基板輸送裝置、基板處理裝置以及基板取出方法
【專利摘要】本發(fā)明的基板輸送裝置、基板處理裝置以及基板取出方法提高生產(chǎn)能力?；遢斔脱b置具備基板輸送部、基板檢測(cè)部以及控制裝置?；遢斔筒颗c能夠收容多個(gè)基板的盒之間交接基板?；鍣z測(cè)部檢測(cè)在盒內(nèi)收容的基板?？刂蒲b置控制基板輸送部?？刂蒲b置具備計(jì)算部、驗(yàn)證部以及輸送控制部。計(jì)算部將基板從預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)基板分別計(jì)算出由基板檢測(cè)部檢測(cè)出的基板的位置與基準(zhǔn)位置之間的偏移量。驗(yàn)證部進(jìn)行驗(yàn)證由計(jì)算部計(jì)算出的偏移量中的最大值與最小值的差是否為閾值以下的驗(yàn)證處理。在由驗(yàn)證部驗(yàn)證出最大值與最小值的差為閾值以下的情況下，輸送控制部控制基板輸送部來(lái)使輸送控制部從盒取出基板。
【專利說(shuō)明】基板輸送裝置、基板處理裝置以及基板取出方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]所公開的實(shí)施方式涉及一種基板輸送裝置、基板處理裝置、基板取出方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，已知一種對(duì)基板進(jìn)行清洗處理等處理的基板處理裝置?；逄幚硌b置從收容了多個(gè)基板的盒(cassette)中依次取出基板并輸送到處理部，通過(guò)處理部進(jìn)行基板的處理(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]在這種基板處理裝置中，有時(shí)在從盒取出基板之前進(jìn)行檢測(cè)盒內(nèi)是否存在基板、檢測(cè)收容位置等的映射(mapping)處理。
[0004]在以往的基板處理裝置中，在通過(guò)映射處理檢測(cè)出的基板的位置與預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置之間的偏移量關(guān)于盒內(nèi)的所有基板而言都處于規(guī)定范圍內(nèi)的情況下，從盒取出基板。而且，在關(guān)于某一個(gè)基板而言上述偏移量超出規(guī)定范圍的情況下，判斷為異常狀態(tài)，中止從盒取出基板。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-222254號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

_6] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0007]然而，以往的基板處理裝置由于在判斷為異常狀態(tài)的情況下中止從盒取出基板，因此生產(chǎn)能力(throughput)有可能下降。如今，要求提高生產(chǎn)能力，如何實(shí)現(xiàn)能夠提高生產(chǎn)能力的基板處理裝置成為課題。
[0008]實(shí)施方式的一個(gè)方式的目的在于提供一種能夠提高生產(chǎn)能力的基板輸送裝置、基板處理裝置、基板取出方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
_9] 用于解決問(wèn)題的方案
[0010]實(shí)施方式的一個(gè)方式所涉及的基板輸送裝置具備基板輸送部、基板檢測(cè)部以及控制裝置?；遢斔筒颗c能夠收容多個(gè)基板的盒之間交接基板?；鍣z測(cè)部檢測(cè)在盒內(nèi)收容的基板?？刂蒲b置控制基板輸送部。另外，控制裝置具備計(jì)算部、驗(yàn)證部以及輸送控制部。計(jì)算部將基板從基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)基板分別計(jì)算出由基板檢測(cè)部檢測(cè)出的基板的位置與預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置之間的偏移量。驗(yàn)證部進(jìn)行驗(yàn)證由計(jì)算部計(jì)算出的偏移量中的最大值與最小值的差是否為第一閾值以下的驗(yàn)證處理。輸送控制部在由驗(yàn)證部驗(yàn)證出最大值與最小值的差為第一閾值以下的情況下，控制基板輸送部來(lái)使基板輸送部從盒取出基板。
[0011]發(fā)明的效果
[0012]根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方式，能夠提高生產(chǎn)能力。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。
[0014]圖2A是表示盒和基板檢測(cè)部的概要結(jié)構(gòu)的圖。
[0015]圖2B是表示盒和基板檢測(cè)部的概要結(jié)構(gòu)的圖。
[0016]圖3A是基板輸送裝置所具備的第一保持部的示意立體圖。
[0017]圖3B是基板輸送裝置所具備的第二保持部的示意立體圖。
[0018]圖4是表示控制裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0019]圖5A是映射處理的說(shuō)明圖。
[0020]圖5B是映射處理的說(shuō)明圖。
[0021]圖5C是映射處理的說(shuō)明圖。
[0022]圖6A是表示以往的驗(yàn)證處理的一例的圖。
[0023]圖6B是表不第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖。
[0024]圖7是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所執(zhí)行的基板取出處理的處理過(guò)程的流程圖。
[0025]圖8A是表示第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖。
[0026]圖8B是表示第二實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖。
[0027]圖9是表示第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所執(zhí)行的基板取出處理的處理過(guò)程的流程圖。
[0028]圖10是映射信息所包含的內(nèi)容的說(shuō)明圖。
[0029]圖11是第三實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證部的驗(yàn)證處理的說(shuō)明圖。
[0030]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0031]Cl?C4:盒；W:晶圓；1:搬入搬出站；2:輸送站；3:處理站；5:基板處理部；6:控制裝置；21:基板輸送部；23:基板檢測(cè)部；61:控制部；62:存儲(chǔ)部；100:基板處理裝置；211a、212a?212d:保持部；611:計(jì)算部；612:驗(yàn)證部；613:校正部；614:輸送控制部；621:映射信息；622:目標(biāo)取出位置信息。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)所公開的基板輸送裝置、基板處理裝置、基板取出方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不限定于以下示出的實(shí)施方式。
[0033](第一實(shí)施方式)
