倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法。該倒裝芯片發(fā)光二極管包括封裝體以及導(dǎo)體層。封裝體中封裝有至少一發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片具有從封裝體的一側(cè)面暴露出來(lái)的正極與負(fù)極。導(dǎo)體層設(shè)置在封裝體的側(cè)面上且直接接觸發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極。導(dǎo)體層具有電路圖案以及使發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極相互絕緣的絕緣部。本發(fā)明提供的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法可降低成本并提升散熱效率。
【專利說(shuō)明】
倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法，特別是關(guān)于一種可降低成本并提升散熱效率的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與傳統(tǒng)光源相比，由于發(fā)光二極管(LED)具有高的發(fā)光效率和低的能源損耗，其已被廣泛地使用來(lái)作為光源。在實(shí)際的應(yīng)用上，發(fā)光二極管裝置是由多個(gè)發(fā)光二極管以串聯(lián)或并聯(lián)的方式被組裝于同一基板上所形成，以達(dá)到發(fā)光的效果。然而，在多個(gè)發(fā)光二極管產(chǎn)生光的同時(shí)，還產(chǎn)生了大量的熱，特別是當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管以高密度被組裝在同一基板上時(shí)，若熱聚積在基板上而無(wú)法被有效地被發(fā)散出去，將對(duì)發(fā)光二極管裝置造成不良的影響。
[0003]目前已知有被稱作倒裝芯片(fI ip-chip)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。此種倒裝芯片發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)主要是將發(fā)光二極管芯片的正極和負(fù)極設(shè)置在其面向電路基板的表面，并透過(guò)焊接的方式使發(fā)光二極管芯片的正極和負(fù)極分別直接與電路基板接觸，此時(shí)，發(fā)光二極管芯片發(fā)光所產(chǎn)生的熱將透過(guò)其正極和負(fù)極經(jīng)由焊料、導(dǎo)線銅箔、絕緣油墨、金屬或陶瓷的基板本體所形成的導(dǎo)熱路徑，傳導(dǎo)至散熱結(jié)構(gòu)后發(fā)散出去，此導(dǎo)熱路徑所形成的熱阻較高，無(wú)法達(dá)到最佳的散熱效果。此外，由于上述這種電路基板的構(gòu)造包含許多組件，其制造的過(guò)程較為復(fù)雜，成本亦難以減少。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種可降低成本并提升散熱效率的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一方面是提供一種制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，該方法包括:提供封裝體，封裝體中包括多個(gè)發(fā)光二極管芯片，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極是從封裝體的一側(cè)面暴露出來(lái)；以及在封裝體的側(cè)面形成導(dǎo)體，其中，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極是相互絕緣。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟包括:
[0007]在該封裝體的該側(cè)面上形成導(dǎo)電層；
[0008]在該導(dǎo)電層的外表面上形成具有圖案化開口的屏蔽部；以及
[0009]透過(guò)該屏蔽部的該圖案化開口對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻以形成電路圖案以及位于該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極之間的絕緣部。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法或光刻法形成在該導(dǎo)電層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該絕緣部之后移除該感光膠層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該導(dǎo)電層的該外表面上。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法形成在該導(dǎo)電層的該外表面上的導(dǎo)熱絕緣膠層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該導(dǎo)電層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上的第一金屬層及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層，且其中，該第二金屬層的外表面是為該導(dǎo)電層的該外表面。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該第一金屬層借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所制成，且該第二金屬層借由電鍍法所制成。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法或光刻法形成在該第二金屬層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該絕緣部之后移除該感光膠層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的該外表面上。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法形成在該第二金屬層的該外表面上的導(dǎo)熱絕緣膠層。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟包括:
