本發(fā)明涉及一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，具體而言，涉及一種照射具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光，從而根據(jù)所反射的反射光的光強(qiáng)之差來檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法。

背景技術(shù)：

近年來，隨著電子通信技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備越來越傾向于小型化、輕量化。因此，內(nèi)置于各種電子設(shè)備的電子部件(例如，半導(dǎo)體芯片)必須滿足高集成化、超小型化。

因此，針對(duì)將高密度、超小型的表面貼裝部件(SMD：Surface Mount Device)貼裝到印刷電路基板(PCB：Printed Circuit Board，在下文中，將其稱之為“基板”)的表面貼裝技術(shù)的研究正積極進(jìn)行著。

作為這種表面貼裝技術(shù)，代替以往的鍵合技術(shù)而有一種利用凸點(diǎn)(Bump)將作為半導(dǎo)體芯片的裸片(die)的電極和基板連接的倒裝芯片(Flip Chip)工藝。

倒裝芯片是能夠以面朝下(Face-down)形態(tài)將電子裝置或半導(dǎo)體芯片直接安裝到基板的貼裝板的裝置。

在將倒裝芯片安裝到基板時(shí)，可以通過生成在芯片表面上的導(dǎo)電性凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)電連接，而且在將芯片安裝到基板時(shí)，該芯片以倒置的狀態(tài)得到貼裝，基于此稱之為倒裝芯片。

倒裝芯片不需要焊線(Wire bond)，因此倒裝芯片的尺寸明顯小于通常的經(jīng)過引線鍵合工序(Wire-bonding process)的芯片。此外，在引線鍵合中，焊線的芯片和基板之間的連接是以一次焊接一個(gè)的方式進(jìn)行，相反，在倒裝芯片中，可以同時(shí)執(zhí)行，因此，相比焊線的芯片，倒裝芯片的費(fèi)用將會(huì)得到節(jié)儉，而且倒裝芯片的連接長(zhǎng)度比引線鍵合的芯片短，因此其性能也將會(huì)得到提高。

以下，對(duì)根據(jù)上述的倒裝芯片工藝而將倒裝芯片貼裝到基板的工藝進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。

首先執(zhí)行凸點(diǎn)加工(Bumping)工藝，即，從晶片(wafer)分離并取出芯片，并翻轉(zhuǎn)(flip)芯片而使上下表面的位置翻轉(zhuǎn)。

之后執(zhí)行回流(Reflow)工藝，即，貼裝機(jī)的頭將被翻轉(zhuǎn)的芯片吸附之后使其移動(dòng)到預(yù)定的位置，并且在需要時(shí)對(duì)包含凸點(diǎn)的面進(jìn)行加熱。

此時(shí)，為提高基板和芯片的接合性能，將執(zhí)行助熔(Fluxing)工藝，即，向芯片的凸點(diǎn)轉(zhuǎn)移助焊劑(Flux)。

之后，執(zhí)行如下的工藝：利用相機(jī)視覺(camera vision)識(shí)別基板的作為將要貼裝芯片的預(yù)定位置的襯墊，從而識(shí)別凸點(diǎn)的位置，并使凸點(diǎn)抵接襯墊以貼裝(Mounting)芯片。

最后，，通過回流進(jìn)行加熱以接合基板和芯片，并通過涂覆環(huán)氧樹脂的底部填充(Under filling)和借助熱等來進(jìn)行硬化的固化(Curing)而保護(hù)芯片。

在如上所述的倒裝芯片工藝中，在進(jìn)行朝芯片的凸點(diǎn)轉(zhuǎn)移助焊劑的助熔工藝時(shí)，可能會(huì)發(fā)生助焊劑無法正常地被涂覆在芯片的凸點(diǎn)的情況，在此情況下，芯片沒有正常地接合到基板的可能行較大，據(jù)此，可能會(huì)引起生產(chǎn)出不良電子部件的問題。