[0034]首先，使用圖1說(shuō)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)。圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。
[0035]此外，下面，為了明確位置關(guān)系，規(guī)定相互正交的X軸、Y軸以及Z軸，將Z軸正方向設(shè)為鉛直朝上方向。另外，下面，將X軸負(fù)方向側(cè)規(guī)定為基板處理裝置的前方，將X軸正方向側(cè)規(guī)定為基板處理裝置的后方。
[0036]如圖1所示，基板處理裝置100具備搬入搬出站1、輸送站2以及處理站3。這些搬入搬出站1、輸送站2以及處理站3從基板處理裝置100的前方向后方以搬入搬出站1、輸送站2以及處理站3的順序配置。
[0037]搬入搬出站I是載置多個(gè)盒的位置，例如使四個(gè)盒Cl?C4以與輸送站2的前壁貼緊的狀態(tài)左右排列載置。各盒Cl?C4是能夠?qū)⒍鄠€(gè)晶圓W以水平姿勢(shì)收容多層的收納容器。
[0038]輸送站2被配置在搬入搬出站I的后方，其內(nèi)部具備基板輸送部21和基板交接臺(tái)
22。在基板交接臺(tái)22上載置有用于臨時(shí)收容多個(gè)晶圓W的緩沖盒(未圖示)。
[0039]基板輸送部21在載置于搬入搬出站I的盒Cl?C4與載置于基板交接臺(tái)22的緩沖盒之間進(jìn)行晶圓W的交接。
[0040]基板輸送部21具備輸送臂部和被設(shè)置在輸送臂部的頂端的基板保持部，該輸送臂部能夠進(jìn)行水平方向上的移動(dòng)、鉛直方向上的升降以及以鉛直方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)。上述基板輸送部21使用基板保持部來(lái)保持晶圓W，使用輸送臂部將所保持的晶圓W輸送到期望的位置。具體地說(shuō)，基板輸送部21進(jìn)行以下動(dòng)作:從盒Cl?C4取出晶圓W并收容到緩沖盒；以及從緩沖盒取出晶圓W并收容到盒Cl?C4。
[0041]另外，在搬入搬出站I中與盒Cl?C4對(duì)應(yīng)地分別設(shè)置有基板檢測(cè)部23，該基板檢測(cè)部23用于檢測(cè)在盒Cl?C4內(nèi)收容的晶圓W。
[0042]在此，參照?qǐng)D2A和圖2B來(lái)說(shuō)明盒Cl?C4和基板檢測(cè)部23的概要結(jié)構(gòu)。圖2A和圖2B是表示盒Cl?C4和基板檢測(cè)部23的概要結(jié)構(gòu)的圖。在圖2A中，作為一例示出與盒Cl對(duì)應(yīng)地設(shè)置的基板檢測(cè)部23。
[0043]如圖2A所示，盒Cl是在與輸送站2相對(duì)的一側(cè)(X軸正方向側(cè))具有開口部的箱體。盒Cl的左右方向的尺寸比晶圓W的尺寸稍長(zhǎng)。另外，深度方向的尺寸也比晶圓W的尺寸長(zhǎng)且是晶圓W不會(huì)從開口部伸出的程度的尺寸。
[0044]盒Cl的內(nèi)部設(shè)置有位于與開口部相反的一側(cè)而支承晶圓W的緣部的支承部(未圖示)以及支承晶圓W的左右的緣部的一對(duì)支承部12、12。晶圓W通過(guò)被這些支承部12支承而成為以水平姿勢(shì)收容在盒Cl內(nèi)的狀態(tài)。
[0045]此外，盒C2?C4也為與盒Cl相同的結(jié)構(gòu)。在此，例示了收容十五個(gè)晶圓W的盒Cl?C4，但是盒Cl?C4所能夠收容的晶圓W的個(gè)數(shù)并不限定于十五個(gè)。
[0046]如圖2A和圖2B所示，基板檢測(cè)部23具備:照射光的投光器231 ;接收由投光器231照射的光的受光器232 ；以及使投光器231和受光器232沿著鉛直方向移動(dòng)的未圖示的移動(dòng)部。將投光器231和受光器232在盒Cl的開口部的左右兩側(cè)以相互面對(duì)的方式水平配置。
[0047]基板檢測(cè)部23在使投光器231照射光的狀態(tài)下，使用未圖示的移動(dòng)部使投光器231和受光器232沿著鉛直方向移動(dòng)。在投光器231與受光器232之間不存在晶圓W的情況下，從投光器231照射的光被受光器232接收。另一方面，在投光器231與受光器232之間存在晶圓W的情況下，從投光器231照射的光被晶圓W遮擋，因此不會(huì)到達(dá)受光器232。由此，基板檢測(cè)部23能夠檢測(cè)在盒Cl內(nèi)收容的晶圓W。
[0048]后述的控制裝置6根據(jù)從上述基板檢測(cè)部23輸出的檢測(cè)信號(hào)S，進(jìn)行計(jì)算各晶圓W的位置、各晶圓W的厚度、晶圓W之間的間距等的映射處理，稍后說(shuō)明這一點(diǎn)。
[0049]此外，在此示出了基板檢測(cè)部23具有透過(guò)型的光傳感器的情況的例子，但是基板檢測(cè)部23并不限于透過(guò)型的光傳感器，也可以具有反射型的光傳感器。
[0050]接著，參照?qǐng)D3A和圖3B說(shuō)明基板輸送部21所具備的基板保持部的結(jié)構(gòu)。圖3A是基板輸送部21所具備的第一基板保持部的示意立體圖，圖3B是基板輸送部21所具備的第二基板保持部的示意立體圖。
[0051]如圖3A和圖3B所示，基板輸送部21具備第一基板保持部211與第二基板保持部212這兩個(gè)基板保持部。
[0052]如圖3A所示，第一基板保持部211具備一個(gè)保持部211a，使用上述一個(gè)保持部211a將一個(gè)晶圓W以水平姿勢(shì)保持。
[0053]另一方面，如圖3B所示，第二基板保持部212具備多個(gè)(在此四個(gè))保持部212a?212d，使用這些多個(gè)保持部212a?212d將多個(gè)(在此四個(gè))晶圓W以水平姿勢(shì)在鉛直方向上保持多層。此外，第二基板保持部212被配置在第一基板保持部211的上方。另夕卜，第一基板保持部211和第二基板保持部212能夠獨(dú)立地進(jìn)行動(dòng)作。
[0054]各保持部211a、212a?212d沿著晶圓W的層疊方向以規(guī)定的間距排列配置。具體地說(shuō)，各保持部211a、212a?212d的鉛直方向的間距與盒Cl?C4的各一對(duì)支承部12、12(參照?qǐng)D2A)的鉛直方向的間距為相同程度?；遢斔筒?1能夠使用第一基板保持部211和第二基板保持部212來(lái)在盒Cl?C4與緩沖盒之間同時(shí)交接多個(gè)(在此最多五個(gè))晶圓W。
[0055]返回到圖1，說(shuō)明處理站3的結(jié)構(gòu)。處理站3被配置在輸送站2的后方。在上述處理站3中，在中央部處配置有基板輸送部31，在上述基板輸送部31的左右兩側(cè)在前后方向上分別排列配置多個(gè)(在此各六個(gè))基板處理部5。在上述處理站3中，基板輸送部31在輸送站2的基板交接臺(tái)22與各基板處理部5之間將晶圓W逐個(gè)輸送，各基板處理部5對(duì)晶圓W逐個(gè)進(jìn)行清洗處理等基板處理。
[0056]在具有這種結(jié)構(gòu)的基板處理裝置100中，首先，輸送站2的基板輸送部21從載置于搬入搬出站I的盒Cl?C4取出晶圓W，將取出的晶圓W收容到基板交接臺(tái)22的未圖示的緩沖盒。在緩沖盒內(nèi)收容的晶圓W通過(guò)處理站3的基板輸送部31被取出而被搬入某一個(gè)基板處理部5。
[0057]被搬入基板處理部5的晶圓W在通過(guò)上述基板處理部5被實(shí)施基板處理之后，通過(guò)基板輸送部31從基板處理部5被搬出而再次收容到基板交接臺(tái)22的緩沖盒。然后，在緩沖盒內(nèi)收容的處理完的晶圓W通過(guò)基板輸送部21返回到盒Cl?C4。
