯示基板在彎折時(shí)的變形減小，無(wú)機(jī)層的變形和裂紋得到抑制，導(dǎo)電布線(xiàn)在彎折時(shí)的損傷抗性提高。這改善了柔性顯示基板的抗彎折效果，提高柔性顯示基板以及顯示裝置的可靠性和壽命。

需要指出，在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可以直接在其它元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印跋隆睍r(shí)，它可以直接在其它元件下，或者可以存在一個(gè)以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當(dāng)層或元件被稱(chēng)為在兩層或兩個(gè)元件“之間”時(shí)，它可以為兩層或兩個(gè)元件之間惟一的層，或還可以存在一個(gè)以上的中間層或元件。通篇相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。在本公開(kāi)實(shí)施例中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

僅僅是出于圖示和說(shuō)明的目的而給出對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的前述描述。它們不是旨在窮舉或者限制本公開(kāi)實(shí)施例的內(nèi)容。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到許多調(diào)整和變型，而這些調(diào)整和變形都落在本公開(kāi)實(shí)施例的保護(hù)范圍之內(nèi)。簡(jiǎn)而言之，本公開(kāi)實(shí)施例的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求定義。