對(duì)此，在現(xiàn)有技術(shù)中，被提出用于檢查助焊劑是否正常地被涂覆在芯片凸點(diǎn)的多樣的方法。

例如，具有如下的方法：將芯片浸漬(Deeping)在裝有助焊劑的容器之后，利用相機(jī)對(duì)容器內(nèi)助焊劑的凸點(diǎn)痕跡進(jìn)行拍攝而檢查助焊劑的涂覆與否。然而這種方法，由于助焊劑由液體構(gòu)成，因而其痕跡將會(huì)瞬間消失，從而存在著難以容易地檢查針對(duì)芯片凸點(diǎn)的助焊劑的涂覆與否的問題。

此外，也有一種將可識(shí)別的其他添加物添加到助焊劑以能夠容易地實(shí)現(xiàn)識(shí)別過程的技術(shù)，然而對(duì)該技術(shù)而言，可能會(huì)存在助焊劑特性變化的問題。

另外，還提出過通過利用相機(jī)拍攝助焊劑涂覆于芯片的凸點(diǎn)的狀態(tài)而獲取的視頻或圖像來檢查針對(duì)芯片凸點(diǎn)的助焊劑的涂覆與否的方法，然而，在此情況下，由于助焊劑是無色液體，因此為了正確地判斷助焊劑被涂覆在芯片的凸點(diǎn)的狀態(tài)而需要使用具有高價(jià)的鏡頭的相機(jī)，從而存在發(fā)生費(fèi)用負(fù)擔(dān)的問題。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

韓國授權(quán)專利第10-1377444號(hào)

日本公開專利第2008-041758號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是著眼于上述的各種問題而提出的，本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題在于提供一種如下的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，該方法向涂覆有助焊劑的倒裝芯片的凸點(diǎn)照射具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光，據(jù)此根據(jù)對(duì)從涂覆有助焊劑的凸點(diǎn)和未涂覆有助焊劑的凸點(diǎn)反射的光的光強(qiáng)之差進(jìn)行比較和判斷，從而能夠更為容易地檢查助焊劑的涂覆與否。

此外，本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)課題在于提供一種如下的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，該方法利用浸漬有助焊劑的倒裝芯片的位置校正結(jié)果和吸嘴的大小信息而重新設(shè)定用于判斷助焊劑涂覆狀態(tài)的搜尋區(qū)域，從而能夠預(yù)防出現(xiàn)助焊劑的涂覆狀態(tài)檢查結(jié)果根據(jù)凸點(diǎn)的大小或吸嘴的大小及形態(tài)而表現(xiàn)為不同的情況。

本發(fā)明的課題并不局限于如上所述的課題，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)下文中的記載而容易地理解未提及的其他課題。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法可以包括如下的步驟：向倒裝芯片的凸點(diǎn)涂覆助焊劑；識(shí)別所述倒裝芯片的凸點(diǎn)位置，并校正所識(shí)別的位置；向所述倒裝芯片的凸點(diǎn)照射具有針對(duì)所述助焊劑的吸收率較高的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的照明光；對(duì)借助所述照明光而從所述凸點(diǎn)反射的反射光進(jìn)行拍攝而獲取視頻或圖像；以及讀取所述獲取的視頻或圖像而檢查助焊劑針對(duì)所述倒裝芯片的凸點(diǎn)的涂覆狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍是具有針對(duì)所述助焊劑的吸收率隨著波長(zhǎng)的變化而呈現(xiàn)的多個(gè)峰值中的一個(gè)峰值的波長(zhǎng)范圍。

在此，優(yōu)選地，從所述倒裝芯片的凸點(diǎn)中設(shè)定搜尋區(qū)域，并獲取針對(duì)從位于所述搜尋區(qū)域內(nèi)的凸點(diǎn)反射的反射光的視頻或圖像。

在此情況下，所述搜尋區(qū)域的設(shè)定是根據(jù)所述凸點(diǎn)的位置經(jīng)校正的信息和吸附所述倒裝芯片的吸嘴的大小信息而進(jìn)行。

此外，可以包括如下步驟：提取位于所述搜尋區(qū)域內(nèi)的凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，并將所述提取到的平均光強(qiáng)值和預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值進(jìn)行比較，從而判斷助焊劑針對(duì)倒裝芯片的凸點(diǎn)的涂覆狀態(tài)的良好或不良。

