技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：準(zhǔn)備在SiC支承襯底上配設(shè)了與上述SiC支承襯底相比雜質(zhì)濃度為1萬(wàn)分之1以下、并且厚度為50μm以上的SiC外延生長(zhǎng)層的SiC外延襯底的工序(a)；選擇性地將雜質(zhì)離子注入上述SiC外延襯底的第1主面而形成構(gòu)成半導(dǎo)體元件的雜質(zhì)區(qū)域的工序(b)；將規(guī)定的離子注入上述SiC外延襯底的第2主面而形成控制上述SiC外延襯底的翹曲的離子注入?yún)^(qū)域的工序(c)；和在上述工序(b)及工序(c)之后將上述SiC外延襯底加熱的工序(d)。

技術(shù)研發(fā)人員：濱田憲治;三浦成久;中西洋介
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201580038164
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.10
技術(shù)公布日：2017.03.22