[0022]將導(dǎo)體層網(wǎng)印到該封裝體的該側(cè)面上以形成電路圖案；以及使該導(dǎo)體層固化。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括在使該導(dǎo)體層固化之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該封裝體上以覆蓋該電路圖案。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該導(dǎo)體層為導(dǎo)電銀漿，且該導(dǎo)電銀漿借由燒結(jié)法被固化。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該導(dǎo)體層為包含高分子材料與導(dǎo)電材料的導(dǎo)電膠，且該導(dǎo)電膠借由熱固化法被固化。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟包括:
[0027]在該封裝體的該側(cè)面上形成分隔部，該分隔部至少位于該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極之間；以及
[0028]在該封裝體的該側(cè)面上除了該分隔部以外的位置形成具有電路圖案的導(dǎo)電層。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該分隔部為借由網(wǎng)印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該導(dǎo)電層之后，將該感光膠層移除以在該導(dǎo)電層中形成絕緣部。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該導(dǎo)電層的外表面上。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該分隔部為借由網(wǎng)印法所形成的導(dǎo)熱絕緣膠層。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該導(dǎo)電層的外表面上。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該導(dǎo)電層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上除了該分隔部以外的位置的第一金屬層、以及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該第一金屬層借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所形成，且該第二金屬層借由電鍍法所形成。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該分隔部為借由網(wǎng)印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該第一金屬層及該第二金屬層之后，將該感光膠層移除以在該第一金屬層及該第二金屬層中形成絕緣部。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的外表面上。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該分隔部為借由網(wǎng)印法所形成的導(dǎo)熱絕緣膠層。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該第二金屬層的外表面上。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的第二方面是提供一種倒裝芯片發(fā)光二極管，其包括封裝體及導(dǎo)體層。封裝體封裝有具有正極與負(fù)極的發(fā)光二極管芯片，正極與負(fù)極從封裝體的一側(cè)面暴露出來(lái)，導(dǎo)體層設(shè)置在封裝體的側(cè)面上且直接接觸發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極，導(dǎo)體層具有電路圖案以及使正極與負(fù)極相互絕緣的絕緣部。
[0041]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括覆蓋該導(dǎo)體層的外表面的導(dǎo)熱絕緣層，且該導(dǎo)熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該導(dǎo)體層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上的第一金屬層以及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該第一金屬層是借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所形成，且該第二金屬層是借由電鍍法所形成。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該倒裝芯片發(fā)光二極管具有可撓性。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括覆蓋該第二金屬層的外表面的導(dǎo)熱絕緣層，且該導(dǎo)熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
[0046]本發(fā)明提供的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法可降低成本并提升散熱效率。
[0047]關(guān)于本發(fā)明更詳細(xì)的說(shuō)明與優(yōu)點(diǎn)，請(qǐng)參照以下的實(shí)施方式及圖式。
【附圖說(shuō)明】
[0048]為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作詳細(xì)說(shuō)明，其中:
