本技術(shù)涉及一種具有多個(gè)布線圖案層壓(在其間插入有機(jī)絕緣層)的結(jié)構(gòu)的電子裝置、一種制造這種電子裝置的方法以及一種包括這種電子裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

近年來，在電子裝置中，增加了布線圖案的數(shù)量，以提高其性能，并且電路相應(yīng)地變得復(fù)雜。尤其地，在用于有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示單元或任何其他顯示單元的顯示裝置中，其電路因大量薄膜晶體管(TFT)和布線電路以及電容區(qū)域的增大或任何其他原因而變得更復(fù)雜。

而且，在有機(jī)EL顯示單元中，期望進(jìn)一步增大顯示區(qū)域的尺寸并且具有更高的清晰度。在將顯示區(qū)域制造成具有更大尺寸時(shí)，由于歸因于布線電阻和寄生電容的負(fù)荷而導(dǎo)致發(fā)生信號(hào)延遲。進(jìn)一步，在實(shí)現(xiàn)更高的清晰度時(shí)，由于像素?cái)?shù)量的增加，所以形成布線圖案(例如，一個(gè)布線圖案)的布線層或形成用于驅(qū)動(dòng)的信號(hào)線的布線層的密度增大。這造成了短路缺陷的數(shù)量增加，導(dǎo)致制造成品率減少。

為了解決這種問題，例如，PTL 1公開了一種通過以下方式提高制造成品率的方法：通過使用激光束將線缺陷(是顯示單元的嚴(yán)重缺陷)或引起亮點(diǎn)的缺陷部分從布線圖案中分離出來以校準(zhǔn)這種缺陷或者將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)。進(jìn)一步，例如，PTL 2通過實(shí)現(xiàn)旨在形成各種布線圖案的布線層的多層配置以及通過在布線層之間形成由具有低介電常數(shù)的有機(jī)樹脂或任何其他材料制成的絕緣層以避免由多層配置造成的信號(hào)延遲，解決了布線層的密度增大。而且，PTL 2公開了一種方法，通過使用相對(duì)于有機(jī)樹脂具有透明性的激光束斷開在更低層上的布線圖案(而不破壞有機(jī)樹脂層)來斷開和修復(fù)多層布線圖案的短路部分。

【引用列表】

【專利文獻(xiàn)】

【PTL 1】日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開號(hào)2004-342457

【PTL 2】日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開號(hào)2012-54510

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，在PTL 2中提及的方法中，雖然在斷開和修復(fù)在設(shè)置在有機(jī)樹脂層的上層(在有機(jī)樹脂層上)的布線圖案中的短路部分時(shí)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的絕緣性能，但是難以實(shí)現(xiàn)設(shè)置在有機(jī)樹脂層的下層的布線圖案的預(yù)期絕緣性能。

因此，可取地提供了一種電子裝置及其制造方法以及一種電子設(shè)備，其允許實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高的制造成品率。

根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的一種電子裝置包括：多個(gè)第一布線圖案，其部分彼此電耦接并且均在第一方向延伸；有機(jī)絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)第一布線圖案上；以及第二布線圖案，其設(shè)置在所述有機(jī)絕緣層上。

根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的一種制造電子裝置的方法包括以下過程(A)到(C)：

(A)形成多個(gè)第一布線圖案，其部分彼此電耦接并且均在第一方向延伸；

(B)在所述多個(gè)第一布線圖案上形成有機(jī)絕緣層；并且

(C)在所述有機(jī)絕緣層上形成第二布線圖案。

根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的一種具有電子裝置的電子設(shè)備包括根據(jù)本技術(shù)的上述電子裝置。

在本技術(shù)的電子裝置及其制造方法以及電子設(shè)備中，多個(gè)第一布線圖案(有機(jī)絕緣層和第二布線圖案按照這種順序設(shè)置在其上層)設(shè)置為部分彼此電耦接并且均在第一方向延伸。這能夠執(zhí)行短路缺陷檢查，并且在已經(jīng)形成第一布線圖案的階段，斷開和修復(fù)檢測到的短路缺陷。

根據(jù)本技術(shù)的相應(yīng)實(shí)施方式的電子裝置及其制造方法以及電子設(shè)備，在與其間插入的有機(jī)絕緣層層壓的多個(gè)第一布線圖案和第二布線圖案中，設(shè)置在有機(jī)絕緣層的下層的多個(gè)第一布線圖案設(shè)置為部分彼此電耦接并且均在第一方向延伸。這能夠在第一布線圖案中檢查短路缺陷的存在或不存在，并且在已經(jīng)設(shè)置第一布線圖案的階段，斷開和修復(fù)檢測的短路缺陷。這能夠提供保證質(zhì)量和制造成品率的電子裝置以及包括這種電子裝置的電子設(shè)備。要注意的是，本技術(shù)的實(shí)施方式的效果不必限于上述效果，并且可以包括在本公開中描述的任何效果。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的電子裝置的分解透視圖；