[0058]另外，基板處理裝置100具備控制裝置6?？刂蒲b置6是對(duì)上述基板處理裝置100的動(dòng)作進(jìn)行控制的裝置。上述控制裝置6例如為計(jì)算機(jī)，具備控制部和存儲(chǔ)部。在存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)對(duì)清洗處理等各種處理進(jìn)行控制的程序。控制部通過(guò)讀出并執(zhí)行在存儲(chǔ)部?jī)?nèi)存儲(chǔ)的程序來(lái)控制基板處理裝置100的動(dòng)作。
[0059]此外,上述程序也可以被記錄在計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，從該存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到控制裝置6的存儲(chǔ)部。作為計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)例如存在硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(⑶)、磁光盤(MO)、存儲(chǔ)卡等。
[0060]在此，參照?qǐng)D4說(shuō)明控制裝置6的結(jié)構(gòu)。圖4是表示控制裝置6的結(jié)構(gòu)的框圖。此外，圖4僅示出說(shuō)明控制裝置6的特征所需的結(jié)構(gòu)要素，省略與一般的結(jié)構(gòu)要素有關(guān)的記載。
[0061]如圖4所示，控制裝置6具備控制部61和存儲(chǔ)部62?？刂撇?1根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部62內(nèi)的信息使基板輸送部21執(zhí)行以下處理:基板取出處理，從盒Cl?C4取出晶圓W并收容到緩沖盒；以及基板收容處理，其從緩沖盒取出晶圓W并收容到盒Cl?C4。
[0062]此外，本申請(qǐng)所公開的基板輸送裝置構(gòu)成為包括圖4示出的控制裝置6、基板輸送部21以及基板檢測(cè)部23。
[0063]接著，說(shuō)明基板處理裝置100的具體動(dòng)作?；逄幚硌b置100首先使用基板檢測(cè)部23進(jìn)行檢測(cè)在盒Cl?C4內(nèi)收容的晶圓W的檢測(cè)處理。之后，在基板處理裝置100中，基板輸送部21按照控制裝置6的控制而進(jìn)行從盒Cl?C4取出晶圓W并收容到基板交接臺(tái)22的緩沖盒的基板取出處理。
[0064]在此，具體說(shuō)明上述基板取出處理的內(nèi)容。如圖4所示，控制裝置6的控制部61具備計(jì)算部611、驗(yàn)證部612、校正部613以及輸送控制部614。另外，存儲(chǔ)部62存儲(chǔ)映射信息621和目標(biāo)取出位置信息622。
[0065]計(jì)算部611進(jìn)行使用基板檢測(cè)部23的檢測(cè)結(jié)果來(lái)計(jì)算各晶圓W的位置、各晶圓W的厚度、晶圓W之間的間距等的映射處理。參照?qǐng)D5A?圖5C說(shuō)明上述映射處理的內(nèi)容。圖5A?圖5C是映射處理的說(shuō)明圖。
[0066]如圖5A和圖5B所示，計(jì)算部611根據(jù)基板檢測(cè)部23持續(xù)檢測(cè)出晶圓W的時(shí)間(參照?qǐng)D5B的tl、t2)以及基板檢測(cè)部23在鉛直方向上移動(dòng)的速度，計(jì)算出上述晶圓W的鉛直方向的厚度。另外，計(jì)算部611計(jì)算該厚度的中心位置(參照?qǐng)D5B的pl、p2)來(lái)作為晶圓W的位置，根據(jù)計(jì)算出的各晶圓W的位置來(lái)計(jì)算出晶圓W之間的間距。此外，作為晶圓W的位置計(jì)算的位置并不限于晶圓W的厚度的中心位置。
[0067]并且，計(jì)算部611針對(duì)每個(gè)晶圓W分別計(jì)算出所計(jì)算出的晶圓W的位置與預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置之間的偏移量。參照?qǐng)D5C說(shuō)明上述處理的內(nèi)容。
[0068]圖5C示出的PO是針對(duì)盒Cl的各縫隙(slot)預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置，Pl?P3是計(jì)算部611根據(jù)基板檢測(cè)部23的檢測(cè)結(jié)果計(jì)算出的各晶圓W的位置。
[0069]例如，設(shè)Pl?P3相對(duì)于各個(gè)基準(zhǔn)位置PO分別向上方偏移0.3mm、向上方偏移
0.2mm、向下方偏移0.2mm。在上述情況下，關(guān)于Pl?P3與各基準(zhǔn)位置PO之間的偏移量ΛΡ1?ΛΡ3，計(jì)算部611將晶圓W從基準(zhǔn)位置PO向上方偏移的情況設(shè)為正而分別計(jì)算為ΔΡ1=+0.3mm、ΔΡ2=+0.2mm、ΔΡ3=_0.2mm。
[0070]此外，在此示出了將晶圓W從基準(zhǔn)位置PO向上方偏移的情況設(shè)為正的情況下的例子，但是也可以將晶圓W從基準(zhǔn)位置PO向下方偏移的情況設(shè)為正。另外，設(shè)與各縫隙對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)位置PO的信息例如預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部62。
[0071]計(jì)算部611將包含計(jì)算結(jié)果、即各晶圓W的位置、各晶圓W的厚度、晶圓W之間的間距以及各晶圓W相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏移量的信息的映射信息621存儲(chǔ)到存儲(chǔ)部62。
[0072]驗(yàn)證部612進(jìn)行基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部62內(nèi)的映射信息621的驗(yàn)證處理。在此，與由以往的基板處理裝置進(jìn)行的驗(yàn)證處理進(jìn)行比較來(lái)說(shuō)明由第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證部612執(zhí)行的驗(yàn)證處理的內(nèi)容。圖6A是表不以往的驗(yàn)證處理的一例的圖，圖6B是表不第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖。
[0073]此外，圖6A和圖6B示出在各縫隙位置收容的晶圓W相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏移量ΛΡ。圖6A和圖6B示出的曲線圖的橫軸為縫隙位置，縱軸為偏移量ΛΡ。
[0074]如圖6A所示，在以往的基板處理裝置中，設(shè)定以ΛΡ=0為中心的規(guī)定范圍(在此±0.5mm)，如果與所有晶圓W有關(guān)的偏移量Λ P收斂在上述范圍內(nèi)，則允許進(jìn)行通過(guò)基板輸送部從盒取出晶圓的取出動(dòng)作。另外，只要至少一個(gè)晶圓W的上述偏移量ΛΡ超出規(guī)定范圍，則判斷為異常狀態(tài)，中止之后的基板取出處理。
[0075]這樣，在以往的基板處理裝置中，在判斷為異常狀態(tài)的情況下，中止從盒取出晶圓，因此生產(chǎn)能力有可能下降。
[0076]與此相對(duì)，第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證部612驗(yàn)證各晶圓W的偏移量Λ P中的最大值與最小值的差是否為閾值以下。