[0049]圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的立體示意圖；
[0050]圖2為沿著圖1的線A-A所取的剖面示意圖；
[0051 ]圖3為根據(jù)本發(fā)明的封裝體的立體示意圖；
[0052]圖4A至4G為用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法的步驟的示意圖；
[0053]圖5為說(shuō)明切割路徑的不意圖；
[0054]圖6A至6F為用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第二種方法的步驟的示意圖；
[0055]圖7為圖6C的立體不意圖；
[0056]圖8為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的立體示意圖；
[0057]圖9為沿著圖8的線C-C所取的剖面示意圖；
[0058]圖1OA及1B為用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法的步驟的示意圖；以及
[0059]圖1lA至IlD為用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第二種方法的步驟的示意圖。
[0060]符號(hào)說(shuō)明:
[0061 ] 3、4:倒裝芯片發(fā)光二極管
[0062]30、40:封裝體
[0063]31、41:第一金屬層
[0064]32、42:第二金屬層
[0065]33、43:絕緣部
[0066]35、45:發(fā)光二極管芯片
[0067]39、49:封裝材料
[0068]47、47A:導(dǎo)熱絕緣層
[0069]47B:額外的導(dǎo)熱絕緣膠
[0070]300、400:封裝體
[0071]301、401:封裝體的側(cè)面
[0072]330、340:感光膠層
[0073]331:屏蔽
[0074]332:感光膠層的圖案化開口
[0075]341:分隔部
[0076]351、451:正極
[0077]352、452:負(fù)極
[0078]470:導(dǎo)熱絕緣層的圖案化開口
【具體實(shí)施方式】
[0079]第一實(shí)施例
[0080]圖1及圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管。圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的立體示意圖，且圖2為沿著圖1的線A-A所取的剖面示意圖。
[0081]參閱圖1及圖2，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管3包括封裝體30、第一金屬層31、第二金屬層32、以及絕緣部33。封裝體30包括被封裝在封裝材料39中的發(fā)光二極管芯片35，發(fā)光二極管芯片35具有正極351和負(fù)極352，其分別從封裝體30的側(cè)面暴露出來(lái)。第一金屬層31形成在封裝體30的側(cè)面上且分別與正極351和負(fù)極352接觸，第二金屬層32形成在第一金屬層31上。絕緣部33為形成在第一金屬層31和第二金屬層32中的間隙，用以使發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352相互絕緣。
[0082]注意，雖然在本實(shí)施例中的倒裝芯片發(fā)光二極管3包括兩層金屬層(第一金屬層31及第二金屬層32)，但熟知本領(lǐng)域人士應(yīng)可理解此兩層金屬層可由單一層或更多層的金屬層來(lái)取代，并且，形成在封裝體30的側(cè)面上的單一層或更多層的金屬層可具有電路圖案。此夕卜，雖然在本實(shí)施例中僅顯示出封裝體30內(nèi)包含封裝在封裝材料39中的發(fā)光二極管芯片35，但實(shí)際上，根據(jù)發(fā)光二極管設(shè)計(jì)上的需求，封裝材料39中亦可能封裝有與發(fā)光二極管芯片35—起運(yùn)作的其他電子組件，例如，限流電阻、過(guò)電流保護(hù)組件、靜電保護(hù)電路等等。
[0083]接下來(lái)，將說(shuō)明用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的兩種不同的方法。
[0084]參閱圖3、圖4A至4G及圖5說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法。圖3為封裝體300的立體示意圖。圖4A至4G為用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法的步驟的示意圖。
[0085]首先，如圖3及4A所示，提供封裝體300，封裝體300包括呈矩陣狀排列的多個(gè)發(fā)光二極管芯片35，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352從封裝體300的側(cè)面301暴露出來(lái)。較佳地，發(fā)光二極管芯片35可為倒裝芯片的發(fā)光二極管芯片或表面粘著型(SMD)的發(fā)光二極管芯片，只要其正極與負(fù)極可從封裝體的側(cè)面暴露出來(lái)即可。
[0086]接著，如圖4B及4C所示，作為導(dǎo)電層的第一金屬層31(導(dǎo)電薄層)和第二金屬層32(導(dǎo)電厚層)依序被形成在封裝體300的側(cè)面301上。具體而言，第一金屬層31為借由蒸鍍法(Deposit1n)、派鍍法(Sputtering)、離子束派鍍法(1n Beam Sputtering)、或化學(xué)鍍法(Chemical Plating)等的方式被直接形成在封裝體300的側(cè)面301上，并直接與每一個(gè)發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352接觸。第二金屬層32為借由電鍍法以第一金屬層31為導(dǎo)電層而形成在第一金屬層31上。據(jù)此，相較于已知技術(shù)所采用的借由焊料使發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極連接到電路基板，由于本實(shí)施例所使用的第一金屬層及第二金屬層是由上述的制造方法直接形成在封裝體的側(cè)面上并直接與發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極接觸而未使用任何焊料，其具備有結(jié)合性較佳、厚度較薄等的優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可使得經(jīng)由后續(xù)步驟所形成的倒裝芯片發(fā)光二極管具備可撓性及較低的熱阻。