圖2是包括作為在圖1示出的電子裝置的實(shí)例的顯示裝置的顯示單元的配置的剖視圖；

圖3是示出在圖2示出的顯示單元的總體配置的示圖；

圖4是示出在圖3示出的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)例的示圖；

圖5是示出在圖2示出的顯示單元的布線布局的實(shí)例的示圖；

圖6是示出在圖2示出的顯示單元的布線布局的另一個(gè)實(shí)例的示圖；

圖7是用于解釋電路部分的示意圖；

圖8是示出制造在圖1示出的電子裝置的方法的部分的過程順序的流程圖；

圖9是示出能夠在圖2示出的顯示單元的像素驅(qū)動(dòng)電路中斷開和修復(fù)短路部分的位置的示圖；

圖10A是示出使用上述實(shí)施方式等的像素從顯示單元的應(yīng)用實(shí)例1的正面觀看的外部外觀的透視圖；

圖10B是示出使用上述實(shí)施方式等的像素從顯示單元的應(yīng)用實(shí)例1的背面觀看的外部外觀的透視圖；

圖11是應(yīng)用實(shí)例2的外部外觀的透視圖；

圖12是應(yīng)用實(shí)例3的外部外觀的透視圖。

具體實(shí)施方式

在后文中，參考附圖，詳細(xì)描述本公開的一些實(shí)施方式。要注意的是，按照以下順序提供描述。

1、實(shí)施方式(多個(gè)下層布線圖案平行設(shè)置在具有多層布線圖案的電子裝置內(nèi)的實(shí)例)

1-1、電子裝置(顯示單元)的總體配置

1-2、制造方法

1-3、工作和效果

2、應(yīng)用實(shí)例(均具有電子裝置的電子設(shè)備的實(shí)例)

【1、實(shí)施方式】

(1-1、總體配置)

圖1示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的電子裝置(電子裝置1)的橫截面配置的透視圖。在電子裝置中，下層布線圖案2(第一布線圖案)和上層布線圖案4(第二布線圖案)利用插在其間的有機(jī)絕緣層3而層壓在一起。多個(gè)下層布線圖案2設(shè)置在襯底11上。下層布線圖案2通過這種方式設(shè)置，使得下層布線圖案2部分彼此電耦接，并且均在一個(gè)方向延伸，例如，X軸方向(第一方向)。圖2示出包括作為在圖1示出的電子裝置1的實(shí)例的顯示裝置的顯示單元(顯示單元1A)的橫截面配置。例如，顯示單元1A可以用作有機(jī)EL電視設(shè)備或任何其他設(shè)備，并且在襯底11上具有顯示區(qū)域110A，如圖3所示。在顯示區(qū)域110A內(nèi)部，多個(gè)像素(紅色像素5R、綠色像素5G以及藍(lán)色像素5B)排列在矩陣模式中。進(jìn)一步，在設(shè)置在顯示區(qū)域110A的外圍(外邊緣側(cè)或外部圓周側(cè))的外圍區(qū)域110B處，設(shè)置了作為圖像顯示的驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130(在后文中描述的外圍電路12B)。

在顯示區(qū)域110A內(nèi)部，提供像素驅(qū)動(dòng)電路140。圖4示出像素驅(qū)動(dòng)電路140的實(shí)例(紅色像素5R、綠色像素5G以及藍(lán)色像素5B的像素電路的實(shí)例)。像素驅(qū)動(dòng)電路140是設(shè)置在在后文中描述的像素電極31的下層的有源型驅(qū)動(dòng)電路。像素驅(qū)動(dòng)電路140包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1、寫入晶體管Tr2以及在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與寫入晶體管Tr2之間的電容(保持電容)Cs。進(jìn)一步，像素驅(qū)動(dòng)電路140還包括與在第一電源線(Vcc)與第二電源線(GND)之間的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1串聯(lián)耦接的發(fā)光元件10。換言之，在紅色像素5R、綠色像素5G以及藍(lán)色像素5B中的每個(gè)內(nèi)部，設(shè)置了對(duì)應(yīng)的發(fā)光元件10(紅色發(fā)光元件10R、綠色發(fā)光元件10G以及藍(lán)色發(fā)光元件10B或白色發(fā)光元件10W(未示出)中的對(duì)應(yīng)的一個(gè))。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1和寫入晶體管Tr2中的每個(gè)配置有典型的TFT，并且不特別限制其配置。即，例如，其配置可以具有反向交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)(所謂的底部柵極型)或者可以具有交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)(所謂的頂部柵極型)。

在像素驅(qū)動(dòng)電路140中，多個(gè)信號(hào)線120A設(shè)置在列方向，并且多個(gè)掃描線130A設(shè)置在行方向。在每個(gè)信號(hào)線120A與每個(gè)掃描線130A之間的交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)于紅色像素5R、綠色像素5G以及藍(lán)色像素5B中的任一個(gè)。每個(gè)信號(hào)線120A耦接至信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120，并且通過信號(hào)線120A將圖像信號(hào)從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120中提供給寫入晶體管Tr2的源電極。每個(gè)掃描線130A耦接至掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，并且通過掃描線130A將掃描信號(hào)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中依次提供給寫入晶體管Tr2的柵電極。

在顯示單元1A的顯示區(qū)域110A中，如圖2所示，半導(dǎo)體層20和顯示層30按照這種順序?qū)訅涸谝r底11上。半導(dǎo)體層20具有多層布線圖案結(jié)構(gòu)，在該多層布線圖案結(jié)構(gòu)中，除了布線圖案層25或者作為布線圖案層的任何其他層以外，布線圖案層27利用插在其間的由有機(jī)材料制成的層間絕緣薄膜26層壓在布線圖案層25上，其中，布線圖案層25包括包含柵電極21A的布線圖案層21、通道層23以及一對(duì)源-漏電極(源電極25A和漏電極25B)等。

