一種搬送機(jī)械手和激光退火裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種搬送機(jī)械手和激光退火裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著平面顯示器的興起，低溫多晶硅技術(shù)已成為高畫質(zhì)顯示器的代名詞。近年，各大面板廠商相繼投產(chǎn)低溫多晶硅(LTPS)生產(chǎn)線，低溫多晶硅技術(shù)發(fā)展迅速、前景良好。
[0003]準(zhǔn)分子激光退火制程是形成多晶硅的重要步驟，傳統(tǒng)的準(zhǔn)分子激光退火(ELA)設(shè)備，通常需要人為將基板取放到基板載臺，由于需要進(jìn)行ELA工藝的基板的玻璃襯底一面和非晶硅(A-Si)薄膜一面的顏色相近，單純靠人眼識別難免會出現(xiàn)誤差，一旦出現(xiàn)誤差，就會造成嚴(yán)重后果。如，一旦出現(xiàn)誤差導(dǎo)致基板的玻璃襯底一面朝上進(jìn)行激光照射，激光就會透過襯底照射到配向(PI)膜上，造成PI膜灰化，散發(fā)到設(shè)備腔體中，污染設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種搬送機(jī)械手和激光退火裝置，其中，上述搬送機(jī)械手在激光退火工藝中用于搬運基板時，可以檢測出將基板放置于激光退火設(shè)備中時是否為基板的非晶硅薄膜一側(cè)朝向準(zhǔn)分子激光器。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0006]—種搬送機(jī)械手，包括支撐結(jié)構(gòu)；還包括:
[0007]用于使待搬送物體中的半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生自由電子的自由電子激發(fā)裝置；
[0008]用于檢測待搬送物體中與支撐結(jié)構(gòu)的支撐面相對設(shè)置的表面的材料能否導(dǎo)電的檢測裝置。
[0009]上述搬送機(jī)械手在搬運物體時，如果待搬送物體中包括半導(dǎo)體材料，通過自由電子激發(fā)裝置的激發(fā)可以使半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生自由電子，從而使該半導(dǎo)體材料可以導(dǎo)電。
[0010]當(dāng)通過上述搬送機(jī)械手搬運需要進(jìn)行激光退火工藝的基板時，基板位于支撐結(jié)構(gòu)上，形成基板一側(cè)表面的非晶硅薄膜在自由電子激發(fā)裝置的激發(fā)下可以產(chǎn)生自由電子從而可以進(jìn)行導(dǎo)電，而基板的另一側(cè)是襯底表面、為絕緣不導(dǎo)電材料；所以，當(dāng)通過搬送機(jī)械手搬運基板時，如果通過檢測裝置檢測到基板與支撐結(jié)構(gòu)的支撐面相對設(shè)置的一側(cè)表面可以導(dǎo)電，則可以斷定基板與支撐面相對設(shè)置的一側(cè)表面為非晶硅薄膜，當(dāng)基板的非晶硅薄膜一側(cè)與支撐結(jié)構(gòu)的支撐面相對設(shè)置時，則搬送機(jī)械手將基板放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備的基板載臺上時，基板的非晶硅薄膜表面將朝向基板載臺而背離準(zhǔn)分子激光器；而如果通過檢測裝置檢測到基板與支撐結(jié)構(gòu)的支撐面相對設(shè)置的一側(cè)表面不可以導(dǎo)電，則可以斷定基板與支撐面相對設(shè)置的一側(cè)表面為襯底表面，則搬送機(jī)械手將基板放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備的基板載臺上時，基板的非晶硅薄膜表面為朝向準(zhǔn)分子激光器。
[0011]因此，上述搬送機(jī)械手在激光退火工藝中用于搬運基板時，可以檢測出將基板放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備中時是否為基板的非晶硅薄膜一側(cè)朝向準(zhǔn)分子激光器，即基板放置是否正確。
[0012]優(yōu)選地，所述自由電子激發(fā)裝置為熱激發(fā)裝置、光激發(fā)裝置或者電磁場激發(fā)裝置。
[0013]優(yōu)選地，所述電磁場激發(fā)裝置包括嵌設(shè)在所述支撐結(jié)構(gòu)內(nèi)的電磁鐵。
[0014]優(yōu)選地，所述電磁場激發(fā)裝置還包括與所述電磁鐵中線圈的兩端電連接、用于給線圈通電的供電裝置。
[0015]優(yōu)選地，所述檢測裝置包括:安裝于所述支撐結(jié)構(gòu)的支撐面上、用于與待搬送物體的表面相接觸的兩個電極；與所述兩個電極串聯(lián)、用于提供電壓的電壓源；與所述兩個電極串聯(lián)、用于檢測兩個電極之間是否產(chǎn)生電流的電流檢測模塊。
[0016]優(yōu)選地，所述兩個電極為條形電極，且分別沿電磁鐵所在區(qū)域的兩側(cè)邊緣延伸。
[0017]優(yōu)選地，所述支撐結(jié)構(gòu)的支撐面上設(shè)有多個用于吸附所述待搬送物體表面的氣墊結(jié)構(gòu)。
[0018]優(yōu)選地，所述支撐結(jié)構(gòu)包括兩個支撐臂，每個所述支撐臂上設(shè)有兩個氣墊結(jié)構(gòu)，所述自由電子激發(fā)裝置和檢測裝置安裝于同一個支撐臂上。