在此，如果所述預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值大于所述搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則可以判斷為助焊劑針對(duì)所述倒裝芯片的凸點(diǎn)的涂覆狀態(tài)良好；如果所述預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值小于所述搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則可以判斷為助焊劑針對(duì)所述倒裝芯片的凸點(diǎn)的涂覆狀態(tài)不良。

另外，在所述搜尋區(qū)域的設(shè)定是根據(jù)所述凸點(diǎn)的位置經(jīng)校正的信息和吸附所述倒裝芯片的吸嘴的大小信息而進(jìn)行再設(shè)定。

此外，優(yōu)選地，在提取位于所述搜尋區(qū)域內(nèi)的凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值的步驟之前輸入所述預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)光強(qiáng)值。

此外，所述特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍可以是400nm～500nm區(qū)域的波長(zhǎng)范圍，而且可以通過在所述照明光所透過的位置布置偏光膜，從而使具有所述特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光照射。

本發(fā)明的其他具體事項(xiàng)包含在詳細(xì)的說明及附圖中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，本發(fā)明可以提供如下的效果：向涂覆有助焊劑的倒裝芯片的凸點(diǎn)照射具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光，據(jù)此能夠根據(jù)對(duì)從涂覆有助焊劑的凸點(diǎn)和未涂覆有助焊劑的凸點(diǎn)反射的光的光強(qiáng)之差進(jìn)行比較和判斷，更為容易地檢查助焊劑的涂覆與否。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，本發(fā)明還可以提供如下的效果：利用浸漬有助焊劑的倒裝芯片的位置校正結(jié)果和吸嘴的大小信息而重新設(shè)定用于判斷助焊劑涂覆狀態(tài)的搜尋區(qū)域，能夠預(yù)防出現(xiàn)助焊劑的涂覆狀態(tài)檢查結(jié)果根據(jù)凸點(diǎn)的大小或吸嘴的大小及形態(tài)而表現(xiàn)為不同的情況，從而可以更準(zhǔn)確地進(jìn)行助焊劑的涂覆狀態(tài)的檢查。

根據(jù)本發(fā)明的效果并不局限于如上所述的內(nèi)容，更為多樣的效果將包含在本說明書內(nèi)。

附圖說明

圖1是按順序示出包含用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法的表面貼裝工藝的圖。

圖2是按順序示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法的順序圖。

圖3是按順序示出對(duì)倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)進(jìn)行檢查而判斷涂覆狀態(tài)的方法的順序圖。

圖4是概略性地示出在吸嘴吸附倒裝芯片的狀態(tài)下執(zhí)行助熔工藝的關(guān)系的構(gòu)成圖。

圖5a以及圖5b是概略性地示出圖4中的位于吸嘴面積內(nèi)部的凸點(diǎn)和位于吸嘴面積外部的凸點(diǎn)的基于助熔的形狀。

圖6是為了確認(rèn)助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的光的波長(zhǎng)范圍區(qū)域而通過圖表示出助焊劑的吸收光譜測(cè)量結(jié)果的圖。

圖7以及圖8是示出基于根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法的判斷結(jié)果的圖。

符號(hào)說明

110：吸嘴 116：倒裝芯片

118：凸點(diǎn)

具體實(shí)施方式

如果參照根據(jù)附圖而詳細(xì)地說明的實(shí)施例，本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)及特征以及達(dá)成這些的方法會(huì)變得更加明確。然而本發(fā)明并不局限于以下公開的實(shí)施例，可由互不相同的多種形態(tài)來實(shí)現(xiàn)，只是，提供本實(shí)施例的目的在于完整地公開本發(fā)明，且使本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有通常的知識(shí)的技術(shù)人員完整地認(rèn)識(shí)本發(fā)明的范疇，而且本發(fā)明僅由權(quán)利要求書中所記載的范疇來定義。整個(gè)說明書中，相同的參照符號(hào)指稱相同的構(gòu)成要素。