在顯示單元1A內(nèi)的晶體管Tr1和Tr2、信號(hào)線120A、掃描線130A以及電源線(Vcc和GND)中的每個(gè)可以配置有例如包括布線圖案層21、25以及27和通道層23的任何布線圖案。圖5和圖6均是晶體管Tr1和Tr2、信號(hào)線120A、掃描線130A以及電源線(Vcc和GND)的特定布線布局的實(shí)例。在本實(shí)施方式中，例如，在圖5中的掃描線130A和Vcc可以對(duì)應(yīng)于在圖1示出的下層布線圖案2，并且在該實(shí)例中，掃描線130A和Vcc設(shè)置在布線圖案層25內(nèi)。進(jìn)一步地，信號(hào)線120A和GND可以對(duì)應(yīng)于在圖1示出的上層布線圖案4，并且在該實(shí)例中，信號(hào)線120A和GND設(shè)置在布線圖案層27內(nèi)。要注意的是，由于在后文中描述的原因，設(shè)置在有機(jī)絕緣層3上的多個(gè)上層布線圖案4還可以優(yōu)選地在一個(gè)方向延伸，例如，Y軸方向(第二方向)，與下層布線圖案2一樣。

在后文中，提供了半導(dǎo)體層20和顯示層30的描述。

(半導(dǎo)體層的配置)

在襯底11上的半導(dǎo)體層20上，設(shè)置了提供驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1、寫入晶體管Tr2以及如上所述的各種布線圖案，并且在那些晶體管Tr1和Tr2以及布線圖案上設(shè)置了平面化層28。晶體管Tr1和Tr2(在后文中稱為“薄膜晶體管20A”)中的每個(gè)可以是頂部柵極型或底部柵極型；然而，在此處提供描述，將底部柵極型薄膜晶體管20A作為例子。在薄膜晶體管20A中，從襯底11側(cè)開始按照這種順序設(shè)置柵電極21A、柵極絕緣層22、形成通道區(qū)域的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜(通道層23)、層間絕緣層24以及一對(duì)源-漏電極(源電極25A和漏電極25B)，并且在其上進(jìn)一步提供層間絕緣薄膜26和布線圖案層27。

除了玻璃襯底以外，由諸如聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚縮醛、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙基醚酮以及聚烯烴等材料制成的塑料襯底、其表面經(jīng)受絕緣處理并且由諸如鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)以及不銹鋼等材料制成的金屬箔襯底、紙襯底等也可以用作襯底11。進(jìn)一步，在這些襯底上可以設(shè)置用于提高緊密附著性能或平坦度的功能薄膜(例如，緩沖層)以及用于提高氣體阻隔性能的阻擋薄膜。而且，只要能夠使用濺射技術(shù)或任何其他方法將通道層23形成為薄膜，而不用加熱襯底11，便宜的塑料薄膜就也可用于襯底11。

柵電極21A具有將柵極電壓施加給薄膜晶體管20A的作用，以使用這種柵極電壓控制在通道層23內(nèi)部的載流子密度。柵電極21A設(shè)置在在襯底11上的選擇區(qū)域上，并且可以配置有金屬單質(zhì)或合金，例如，鉑(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鉬(Mo)、Cu、鎢(W)、Ni、Al以及鉭(Ta)?？商鎿Q地，可以通過層壓這些材料中的兩種或多種的方式，使用這些材料。

柵極絕緣層22可以設(shè)置在柵電極21A與通道層23之間，例如，厚度在50nm到1μm的范圍內(nèi)。柵極絕緣層22可以包括絕緣薄膜，該絕緣薄膜包含諸如氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化鉿(HfO)、氧化鋁(AlO)、氮化鋁(AlN)、氧化鉭(TaO)、氧化鋯、鉿硅氧氮化物、鋁氮氧化物、鉭氮氧化物以及鋯氮氧化物等材料中的一種或多種。柵極絕緣層22可以具有單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有多層結(jié)構(gòu)，例如，使用諸如SiN薄膜和SiO薄膜等兩種或多種材料。在柵極絕緣層22具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，能夠改善與通道層23的接口的特性，并且有效抑制雜質(zhì)(例如，水分)從外部空氣中進(jìn)入通道層23內(nèi)。在涂覆過程形成薄膜之后通過蝕刻，柵極絕緣層22形成預(yù)定形狀的圖案；然而，可以根據(jù)所使用的材料，使用諸如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷以及凹版印刷等印刷技術(shù)形成圖案。