[0077]例如在圖6Β示出的例子中，偏移量ΛΡ的最大值為第二縫隙的晶圓W的偏移量“-0.5mm”，最小值為第八縫隙的晶圓W的偏移量“-0.8mm”。驗(yàn)證部612驗(yàn)證這些最大值與最小值的差“0.3mm”是否為閾值(在此1.0mm)以下。而且，由于最大值與最小值的差“0.3mm”為閾值(1.0mm)以下，因此驗(yàn)證部612判斷為驗(yàn)證0K。在該情況下，不中止基板取出處理，生產(chǎn)能力不會(huì)下降。
[0078]另一方面，驗(yàn)證部612在偏移量Λ P的最大值與最小值的差超過(guò)閾值(1.0mm)的情況下，對(duì)后述的校正部613和輸送控制部614進(jìn)行指示以中止之后的處理。
[0079]這樣，根據(jù)第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證部612，即使在例如晶圓W的位置整體上被檢測(cè)為稍高或者稍低的情況下，也不中止之后的基板取出處理，因此與以往的基板處理裝置相比能夠提高生產(chǎn)能力。
[0080]返回到圖4的說(shuō)明。校正部613根據(jù)映射信息621對(duì)目標(biāo)取出位置信息622所表示的各晶圓W的目標(biāo)取出位置進(jìn)行校正。具體地說(shuō)，校正部613使各晶圓W的目標(biāo)取出位置偏移映射信息621所包含的各晶圓W的偏移量Λ P中的絕對(duì)值最大的偏移量Λ P。
[0081]例如在圖6Β示出的例子中，各晶圓W的偏移量ΛΡ中的絕對(duì)值最大的偏移量ΛΡ為第八縫隙的偏移量“-0.8mm” (絕對(duì)值為0.8)。在上述情況下，校正部613進(jìn)行使各晶圓W的目標(biāo)取出位置向下方偏移0.8mm的校正。然后,校正部613將校正后的目標(biāo)取出位置傳送到輸送控制部614。
[0082]此外，校正部613在從驗(yàn)證部612收到中止處理的指示的情況下，不進(jìn)行上述校正處理。
[0083]輸送控制部614控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21在盒Cl?C4與基板交接臺(tái)22的緩沖盒之間進(jìn)行晶圓W的交接。在基板處理裝置100正在執(zhí)行基板取出處理的情況下，輸送控制部614控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21進(jìn)行從盒Cl?C4取出晶圓W并收容到緩沖盒的取出動(dòng)作。
[0084]此時(shí)，輸送控制部614根據(jù)由校正部613校正后的目標(biāo)取出位置，控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl?C4取出晶圓W。具體地說(shuō)，輸送控制部614以使基板輸送部21所具備的多個(gè)保持部211a、212a?212d的位置與校正后的目標(biāo)取出位置一致的方式使基板輸送部21的輸送臂部升降。之后，輸送控制部614使保持部21 la、212a?212d插入盒Cl?C4的內(nèi)部，在使保持部21 la、212a?212d保持晶圓W之后，使保持部21 la、212a?212d后退。由此，從盒Cl?C4 一次取出多個(gè)(在此五個(gè))晶圓W。
[0085]另一方面，輸送控制部614在從驗(yàn)證部612收到中止處理的指示的情況下、即在由驗(yàn)證部612驗(yàn)證出偏移量Δ P的最大值與最小值的差超過(guò)閾值(1.00mm)的情況下,不進(jìn)行通過(guò)基板輸送部21取出晶圓W的取出動(dòng)作。
[0086]接著，在基板處理裝置100中，基板輸送部31從緩沖盒取出在緩沖盒內(nèi)收容的晶圓W并搬入基板處理部5。然后，當(dāng)基板處理部5對(duì)晶圓W進(jìn)行的處理結(jié)束時(shí)，基板輸送部31從基板處理部5取出處理完的晶圓W并收容到緩沖盒。
[0087]之后，在基板處理裝置100中，基板輸送部21按照控制部61的控制進(jìn)行基板收容處理，即從緩沖盒取出在緩沖盒內(nèi)收容的處理完的晶圓W并收容到盒Cl~C4。
[0088]例如，控制部61在進(jìn)行基板取出處理時(shí)將校正后的目標(biāo)取出位置存儲(chǔ)到存儲(chǔ)部62 (在圖4中省略圖示)，根據(jù)上述校正后的目標(biāo)取出位置，將處理完的晶圓W收容到原來(lái)的盒Cl~C4的原來(lái)的位置。
[0089]具體地說(shuō)，輸送控制部614在分別使保持部211a、212a~212d保持處理完的晶圓W之后，以使保持部211a、212a~212d的位置與校正后的目標(biāo)取出位置一致的方式使基板輸送部21的輸送臂部升降。之后，輸送控制部614使保持部211a、212a~212d插入盒Cl~C4的內(nèi)部，在將保持部21 la、212a~212d所保持的各晶圓W收容到盒Cl~C4之后，使保持部211a、212a~212d后退。由此，向盒Cl~C4 一次收容多個(gè)(在此五個(gè))晶圓W。
[0090]接著，參照?qǐng)D7說(shuō)明上述基板取出處理的具體處理過(guò)程。圖7是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置100所執(zhí)行的基板取出處理的處理過(guò)程的流程圖。
[0091]如圖7所示， 在基板處理裝置100中，首先，基板檢測(cè)部23檢測(cè)在盒Cl~C4內(nèi)收容的晶圓w(步驟S101)。接著，計(jì)算部611計(jì)算出各晶圓W的位置與基準(zhǔn)位置之間的偏移量ΛΡ(步驟S102)。此外，計(jì)算部611除了計(jì)算出上述偏移量ΛΡ以外，還計(jì)算出晶圓W的位置、晶圓W的厚度、晶圓W之間的間距等。
[0092]接著，驗(yàn)證部612驗(yàn)證偏移量ΛΡ的最大值與最小值的差是否為閾值以下(步驟S103)。而且，在驗(yàn)證出偏移量ΛΡ的最大值與最小值的差為閾值以下的情況下(步驟S103:“是”)，校正部613對(duì)預(yù)先決定的目標(biāo)取出位置進(jìn)行校正(步驟S104)。具體地說(shuō)，校正部613使各晶圓W的目標(biāo)取出位置偏移各晶圓W的偏移量△ P中的絕對(duì)值最大的偏移量Λ P。
[0093]接著，輸送控制部614根據(jù)由校正部613校正后的目標(biāo)取出位置(步驟S105)，控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl取出晶圓W。從盒Cl取出的晶圓W通過(guò)基板輸送部21被收容到緩沖盒。
[0094]接著，控制部61判斷所有晶圓W的取出是否完成(步驟S106)，在取出沒有完成的情況下(步驟S106 否”)，對(duì)取出沒有完成的晶圓W進(jìn)行步驟S105的處理。而且，在判斷為所有晶圓W的取出完成的情況下(步驟S106 是”)，控制部61結(jié)束基板取出處理。
[0095]另外，在步驟S103中，在驗(yàn)證出偏移量Λ P的最大值與最小值的差超過(guò)閾值的情況下(步驟S103 否”)，驗(yàn)證部612對(duì)校正部613和輸送控制部614進(jìn)行指示以中止之后的處理(步驟S107)，結(jié)束基板取出處理。
[0096]如上所述，第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置100具備基板輸送裝置、基板處理部5以及基板交接臺(tái)22 (相當(dāng)于交接部)?；遢斔脱b置從外部搬入晶圓W?；逄幚聿?對(duì)由基板輸送裝置搬入的晶圓W進(jìn)行處理?；褰唤优_(tái)22是用于將由基板輸送裝置搬入的晶圓W交接到基板處理部5的交接部。
