技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備：

(a)準(zhǔn)備在SiC支承襯底上配設(shè)了與所述SiC支承襯底相比雜質(zhì)濃度為1萬(wàn)分之1以下、并且厚度為50μm以上的SiC外延生長(zhǎng)層的SiC外延襯底的工序；

(b)選擇性地將雜質(zhì)離子注入所述SiC外延襯底的第1主面而形成構(gòu)成半導(dǎo)體元件的雜質(zhì)區(qū)域的工序；

(c)將規(guī)定的離子注入所述SiC外延襯底的第2主面而形成控制所述SiC外延襯底的翹曲的離子注入?yún)^(qū)域的工序；和

(d)在所述工序(b)及工序(c)之后將所述SiC外延襯底加熱的工序。

2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在所述工序(a)與工序(b)之間還具備將所述SiC外延襯底的所述SiC支承襯底除去的工序，

將所述SiC外延生長(zhǎng)層的一個(gè)主面作為所述SiC外延襯底的所述第1主面，

將所述SiC外延生長(zhǎng)層的另一主面作為所述SiC外延襯底的所述第2主面。

3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還具備從所述第2主面?zhèn)葘⑺鯯iC外延襯底的所述SiC支承襯底的一部分除去的工序。

4.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(a)包含：

使所述SiC外延生長(zhǎng)層的雜質(zhì)濃度為1×10¹³cm^-3～1×10¹⁶cm^-3的范圍內(nèi)的工序。

5.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(c)包含：

將所述規(guī)定的離子以1×10¹³cm^-2～1×10¹⁶cm^-2的注入面密度進(jìn)行離子注入的工序。

6.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(c)包含：

將所述規(guī)定的離子相對(duì)于所述SiC外延襯底的所述第2主面進(jìn)行離子注入以使得俯視形狀成為幾何學(xué)形狀的工序。

7.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(c)包含：

從碳、硅、氫、氦、氬、鋁、硼、磷、氮、鎳、鍺中選擇所述規(guī)定的離子的工序。

8.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(c)包含：

使所述離子注入?yún)^(qū)域的雜質(zhì)濃度或深度在所述SiC外延襯底的距中心的規(guī)定距離內(nèi)的內(nèi)周區(qū)域和其以外的外周區(qū)域中不同的工序。

9.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(d)包含：

將所述SiC外延襯底在1400℃～1800℃下加熱的工序。

10.權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述工序(a)包含在所述SiC支承襯底上形成了所述SiC外延生長(zhǎng)層后、在所述SiC外延生長(zhǎng)層上形成追加SiC外延生長(zhǎng)層的工序，

使所述追加SiC外延生長(zhǎng)層的露出了的主面為所述SiC外延襯底的所述第1主面。

11.一種半導(dǎo)體裝置，其為使用權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法所制造的半導(dǎo)體裝置，

所述SiC支承襯底具有將碳、硅、氫、氦、氬、鋁、硼、磷、氮、鎳、鍺的任一種原子以1×10¹³cm^-2～1×10¹⁶cm^-2的注入面密度進(jìn)行了離子注入的區(qū)域。