[0087]需注意的是，雖然在本實(shí)施例中是以由兩層金屬層(第一金屬層31及第二金屬層32)所組成的導(dǎo)電層為例，但并不局限于此。例如，也可以僅在封裝體的側(cè)面上形成單一的金屬層來(lái)作為導(dǎo)電層。
[0088]參照?qǐng)D4D至4G說(shuō)明在作為導(dǎo)電層的第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部
33及電路圖案(未示)的方法。首先，如圖4D所示，在第二金屬層32的外表面上形成感光膠層330，并且，如圖4E所示，借由屏蔽331以光刻法(photolithography)在感光膠層330中形成圖案化開口 332。接著，如圖4F所示，透過(guò)感光膠層330中的圖案化開口 332對(duì)第一金屬層31和第二金屬層32進(jìn)行蝕刻，以在第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部33以及電路圖案(未示)，其中，絕緣部33是使得發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352相互絕緣。換言之，在此步驟中，具有圖案化開口332的感光膠層330是作為蝕刻屏蔽而被使用。最后，如圖4G所示，將感光膠層330從第二金屬層32的外表面上移除。至此，在封裝體300的側(cè)面301上是形成了具有絕緣部及電路圖案的導(dǎo)體。
[0089]注意，雖然本實(shí)施例乃是借由光刻法在感光膠層中形成圖案化開口來(lái)作為蝕刻屏蔽，但本發(fā)明并不局限于此。例如，為了形成蝕刻屏蔽供后續(xù)的蝕刻步驟使用，可借由網(wǎng)印法直接將具有圖案化開口的感光膠層網(wǎng)印到第二金屬層的外表面上，并接著透過(guò)此圖案化開口對(duì)第一金屬層及第二金屬層進(jìn)行蝕刻，亦可達(dá)到相同的效果。
[0090]此外，為了后續(xù)制程上的方便，透過(guò)感光膠層的圖案化開口對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻的步驟，除了在第一金屬層和第二金屬層中形成絕緣部與電路圖案之外，如圖5所示，較佳還在第一金屬層和第二金屬層中形成了切割路徑，如圖式中的箭頭C和D所示，用于沿著此切割路徑切割封裝體，以形成倒裝芯片發(fā)光二極管3(參閱圖1及圖2)。然而，本實(shí)施例的方法并不一定需要形成切割路徑，事實(shí)上，在金屬層中形成切割路徑主要是為了使后續(xù)的切割制程更為容易(亦即，若在金屬層中形成有切割路徑，則僅需對(duì)封裝體進(jìn)行切割)，但若未在金屬層中形成切割路徑，仍然可借由適當(dāng)?shù)那懈罘绞?例如，激光切割、線割等)對(duì)封裝體及金屬層進(jìn)行切割，以形成倒裝芯片發(fā)光二極管3。
[0091]注意，上述的切割步驟除了可形成如圖1及圖2所示的單一顆式的倒裝芯片發(fā)光二極管3外，亦可形成包括多顆倒裝芯片發(fā)光二極管3的倒裝芯片發(fā)光二極管的一維串聯(lián)數(shù)組(未示)，視應(yīng)用上的需求而定。
[0092]另一方面，作為形成在封裝體的側(cè)面上的導(dǎo)體，除了利用如上所述的透過(guò)蝕刻屏蔽將導(dǎo)電層蝕刻的方式來(lái)形成之外，也可以借由網(wǎng)印法將導(dǎo)電材料(例如，銀漿)、導(dǎo)電膠(由高分子材料加上銀粉、鍍銀銅粉、石墨烯、納米碳管等的導(dǎo)電材料所形成)等直接網(wǎng)印到封裝體的側(cè)面上，并借由適當(dāng)?shù)墓袒绞?例如，高或低溫?zé)Y(jié)法、熱固化法等)來(lái)形成具有電路圖案的導(dǎo)體。
[0093]接下來(lái)，參照?qǐng)D3、圖5、圖6A至6F及圖7說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第二種方法。圖6A至6F為顯示制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的步驟的示意圖，且圖7為圖6C的立體示意圖。
[0094]首先，如圖3及6A所示，提供封裝體300，封裝體300包括呈矩陣狀排列的多個(gè)發(fā)光二極管芯片35，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352是從封裝體300的側(cè)面301暴露出來(lái)。
[0095]接著，如圖6B所示，在封裝體300的側(cè)面301上形成感光膠層340，并借由光刻法使得在封裝體300的側(cè)面301上的感光膠層340形成分隔部341，如圖6C所示，其中，分隔部341至少形成在每一個(gè)發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352之間的位置。較佳地，分隔部341還形成在封裝體300要被切割的切割路徑上。具體而言，形成在封裝體300的側(cè)面301上的分隔部341的范例是如圖7所示。
[0096]接下來(lái)，如圖6D及6E所示，在封裝體300的側(cè)面301上于分隔部341所形成的位置以外的位置處依序形成作為導(dǎo)電層的第一金屬層31(導(dǎo)電薄層)和第二金屬層32(導(dǎo)電厚層)。注意，第一金屬層31和第二金屬層32是借由與上述制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法中用于形成第一金屬層31和第二金屬層32的方法的相同的方法來(lái)形成，此處不再贅述。此外，如同上述制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第一種方法中所述，不一定需要形成第一金屬層和第二金屬層，亦可僅形成單一層的金屬層來(lái)作為導(dǎo)電層。
