本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器，特別是涉及一種非易失性存儲(chǔ)器裝置及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法。
背景技術(shù)：
：：與傳統(tǒng)的硬盤(pán)設(shè)備相比，閃存(flashmemory)具有快速讀/寫(xiě)性能和低功耗等特性。閃存是一種常用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。閃存可以依據(jù)控制器所發(fā)出的讀取命令的讀取電壓參數(shù)來(lái)設(shè)定讀取電壓。閃存還可以依據(jù)讀取命令的地址來(lái)讀取數(shù)據(jù)電壓。閃存依照所述讀取電壓將該數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)給控制器。為了降低成本，閃存技術(shù)發(fā)展至越來(lái)越小的幾何形狀和越來(lái)越高的密度(每一個(gè)單元有更多位)，使得讀取錯(cuò)誤成為閃存可靠性的一個(gè)主要的問(wèn)題。因?yàn)閿?shù)據(jù)保持特性(dataretention)、讀取干擾(readdisturb)或編程干擾(programdisturb)等因素會(huì)引起單元所輸出的數(shù)據(jù)電壓偏移至較低(或較高)的電壓，而經(jīng)偏移的數(shù)據(jù)電壓可能會(huì)造成數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤。如果所述讀取電壓未處于適當(dāng)?shù)乃?，則可能在經(jīng)讀取/轉(zhuǎn)換后的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)中造成更多的錯(cuò)誤位。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器裝置及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法，可以適應(yīng)性決定讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置包括非易失性存儲(chǔ)電路以及控制器。非易失性存儲(chǔ)電路用以依據(jù)讀取命令的讀取電壓參數(shù)設(shè)定至少一讀取電壓，依據(jù)讀取命令的地址讀取一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，以及依照所述至少一讀取電壓將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)?？刂破黢罱又练且资源鎯?chǔ)電路，以提供讀取命令并接收該對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)。依據(jù)該對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤位數(shù)量，控制器決定是否執(zhí)行實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整(on-the-flyself-adaptivereadvoltageadjustment)。其中，所述實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整包括：提供左(或較低)讀取電壓參數(shù)以使非易失性存儲(chǔ)電路依照左讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；提供右(或較高)讀取電壓參數(shù)以使非易失性存儲(chǔ)電路依照右讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；以及依照該對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系以及該對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系而適應(yīng)性決定讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量。其中，左讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的至少一左讀取電壓小于所述至少一讀取電壓，以及右讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的至少一右讀取電壓大于所述至少一讀取電壓。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器裝置的實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法。所述實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法包括：由控制器提供讀取命令給非易失性存儲(chǔ)電路，以接收非易失性存儲(chǔ)電路所回傳的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，其中非易失性存儲(chǔ)電路依據(jù)該讀取命令的讀取電壓參數(shù)設(shè)定至少一讀取電壓，依據(jù)讀取命令的地址讀取一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，以及依照所述至少一讀取電壓將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；由控制器提供左(或較低)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路，以使非易失性存儲(chǔ)電路依照左讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，其中左讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的至少一左讀取電壓小于所述至少一讀取電壓；由控制器提供右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路，以使非易失性存儲(chǔ)電路依照右讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，其中右讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的至少一右讀取電壓大于所述至少一讀取電壓；以及依照對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系以及對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系而適應(yīng)性決定讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量?；谏鲜?，本發(fā)明的實(shí)施例所提供的非易失性存儲(chǔ)器裝置及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法可以提供讀取電壓參數(shù)、左(或較低)讀取電壓參數(shù)與右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路，以使非易失性存儲(chǔ)電路分別依照讀取電壓參數(shù)、左讀取電壓參數(shù)與右讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)?？刂破骺梢砸勒諏?duì)應(yīng)數(shù)據(jù)、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系而適應(yīng)性決定所述讀取電壓參數(shù)(閾值電壓參數(shù))的調(diào)整方向與調(diào)整量。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。附圖說(shuō)明圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種非易失性存儲(chǔ)器裝置100的電路方塊示意圖。圖2是說(shuō)明多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。圖3是說(shuō)明多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的偏移示意圖。圖4是依照本發(fā)明一實(shí)施例說(shuō)明一種實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法的流程示意圖。