[0097]另外，第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置100具備基板輸送部21、基板檢測(cè)部23以及控制裝置6?；遢斔筒?1與能夠收容多個(gè)晶圓W的盒Cl~C4之間進(jìn)行晶圓W的交接?；鍣z測(cè)部23對(duì)在盒Cl~C4內(nèi)收容的晶圓W進(jìn)行檢測(cè)?？刂蒲b置6控制基板輸送部21。另外，控制裝置6具備計(jì)算部611、驗(yàn)證部612以及輸送控制部614。計(jì)算部611將基板從基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)晶圓W分別計(jì)算出由基板檢測(cè)部23檢測(cè)出的晶圓W的位置與預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置之間的偏移量ΛΡ。驗(yàn)證部612進(jìn)行驗(yàn)證由計(jì)算部611計(jì)算出的偏移量ΛΡ中的最大值與最小值的差是否為閾值以下的驗(yàn)證處理。輸送控制部614在由驗(yàn)證部612驗(yàn)證出最大值與最小值的差為閾值以下的情況下，控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl~C4取出晶圓W。
[0098]因而，根據(jù)第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置100，與以往的基板處理裝置相t匕，判斷為異常狀態(tài)而中止之后的處理的狀況減少，因此能夠提高生產(chǎn)能力。
[0099](第二實(shí)施方式)
[0100]在上述第一實(shí)施方式中，說(shuō)明了對(duì)在一個(gè)盒Cl~C4內(nèi)收容的所有晶圓W—并進(jìn)行驗(yàn)證部612的驗(yàn)證處理的情況的例子。但是，并不限于此，也可以分割為多個(gè)驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。
[0101]以下，說(shuō)明將驗(yàn)證處理分割為多個(gè)驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行的情況的例子。圖8A是表示第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖，圖8B是表示第二實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理的一例的圖。此外，在以下說(shuō)明中，對(duì)與已經(jīng)說(shuō)明的部分相同的部分附加與已經(jīng)說(shuō)明的部分相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0102]第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理被設(shè)成對(duì)在一個(gè)盒Cl內(nèi)收容的所有晶圓W(在此十五個(gè)晶圓W) —并進(jìn)行。即，在第一實(shí)施方式中，驗(yàn)證部612驗(yàn)證十五個(gè)晶圓W全部的偏移量ΛΡ中的最大值與最小值的差是否為閾值以下，在超過(guò)閾值的情況下設(shè)為驗(yàn)證NG。
[0103]例如在圖8A示出的例子中，第三縫隙的晶圓W的偏移量AP=-0.95mm為全部晶圓W中的最小值，第八縫隙和第九縫隙的晶圓W的偏移量ΛΡ=+0.1mm為全部晶圓W中的最大值。在上述情況下，最大值與最小值的差“ 1.05mm”超過(guò)閾值“ 1.0mm”,因此驗(yàn)證部612視為驗(yàn)證NG，中止之后的基板取出處理。
[0104]另一方面,在基板處理裝置100中，基板輸送部21具備五個(gè)保持部211a、212a~212d，使用這五個(gè)保持部211a、212a~212d，以最多五個(gè)為單位來(lái)同時(shí)從盒Cl~C4取出晶圓W。
[0105]因此，在第二實(shí)施方式中，以與基板輸送部21所具備的保持部211a、212a~212d的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的晶圓W作為驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。
[0106]具體地說(shuō)，驗(yàn)證部612以包括插入保持部211a、212a~212d的五個(gè)縫隙以及與這五個(gè)縫隙鄰接的上下兩個(gè)縫隙在內(nèi)的七個(gè)縫隙為單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。其中，在包括最下層(第一縫隙)或者最上層(第十五縫隙)的縫隙的情況下，以包括插入保持部211a、212a~212d的五個(gè)縫隙以及與這五個(gè)縫隙鄰接的上層或者下層的一個(gè)縫隙在內(nèi)的六個(gè)縫隙為單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。在包括最下層(第一縫隙)或者最上層(第十五縫隙)的縫隙的情況下，如果剩余的縫隙數(shù)不滿五個(gè)，則也可以以剩余的縫隙數(shù)為單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。
[0107]例如圖8B所示，驗(yàn)證部612對(duì)屬于第一~第六縫隙的六個(gè)晶圓W進(jìn)行驗(yàn)證處理。在該驗(yàn)證處理單位中，偏移量ΛΡ的最大值為第二縫隙和第四縫隙的晶圓W的偏移量ΛP=Omm,最小值為第三縫隙的晶圓W的偏移量AP=-0.95mm。這些最大值和最小值的差為
0.95_，為閾值(1.0mm)以下，因此驗(yàn)證部612將插入保持部211a、212a~212d的第一~第五縫隙判斷為驗(yàn)證0K。
[0108]另外，驗(yàn)證部612對(duì)屬于第五~第十一縫隙的七個(gè)晶圓W進(jìn)行驗(yàn)證處理。在該驗(yàn)證處理單位中，偏移量Λ P的最大值為第八縫隙和第九縫隙的晶圓W的偏移量Λ P=0.1mm,最小值為第六縫隙的晶圓W的偏移量AP=-0.1_。這些最大值和最小值的差為0.2mm,為閾值(1.0mm)以下，因此驗(yàn)證部612將插入保持部211a、212a~212d的第六~第十縫隙判斷為驗(yàn)證OK。
[0109]另外，驗(yàn)證部612對(duì)屬于第十~第十五縫隙的六個(gè)晶圓W進(jìn)行驗(yàn)證處理。在該驗(yàn)證處理單位中，偏移量ΛΡ的最大值為第十縫隙的晶圓W的偏移量ΛP=Omm,最小值為第十四縫隙的晶圓W的偏移量ΛΡ=-0.2mm。這些最大值和最小值的差為0.2mm，為閾值(1.0mm)以下，因此驗(yàn)證部612將插入保持部211a、212a~212d的第十一~第十五縫隙判斷為驗(yàn)證OK0
[0110]這樣，以與基板輸送部21所具備的保持部211a、212a~212d的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的晶圓W作為驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理，由此，即使是在第一實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證處理中檢查全部個(gè)數(shù)時(shí)成為驗(yàn)證NG的狀況，在該第二實(shí)施方式下也不成為驗(yàn)證NG，因此能夠?qū)崿F(xiàn)生廣能力的進(jìn)一步提聞。