通道層23設(shè)置在島狀的柵極絕緣層22內(nèi)，并且在朝向在源電極25A和漏電極25B之間的柵電極21A的位置具有通道區(qū)域。通道層23可以具有在例如5nm到100nm的范圍內(nèi)的厚度。通道層23可以配置有有機(jī)半導(dǎo)體材料，例如，迫呫噸并呫噸(PXX)衍生物。有機(jī)半導(dǎo)體材料的實(shí)例可以包括聚噻吩、將己基群引入聚噻吩內(nèi)的聚-3-己基噻吩(P3HT)、并五苯[2，3，6，7-二苯并蒽]、聚蒽、并四苯、并六苯、并七苯、二苯并戊烯、四苯并戊烯、屈、二萘嵌苯、暈苯、三萘嵌苯、卵苯、四萘嵌苯、環(huán)蒽、苯并芘、二苯并芘、三亞苯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚二乙炔、聚苯撐、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯咔唑、聚硒吩、聚碲、聚異硫茚、聚咔唑、聚苯硫醚、聚亞苯基亞乙烯基、聚苯硫醚、聚亞乙烯基硫醚、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚萘、聚芘、聚薁、以銅酞菁為代表的酞菁、部花青、半花青、聚乙烯二氧噻吩、噠嗪、萘四羧酸二酰亞胺、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT/PSS)、4,4'-聯(lián)苯二硫酚(BPDT)、4,4'-二異氰基聯(lián)苯、4,4'-二異氰基-對(duì)三聯(lián)苯、2,5'-二(5'-硫代乙?；?2'-噻吩基)噻吩、2,5'-二(5'-硫代乙酰氧基-2'-噻吩基)噻吩、4,4'-二異氰基苯基、聯(lián)苯胺(聯(lián)苯-4,4'-二胺)、TCNQ(四氰基喹啉二甲烷)、四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ絡(luò)合物、雙亞乙基四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸絡(luò)合物、BEDTTTF-碘絡(luò)合物、以TCNQ-碘絡(luò)合物為代表的電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物、聯(lián)苯-4,4'-二羧酸、24-二(4-硫代苯基乙炔基)-2-乙基苯、24-二(4-異氰基苯基乙炔基)-2-乙基苯、樹枝狀聚合物、諸如C60、C70、C76、C78以及C84等富勒烯、24-二(4-噻吩基乙炔基)-2-乙基苯、2,2"-二羥基-1,1':4'、1"-三聯(lián)苯、4,4'-聯(lián)苯二乙酸、4,4'-聯(lián)苯二酚、4,4'-聯(lián)苯二異氰酸酯、24-二乙?；健⒍一?lián)苯-4、4'-二羧酸、苯并[22-c；3,4-c'；5,6-c"]三[22]二硫酚-24,7-三硫化物、α-六噻吩、四硫并四苯、四硒并四苯、四氯化四苯、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚(N-烷基吡咯)聚(3-烷基吡咯)、聚(3,4-二烷基吡咯)、聚(2,2'-噻吩基吡咯)以及喹吖啶酮。進(jìn)一步，除了這些材料，還可以可替換地使用從包括縮合多環(huán)芳香族化合物、卟啉類衍生物、苯基亞乙烯基類共軛低聚物以及噻吩類共軛低聚物的組之中選擇的化合物。而且，可以通過混合的方式使用有機(jī)半導(dǎo)體材料和具有絕緣性能的聚合物材料。

可以使用真空沉積方法形成通道層23；然而，可以優(yōu)選地使用涂覆/印刷過程形成通道層23，該過程使用例如上述材料可以在有機(jī)溶劑內(nèi)溶解的墨水溶液。這是因?yàn)榕c真空沉積方法相比，涂覆/印刷過程允許進(jìn)一步降低成本并且更有效地提高吞吐量。涂覆/印刷過程的特定實(shí)例可以包括諸如鑄涂、旋涂(spray coating)、噴涂、噴墨印刷、凸版印刷、柔性版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷以及凹版膠印等方法。

層間絕緣層24和26旨在防止在不同層內(nèi)的布線圖案之間的短路，例如，在通道層23與源電極25A和漏電極25B中的每個(gè)之間的布線圖案，在源電極25A和漏電極25B中的每個(gè)與布線圖案27A之間等。層間絕緣層24和26中的每個(gè)的組成材料的實(shí)例可以包括具有絕緣性能的材料；然而，在布線圖案層與本實(shí)施方式一樣通過多層方式配置時(shí)，可以優(yōu)選地使用具有低介電常數(shù)的絕緣材料，以避免信號(hào)延遲。具體而言，這種材料的實(shí)例可以包括感光樹脂材料和有機(jī)絕緣材料，例如，聚酰亞胺基有機(jī)絕緣材料、聚丙烯酸酯基有機(jī)絕緣材料、環(huán)氧基有機(jī)絕緣材料、甲酚酚醛基有機(jī)絕緣材料或聚苯乙烯基有機(jī)絕緣材料、聚酰胺基有機(jī)絕緣材料以及氟基有機(jī)絕緣材料。要注意的是，用于層間絕緣層24和26中的每個(gè)的材料不限于有機(jī)絕緣材料，而是例如可以交替地使用作為上述柵極絕緣層22的材料引用的無機(jī)絕緣材料。

源電極25A和漏電極25B彼此遠(yuǎn)離地設(shè)置在通道層23上，并且與通道層23電耦接。作為源電極25A和漏電極25B中的每個(gè)的組成材料，使用諸如金屬材料、半金屬材料以及無機(jī)半導(dǎo)體材料等材料。具體而言，除了作為上述柵電極21A的材料的導(dǎo)電薄膜材料，組成材料的實(shí)例可以包括Al、金(Au)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)、氧化鉬(MoO)或這些金屬的合金。源電極25A和漏電極25B均配置有上述金屬的單質(zhì)或合金，并且這種金屬可以用于單層內(nèi)，或者兩種或多種這種材料可以通過層壓的方式使用。層壓結(jié)構(gòu)的實(shí)例可以包括Ti/Al/Ti和Mo/Al。進(jìn)一步，與源電極25A和漏電極25B中的每個(gè)的配置相似的配置也適用于布線圖案27A。

平面化層28旨在將在其上形成薄膜晶體管20A的襯底11的表面平面化。平面化層28的組成材料的實(shí)例可以包括上述包含聚酰亞胺的有機(jī)材料以及包含SiO的無機(jī)材料。

到目前為止，參照薄膜晶體管20A的組成部分描述了半導(dǎo)體層20的配置，然而，使用相似的材料和相似的過程來設(shè)置布線圖案而與其位置無關(guān)，其中，該布線圖案形成在與配置薄膜晶體管20A的各種布線圖案21A、25A、25B以及27A相同的層內(nèi)。

(顯示層的配置)

顯示層30包括發(fā)光元件10并且設(shè)置在半導(dǎo)體層20上，更具體地，形成在平面化層28上。發(fā)光元件10是發(fā)光元件，其中，用作陽極的像素電極31、電極間絕緣薄膜32(隔離壁)、包括發(fā)光層的有機(jī)層33以及用作陰極的對(duì)電極34從半導(dǎo)體層20側(cè)開始按照這種順序?qū)訅?。在?duì)電極34上，密封襯底36連接至在其間的密封層35。薄膜晶體管20A和發(fā)光元件10通過設(shè)置在平面化層28內(nèi)的耦接孔28A電耦接至像素電極31。

