芯片100優(yōu)選地具有與上側(cè)101相鄰的藍(lán)寶石襯底以及外延地生長到藍(lán)寶石襯底上的外延層，該外延層被朝向下側(cè)102定向并且包括光生成有源層。
[0025]第一電接觸110和第二電接觸120被布置在芯片100的下側(cè)102上。第一電接觸110和第二電接觸120是芯片100的內(nèi)部互連的外部可接入電接觸。當(dāng)電壓被施加在第一電接觸110與第二電接觸120之間時(shí)，芯片100發(fā)射電磁輻射，例如可見光。芯片100在所有空間方向上發(fā)射電磁輻射。然而，在芯片100的下側(cè)102的方向上所發(fā)射的輻射被布置在下側(cè)102上的電接觸110、120在芯片100的上側(cè)101的方向上至少部分地反射。
[0026]光電半導(dǎo)體組件10的芯片100嵌入在模具主體200中。模具主體200具有上側(cè)201和下側(cè)202。芯片100的下側(cè)102未被模具主體200覆蓋。芯片100的下側(cè)102因此截止為近似與模具主體200的下側(cè)202齊平。芯片100的所有其它表面優(yōu)選地被模具主體200覆蓋。
[0027]模具主體200由對于芯片100所發(fā)射的輻射基本上透明的材料構(gòu)成。例如，模具主體200可以由透明注入模制材料(模具材料)構(gòu)成。模具主體200優(yōu)選地由硅酮模具材料，例如硅酮樹脂構(gòu)成。
[0028]模具主體200的材料優(yōu)選地具有匹配于芯片100的熱膨脹系數(shù)的熱膨脹系數(shù)，即，模具主體200的材料的熱膨脹系數(shù)近似地對應(yīng)于芯片100的熱膨脹系數(shù)。優(yōu)選地，模具主體200具有至多8ppm/K的熱膨脹系數(shù)。這可以例如通過以微米或納米尺度的無機(jī)填充物來填充模具主體200的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，可以利用石英來填充模具主體200的材料。填充因子在此情況下優(yōu)選地大于80%。作為替換，可想見使用有機(jī)改性陶瓷(ormocer)。有利地，高填充因子同時(shí)導(dǎo)致模具主體200的高的熱傳導(dǎo)率。以此方式，模具主體200可以有效地耗散芯片100所產(chǎn)生的熱量。
[0029]模具主體200的材料更進(jìn)一步優(yōu)選地在熱效應(yīng)下對于藍(lán)光是抗老化的。
[0030]為了轉(zhuǎn)換芯片100所發(fā)射的輻射的波長而使用的轉(zhuǎn)換器顆?？梢愿M(jìn)一步地被集成到模具主體200中。轉(zhuǎn)換器顆?？梢岳绨住Ｈ绻＞咧黧w200包含這樣的轉(zhuǎn)換器顆粒，則轉(zhuǎn)換器顆粒吸收芯片100所發(fā)射的一部分輻射，并且進(jìn)而發(fā)射具有不同波長的輻射。不過在本描述的范圍中將具有這樣的轉(zhuǎn)換器顆粒的模具主體200看作或提及為是透明的。
[0031]優(yōu)選地通過注入模制或注入壓縮模制處理來從模制化合物生產(chǎn)模具主體200。有利地，頂部箔模制系統(tǒng)對于此并不是必須的，因?yàn)樾酒?00的上側(cè)101不需要被保護(hù)；相反地模具主體200被模制在其之上。以此方式，可以通過簡單并且經(jīng)濟(jì)的處理來生產(chǎn)模具主體 200。
[0032]光電半導(dǎo)體組件10中的模具主體200的上側(cè)201被形成為平面的，并且平行于下側(cè)202。然而，還將可以形成為除了平面之外的模具主體200的上側(cè)201。例如，模具主體200的上側(cè)201可以具有凸透鏡形狀，以便影響由芯片100發(fā)射的輻射的空間分布。如果模具主體200具有集成的轉(zhuǎn)換器顆粒，則通過對模具主體200的上側(cè)201進(jìn)行成形從而色彩軌跡控制也是可能的。模具主體200的上側(cè)201的成形可以是已經(jīng)在通過合適的模制工具生產(chǎn)模具主體200期間執(zhí)行的，或其可以由模具主體200的上側(cè)201的后續(xù)處理得到。可以例如通過激光切割或選擇性研磨來執(zhí)行模具主體200的上側(cè)201的后續(xù)處理。
[0033]反射層300被布置在模具主體200的下側(cè)202上。反射層300可以例如是金屬層，例如銀層。反射層300被用于在模具主體200的上側(cè)201的方向上反射芯片100在模具主體200的下側(cè)202的方向上所發(fā)射的輻射。以此方式，當(dāng)光電半導(dǎo)體組件10被布置在載體上時(shí)，在模具主體200的下側(cè)202的方向上發(fā)射的輻射不損失。因此，光電半導(dǎo)體組件10的有效光通量增加。
