技術(shù)編號：12142654
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別地涉及穩(wěn)定地制造碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法。背景技術(shù)在使用碳化硅(SiC)的超高耐壓(耐壓為10kV以上)的半導(dǎo)體裝置中，為了確保耐壓，降低漂移層的雜質(zhì)濃度、且將膜厚設(shè)計得厚。作為漂移層，通常由在雜質(zhì)濃度高的SiC支承襯底上通過外延生長所形成的雜質(zhì)濃度低的SiC外延生長層來構(gòu)成。就SiC的雜質(zhì)濃度而言，在導(dǎo)電型為n型的情況下，一般通過使氮原子的摻雜濃度變化而進行控制。氮原子將SiC結(jié)晶的碳原子位置置換、能夠作為供體而發(fā)揮作用。就氮原子而言，與碳原子相比，由于原...
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