[0111]另外，驗(yàn)證部612除了對(duì)于實(shí)際取出晶圓W的五個(gè)縫隙以外，還加入與這些縫隙鄰接的一個(gè)或者兩個(gè)縫隙來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。具體地說(shuō)，驗(yàn)證部612以通過(guò)保持部21 la、212a~212d進(jìn)行取出的晶圓群以及與該晶圓群鄰接的上一個(gè)和/或下一個(gè)晶圓W作為驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。由此，前后的驗(yàn)證處理單位在通過(guò)保持部211a、212a~212d進(jìn)行取出的晶圓群以外的晶圓W的部分相互重疊。
[0112]這是由于，在從各縫隙取出晶圓W時(shí)，即在使保持部21 la、212a~212d插入比進(jìn)行晶圓W的取出的縫隙更靠下方的位置之后使保持部211a、212a~212d移動(dòng)到比進(jìn)行晶圓W的取出的縫隙更靠上方的位置時(shí)，與進(jìn)行晶圓W的取出的縫隙的上方或者下方鄰接的縫隙的晶圓W與保持部211a、212a~212d有可能發(fā)生干擾。
[0113]這樣，通過(guò)加入鄰接的一個(gè)或者兩個(gè)縫隙來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理，能夠提高驗(yàn)證精度。
[0114]另外，在第二實(shí)施方式中，校正部613按上述驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行校正處理。例如，在圖8B不出的例子中，對(duì)于第一~第五縫隙的晶圓W,將絕對(duì)值最大的偏移量ΔP=-0.95mm設(shè)為校正量而對(duì)第一~第五縫隙的晶圓W的目標(biāo)取出位置進(jìn)行校正。另外，校正部613對(duì)于第六~第十縫隙的晶圓W，將絕對(duì)值最大的偏移量ΛΡ=0.1mm設(shè)為校正量而對(duì)第六~第十縫隙的晶圓W的目標(biāo)取出位置進(jìn)行校正。另外，校正部613對(duì)于第十一~第十五縫隙的晶圓W，將絕對(duì)值最大的偏移量AP=-0.2mm設(shè)為校正量而對(duì)第十一~第十五縫隙的晶圓W的目標(biāo)取出位置進(jìn)行校正。
[0115]這樣，以與基板輸送部21所具備的保持部211a、212a~212d的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的晶圓W作為驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行校正處理，由此能夠更適當(dāng)?shù)匦Ｕ繕?biāo)取出位置。
[0116]接著，參照?qǐng)D9說(shuō)明第二實(shí)施方式所涉及的基板取出處理的處理過(guò)程。圖9是表示第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所執(zhí)行的基板取出處理的處理過(guò)程的流程圖。
[0117]如圖9所示，在第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置100中，首先，基板檢測(cè)部23對(duì)在盒Cl~C4內(nèi)收容的晶圓W進(jìn)行檢測(cè)(步驟S201)。接著，計(jì)算部611計(jì)算出各晶圓W的位置與基準(zhǔn)位置之間的偏移量ΛΡ(步驟S202)。
[0118] 接著，驗(yàn)證部612針對(duì)一個(gè)驗(yàn)證處理單位驗(yàn)證偏移量Λ P的最大值與最小值的差是否為閾值以下(步驟S203)。而且，在驗(yàn)證出偏移量Λ P的最大值與最小值的差為閾值以下的情況下(步驟S203 是”)，將關(guān)于該驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的晶圓W判斷為驗(yàn)證OK的意思的信息存儲(chǔ)到存儲(chǔ)部62 (步驟S204)。另一方面，在驗(yàn)證出偏移量△ P的最大值與最小值的差超過(guò)閾值的情況下(步驟S203 否”)，將關(guān)于該驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的晶圓W判斷為驗(yàn)證NG的意思的信息存儲(chǔ)到存儲(chǔ)部62 (步驟S205)。
[0119]接著，驗(yàn)證部612判斷關(guān)于所有驗(yàn)證處理單位是否完成了驗(yàn)證(步驟S206)，在存在未驗(yàn)證的驗(yàn)證處理單位的情況下(步驟S206 否”)，對(duì)未驗(yàn)證的驗(yàn)證處理單位進(jìn)行步驟S203?S205的處理。
[0120]在步驟S206中，當(dāng)判斷為關(guān)于所有驗(yàn)證處理單位完成了驗(yàn)證時(shí)(步驟S206:“是”)，校正部613針對(duì)驗(yàn)證OK的一個(gè)驗(yàn)證處理單位校正預(yù)先決定的目標(biāo)取出位置(步驟207)。具體地說(shuō)，校正部613使驗(yàn)證OK的一個(gè)驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的各晶圓W的目標(biāo)取出位置偏移這些晶圓W的偏移量Λ P中的絕對(duì)值最大的偏移量Λ P。
[0121]接著，輸送控制部614針對(duì)驗(yàn)證OK的一個(gè)驗(yàn)證處理單位，根據(jù)由校正部613校正后的目標(biāo)取出位置，控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl?C4取出晶圓W (步驟S208)。從盒Cl?C4取出的晶圓W通過(guò)基板輸送部21被收容到緩沖盒。
[0122]接著，控制部61判斷關(guān)于驗(yàn)證OK的所有驗(yàn)證處理單位是否完成了晶圓W的取出(步驟S209)，在取出沒有完成的情況下(步驟S209 否”)，對(duì)取出沒有完成的驗(yàn)證處理單位進(jìn)行步驟S207?S208的處理。而且，在判斷為關(guān)于所有驗(yàn)證處理單位完成了晶圓W的取出的情況下(步驟S209 是”)，控制部61結(jié)束基板取出處理。
[0123]這樣，在第二實(shí)施方式中，驗(yàn)證部612以與基板輸送部21所具備的保持部211a、212a?212d的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的晶圓W作為驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證處理。因而，與第一實(shí)施方式相比，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)能力的進(jìn)一步提高。
[0124]另外，在第二實(shí)施方式中，驗(yàn)證部612還有時(shí)判斷為驗(yàn)證NG。在該情況下，對(duì)于判斷為驗(yàn)證NG的驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的晶圓W中止從盒Cl?C4取出，并且對(duì)于由驗(yàn)證部612判斷為驗(yàn)證OK的驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的晶圓W，控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl?C4取出晶圓W。
[0125]由此，除了被判斷為驗(yàn)證NG的一部分驗(yàn)證處理單位以外，其它驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的晶圓W能夠從盒Cl?C4安全地取出，與以往技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)能力的進(jìn)一步提聞。