[0097]如圖6F所示，接著將分隔部341從封裝體300上移除，進(jìn)而在第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部33，其中，絕緣部33是使得發(fā)光二極管芯片35的正極351和負(fù)極352相互絕緣。到此步驟為止，制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第二種方法已制造出與第一種方法的圖4G相同的構(gòu)造。最后，類似于第一種方法，此處的第二種方法亦可沿著如圖5所示的切割路徑(如箭頭C和箭頭D所示)進(jìn)行切割步驟，以形成倒裝芯片發(fā)光二極管3(參閱圖1及圖2)。
[0098]注意，雖然在此分隔部341被說(shuō)明為是由感光膠層340借由光刻法形成在封裝體300的側(cè)面301上，但分隔部341形成的方法并不以此為限。例如，亦可借由網(wǎng)印法直接將感光膠或?qū)峤^緣膠網(wǎng)印到封裝體300的側(cè)面301上來(lái)形成分隔部341。然而，在借由網(wǎng)印法直接將導(dǎo)熱絕緣膠網(wǎng)印到封裝體300的側(cè)面301上來(lái)形成分隔部341的情況下，由于導(dǎo)熱絕緣膠的存在將有助于排除發(fā)光二極管芯片35所產(chǎn)生的熱，因此，在形成金屬層的步驟之后，不需要執(zhí)行如圖6F所示的移除步驟。
[0099]第二實(shí)施例
[0100]圖8及圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管。圖8為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的立體示意圖，且圖9為沿著圖8的線C-C所取的剖面示意圖。
[0101]參閱圖8及圖9，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管4包括封裝體40、第一金屬層41、第二金屬層42、絕緣部43以及導(dǎo)熱絕緣層47。封裝體40包括被封裝在封裝材料49中的發(fā)光二極管芯片45，發(fā)光二極管芯片45具有正極451和負(fù)極452，其分別從封裝體40的一側(cè)面暴露出來(lái)。第一金屬層41形成在封裝體40的側(cè)面上且分別與發(fā)光二極管芯片45的正極451和負(fù)極452接觸，且第二金屬層42形成在第一金屬層41上。絕緣部43為形成在第一金屬層41和第二金屬層42中的間隙，用以使發(fā)光二極管芯片45的正極451和負(fù)極452相互絕緣。導(dǎo)熱絕緣層47覆蓋第二金屬層42的外表面且延伸到絕緣部43中。
[0102]類似于第一實(shí)施例，雖然在第二實(shí)施例中的倒裝芯片發(fā)光二極管4包括兩層金屬層(第一金屬層41及第二金屬層42)，但熟知本領(lǐng)域人士應(yīng)可理解此兩層金屬層可由單一層或更多層的金屬層來(lái)取代，并且，形成在封裝體40的側(cè)面上的單一層或更多層的金屬層可具有電路圖案。此外，雖然在第二實(shí)施例中僅顯示出封裝體40內(nèi)包含封裝在封裝材料49中的發(fā)光二極管芯片45，但實(shí)際上，根據(jù)發(fā)光二極管設(shè)計(jì)上的需求，封裝材料49中亦可封裝有與發(fā)光二極管芯片45—起運(yùn)作的其他電子組件，例如，限流電阻、過(guò)電流保護(hù)組件、靜電保護(hù)電路等等。
[0103]接下來(lái)，將說(shuō)明用于制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的兩種不同的方法。
[0104]首先，由于本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管4與本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管3之間的差異僅在于第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管4具有導(dǎo)熱絕緣層47，因此，制造本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管4的第一種方法為先使用與制造本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的如圖4A至4G所示或如圖6A至6F所示的相同的步驟，制造出與圖4G或圖6F所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，如圖1OA所示。
[0105]詳而言之，圖1OA所示的結(jié)構(gòu)包括封裝體400及其中的多個(gè)發(fā)光二極管芯片45、形成在封裝體400的側(cè)面401上第一金屬層41、形成在第一金屬層41上的第二金屬層42、以及形成在第一金屬層41和第二金屬層42中的絕緣部43。
[0106]接著，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到第二金屬層42的外表面上以及施加到絕緣部43中，以形成導(dǎo)熱絕緣層47，如圖1OB所示。
[0107]最后，在形成如圖1OB所示的結(jié)構(gòu)之后，即可以如圖5所示的類似的方式進(jìn)行切割作業(yè)，以得到如圖8及圖9所示的倒裝芯片發(fā)光二極管4。
[0108]接著，圖1lA至IlD顯示制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的第二種方法。
[0109]首先，使用與制造本發(fā)明的第一實(shí)施例的倒裝芯片發(fā)光二極管的如圖4A至4C所示的相同的步驟，先制造出與圖4C所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，如圖1lA所示。圖1lA所示的結(jié)構(gòu)包括封裝體400及其中的多個(gè)發(fā)光二極管芯片45、形成在封裝體400的側(cè)面401上第一金屬層41、以及形成在第一金屬層41上的第二金屬層42。
[0110]接著，借由網(wǎng)印法將導(dǎo)熱絕緣膠網(wǎng)印在第二金屬層42的外表面上，以形成具有圖案化開口 470的導(dǎo)熱絕緣層47A，如圖1IB所示。下一步，透過(guò)導(dǎo)熱絕緣層47A中的圖案化開口470對(duì)第一金屬層41和第二金屬層42進(jìn)行蝕刻，以在第一金屬層41和第二金屬層42中形成絕緣部43以及電路圖案(未示)，如圖1lC所示，其中，絕緣部43是使得發(fā)光二極管芯片45的正極451和負(fù)極452相互絕緣。