[0034]第一介電層310被布置在反射層300上。反射層300因此位于模具主體200與第一介電層310之間。第一介電層310可以由有機(jī)或無機(jī)材料構(gòu)成。例如，第一介電層310可以由二氧化硅構(gòu)成，并且具有0.5μπι的厚度。
[0035]在芯片100的下側(cè)102的區(qū)域中，反射層300和第一介電層310具有孔。芯片100的下側(cè)102因此不被反射層300和第一介電層310覆蓋。
[0036]電鍍層400被布置在模具主體200的下側(cè)202和芯片100的下側(cè)102上。電鍍層400由導(dǎo)電材料(例如銅)構(gòu)成，并且優(yōu)選地已經(jīng)通過電沉積而被施加。電鍍層400可以例如具有100 μm的厚度。電鍍層400通過第一介電層310與反射層300電絕緣。
[0037]電鍍層400包括第一電焊接接觸410和第二電焊接接觸420。第一電焊接接觸410和第二電焊接接觸420彼此電絕緣。第一電焊接接觸410在芯片100的下側(cè)102上與第一電接觸110導(dǎo)電連接。第二電焊接接觸420在芯片100的下側(cè)102上與第二電接觸120導(dǎo)電連接。
[0038]電焊接接觸410、420可以被用于借助于回流焊接方法進(jìn)行光電半導(dǎo)體組件10的電接觸。光電半導(dǎo)體組件10因此是SMD兼容組件。
[0039]同時(shí)，電焊接接觸410、420被用于耗散來自光電半導(dǎo)體組件10的熱量。芯片100所產(chǎn)生的廢棄熱量在此情況下通過光電半導(dǎo)體組件10的電接觸110、120和電焊接接觸410、420流出芯片。芯片100所產(chǎn)生的較小部分的廢棄熱量也通過模具主體200、反射層300和第一介電層310流走。
[0040]圖3示出根據(jù)第二實(shí)施例的通過光電半導(dǎo)體組件20的截面的高度示意化的表示。圖4示出通過光電半導(dǎo)體組件20的平面圖或部分透視圖。圖4中示出在圖3的表示中在其上對光電半導(dǎo)體組件20取截面的截面邊沿。光電半導(dǎo)體組件20具有與圖1和圖2的光電半導(dǎo)體組件的對應(yīng)性。相同的并且具有相同效果的各部分因此被提供有相同標(biāo)號，并且將不再次詳細(xì)描述。
[0041]代替光電半導(dǎo)體組件10的芯片100，光電半導(dǎo)體組件20具有芯片1100。芯片1100類似地形成為藍(lán)寶石倒裝芯片，但其不具有集成的互連。芯片1100也是體發(fā)射器，其在所有空間方向上從芯片1100的所有區(qū)域發(fā)射電磁輻射。芯片1100具有上側(cè)1101以及與上側(cè)1101相對的下側(cè)1102。芯片1100的厚度可以與芯片100的厚度對應(yīng)。
[0042]多個(gè)第一極性的電接觸1110和多個(gè)第二極性的電接觸1120被布置在芯片1100的下側(cè)1102上。電接觸1110、1120被分別以常規(guī)布置分布在芯片1100的整個(gè)下側(cè)1102上。當(dāng)電壓被施加在第一極性的電接觸1110與第二極性的電接觸1120之間時(shí)，芯片1110發(fā)射電磁福射，例如可見光。
[0043]光電半導(dǎo)體組件20的芯片1100被嵌入在模具主體1200中。模具主體1200具有上側(cè)1201和下側(cè)1202。芯片1100的下側(cè)1102不被模具主體1200覆蓋，并且優(yōu)選地截止為近似與模具主體1200的下側(cè)1202齊平。芯片1100的所有其余表面優(yōu)選地被模具主體1200覆蓋。
[0044]模具主體1200由與光電半導(dǎo)體組件10的模具主體200相同的材料構(gòu)成，并且其具有相同功能。特別是，用于轉(zhuǎn)換由芯片1100發(fā)射的輻射的轉(zhuǎn)換器顆粒也可以被集成到模具主體1200中。也可以以與生產(chǎn)模具主體200相似的方式來執(zhí)行模具主體1200的生產(chǎn)。
[0045]模具主體1200的一個(gè)的上側(cè)1201具有凸起部，其被布置在芯片1100的上側(cè)1101之上并且形成光電半導(dǎo)體組件20的主要光器件。由芯片1100發(fā)射的輻射的角分布受模具主體1200的凸起上側(cè)1201影響。模具主體1200的上側(cè)1201的凸起部可以已經(jīng)通過合適的模制工具在模具主體1200的注入模制期間被生產(chǎn)，或者其可以通過模具主體1200的上側(cè)1201的后續(xù)處理來生產(chǎn)。在光電半導(dǎo)體組件20的簡化實(shí)施例中，模具主體1200的上側(cè)1201也可以被形成而成為平面的。
[0046]具有上側(cè)601和下側(cè)602的光學(xué)透鏡600