圖5與圖6是依照本發(fā)明一實(shí)施例說(shuō)明在進(jìn)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”時(shí)，多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10：主機(jī)100：非易失性存儲(chǔ)器裝置110：非易失性存儲(chǔ)電路111：對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)120：控制器121：控制電路122：計(jì)算電路123：數(shù)據(jù)緩沖器124：錯(cuò)誤檢查和糾正(ecc)譯碼器201、202、203、204、201’、202’、203’、204’、201”、202”、203”、204”：常態(tài)分布曲線(xiàn)s410～s460：步驟vtl：下頁(yè)讀取電壓vtl-left：下頁(yè)左讀取電壓vtl-right：下頁(yè)右讀取電壓vtu1、vtu2：上頁(yè)讀取電壓vtu1-left、vtu2-left：上頁(yè)左讀取電壓vtu1-right、vtu2-right：上頁(yè)右讀取電壓具體實(shí)施方式在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)全文(包括權(quán)利要求)中所使用的“耦接(或連接)”一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接(或連接)于第二裝置，則應(yīng)該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以通過(guò)其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。另外，凡可能之處，在附圖及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的部件/構(gòu)件/步驟代表相同或類(lèi)似部分。不同實(shí)施例中使用相同標(biāo)號(hào)或使用相同用語(yǔ)的部件/構(gòu)件/步驟可以相互參照相關(guān)說(shuō)明。圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種非易失性存儲(chǔ)器裝置100的電路方塊示意圖。依照設(shè)計(jì)需求，非易失性存儲(chǔ)器裝置100可以是隨身盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)(solidstatedisc,ssd)或是其他存儲(chǔ)裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置100可以耦接至主機(jī)(host)10。此主機(jī)10可以是計(jì)算機(jī)、手持式電話(huà)、多媒體播放器、相機(jī)或是其他電子裝置。當(dāng)主機(jī)10發(fā)出一個(gè)讀取命令(readcommand)給非易失性存儲(chǔ)器裝置100時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器裝置100可以依據(jù)此讀取命令的尋址來(lái)回傳對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)給主機(jī)10。于圖1所示實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)器裝置100包括非易失性存儲(chǔ)電路110與控制器120。依照設(shè)計(jì)需求，非易失性存儲(chǔ)電路110可以是與非閃存(nandflashmemory)或是其他非易失性存儲(chǔ)電路/部件。當(dāng)主機(jī)10發(fā)出一個(gè)讀取命令時(shí)，控制器120依據(jù)該讀取命令來(lái)尋址非易失性存儲(chǔ)電路110，以便從非易失性存儲(chǔ)電路110中讀取一筆對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111，然后將此對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)回傳給主機(jī)10。詳而言之，非易失性存儲(chǔ)電路110可以依據(jù)讀取命令的一個(gè)(或一組)讀取電壓參數(shù)來(lái)設(shè)定至少一讀取電壓(或稱(chēng)閾值電壓)，以及依據(jù)該讀取命令的地址來(lái)讀取一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓。依照所述至少一讀取電壓，非易失性存儲(chǔ)電路110可以將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。在此以多層單元(multi-levelcell,mlc)閃存作為圖1所示非易失性存儲(chǔ)電路110的說(shuō)明例。其他類(lèi)型的閃存，例如單層單元(singlelevelcell,slc)、三層單元(triplelevelcell,tlc)、四層單元(quadruplelevelcell，qlc)或其他類(lèi)型閃存，可以依照多層單元閃存的相關(guān)說(shuō)明而類(lèi)推。非易失性存儲(chǔ)電路110可以依據(jù)控制器120的命令來(lái)設(shè)定上頁(yè)(upperpage)讀取電壓vtu1、上頁(yè)讀取電壓vtu2與下頁(yè)(lowerpage)讀取電壓vtl。依照這些讀取電壓vtu1、vtu2與vtl，非易失性存儲(chǔ)電路110可以將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。舉例來(lái)說(shuō)，圖2是說(shuō)明多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。圖2所示橫軸表示電壓，縱軸表示分布量。圖1所示非易失性存儲(chǔ)電路110可以參照?qǐng)D2的相關(guān)說(shuō)明而類(lèi)推。多層單元閃存的讀取電壓(或稱(chēng)閾值電壓)包含上頁(yè)讀取電壓vtu1、上頁(yè)讀取電壓vtu2與下頁(yè)讀取電壓vtl。圖2繪示了四條常態(tài)分布(normaldistribution)曲線(xiàn)201、202、203與204，其中常態(tài)分布曲線(xiàn)201表示具有上頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”且下頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”的單元的數(shù)據(jù)電壓分布，常態(tài)分布曲線(xiàn)202表示具有上頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”且下頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”的單元的數(shù)據(jù)電壓分布，常態(tài)分布曲線(xiàn)203表示具有上頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”且下頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”的單元的數(shù)據(jù)電壓分布，常態(tài)分布曲線(xiàn)204表示具有上頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”且下頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”的單元的數(shù)據(jù)電壓分布。當(dāng)某一單元的數(shù)據(jù)電壓小于讀取電壓vtl時(shí)，非易失性存儲(chǔ)電路110即可獲知此單元的下頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”。當(dāng)此單元的數(shù)據(jù)電壓大于讀取電壓vtl時(shí)，非易失性存儲(chǔ)電路110即可獲知此單元的下頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”。當(dāng)此單元的數(shù)據(jù)電壓小于讀取電壓vtu1與vtu2時(shí)，或是當(dāng)此單元的數(shù)據(jù)電壓大于讀取電壓vtu1與vtu2時(shí)，非易失性存儲(chǔ)電路110即可獲知此單元的上頁(yè)數(shù)據(jù)為“1”。當(dāng)此單元的數(shù)據(jù)電壓在讀取電壓vtu1與vtu2之間時(shí)，非易失性存儲(chǔ)電路110即可獲知此單元的上頁(yè)數(shù)據(jù)為“0”。