一種倒裝led芯片光電性能測試裝置的制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及倒裝LED芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展，LED路燈、LED閃光燈、LED強(qiáng)光手電筒、LED汽車大燈等產(chǎn)品開始進(jìn)入普通人的生活，但由于傳統(tǒng)正裝LED芯片受限于較小的功率、電流分布不夠均勻和散熱性能較差的原因，各大LED芯片企業(yè)將研發(fā)方向轉(zhuǎn)向可以承受較高功率且散熱能力較好的倒裝LED芯片。
[0003]在倒裝LED芯片制造過程中，光電性能測試是判斷芯片質(zhì)量好壞的關(guān)鍵步驟，由于倒裝LED芯片發(fā)光面與金屬電極分布在PN結(jié)的兩側(cè)；因此，傳統(tǒng)倒裝LED芯片測試機(jī)的積分球和探針都安裝在晶圓載臺(tái)的兩側(cè)，復(fù)雜的機(jī)械結(jié)構(gòu)使測試機(jī)的成本增高，直接導(dǎo)致倒裝LED芯片成本增加。因此，需要開發(fā)出效率更高、成本更低的倒裝LED芯片光電性能測試機(jī)。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有倒裝LED芯片測試機(jī)成本較高的問題，提供一種利用正裝LED芯片測試機(jī)改造而成的倒裝LED芯片光電性能測試裝置，以滿足市場對(duì)低成本倒裝LED芯片測試機(jī)的需求。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，包括固定載臺(tái)、反射鏡、真空槽、兩個(gè)探針和積分球，所述積分球和探針位于固定載臺(tái)上方的倒裝LED芯片的晶圓同側(cè)；所述反射鏡安裝于固定載臺(tái)中部且兩者的上表面平齊設(shè)置，所述真空槽設(shè)置于反射鏡外圍的固定載臺(tái)側(cè)面的雙邊緣上；所述反射鏡和固定載臺(tái)的上表面鋪設(shè)有用于承載倒裝LED芯片的藍(lán)膜，藍(lán)膜通過真空槽抽真空后直接固定于反射鏡和固定載臺(tái)的上表面；同時(shí)通過固定載臺(tái)邊緣的真空槽固定藍(lán)膜還可以達(dá)到不影響光學(xué)參數(shù)測量的效果；所述固定載臺(tái)兩側(cè)還分別設(shè)有用于固定兩個(gè)探針的探針座，所述積分球的收光口朝下正對(duì)于待測的倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片發(fā)光面朝下放置在藍(lán)膜上。
[0007]優(yōu)選地，所述反射鏡由圓形透明材料鍍高反射率材料制成，反射鏡的反射率高于90%。
[0008]優(yōu)選地，所述透明材料為石英玻璃。
[0009]優(yōu)選地，所述高反射率材料為鋁或銀。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0011]本實(shí)用新型通過對(duì)現(xiàn)有正裝LED芯片測試設(shè)備改進(jìn)，利用探針接觸倒裝LED芯片電極并施加相應(yīng)的測試電流或者電壓，倒裝LED芯片在被施加工作電流的情況下發(fā)光，光線向下穿過承載芯片的藍(lán)膜，再利用反射鏡將光線向上反射，再次經(jīng)過藍(lán)膜進(jìn)入倒裝LED芯片上方的積分球，最終測量到倒裝LED芯片的光電參數(shù)，采用該裝置可以簡潔高效的測量倒裝LED芯片的光學(xué)參數(shù)和電學(xué)參數(shù)，降低倒裝LED芯片測試設(shè)備的制造成本，降低了正裝LED芯片向倒裝LED芯片轉(zhuǎn)產(chǎn)時(shí)的設(shè)備投入成本，有效地簡化了倒裝LED芯片測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
【【附圖說明】】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖中:1.積分球，2.積分球收光口，3.探針，4.光線，5.倒裝LED芯片，6.藍(lán)膜，
7.探針座，8.反射鏡，9.固定載臺(tái)，10.真空槽。
【【具體實(shí)施方式】】
[0014]—種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，如圖1所示，包括固定載臺(tái)9、反射鏡8、真空槽10、兩個(gè)探針3和積分球1，所述積分球1和探針3位于固定載臺(tái)上方的倒裝LED芯片5的晶圓同側(cè)；反射鏡8安裝于固定載臺(tái)9中部且兩者的上表面平齊設(shè)置，真空槽10設(shè)置于反射鏡8外圍的固定載臺(tái)9側(cè)面的雙邊緣上；反射鏡8和固定載臺(tái)9的上表面鋪設(shè)有用于承載倒裝LED芯片的藍(lán)膜6，藍(lán)膜6通過真空槽10抽真空后直接固定于反射鏡8和固定載臺(tái)9的上表面；固定載臺(tái)9兩側(cè)還分別設(shè)有用于固定兩個(gè)探針3的探針座7，所述積分球1的收光口 2朝下正對(duì)于待測的倒裝LED芯片5，倒裝LED芯片5發(fā)光面朝下放置在藍(lán)膜6上。