另外，參考作為本發(fā)明的理想的示例圖的剖視圖及/或者概略圖而對(duì)本說明書中記述的實(shí)施例進(jìn)行說明。因此，示例圖的形態(tài)可能根據(jù)制造技術(shù)及/或者允許誤差等而變形。另外，本發(fā)明所表示的各個(gè)附圖中，考慮到說明的方便性，各個(gè)構(gòu)成要素可能被多多少少放大或縮小而表示。在整個(gè)說明書中，相同的參照符號(hào)指稱相同的構(gòu)成要素。

在下文中，參照附圖對(duì)關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。

圖1是按順序示出包含用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法的表面貼裝工藝的圖。

如圖所示，表面貼裝工藝包括如下的工序：借助包含吸嘴的頭來拾取(Pick-up)安置于裸片(die)穿梭板的倒裝芯片工序；以及助熔工藝，用于在被拾取的倒裝芯片的凸點(diǎn)表面涂覆助焊劑(flux)。

如果通過助熔工序而助焊劑被涂覆到倒裝芯片的凸點(diǎn)表面，則在進(jìn)行倒裝芯片的位置校正之后，倒裝芯片被結(jié)合于基板，從而實(shí)現(xiàn)貼裝。

此時(shí)，涂覆于倒裝芯片的凸點(diǎn)表面的助焊劑執(zhí)行使倒裝芯片接合于基板的功能。

因此，如果助焊劑未能通過助熔工序而正常地涂覆在倒裝芯片的凸點(diǎn)，則倒裝芯片無法接合在基板上，最終會(huì)生產(chǎn)出不良電子部件。

為解決如上所述的生產(chǎn)不良電子部件的問題，本發(fā)明提出一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法。

圖2是按順序示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法的順序圖；圖3是按順序示出對(duì)倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)進(jìn)行檢查而判斷涂覆狀態(tài)的方法的順序圖。

首先，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法包括如下的步驟：從裸片穿梭板拾取一面形成有多個(gè)凸點(diǎn)的倒裝芯片(S10)；通過對(duì)被拾取的倒裝芯片的凸點(diǎn)浸漬(Deeping)助焊劑，從而使助焊劑涂覆在凸點(diǎn)表面(S20)。

此外，還包括如下的步驟：在照明部向涂覆有助焊劑的凸點(diǎn)照射第一照明光的狀態(tài)下，利用相機(jī)拍攝凸點(diǎn)的位置(S30)；通過上述的拍攝步驟識(shí)別凸點(diǎn)(S40)。

在拍攝凸點(diǎn)的圖像而識(shí)別凸點(diǎn)時(shí)，可以包括如下的步驟：如果未能正常地識(shí)別，則發(fā)生錯(cuò)誤(S50)；如果成功識(shí)別凸點(diǎn)，則使倒裝芯片對(duì)齊到預(yù)設(shè)的位置，從而完成位置的校正(S60)。

此外，在完成倒裝芯片(即，凸點(diǎn))的位置校正之后，所述照明部向凸點(diǎn)照射具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的第二照明光，在此狀態(tài)下，可以包括如下的步驟：相機(jī)拍攝第二照明光從凸點(diǎn)反射的反射光(S70)；通過被拍攝的反射光的光強(qiáng)之差來檢查針對(duì)凸點(diǎn)的助焊劑的涂覆狀態(tài)(S80)。

在此，借助照明部照射的第一照明光可以是為了識(shí)別倒裝芯片的凸點(diǎn)而在相機(jī)拍攝時(shí)用于提高周圍的亮度的光；第二照明光可以是具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光。在下文中，將會(huì)對(duì)第二照明光進(jìn)行詳細(xì)的說明。

通過拍攝這樣的第二照明光的反射光而獲取的視頻或圖像可以借助未圖示的視覺確認(rèn)(vision)部而被讀取，從而能夠檢查助焊劑的涂覆狀態(tài)，在此參照?qǐng)D3對(duì)其具體的檢查方法進(jìn)行說明則如下。

如果具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的第二照明光借助照明部照射到倒裝芯片的凸點(diǎn)，并在該狀態(tài)下相機(jī)拍攝到從凸點(diǎn)反射的第二照明光的反射光，則可以獲取拍攝的視頻或圖像(S810)。