因此，依照這些讀取電壓vtu1、vtu2與vtl，非易失性存儲(chǔ)電路110可以將對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。公知讀取電壓是固定的，這些讀取電壓vtu1、vtu2與vtl并不會(huì)隨著經(jīng)轉(zhuǎn)換后的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111來(lái)適應(yīng)性地調(diào)整。因?yàn)閿?shù)據(jù)保持特性(dataretention)、讀取干擾(readdisturb)或編程干擾(programdisturb)等因素會(huì)引起單元所輸出的數(shù)據(jù)電壓偏移至較低(或較高)的電壓，而經(jīng)偏移的數(shù)據(jù)電壓可能會(huì)造成數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤。舉例來(lái)說(shuō)，圖3是說(shuō)明多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的偏移示意圖。圖3所示橫軸表示電壓，縱軸表示分布量。比較圖2與圖3可以發(fā)現(xiàn)，單元所輸出的數(shù)據(jù)電壓已偏移至較低的電壓，造成常態(tài)分布曲線(xiàn)201偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)201’，常態(tài)分布曲線(xiàn)202偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)202’，常態(tài)分布曲線(xiàn)203偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)203’，以及常態(tài)分布曲線(xiàn)204偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)204’。若讀取電壓vtu1、vtu2與vtl不會(huì)隨著經(jīng)轉(zhuǎn)換后的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111來(lái)適應(yīng)性地調(diào)整，則可能在經(jīng)讀取/轉(zhuǎn)換后的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111中造成更多的錯(cuò)誤位?？刂破?20耦接至非易失性存儲(chǔ)電路110?？刂破?20可以提供讀取命令給非易失性存儲(chǔ)電路110，以及從非易失性存儲(chǔ)電路110接收對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111?？刂破?20可以對(duì)所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111進(jìn)行錯(cuò)誤檢查和糾正(errorcheckingandcorrecting，以下稱(chēng)ecc)操作。此ecc操作可以檢查對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量。在對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量不超過(guò)容忍范圍的情況下，此ecc操作還可以修正對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位?？刂破?20可以依據(jù)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量而決定是否執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”(on-the-flyself-adaptivereadvoltageadjustment)。例如，當(dāng)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量超過(guò)容忍范圍時(shí)，控制器120可以執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。所述“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”包括下述步驟?？刂破?20提供讀取命令給非易失性存儲(chǔ)電路110，其中非易失性存儲(chǔ)電路110依據(jù)讀取命令的讀取電壓參數(shù)設(shè)定讀取電壓，依據(jù)讀取命令的地址讀取一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，以及依照所述讀取電壓將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)?？刂破?20還可以提供左(或較低)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照左讀取電壓參數(shù)將所述同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)。控制器120還可以提供右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照右讀取電壓參數(shù)將所述同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)。其中，左讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的左讀取電壓小于所述讀取電壓，以及右讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的右讀取電壓大于所述讀取電壓。也就是說(shuō)，控制器120可以控制非易失性存儲(chǔ)電路110去以不同的讀取電壓對(duì)相同地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取(或以不同的讀取電壓將同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為不同對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù))，而獲得三筆對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，即所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)、所述左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與所述右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)。依照所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與所述左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系，以及依照所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)與所述右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的關(guān)系，控制器120可以適應(yīng)性決定所述讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量，以便控制非易失性存儲(chǔ)電路110去調(diào)整讀取電壓(例如去調(diào)整圖2與圖3所示讀取電壓vtu1、vtu2與/或vtl)。于圖1所示實(shí)施例中(其他實(shí)施例不限于圖1所示)，控制器120包括控制電路121、計(jì)算電路122、數(shù)據(jù)緩沖器123以及錯(cuò)誤檢查和糾正(ecc)譯碼器124。控制電路121耦接至非易失性存儲(chǔ)電路110，以提供讀取命令。非易失性存儲(chǔ)電路110依照控制電路121來(lái)決定讀取電壓vt(例如圖2與圖3所示讀取電壓vtu1、vtu2與vtl)的水平。非易失性存儲(chǔ)電路110將依據(jù)讀取電壓vt而從對(duì)應(yīng)的多個(gè)快閃單元中讀取一筆對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。數(shù)據(jù)緩沖器123耦接至非易失性存儲(chǔ)電路110，以接收對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。ecc譯碼器124耦接至數(shù)據(jù)緩沖器123，以檢查對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量。