像素電極31還具有用作反射層的功能，并且可以優(yōu)選地提高發(fā)光效率，以具有最高可能的反射率。尤其地，在像素電極31用作陽極時(shí)，像素電極31可以優(yōu)選地配置有具有高空穴注入特征的材料。上述像素電極31的實(shí)例可以包括金屬元素的單質(zhì)或合金，例如，Al、Cr、Au、Pt、Ni、Cu、W或Ag?？梢钥扇〉卦谙袼仉姌O31的表面上層壓具有大功函數(shù)的透明電極。在本實(shí)施方式中，將像素電極31具有層壓結(jié)構(gòu)的情況作為一個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述，其中，層壓結(jié)構(gòu)是堆疊由具有反射功能的材料(例如，上述Al)構(gòu)成的層(反射電極薄膜31A)以及由透明導(dǎo)電材料(例如，ITO)構(gòu)成的層(透明電極薄膜31B)。

隔離壁32旨在確保在像素電極31與對(duì)電極34之間的絕緣性能，并且形成具有期望形狀的發(fā)光區(qū)域，并且可以由例如感光樹脂制成。隔離壁32僅僅設(shè)置在像素電極31的周圍區(qū)域，并且在像素電極31上的隔離壁32露出的區(qū)域變成發(fā)光區(qū)域。要注意的是，有機(jī)層33和對(duì)電極34也設(shè)置在隔離壁32上；然而，這僅是造成發(fā)光的發(fā)光區(qū)域。

有機(jī)層33可以具有一種配置，例如，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層從像素電極31側(cè)開始按照這種順序?qū)訅??？梢宰们樘峁┻@些層。例如，根據(jù)發(fā)光元件10R、10G以及10B的發(fā)光顏色，構(gòu)成有機(jī)層33的每層可以具有一種不同的構(gòu)造?？昭ㄗ⑷雽犹岣呖昭ㄗ⑷胄什⑶矣米鞣乐剐孤兜木彌_層。空穴傳輸層提高將空穴傳輸給發(fā)光層的效率。發(fā)光層通過應(yīng)用電場生成電子和空穴的重新組合的方式生成光。電子傳輸層提高將電子傳輸給發(fā)光層的效率。電子注入層提高電子注入效率。

對(duì)電極34可以由金屬材料的合金制成，例如，Al、鎂(Mg)、鈣(Ca)以及鈉(Na)。尤其地，優(yōu)選鎂和銀的合金(Mg-Ag合金)，這是因?yàn)槠渫ㄟ^薄膜的形式具有導(dǎo)電性和更少的吸收性。不特別限制在Mg-Ag合金中的鎂和銀的比率，然而，在薄膜厚度中鎂和銀的比率可以優(yōu)選地在20:1到1:1的范圍內(nèi)。進(jìn)一步，可替換，電極34的材料可以是鋁(Al)和鋰(Li)的合金(Al-Li合金)。

密封層35可以具有層壓結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)堆疊例如由諸如SiN、SiO或金屬氧化物等材料制成的層以及由諸如熱固性樹脂或紫外線固化樹脂等材料制成的層。在密封層35上附接密封襯底36，該密封襯底36可以具有例如光阻薄膜、濾色鏡或任何其他構(gòu)件。

(1-2、制造方法)

能夠使用下面描述的一般方法形成半導(dǎo)體層20和顯示層30。首先，用作柵電極21A的金屬薄膜使用例如濺射方法或真空沉積方法形成在襯底11的整個(gè)表面上。接下來，通過使用例如光刻和蝕刻技術(shù)將所形成的金屬薄膜模式化，形成布線圖案層21。隨后，柵極絕緣層22和通道層23作為薄膜按照這種順序形成在襯底11和柵電極21A的整個(gè)表面上。具體地，例如使用旋涂法將上述柵極絕緣薄膜材料(例如，PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液)應(yīng)用于襯底11的整個(gè)表面上，然后，使涂覆這種溶液的表面干燥。該過程形成柵極絕緣層22。隨后，在柵極絕緣層22上應(yīng)用有機(jī)半導(dǎo)體材料，例如，PXX化合物溶液。隨后，通過將所應(yīng)用的有機(jī)半導(dǎo)體材料加熱，將通道層23形成在柵極絕緣層22上。

隨后，層間絕緣層24形成在通道層23上，隨后，金屬薄膜形成在通道層23和層間絕緣層24上。具體地，例如，可以使用濺射方法，形成例如由Mo/Al/Mo構(gòu)成的層壓薄膜。隨后，通過使用例如光刻方法蝕刻，形成包括源電極25A、漏電極25B以及布線圖案25C的布線圖案層25。

接下來，層間絕緣層26形成在層間絕緣層24和布線圖案層25上，隨后，布線圖案層27使用與上述方法相似的方法形成在布線圖案層25和層間絕緣層26上。隨后，在層間絕緣層26和布線圖案層27上應(yīng)用感光樹脂，例如，聚酰亞胺。隨后，在通過曝光和顯影將平面化層28形成預(yù)定形狀的圖案并且在其內(nèi)形成耦接孔28A之后，平面化層28經(jīng)受煅燒處理。隨后，可以使用例如濺射方法將由諸如Al/ITO等材料制成的金屬薄膜形成在平面化層28上，隨后，使用例如濕法蝕刻方法，選擇性去除在預(yù)定位置的金屬薄膜，以形成針對(duì)每個(gè)發(fā)光元件10R、10G以及10B中的分離的像素電極31。