之后，執(zhí)行如下的步驟：設(shè)定用于基于所獲取的視頻或圖像來檢查助焊劑的涂覆狀態(tài)的搜尋區(qū)域(S820)。

圖4是概略性地示出在吸嘴吸附倒裝芯片的狀態(tài)下執(zhí)行助熔工序的關(guān)系的構(gòu)成圖，可以看出吸嘴110的截面面積相對(duì)小于倒裝芯片116的整體的截面面積。

因此，如果在吸嘴110吸附倒裝芯片116的狀態(tài)下接觸到助焊劑盤，則位于吸嘴面積內(nèi)的凸點(diǎn)由于針對(duì)助焊劑盤的壓接，如圖5a所示，凸點(diǎn)的前端將會(huì)變形為扁平(flat)的形狀120，而位于吸嘴110面積外的凸點(diǎn)118不形成針對(duì)助焊劑盤的壓接，因此，如圖5b所示，凸點(diǎn)可以保持原形(即，球形)。

即，位于吸嘴110面積內(nèi)的凸點(diǎn)可以正常地實(shí)現(xiàn)助焊劑的涂覆，相反，位于吸嘴110的面積以外的凸點(diǎn)可能無法正常地實(shí)現(xiàn)助焊劑的涂覆。

因此，在設(shè)定搜尋區(qū)域的步驟(S820)中，優(yōu)選地，輸入吸嘴110的大小信息和倒裝芯片116的位置經(jīng)校正的信息(S830)而設(shè)定搜尋區(qū)域。

例如，吸嘴110的大小并不恒定，可以采用多樣的大小的吸嘴，因此，在用于檢查凸點(diǎn)118的助焊劑涂覆狀態(tài)的工序中，針對(duì)搜尋區(qū)域的設(shè)定可以根據(jù)吸嘴110的大小信息和倒裝芯片116的位置經(jīng)校正的信息的輸入(S830)而變得不同。

如上所述，如果用于檢查針對(duì)凸點(diǎn)的助焊劑的涂覆狀態(tài)的搜尋區(qū)域被設(shè)定(S820)，則可以執(zhí)行用于輸入預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)光強(qiáng)值的步驟(S840)。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法中，將在搜尋區(qū)域設(shè)定步驟(S820)之后進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)光強(qiáng)值的輸入步驟(S840)的情況作為一例而進(jìn)行了說明，然而這僅僅是一個(gè)示例，只要是在下述的搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值提取步驟(S850)之前，則任何的步驟中皆可執(zhí)行該步驟。

另外，在進(jìn)行搜索區(qū)域設(shè)定步驟(S820)之后，可以執(zhí)行提取搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值的步驟(S850)。

如上所述的提取搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值的步驟(S850)可以通過讀取對(duì)如下的反射光進(jìn)行拍攝而得到的視頻或圖像來提取，即，所述反射光是如上所說明的那樣將第二照明光朝凸點(diǎn)照射而從凸點(diǎn)反射的反射光。

照明部的第二照明光可以從涂覆于倒裝芯片的凸點(diǎn)上的助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光源照射。

圖6是本發(fā)明的申請(qǐng)人為了確認(rèn)具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的光的波長(zhǎng)范圍區(qū)域而通過圖表示出助焊劑的吸收光譜測(cè)量結(jié)果的圖，如圖6所示，可以看出，助焊劑對(duì)光的吸收量隨著波長(zhǎng)范圍從300nm區(qū)域的波長(zhǎng)范圍逐漸變高而增加，尤其，在第一個(gè)峰值所處的420nm左右的波長(zhǎng)范圍下，所吸收的光最多。

此外，可以看出：隨著波長(zhǎng)范圍從420nm左右的波長(zhǎng)范圍逐漸變高，光的吸收量先變少，再到第二個(gè)峰值所處的465nm左右的波長(zhǎng)范圍下，所吸收的的光相對(duì)較多。

因此，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法中，可以借助具有400nm～500nm區(qū)域的波長(zhǎng)范圍的光源而照射第二照明光。

