一種發(fā)光均勻的倒裝led芯片版圖布局結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在倒裝LED芯片生產(chǎn)中，設(shè)計(jì)優(yōu)良的芯片版圖是很重要的，其直接決定做出芯片的電性、出光的好壞，直接影響LED芯片的質(zhì)量。
[0003]目前，有的版圖布局結(jié)構(gòu)不佳，使得做出的LED芯片，其電流擴(kuò)展差，電性差，發(fā)光不均勻，亮度低，光效差，可靠性差，壽命低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，電流擴(kuò)展好，分布均勻，電性較好，發(fā)光均勻。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，包括P電極焊點(diǎn)、N電極焊點(diǎn)、N電極電流擴(kuò)展電極、P電極電流擴(kuò)展電極、LED芯片發(fā)光區(qū)；芯片為長方形，所述N電極電流擴(kuò)展電極設(shè)置在芯片的橫向中心位置;所述P電極電流擴(kuò)展電極為2個(gè)，上下對(duì)稱地設(shè)置于N電極電流擴(kuò)展電極的兩側(cè);所述P電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片左側(cè);所述N電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片右側(cè)。
[0007]所述芯片的長方形的長度為660微米，寬度為228微米。
[0008]有益效果:本實(shí)用新型解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，本實(shí)用新型的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)做出的LED芯片，電流擴(kuò)展好，分布均勻，電性較好，發(fā)光均勻，亮度高，可靠性好，壽命長。
【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0010]圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]其中:1、芯片;2、P電極焊點(diǎn)；3、N電極焊點(diǎn);4、N電極電流擴(kuò)展電極;5、P電極電流擴(kuò)展電極;6、LED芯片發(fā)光區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易被本領(lǐng)域人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例包括:
[0014]—種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，包括P電極焊點(diǎn)2、N電極焊點(diǎn)3、N電極電流擴(kuò)展電極4、P電極電流擴(kuò)展電極5、LED芯片發(fā)光區(qū)6;芯片I為長方形，所述N電極電流擴(kuò)展電極4設(shè)置在芯片I的橫向中心位置;所述P電極電流擴(kuò)展電極5為2個(gè)，上下對(duì)稱地設(shè)置于N電極電流擴(kuò)展電極4的兩側(cè);所述P電極焊點(diǎn)2設(shè)置在芯片I左側(cè);所述N電極焊點(diǎn)3設(shè)置在芯片I右側(cè)。
[0015]所述芯片I的長方形的長度為660微米，寬度為228微米。
[0016]應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括P電極焊點(diǎn)、N電極焊點(diǎn)、N電極電流擴(kuò)展電極、P電極電流擴(kuò)展電極、LED芯片發(fā)光區(qū)；芯片為長方形，所述N電極電流擴(kuò)展電極設(shè)置在芯片的橫向中心位置;所述P電極電流擴(kuò)展電極為2個(gè)，上下對(duì)稱地設(shè)置于N電極電流擴(kuò)展電極的兩側(cè);所述P電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片左側(cè);所述N電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片右側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片的長方形的長度為660微米，寬度為228微米。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光均勻的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)，包括P電極焊點(diǎn)、N電極焊點(diǎn)、N電極電流擴(kuò)展電極、P電極電流擴(kuò)展電極、LED芯片發(fā)光區(qū)；芯片為長方形，所述N電極電流擴(kuò)展電極設(shè)置在芯片的橫向中心位置；所述P電極電流擴(kuò)展電極為2個(gè)，上下對(duì)稱地設(shè)置于N電極電流擴(kuò)展電極的兩側(cè)；所述P電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片左側(cè)；所述N電極焊點(diǎn)設(shè)置在芯片右側(cè)。本實(shí)用新型的倒裝LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)做出的LED芯片，電流擴(kuò)展好，分布均勻，電性較好，發(fā)光均勻，亮度高，可靠性好，壽命長。
【IPC分類】H01L33/38
【公開號(hào)】CN205177871
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520984327
【發(fā)明人】張振, 潘文明
【申請(qǐng)人】江蘇晶瑞半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月2日