隨后，使用例如汽相淀積方法，將包括發(fā)光層的有機(jī)層33和對(duì)電極34形成為薄膜。隨后，密封層36利用設(shè)置在其間的密封層35與有機(jī)層33和對(duì)電極34附接。最后，安裝旨在與外部電路耦接的FPC，以使顯示單元1A完成。

如在圖2示出的顯示單元1A中看到的，在通過在單層內(nèi)設(shè)置多個(gè)布線圖案的這種方式中，被配置的布線圖案層處于高密度中，在布線圖案層的薄膜形成過程中的任何缺陷可能導(dǎo)致在布線圖案之間(例如，在布線圖案層25中的布線圖案25C1與布線圖案25C2之間)產(chǎn)生短路部分X(在本實(shí)例中，短路部分25X)，例如如圖7所示。短路部分25X可以促使布線圖案25C1和布線圖案25C2電短路，造成發(fā)生電路故障。因此，可取地通過包括光學(xué)檢查的短路缺陷檢查來檢查短路部分25X的存在或不存在，并且斷開和去除通過這種檢查檢測的短路部分25X，從而將電路修復(fù)成正常狀態(tài)。

如上所述，可以使用激光束斷開和去除短路部分X。然而，通常在完成包括薄膜晶體管和任何其他元件的電路的狀態(tài)下，執(zhí)行在具有多層布線結(jié)構(gòu)的電路中的短路部分X的檢測。例如，在圖2示出的顯示單元2中，在沉積包括形成在半導(dǎo)體層20內(nèi)部的薄膜晶體管20A的所有布線圖案層(像素驅(qū)動(dòng)電路140)的階段(將布線圖案層形成到布線圖案層27的區(qū)域上的階段)，檢測短路缺陷(短路部分X)的存在或不存在，并且斷開和修復(fù)檢測到的短路部分X。此時(shí)，在位于在比層間絕緣層更低的層上的布線圖案層(例如，布線圖案層25)上檢測到短路部分X時(shí)，使用例如激光在由層間絕緣層覆蓋的狀態(tài)下處理短路部分X。

因此，與上述PTL 2的情況一樣，考慮一種方法，使用有機(jī)絕緣層(有機(jī)樹脂)覆蓋布線圖案層并且使用相對(duì)于有機(jī)樹脂具有透明性的激光束僅僅斷開下層布線圖案(而不破壞有機(jī)樹脂層)；然而，其難以實(shí)現(xiàn)期望的絕緣性能。這是因?yàn)橛捎谟袡C(jī)絕緣層覆蓋斷開位置，所以未去除通過照射激光束溶解的金屬。

另一方面，在使用其波長對(duì)有機(jī)樹脂具有強(qiáng)吸收能力的激光束將下層布線層和有機(jī)絕緣層一起斷開時(shí)，使用其功率輸出等于或大于固定的功率輸出的激光束斷開短路部分X。然而，確認(rèn)在其斷開部分，可以產(chǎn)生少量泄露電流，并且可以發(fā)生顯示故障(包括細(xì)線缺陷)，或者在更糟糕的情況下，在驅(qū)動(dòng)操作期間因耐電壓不足或任何其他原因而出現(xiàn)介質(zhì)擊穿。這可能是由于在將激光束照射到斷開部分A的底部表面和側(cè)表面上時(shí)，用作有機(jī)絕緣層的構(gòu)成材料的有機(jī)樹脂引起的煙塵附著引起的。

因此，在本實(shí)施方式中，例如，將有機(jī)絕緣層3覆蓋的多個(gè)下層布線圖案2(例如，設(shè)置在在圖2示出的顯示單元1A中的布線圖案層25內(nèi)的多個(gè)布線圖案)中的每個(gè)設(shè)置成在X軸方向延伸。具體而言，如在圖5的實(shí)例中所示，將設(shè)置在布線圖案層25中的掃描線130A和Vcc設(shè)置成在單個(gè)方向(在該實(shí)例中，X軸方向)彼此平行地延伸。進(jìn)一步，掃描線130A和Vcc被配置成部分彼此電耦接。這能夠在像素電路的形成中途(例如，在形成布線圖案層25的階段)執(zhí)行短路部分X(短路部分25X)的存在或不存在的檢查(短路缺陷檢查)，并且能夠斷開和修復(fù)檢測的短路部分X(短路部分25X)。

換言之，如在圖8示出的流程圖中所示，在形成下層布線圖案2(布線圖案層25)之后(步驟S101)，執(zhí)行下層布線圖案2(布線圖案層25)的短路缺陷檢查(步驟S102)，并且在檢測到短路部分X(短路部分25X)時(shí)，執(zhí)行短路部分X(短路部分25X)的斷開和修復(fù)(步驟S103)。在短路缺陷檢查中，通過執(zhí)行例如圖像匹配(步驟S102-1)和電氣檢查(步驟S102-2)，可以檢測和定位到短路部分X(短路部分25X)。具體而言，圖像匹配執(zhí)行缺陷檢查和缺陷位置的地址提取，并且電氣檢查拾取具有短路部分X的布線圖案，以識(shí)別短路部分X的位置。隨后，使用例如激光照射或任何其他方法，執(zhí)行短路部分X的斷開和修復(fù)。隨后，形成有機(jī)絕緣層3(步驟S104)，然后，在有機(jī)絕緣層3(層間絕緣薄膜26)上形成上層布線圖案4(布線圖案層27)(步驟S105)。在形成上層布線圖案4(布線圖案層27)之后，通過與在下層布線圖案2中的短路缺陷檢查的方法相似的方法，執(zhí)行在上層布線圖案4(布線圖案層27)中的短路部分X(短路部分27X(未示出))的檢測，隨后，酌情執(zhí)行短路部分X(短路部分27X)的斷開和修復(fù)。