[0111]接下來(lái)，如圖1ID所示，將額外的導(dǎo)熱絕緣膠47B施加到絕緣部43和導(dǎo)熱絕緣層47A的圖案化開口470中。較佳地，導(dǎo)熱絕緣膠層47A的材料是與額外的導(dǎo)熱絕緣膠47B相同，但并不以此為限。
[0112]最后，在完成如圖1lD所示的步驟后，即可以如圖5所示的類似的方式進(jìn)行切割作業(yè)，以得到如圖8及圖9所示的倒裝芯片發(fā)光二極管4。
[0113]從以上所述的數(shù)個(gè)實(shí)施例中可理解到，本發(fā)明所提出的倒裝芯片發(fā)光二極管只須具備與直接發(fā)光二極管芯片的正極和負(fù)極連接而未使用任何焊料的導(dǎo)體(例如，金屬片、金屬層等)，而不需像傳統(tǒng)的倒裝芯片發(fā)光二極管還必須具備基板或其他的組件并借由焊料使其與發(fā)光二極管芯片的正極和負(fù)極連接，故能夠有效地降低倒裝芯片發(fā)光二極管整體的熱阻，達(dá)到更佳的散熱效果。此外，由于本發(fā)明所提出的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法相較于傳統(tǒng)的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法顯得簡(jiǎn)單許多，故本發(fā)明所提出的倒裝芯片發(fā)光二極管及其制造方法還具有能大幅降低發(fā)光二極管的制造成本的優(yōu)勢(shì)。
[0114]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，該方法包括以下的步驟: 提供封裝體，該封裝體中包括至少一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極是從該封裝體的一側(cè)面暴露出來(lái);以及 在該封裝體的該側(cè)面形成導(dǎo)體，其中，該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極是相互絕緣。2.如權(quán)利要求1的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟包括: 在該封裝體的該側(cè)面上形成導(dǎo)電層； 在該導(dǎo)電層的外表面上形成具有圖案化開口的屏蔽部；以及 透過(guò)該屏蔽部的該圖案化開口對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻以形成電路圖案以及位于該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極之間的絕緣部。3.如權(quán)利要求2的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法或光刻法形成在該導(dǎo)電層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該絕緣部之后移除該感光膠層。4.如權(quán)利要求3的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該導(dǎo)電層的該外表面上。5.如權(quán)利要求2的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法形成在該導(dǎo)電層的該外表面上的導(dǎo)熱絕緣膠層。6.如權(quán)利要求5的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中。7.如權(quán)利要求2的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該導(dǎo)電層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上的第一金屬層及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層，且其中，該第二金屬層的外表面是為該導(dǎo)電層的該外表面。8.如權(quán)利要求7的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。9.如權(quán)利要求8的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該第一金屬層借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所制成，且該第二金屬層借由電鍍法所制成。10.如權(quán)利要求7的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法或光刻法形成在該第二金屬層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該絕緣部之后移除該感光膠層。11.如權(quán)利要求10的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的該外表面上。12.如權(quán)利要求7的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該屏蔽部為借由網(wǎng)印法形成在該第二金屬層的該外表面上的導(dǎo)熱絕緣膠層。13.如權(quán)利要求12的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中。14.如權(quán)利要求1的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟包括: 將導(dǎo)體層網(wǎng)印到該封裝體的該側(cè)面上以形成電路圖案；以及使該導(dǎo)體層固化。15.如權(quán)利要求14的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，還包括在使該導(dǎo)體層固化之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該封裝體上以覆蓋該電路圖案。16.如權(quán)利要求14的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該導(dǎo)體層為導(dǎo)電銀漿，且該導(dǎo)電銀漿借由燒結(jié)法被固化。