[0015]其中，反射鏡8由圓形透明材料鍍高反射率材料制成，透明材料為石英玻璃，高反射率材料為鋁或銀，反射鏡8的反射率高于90%。另外，通過固定載臺(tái)9邊緣的真空槽10固定藍(lán)膜6還可以達(dá)到不影響光學(xué)參數(shù)測量的效果。
[0016]測試過程中，兩個(gè)探針3與待測倒裝LED芯片5的電極連通，倒裝LED芯片5在接受到電流的情況下發(fā)光，光線4先向下穿過藍(lán)膜6投射至反光鏡8上，反射鏡將90%以上的光線向上反射回去，再向上穿過藍(lán)膜6和倒裝LED芯片5間隙進(jìn)入積分球1的收光口 2，光線4在積分球內(nèi)部經(jīng)過漫反射并通過光譜儀計(jì)算得到光學(xué)參數(shù)，倒裝LED芯片5的電學(xué)參數(shù)由測量電源經(jīng)過探針3測得。
[0017]以上所述實(shí)施例只是為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非以此限制本實(shí)用新型的實(shí)施范圍，嵌槽形狀除了具體實(shí)施例中列舉的情況外；凡依本實(shí)用新型之形狀、構(gòu)造及原理所作的等效變化，均應(yīng)涵蓋于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，包括固定載臺(tái)(9)、反射鏡(8)、真空槽(10)、兩個(gè)探針(3)和積分球(1)，其特征在于: 所述積分球(1)和探針(3)位于固定載臺(tái)上方的倒裝LED芯片(5)的晶圓同側(cè)； 所述反射鏡(8)安裝于固定載臺(tái)(9)中部且兩者的上表面平齊設(shè)置，所述真空槽(10)設(shè)置于反射鏡(8)外圍的固定載臺(tái)(9)側(cè)面的雙邊緣上； 所述反射鏡(8)和固定載臺(tái)(9)的上表面鋪設(shè)有用于承載倒裝LED芯片(5)的藍(lán)膜(6)，藍(lán)膜(6)通過真空槽(10)抽真空后直接固定于反射鏡(8)和固定載臺(tái)(9)的上表面； 所述固定載臺(tái)(9)兩側(cè)還分別設(shè)有用于固定兩個(gè)探針(3)的探針座(7)，所述積分球(1)的收光口(2)朝下正對(duì)于待測的倒裝LED芯片(5)，所述倒裝LED芯片(5)發(fā)光面朝下放置在藍(lán)膜(6)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，其特征在于，所述反射鏡(8)由圓形透明材料鍍高反射率材料制成，反射鏡(8)的反射率高于90%。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，其特征在于，所述透明材料為石英玻璃。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，其特征在于，所述高反射率材料為鋁或銀。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種倒裝LED芯片光電性能測試裝置，包括固定載臺(tái)、反射鏡、真空槽、兩個(gè)探針和積分球；所述積分球和探針位于固定載臺(tái)上方的倒裝LED芯片的晶圓同側(cè)；所述反射鏡安裝于固定載臺(tái)中部且兩者的上表面平齊設(shè)置，所述真空槽設(shè)置于反射鏡外圍的固定載臺(tái)側(cè)面的雙邊緣上；所述反射鏡和固定載臺(tái)的上表面鋪設(shè)有用于承載倒裝LED芯片的藍(lán)膜，藍(lán)膜通過真空槽抽真空后直接固定于反射鏡和固定載臺(tái)的上表面；所述固定載臺(tái)兩側(cè)還分別設(shè)有用于固定兩個(gè)探針的探針座，所述積分球的收光口朝下正對(duì)于待測的倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片發(fā)光面朝下放置在藍(lán)膜上。
【IPC分類】G01R31/26
【公開號(hào)】CN205103368
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520663476
【發(fā)明人】李龍, 張文杰
【申請(qǐng)人】大連德豪光電科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年8月28日