[0019]—種激光退火裝置，包括基板載臺和用于提供準(zhǔn)分子激光束的準(zhǔn)分子激光器；還包括如上述任一技術(shù)方案中所述的搬送機(jī)械手。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明一種實施例提供的搬送機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明一種實施例提供的搬送機(jī)械手的縱切面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明另一實施例提供的搬送機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]請參考圖1?圖3。
[0025]如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例提供的一種搬送機(jī)械手，包括支撐結(jié)構(gòu)I ;還包括:
[0026]用于使待搬送物體中的半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生自由電子的自由電子激發(fā)裝置2;
[0027]用于檢測待搬送物體中與支撐結(jié)構(gòu)I的支撐面10相對設(shè)置的表面的材料能否導(dǎo)電的檢測裝置3。
[0028]上述搬送機(jī)械手在搬運物體時，如果待搬送物體中包括半導(dǎo)體材料，通過自由電子激發(fā)裝置2的激發(fā)可以使半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生自由電子，從而使該半導(dǎo)體材料可以導(dǎo)電。
[0029]如圖2所示，由于用于激光退火工藝的基板5，其相對的兩側(cè)表面分別為非晶硅薄膜51表面和襯底52表面，當(dāng)通過上述搬送機(jī)械手搬運需要進(jìn)行激光退火工藝的基板5時，基板5位于支撐結(jié)構(gòu)I上，基板5 —側(cè)的非晶硅薄膜51在自由電子激發(fā)裝置2的激發(fā)下可以產(chǎn)生自由電子從而可以進(jìn)行導(dǎo)電，而基板的另一側(cè)的襯底52表面為絕緣材料，不能導(dǎo)電；所以，當(dāng)通過搬送機(jī)械手搬運基板5時，如果通過檢測裝置3檢測到基板5與支撐結(jié)構(gòu)I的支撐面10相對設(shè)置的一側(cè)表面可以導(dǎo)電，則可以斷定基板5與支撐面10相對設(shè)置的一側(cè)表面為非晶硅薄膜51表面，此時，搬送機(jī)械手將基板5放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備的基板載臺上時，基板的非晶硅薄膜51表面將朝向基板載臺而背離準(zhǔn)分子激光器；而如果通過檢測裝置3檢測到基板5與支撐結(jié)構(gòu)I的支撐面10相對設(shè)置的一側(cè)表面不可以導(dǎo)電，則可以斷定基板5與支撐面10相對設(shè)置的一側(cè)表面為襯底52表面，此時，搬送機(jī)械手將基板5放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備的基板載臺上時，基板的非晶硅薄膜51表面將朝向準(zhǔn)分子激光器。
[0030]因此，上述搬送機(jī)械手在激光退火工藝中用于搬運基板時，可以檢測出將基板放置于準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備中時是否為基板的非晶硅薄膜一側(cè)朝向準(zhǔn)分子激光器，即基板放置是否正確。
[0031]—種具體的實施例中，如圖1和圖2所示，自由電子激發(fā)裝置2可以為熱激發(fā)裝置、光激發(fā)裝置或者電磁場激發(fā)裝置。由于半導(dǎo)體硅是四價元素，最外層有4個電子，帶4個單位負(fù)電荷，共價鍵中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強(qiáng)，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、升溫、電磁場激發(fā))，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子。因此，上訴用于激發(fā)非晶硅薄膜51的自由電子激發(fā)裝置2可以采用熱激發(fā)裝置、光激發(fā)裝置或者電磁場激發(fā)裝置。
[0032]在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，如圖1、圖2和圖3所示，自由電子激發(fā)裝置2為電磁場激發(fā)裝置時，電磁場激發(fā)裝置可以包括嵌設(shè)在支撐結(jié)構(gòu)I內(nèi)的電磁鐵21，通過電磁鐵21通電產(chǎn)生的磁場可以激發(fā)非晶硅薄膜51中產(chǎn)生自由電子。要通過電磁鐵21激發(fā)基板5的非晶硅薄膜51中產(chǎn)生自由電子，就要使非晶硅薄膜51盡量處于電磁鐵21產(chǎn)生的電磁場中，因此，將電磁鐵21嵌設(shè)在支撐結(jié)構(gòu)I的支撐面10—側(cè)為一種優(yōu)選的方案。
[0033]在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，如圖2所示，電磁鐵21可以包括鐵心和線圈，通過將線圈的通電或者斷電即可以控制電磁鐵21的通電狀態(tài)