作為參考，顯然也可以利用具有除了所述區(qū)域的波長(zhǎng)范圍以外的其他波長(zhǎng)范圍的光源，并布置偏光膜等，從而照射上述區(qū)域的波長(zhǎng)范圍(400nm～500nm)的光。

如上所述，第二照明光可以通過具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)的光源而照射到倒裝芯片的凸點(diǎn)，搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)所反射的反射光的各光強(qiáng)可以提取為平均值(S850)，而且將執(zhí)行如下步驟(S860)：所提取的搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值與被預(yù)設(shè)而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值進(jìn)行比較。

此時(shí)，如果被讀取為預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值大于搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則可以判斷為助焊劑的涂覆狀態(tài)良好(S870)，相反，如果被讀取為預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值小于搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則可以判斷為助焊劑的涂覆狀態(tài)不良(S880)。

如上所述，第二照明光是具有助焊劑能夠最強(qiáng)地吸收的特定區(qū)域的波長(zhǎng)的光，因此部分光會(huì)被涂覆于倒裝芯片的凸點(diǎn)的助焊劑所吸收。

例如，假設(shè)第二照明光的光強(qiáng)為100，則隨著部分光被涂覆于倒裝芯片的凸點(diǎn)的助焊劑所吸收，從而從倒裝芯片的凸點(diǎn)反射的光的光強(qiáng)大小將會(huì)降至100以下。

相反，在倒裝芯片的凸點(diǎn)未涂覆有助焊劑的情況下，從倒裝芯片的凸點(diǎn)反射的光的大小將會(huì)保持原來的100。

因此，如果讀取為預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值大于搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則說明助焊劑被正常地涂覆在搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)，從而吸收了第二照明光中的一部分光，據(jù)此，可以判斷為助焊劑的涂覆狀態(tài)良好。

相反，如果讀取為預(yù)先設(shè)定而輸入的基準(zhǔn)光強(qiáng)值小于搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值，則說明助焊劑未正常地涂覆在搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)，從而第二照明光直接被反射，據(jù)此，可以判斷為助焊劑的涂覆狀態(tài)不良。

圖7以及圖8是示出借助根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法而通過視覺確認(rèn)部顯示的判斷結(jié)果的圖，其中，圖7是示出搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值大于預(yù)先設(shè)定而輸入的光強(qiáng)值，因此助焊劑未能正常地涂覆的情況(參考A-A’線光強(qiáng))的圖；圖8是示出搜尋區(qū)域內(nèi)的各凸點(diǎn)的平均光強(qiáng)值小于預(yù)先設(shè)定而輸入的光強(qiáng)值，因此助焊劑被正常地涂覆的情況(參考B-B’線的光強(qiáng))的圖。

如果通過如上所述的檢查方法對(duì)倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)進(jìn)行檢查結(jié)果，判斷為助焊劑涂覆狀態(tài)良好，則將倒裝芯片移送到向后續(xù)工序，相反，如果判斷為涂覆狀態(tài)不良，則重新執(zhí)行針對(duì)倒裝芯片的助熔工序，據(jù)此能夠消除出現(xiàn)不良電子部件被多量生產(chǎn)的問題。

另外，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法中，根據(jù)倒裝芯片的校正后的位置和吸嘴的大小信息來重新設(shè)定搜尋區(qū)域，從而用于檢查助焊劑的針對(duì)倒裝芯片的凸點(diǎn)的涂覆狀態(tài)的搜尋區(qū)域可以根據(jù)多樣的大小的吸嘴而改變，因此能夠更為準(zhǔn)確地檢查助焊劑的涂覆狀態(tài)。

在本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有基本知識(shí)的人皆可理解本發(fā)明在不改變其技術(shù)思想或必需的特征的情況下可實(shí)施為其他具體的形態(tài)。因此要理解上述的實(shí)施例在所有的方面上都是示例性的，而不是局限性的。本發(fā)明的范圍根據(jù)權(quán)利要求書而表現(xiàn)，而不是上述詳細(xì)的說明，而且從權(quán)利要求書中的意思及范圍還有其等同的概念導(dǎo)出的所有變更或變形的形態(tài)均應(yīng)解釋為包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。