主體2200的上側(cè)2201通過第二開孔2220接入的。
[0064]光電半導(dǎo)體組件30的第一接觸表面1515可以例如通過來自模具主體2200的上側(cè)2201的布線鍵合而被電接觸。對應(yīng)地，第二接觸表面1525也可以從模具主體2200的上側(cè)2201通過第二開孔2220而被電接觸。光電半導(dǎo)體組件30因此不是SMD組件，而是可從上部接觸的組件。
[0065]優(yōu)選地如以下所解釋那樣執(zhí)行光電半導(dǎo)體組件10、20、30的生產(chǎn)。首先，以芯片100、1100的下側(cè)1102在膜上的方式布置芯片100、1100。芯片100、1100隨后被通過模制處理嵌入在模具主體200、1200、2200中。在通過使用合適的模制工具進行模制處理期間，模具主體200、1200、2200的上側(cè)201、1201、2201可以被形成從而為平面的，或已經(jīng)被提供有凸透鏡部分或被以不同方式配置的部分。作為替換，也可以在例如通過激光切割或選擇性研磨進行模制處理之后執(zhí)行模具主體200、1200、2200的上側(cè)201、1201、2201的處理?？梢噪S后例如通過模制成附加的光學透鏡600而將這些透鏡600布置在模具主體200、1200、2200 的上側(cè) 201,1201,2201 上。
[0066]反射層300、第一介電層310以及可選地第二介電層320隨后被施加到模具主體200、1200、2200的下側(cè)202、1202、2202上并被構(gòu)造?？梢越?jīng)由電鍍層400的焊接接觸410、420或通過模具主體200、1200、2200中的開孔2210、2220來執(zhí)行光電半導(dǎo)體組件10、20、30的電接觸。甚至可以想見這兩種可能性的組合。如果提供電鍍層400，則這也可以使用熱接觸430，以用于耗散芯片100、1100所產(chǎn)生的廢棄熱量。
[0067]保護二極管530可以被分別集成到光電半導(dǎo)體組件10、20、30中。保護二極管530優(yōu)選地與芯片100、1100 —起嵌入在模具主體200、1200、2200中。
[0068]特別優(yōu)選地，通過將多個芯片100、1100同時嵌入在大的共用模具主體(例如在采用模制晶片的形式的模具主體)中來同時地生產(chǎn)一種類型或不同類型的多個光電半導(dǎo)體組件10、20、30。在進一步的層300、310、320、400的施加和構(gòu)造之后，將大的共用模具主體再劃分為更小的模具主體200、1200、2200，以便獲得多個光電半導(dǎo)體組件10、20、30。
[0069]已經(jīng)借助優(yōu)選的示例性實施例詳細圖解和描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不局限于所公開的示例。相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以由此在不脫離本發(fā)明的保護范圍的情況下得出其它變形。
【主權(quán)項】
1.一種光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)，具有帶有上側(cè)(101，1101)和下側(cè)(102，1102)的體發(fā)射藍寶石倒裝芯片(100，1100)， 其中，所述芯片(100，1100)嵌入在帶有上側(cè)(201，1201，2201)和下側(cè)(202，1202，2202)的光學透明模具主體(200，1200，2200)中。
2.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)， 其中，所述模具主體(200，1200，2200)不覆蓋所述芯片(100，1100)的所述下側(cè)(102，1102)。
3.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)， 其中，轉(zhuǎn)換器顆粒被集成到所述模具主體(200，1200，2200)中，并且意圖轉(zhuǎn)換由所述芯片(100，1100)發(fā)射的輻射的波長。
4.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)， 其中，反射層(300)被布置在所述模具主體(200，1200，2200)的所述下側(cè)(202，1202，2202)上。
5.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(20，30)， 其中，所述模具主體(1200，2200)的所述上側(cè)(1201，2201)被凸起地成形。
6.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(20)， 其中，光學透鏡(600 )被布置在所述模具主體(1200 )的所述上側(cè)(1201)上。
7.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(20，30)， 其中，所述芯片(1100)在其下側(cè)(102，1102)上具有多個第一極性的第一電接觸(1110)和多個第二極性的第二電接觸(1120)，以及 其中，所述半導(dǎo)體組件(20，30)具有導(dǎo)電互連層(500，1500)，其導(dǎo)電地將所述第一接觸(1110)彼此連接，并且導(dǎo)電地將所述第二接觸(I 120)彼此連接。
8.如權(quán)利要求7所述的光電半導(dǎo)體組件(30)， 其中，所述半導(dǎo)體組件(30)具有多個芯片(1100)，所述多個芯片(1100)被一起嵌入在所述模具主體(2200)中，以及 其中，所述互連層(1500 )將所述芯片(1100 )串聯(lián)連接。
9.如權(quán)利要求7和8之一所述的光電半導(dǎo)體組件(30)， 其中，所述模具主體(2200)具有開孔(2210)，以及 其中，被導(dǎo)電地連接到所述第一接觸(1110)的第一接觸表面(1515)可通過所述開孔(2210)接入。
10.如權(quán)利要求1至8之一所述的光電半導(dǎo)體組件(10，20)， 其中，所述半導(dǎo)體組件(10，20)被形成為帶有在所述半導(dǎo)體組件(10，20)的下側(cè)上所布置的兩個可焊接電連接表面(410，420)的SMD組件。
11.如前述權(quán)利要求之一所述的光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)， 其中，所述模具主體(200，1200,2200)被填充有無機填料，填充因子大于80%。
12.—種用于生產(chǎn)光電半導(dǎo)體組件(10，20，30)的方法， 其包括以下步驟: -提供帶有上側(cè)(101，1101)和下側(cè)(102，1102)的體發(fā)射藍寶石倒裝芯片(100，1100)， -將所述芯片(100，1100)嵌入在帶有上側(cè)(201，1201，2201)和下側(cè)(202，1202，2202)的光學透明模具主體(200，1200，2200)中。
13.如權(quán)利要求12所述的方法， 其中，在嵌入所述芯片(100，1100)之前，在膜上布置所述芯片(100，1100)的所述下側(cè)(102，1102)。
14.如權(quán)利要求12和13之一所述的方法， 其中，在嵌入所述芯片(100，1100)之后，執(zhí)行如下的另一步驟: -去除在所述模具主體(200，1200，2200)的所述上側(cè)(201，1201，2201)上的所述模具主體(200，1200，2200)的一部分。
15.如權(quán)利要求12至14之一所述的方法， 其中，在把所述芯片(100，1100)嵌入在所述模具主體(200，1200，2200)中之后，執(zhí)行如下的另一步驟: -將反射層(300)施加到所述模具主體(200，1200，2200)的所述下側(cè)(202，1202，2202)上。
16.如權(quán)利要求12至15之一所述的方法， 其中，多個藍寶石倒裝芯片(100，1100)被同時地嵌入在共用模具主體(200，1200，2200)中。
17.如權(quán)利要求16所述的方法， 其中，在隨后的方法步驟中分離所述共用模具主體(200，1200，2200)。
【專利摘要】一種光電半導(dǎo)體組件具有帶有上側(cè)和下側(cè)的體發(fā)射藍寶石倒裝芯片，其被嵌入在帶有上側(cè)和下側(cè)的光學透明模具主體中。
【IPC分類】H01L33-38, H01L25-075, H01L33-62, H01L33-54
【公開號】CN104798215
【申請?zhí)枴緾N201380040808
【發(fā)明人】S.伊萊克, M.薩巴蒂爾, T.施瓦茨
【申請人】奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責任公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2013年7月18日
【公告號】DE102012213343A1, US20150137162, WO2014019861A1