[0126]此外，并不限于上述例子，在一部分驗(yàn)證處理單位被判斷為驗(yàn)證NG的情況下，也可以中止所有晶圓W的取出。
[0127]在第二實(shí)施方式中，示出了以與保持部211a、212a?212d的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的晶圓W作為驗(yàn)證處理單位的情況的例子，但是能夠?qū)Ⅱ?yàn)證處理的分割數(shù)量適當(dāng)?shù)卦O(shè)定為任意的數(shù)量。
[0128](第三實(shí)施方式)
[0129]在上述各實(shí)施方式中，說(shuō)明了驗(yàn)證部612驗(yàn)證各晶圓W的偏移量ΛΡ中的最大值與最小值的差是否為閾值以下的情況的例子。在第三實(shí)施方式中，進(jìn)一步進(jìn)行如下驗(yàn)證:在使保持部211a、212a?212d插入校正后的目標(biāo)取出位置時(shí)各保持部211a、212a?212d與晶圓W之間的間隔是否能夠充分確保為保持部211a、212a?212d與晶圓W不會(huì)發(fā)生干擾的程度。
[0130]參照?qǐng)D10和圖11說(shuō)明這一點(diǎn)。圖10是映射信息621所包含的內(nèi)容的說(shuō)明圖。另夕卜，圖11是第三實(shí)施方式所涉及的驗(yàn)證部612的驗(yàn)證處理的說(shuō)明圖。
[0131]如圖10所示，在映射信息621中，除了包含各晶圓W的位置以外，還包含晶圓W之間的間距d2、各晶圓W的厚度d3、d4、保持部211a、212a?212d的上表面與晶圓W的下表面之間的間隔d5、以及保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間的間隔d6。此外，圖10示出的保持部211a、212a?212d之間的間距d0以及保持部211a、212a?212d的厚度dl為已知信息。另外，間隔d5是考慮晶圓W的翹曲來(lái)預(yù)先設(shè)定為保持部211a、212a?212d與晶圓W不碰撞的程度的間隔的已知信息。
[0132]根據(jù)各晶圓W的位置來(lái)計(jì)算出晶圓W之間的間距d2。另外，根據(jù)間距d2、間隔d5、厚度dl、d3、d4來(lái)計(jì)算出保持部211a、212a?212d與晶圓W之間的間隔d6。具體地說(shuō)，晶圓 W 之間的間距 d2 用 d2=d3/2+d4/2+dl+d5+d6 來(lái)表示，因此根據(jù) d6=d2-d3/2-d4/2-dl_d5來(lái)求出間隔d6。
[0133]圖11示出通過(guò)保持部211a、212a?212d取出晶圓Wl?W5的情況的例子。各晶圓Wl?W5之間的間距分別為d2a?d2d。另外，晶圓W5與鄰接于晶圓W5的下方的晶圓W6之間的間距為d2e。另外，各保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W2?W6的上表面之間的間隔分別為d6a?d6e。
[0134]驗(yàn)證部612驗(yàn)證各晶圓Wl?W6之間的間距d2a?d2e是否為閾值以上。而且，在各晶圓Wl?W6之間的間距d2a?d2e中的至少一個(gè)小于閾值的情況下、即晶圓W之間的間隔窄而在插入保持部211a、212a?212d時(shí)有可能與晶圓W發(fā)生干擾的情況下，驗(yàn)證部612判斷為驗(yàn)證NG而中止之后的基板取出處理。
[0135]另外，驗(yàn)證部612驗(yàn)證各保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W2?W6的上表面之間的間隔d6a?d6e是否為閾值以上。
[0136]而且，在間隔d6a?d6e中的至少一個(gè)小于閾值的情況下，驗(yàn)證部612判斷為驗(yàn)證NG而中止之后的基板取出處理。另一方面，在由驗(yàn)證部612驗(yàn)證出保持部21 la、212a?212d的上表面與晶圓W的下表面之間的間隔為第一間隔以上、且保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間的間隔為第二間隔以上的情況下，輸送控制部614控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl?C4取出晶圓W。
[0137]在此，將保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間的間隔的閾值設(shè)定為大于保持部211a、212a?212d的上表面與晶圓W的下表面之間的間隔d5。這是因?yàn)椋捎诰AW以向前方(盒Cl?C4的開口部側(cè))傾斜的狀態(tài)被收容的情況多、保持部211a、212a?212d的頂端部由于自重而易于向下方傾斜等原因，在保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間容易發(fā)生保持部211a、212a?212d與晶圓W之間的干擾。
[0138]通過(guò)將第二間隔設(shè)定為大于第一間隔，能夠提高驗(yàn)證精度，能夠更可靠地防止保持部211a、212a?212d與晶圓W之間的干擾。
[0139]這樣，在第三實(shí)施方式中，驗(yàn)證部612根據(jù)由計(jì)算部611計(jì)算出的晶圓W之間的間距、多個(gè)保持部211a、212a?212d之間的間距以及保持部211a、212a?212d的厚度，來(lái)驗(yàn)證保持部211a、212a?212d的上表面與晶圓W的下表面之間的間隔是否為第一間隔以上、以及保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間的間隔是否為第二間隔以上。而且，在由驗(yàn)證部612驗(yàn)證出保持部211a、212a?212d的上表面與晶圓W的下表面之間的間隔為第一間隔以上、且保持部211a、212a?212d的下表面與晶圓W的上表面之間的間隔為第二間隔以上的情況下，輸送控制部614控制基板輸送部21來(lái)使基板輸送部21從盒Cl?C4取出晶圓W。因而，能夠更可靠地防止保持部211a、212a?212d與晶圓W之間的干擾。
[0140]此外，本申請(qǐng)所公開的基板處理裝置能夠應(yīng)用于例如對(duì)半導(dǎo)體基板、液晶基板、CD基板、玻璃基板等基板進(jìn)行清洗、抗蝕劑涂敷、CVD (Chemical Vapor Deposit1n:化學(xué)氣相沉積)之類的基板處理的各種基板處理裝置。
[0141]本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地導(dǎo)出進(jìn)一步的效果、變形例。因此，本發(fā)明的更廣泛的方式不限定于如上述那樣表示且描述的特定的詳細(xì)及代表性的實(shí)施方式。因而，在不脫離由所附的權(quán)利要求書及其均等物定義的總括發(fā)明的概念的精神或者范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
【權(quán)利要求】