如上所述，在本實(shí)施方式中，能夠在每個(gè)布線圖案層(例如，布線圖案層25)內(nèi)執(zhí)行短路缺陷檢查，并且通過將設(shè)置在有機(jī)絕緣層3的下層的多個(gè)下層布線圖案2部分彼此電耦接、并且將多個(gè)下層布線圖案2設(shè)置為在單個(gè)方向平行延伸的這種方式，斷開和修復(fù)檢測的短路部分X。要注意的是，在此處，參考設(shè)置在層間絕緣薄膜26的下層的布線圖案層25提供描述；然而，這同樣適用于諸如布線圖案層21和通道層23等層。

進(jìn)一步，例如，在圖2示出的顯示單元1A中，通過在布線圖案層25與例如形成在其下層的通道層23之間進(jìn)行電耦接(例如，耦接部分Y，見圖2)，布線圖案層25的短路缺陷檢查能夠不僅檢測到存在或不存在布線圖案層25的短路缺陷，而且能夠檢測到存在或不存在諸如配置薄膜晶體管20A的通道層23或布線圖案層21(柵電極21A和任何其他部件形成在其內(nèi)的)等層的短路缺陷。

而且，通過在設(shè)置在與下層布線圖案3(不同層布線圖案)不同的層(例如，上層布線圖案4(在圖2的布線圖案層27))內(nèi)巧妙設(shè)置布線圖案的布局，能夠進(jìn)一步提高制造成品率。

具體而言，如圖1所示，可以優(yōu)選地設(shè)計(jì)一種布局(例如，見圖5和圖6)，其中，上層布線圖案4與下層布線圖案2正交。在布線圖案和插在期間的層間絕緣層層壓的位置的斷開處，可能發(fā)生層間泄露。尤其地，與本實(shí)施方式一樣，在層間絕緣層由有機(jī)樹脂構(gòu)成的情況下，層間泄露更可能如上所述在激光照射到待激光照射的表面上時(shí)由有機(jī)樹脂引起的煙塵附著造成。因此，通過設(shè)計(jì)在相同層內(nèi)的布線圖案彼此平行延伸并且在不同層內(nèi)的布線圖案彼此正交延伸的布局，將區(qū)域擴(kuò)大，這允許斷開和修復(fù)在每層內(nèi)的布線圖案中出現(xiàn)的短路部分X。

進(jìn)一步，上層布線圖案4(例如，在顯示單元1A內(nèi)的布線圖案層27)可以優(yōu)選地是共電位(共電位線)(例如，陰極)的布線圖案。結(jié)果，在上層布線圖案4(布線圖案層27)的一部分上檢測到短路部分X時(shí)，通過斷開在短路部分X周圍的布線圖案將對(duì)應(yīng)于短路部分X的像素浮動(dòng)，從而能夠防止發(fā)生線路缺陷或亮點(diǎn)。如前所述，線路缺陷或亮點(diǎn)是可以明顯損害顯示單元的視覺質(zhì)量的致命故障，并且例如，如果在信號(hào)線120A與電源線(GND)之間發(fā)生短路，則可以發(fā)生線路缺陷問題。作為修補(bǔ)這種缺陷的特定方法，可以考慮通過以下方式轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)：通過將在信號(hào)線120A與GND之間的短路部分X斷開，或者將在短路部分X前面或后面的GND斷開，以包括作為沿著短路部分X的信號(hào)線120A的一部分的這種斷開位置，從而使對(duì)應(yīng)的發(fā)光元件10置于電氣浮動(dòng)狀態(tài)中。圖9中，這些斷開位置均是O-O線(斷開位置A)、P-P線以及Q-Q線(斷開位置B)。

而且，將上層布線圖案4(布線圖案層27)配置為共電位線并且上層布線圖案4(布線圖案層27)和下層布線圖案2(布線圖案層25)彼此正交，而下層布線圖案2(布線圖案層25)以及布線圖案層21和通道層23不設(shè)置在上層布線圖案4(布線圖案層27)的斷開部分之下，通過上述布局，能夠斷開除了如上所述的O-O線、P-P線以及Q-Q線之外，還能夠斷開R-R線和S-S線等。即，區(qū)域擴(kuò)大，這允許在顯示區(qū)域110A(以及外圍區(qū)域110B)的幾乎整個(gè)區(qū)域之上斷開和修復(fù)在每層內(nèi)的布線圖案中出現(xiàn)的短路部分X，這允許進(jìn)一步提高制造成品率。

(1-3、作用和效果)

如上所述，在本實(shí)施方式中的電子裝置1(顯示單元1A)及其制造方法中，有機(jī)絕緣層3(例如，在顯示單元1A中的層間絕緣薄膜26)覆蓋的多個(gè)下層布線圖案2(例如，在顯示單元1A中的布線圖案層25)部分彼此電耦接并且在單個(gè)方向(例如，X軸方向)彼此平行地延伸。這能夠執(zhí)行短路缺陷檢查，并且在已經(jīng)形成下層布線圖案2的階段，斷開和修復(fù)檢測到的短路部分X。更具體而言，在完成包括多層布線圖案的電路之前，換言之，在完成在每層內(nèi)的布線圖案的形成的階段，能夠檢測短路部分X并且斷開和修復(fù)短路部分X。