17.如權(quán)利要求14的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該導(dǎo)體層為包含高分子材料與導(dǎo)電材料的導(dǎo)電膠，且該導(dǎo)電膠借由熱固化法被固化。18.如權(quán)利要求1的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟包括: 在該封裝體的該側(cè)面上形成分隔部，該分隔部至少位于該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極之間；以及 在該封裝體的該側(cè)面上除了該分隔部以外的位置形成具有電路圖案的導(dǎo)電層。19.如權(quán)利要求18的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該分隔部為借由網(wǎng)印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該導(dǎo)電層之后，將該感光膠層移除以在該導(dǎo)電層中形成絕緣部。20.如權(quán)利要求19的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該導(dǎo)電層的外表面上。21.如權(quán)利要求18的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該分隔部為借由網(wǎng)印法所形成的導(dǎo)熱絕緣膠層。22.如權(quán)利要求21的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該導(dǎo)電層的外表面上。23.如權(quán)利要求18的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該導(dǎo)電層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上除了該分隔部以外的位置的第一金屬層、以及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。24.如權(quán)利要求23的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。25.如權(quán)利要求24的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該第一金屬層借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所形成，且該第二金屬層借由電鍍法所形成。26.如權(quán)利要求23的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該分隔部為借由網(wǎng)印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在形成該第一金屬層及該第二金屬層之后，將該感光膠層移除以在該第一金屬層及該第二金屬層中形成絕緣部。27.如權(quán)利要求26的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括在移除該感光膠層之后，將導(dǎo)熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的外表面上。28.如權(quán)利要求23的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該分隔部為借由網(wǎng)印法所形成的導(dǎo)熱絕緣膠層。29.如權(quán)利要求28的制造倒裝芯片發(fā)光二極管的方法，其特征在于，形成該導(dǎo)體的步驟還包括將額外的導(dǎo)熱絕緣膠施加到該第二金屬層的外表面上。30.一種倒裝芯片發(fā)光二極管，包括: 封裝體，封裝有至少一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有正極與負(fù)極，該正極與該負(fù)極從該封裝體的一側(cè)面暴露出來(lái);以及 導(dǎo)體層，設(shè)置在該封裝體的該側(cè)面上且直接接觸該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極，該導(dǎo)體層具有電路圖案以及使該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極相互絕緣的絕緣部。31.如權(quán)利要求30的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于，還包括覆蓋該導(dǎo)體層的外表面的導(dǎo)熱絕緣層，且該導(dǎo)熱絕緣層延伸到該絕緣部中。32.如權(quán)利要求30的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于，該導(dǎo)體層包括形成在該封裝體的該側(cè)面上的第一金屬層以及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。33.如權(quán)利要求32的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于，該第一金屬層是借由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學(xué)鍍法中的一種方法所形成，且該第二金屬層是借由電鍍法所形成。34.如權(quán)利要求33的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于，該倒裝芯片發(fā)光二極管具有可撓性。35.如權(quán)利要求32的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于，還包括覆蓋該第二金屬層的外表面的導(dǎo)熱絕緣層，且該導(dǎo)熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK105895747SQ201610064896
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年1月29日
【發(fā)明人】黃秀璋
【申請(qǐng)人】黃秀璋