1.一種基板輸送裝置，其特征在于，具備: 基板輸送部，其與能夠收容多個(gè)基板的盒之間交接上述基板； 基板檢測(cè)部，其檢測(cè)在上述盒內(nèi)收容的基板；以及 控制裝置，其控制上述基板輸送部， 其中，上述控制裝置具備: 計(jì)算部，其將基板從預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)上述基板分別計(jì)算出由上述基板檢測(cè)部檢測(cè)出的上述基板的位置與上述基準(zhǔn)位置之間的偏移量； 驗(yàn)證部，其進(jìn)行驗(yàn)證由上述計(jì)算部計(jì)算出的偏移量中的最大值與最小值的差是否為第一閾值以下的驗(yàn)證處理；以及 輸送控制部，其在由上述驗(yàn)證部驗(yàn)證出上述最大值與上述最小值的差為第一閾值以下的情況下，控制上述基板輸送部來(lái)使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述控制裝置還具備校正部，該校正部使用上述偏移量中的絕對(duì)值最大的偏移量，來(lái)校正預(yù)先決定的目標(biāo)取出位置， 上述輸送控制部根 據(jù)由上述校正部校正后的目標(biāo)取出位置來(lái)控制上述基板輸送部，使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述驗(yàn)證部將上述驗(yàn)證處理分割為多個(gè)驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述基板輸送部具備用于保持上述基板的多個(gè)保持部， 上述驗(yàn)證部以與上述保持部的數(shù)量相應(yīng)的數(shù)量的上述基板作為上述驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行上述驗(yàn)證處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述驗(yàn)證部以通過(guò)上述保持部進(jìn)行取出的基板群以及與上述基板群鄰接的上一個(gè)和/或下一個(gè)基板作為上述驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行上述驗(yàn)證處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求3、4或者5所述的基板輸送裝置，其特征在于， 前后的上述驗(yàn)證處理單位相互重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求3~6中的任一項(xiàng)所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述輸送控制部對(duì)于由上述驗(yàn)證部驗(yàn)證出上述最大值與上述最小值的差超過(guò)第一閾值的驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的上述基板中止從上述盒取出，并且對(duì)于由上述驗(yàn)證部驗(yàn)證出上述最大值與上述最小值的差在第一閾值以內(nèi)的驗(yàn)證處理單位內(nèi)包含的上述基板，控制上述基板輸送部來(lái)使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或者5所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述多個(gè)保持部沿著上述基板的層疊方向以規(guī)定的間距排列配置， 上述計(jì)算部分別計(jì)算出上述基板之間的間距， 上述驗(yàn)證部根據(jù)由上述計(jì)算部計(jì)算出的上述基板之間的間距、上述多個(gè)保持部之間的間距以及上述保持部的厚度，來(lái)驗(yàn)證上述保持部的下表面與上述基板的上表面之間的間隔是否為第二閾值以上，在由上述驗(yàn)證部驗(yàn)證出上述保持部的下表面與上述基板的上表面之間的間隔為第二閾值以上的情況下，上述輸送控制部控制上述基板輸送部來(lái)使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板輸送裝置，其特征在于， 上述第二閾值被設(shè)定為比上述保持部的上表面與上述基板的下表面之間的間隔大的值。
10.一種基板處理裝置，其特征在于，具備: 基板輸送裝置，其從外部搬入基板； 基板處理部，其對(duì)由上述基板輸送裝置搬入的上述基板進(jìn)行處理；以及 交接部，其用于將由上述基板輸送裝置搬入的上述基板交接到上述基板處理部， 其中，上述基板輸送裝置具備: 基板輸送部，其與能夠收容多個(gè)上述基板的盒之間交接上述基板； 基板檢測(cè)部，其檢測(cè)在上述盒內(nèi)收容的基板；以及 控制裝置，其控制上述基板輸送部， 上述控制裝置具備: 計(jì)算部，其將基板從預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)上述基板分別計(jì)算出由上述基板檢測(cè)部檢測(cè)出的上述基板的位置與上述基準(zhǔn)位置之間的偏移量； 驗(yàn)證部，其進(jìn)行驗(yàn)證由上述計(jì)算部計(jì)算出的偏移量中的最大值與最小值的差是否為閾值以下的驗(yàn)證處理；以及 輸送控制部，其在由上述驗(yàn)證部驗(yàn)證出上述最大值與上述最小值的差為閾值以下的情況下，控制上述基板輸送部來(lái)使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述控制裝置還具備校正部，該校正部使用上述偏移量中的絕對(duì)值最大的偏移量，來(lái)校正預(yù)先決定的目標(biāo)取出位置， 上述輸送控制部根據(jù)由上述校正部校正后的目標(biāo)取出位置來(lái)控制上述基板輸送部，使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述驗(yàn)證部將上述驗(yàn)證處理分割為多個(gè)驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行。
13.—種基板取出方法,其特征在于,包括: 檢測(cè)工序，使用對(duì)在能夠收容多個(gè)基板的盒內(nèi)收容的基板進(jìn)行檢測(cè)的基板檢測(cè)部來(lái)檢測(cè)在上述盒內(nèi)收容的基板； 計(jì)算工序，將基板從預(yù)先決定的基準(zhǔn)位置向上方或者下方偏移的情況設(shè)為正而針對(duì)每個(gè)上述基板分別計(jì)算出在上述檢測(cè)工序中檢測(cè)出的上述基板的位置與上述基準(zhǔn)位置之間的偏移量； 驗(yàn)證工序，進(jìn)行驗(yàn)證在上述計(jì)算工序中計(jì)算出的偏移量中的最大值與最小值的差是否為閾值以下的驗(yàn)證處理；以及 輸送控制工序，在上述驗(yàn)證工序中驗(yàn)證出上述最大值與上述最小值的差為閾值以下的情況下，控制基板輸送部來(lái)使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板，其中，上述基板輸送部與上述盒之間交接上述基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板取出方法，其特征在于， 還包括校正工序，在該校正工序中使用上述偏移量中的絕對(duì)值最大的偏移量，來(lái)校正預(yù)先決定的目標(biāo)取出位置， 在上述輸送控制工序中，根據(jù)在上述校正工序中校正后的目標(biāo)取出位置來(lái)控制上述基板輸送部，使上述基板輸送部從上述盒取出上述基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板取出方法，其特征在于， 在上述驗(yàn)證工序中， 將上述驗(yàn)證處理分割為多個(gè)驗(yàn)證處理單位來(lái)進(jìn)行。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104051300SQ201410090644
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】吉田正寬 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社