如上所述，在本實(shí)施方式中，在層壓的布線圖案(下層布線圖案2和上層布線圖案4)(在其間插入有機(jī)絕緣層3)中，將設(shè)置在有機(jī)絕緣層3的下層的多個(gè)下層布線圖案2部分彼此電耦接并且在布局設(shè)計(jì)中在單個(gè)方向彼此平行地延伸。這能夠檢查在下層布線圖案2中短路缺陷的存在或不存在，并且在已經(jīng)設(shè)置下層布線圖案2的階段，斷開和修復(fù)檢測的短路部分X。更具體而言，這能夠執(zhí)行配置有多層布線圖案(將有機(jī)樹脂用作層間絕緣薄膜的材料)的電路的短路缺陷檢查，并且容易和可靠地為每個(gè)布線圖案層斷開和修復(fù)短路缺陷。這能夠提供保證質(zhì)量和制造成品率的電子裝置1以及包括電子裝置1的電子設(shè)備。

在后文中，提供上述實(shí)施方式的修改實(shí)例的描述。要注意的是，使用相同的附圖標(biāo)記表示與在上述實(shí)施方式中的構(gòu)件相同的任何構(gòu)件，并且省略相關(guān)描述。

(2、應(yīng)用實(shí)例)

在上述實(shí)施方式中描述的電子裝置1(例如，具有顯示裝置的顯示單元1A)可以優(yōu)選地最佳用作例如以下電子設(shè)備。

(應(yīng)用實(shí)例1)

圖10A示出從其正面觀看的應(yīng)用根據(jù)上述實(shí)施方式的顯示單元1A的平板的外部外觀，并且圖10B示出從其背面觀看的平板的外部外觀。該平板可以包括例如顯示部分610(顯示單元1A)和非顯示部分(底盤)620以及操作部分630。操作部分630可以設(shè)置在非顯示部分620的正面，如圖10A所示，或者可以設(shè)置在頂面，如圖10B所示。

(應(yīng)用實(shí)例2)

圖11示出應(yīng)用根據(jù)上述實(shí)施方式的顯示單元1A的電視設(shè)備的外部外觀。該電視設(shè)備可以具有例如包括前面板210和濾光玻璃220的圖像顯示屏部分200，并且圖像顯示屏部分200對(duì)應(yīng)于上述顯示單元。

(應(yīng)用實(shí)例3)

圖12示出應(yīng)用根據(jù)上述實(shí)施方式的顯示單元1A的膝上型個(gè)人電腦的外部外觀。該膝上型個(gè)人電腦可以具有例如主要單元410、用于輸入字符或任何其他信息的操作的鍵盤420以及用作上述顯示單元的顯示部分430。

到目前為止，參考實(shí)施方式及其應(yīng)用實(shí)例描述了本公開；然而，本公開不限于上述實(shí)施方式等，并且可以進(jìn)行各種修改。例如，在上述實(shí)施方式中描述的每層的材料和厚度、薄膜形成方法和薄膜形成要求、短路缺陷的斷開和修復(fù)等不限于此，而是可以使用任何其他材料和厚度，或者可以可替換地使用任何其他薄膜形成方法和薄膜形成要求或斷開和修復(fù)方法。要注意的是，在本說明書中描述的效果僅僅用于說明的目的，沒有限制性。進(jìn)一步，可以提供任何其他效果。

要注意的是，可以如下配置本技術(shù)。

(1)一種電子裝置，包括：

多個(gè)第一布線圖案，其部分彼此電耦接并且均在第一方向延伸；

有機(jī)絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)第一布線圖案上；以及

第二布線圖案，設(shè)置在所述有機(jī)絕緣層上。

(2)根據(jù)(1)所述的電子裝置，其中，所述多個(gè)第一布線圖案彼此平行設(shè)置。

(3)根據(jù)(1)或(2)所述的電子裝置，其中，所述第二布線圖案包括均在第二方向上延伸的多個(gè)第二布線圖案。

(4)根據(jù)(3)所述的電子裝置，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此正交。

(5)根據(jù)(1)到(4)中任一項(xiàng)所述的電子裝置，進(jìn)一步包括第三布線圖案，其設(shè)置在所述第一布線圖案的下層中并且電耦接至所述第一布線圖案。

(6)根據(jù)(1)到(5)中任一項(xiàng)所述的電子裝置，其中，所述第二布線圖案是共電位布線圖案。

(7)根據(jù)(5)到(7)中任一項(xiàng)所述的電子裝置，其中，所述第三布線圖案是柵電極和一對(duì)源極和漏電極中的一個(gè)。

(8)一種制造電子裝置的方法，所述方法包括：

形成多個(gè)第一布線圖案，其部分彼此電耦接并且均在第一方向上延伸；

在所述多個(gè)第一布線圖案上形成有機(jī)絕緣層；并且

在所述有機(jī)絕緣層上形成第二布線圖案。

(9)根據(jù)(8)所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述多個(gè)第一布線圖案之后，執(zhí)行所述第一布線圖案的短路缺陷檢查，并且斷開和修復(fù)在所述短路缺陷檢查中檢測到的短路部分。

(10)一種具有電子裝置的電子設(shè)備，所述電子裝置包括：

多個(gè)第一布線圖案，其部分彼此電耦接并且均在第一方向上延伸；

有機(jī)絕緣層，其設(shè)置在所述多個(gè)第一布線圖案上；以及

第二布線圖案，其設(shè)置在所述有機(jī)絕緣層上。

本申請(qǐng)要求基于于2014年7月17日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)No.2014-146855的優(yōu)先權(quán)，該案之全文通過引證結(jié)合于此。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他影響因素采用各種修改、組合、子組合以及變更。然而，要理解的是，這些修改、組合、子組合以及變更包含在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)。