在對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量不超過(guò)容忍范圍的情況下，此ecc譯碼器124還可以修正對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位，然后將經(jīng)修正的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)回傳給主機(jī)10。本實(shí)施例并不限制ecc譯碼器124所執(zhí)行的糾錯(cuò)碼算法。例如，在一些實(shí)施例中，ecc譯碼器124可以執(zhí)行bch(bose-chaudhuri-hocquengh)碼算法、低密度奇偶校驗(yàn)(lowdensityparitycheck，ldpc)碼算法或是其他ecc算法。藉由ecc譯碼器124的檢查，控制電路121可以依據(jù)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量而決定是否執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。例如，當(dāng)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量超過(guò)容忍范圍時(shí)，控制電路121可以執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。計(jì)算電路122耦接至數(shù)據(jù)緩沖器123?；诳刂齐娐?21的控制，計(jì)算電路122可以執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”，以決定所述讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量，并將所述調(diào)整方向與所述調(diào)整量回傳給控制電路121?？刂齐娐?21可以基于計(jì)算電路122所提供的所述調(diào)整方向與所述調(diào)整量去適應(yīng)性調(diào)整所述讀取電壓參數(shù)，以便將調(diào)整后的讀取電壓參數(shù)提供給非易失性存儲(chǔ)電路110?；诳刂齐娐?21所提供的調(diào)整后的讀取電壓參數(shù)的控制，非易失性存儲(chǔ)電路110可以適應(yīng)性調(diào)整讀取電壓vt(例如去調(diào)整圖2與圖3所示讀取電壓vtu1、vtu2與/或vtl)。圖4是依照本發(fā)明一實(shí)施例說(shuō)明一種實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法的流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖4，在非易失性存儲(chǔ)電路110以讀取電壓vt讀出對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111(例如對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1)后，ecc譯碼器124在步驟s410中將對(duì)此讀出的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1進(jìn)行糾錯(cuò)(errorcorrection)?？刂齐娐?21可以在步驟s420判斷ecc譯碼器124是否糾錯(cuò)成功。如果ecc譯碼器124糾錯(cuò)成功(對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1的錯(cuò)誤位數(shù)量不超過(guò)容忍范圍)，則控制器120進(jìn)入步驟s430，亦即不執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。如果ecc譯碼器124糾錯(cuò)失敗，則控制器120進(jìn)入步驟s440，亦即執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。于圖4所示實(shí)施例中，步驟s440包括子步驟s441與s442。于步驟s441中，控制器120可以控制非易失性存儲(chǔ)電路110去以不同的讀取電壓對(duì)相同地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取(或以不同的讀取電壓將同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為不同對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù))，而獲得三筆對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，在此稱(chēng)為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3。詳而言之，控制器120的控制電路121可以在步驟s441中提供讀取命令給非易失性存儲(chǔ)電路110，以接收非易失性存儲(chǔ)電路110所回傳的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1。其中，非易失性存儲(chǔ)電路110依據(jù)該讀取命令的讀取電壓參數(shù)設(shè)定讀取電壓vt，依據(jù)該讀取命令的地址讀取一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，以及依照所述讀取電壓vt將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1。控制器120的控制電路121在步驟s441中還提供左(或較低)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照左讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2，其中左讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的左讀取電壓vt_left小于所述讀取電壓vt?？刂破?20的控制電路121在步驟s441中還提供右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照右讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3，其中右讀取電壓參數(shù)所對(duì)應(yīng)的右讀取電壓vt_right大于所述讀取電壓vt。非易失性存儲(chǔ)電路110分別使用讀取電壓vt左側(cè)(低側(cè))的一個(gè)左讀取電壓vt_left以及在讀取電壓vt右側(cè)(高側(cè))的一個(gè)右讀取電壓vt_right來(lái)將同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為不同對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，即左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2和右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3。于步驟s442中，依照所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1與所述左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2的關(guān)系，以及依照所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1與所述右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3的關(guān)系，控制器120的計(jì)算電路122可以執(zhí)行自適應(yīng)vt計(jì)算(self-adaptivevtcalculation)，以適應(yīng)性決定所述讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量，進(jìn)而控制非易失性存儲(chǔ)電路110去調(diào)整讀取電壓vt(例如去調(diào)整圖2與圖3所示讀取電壓vtu1、vtu2與/或vtl)。因此，控制器120可以動(dòng)態(tài)地找出一個(gè)更好的讀取電壓vt。完成讀取電壓vt的調(diào)整后，控制器120的控制電路121可以控制非易失性存儲(chǔ)電路110去使用經(jīng)調(diào)整后的讀取電壓vt去讀取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111。在非易失性存儲(chǔ)電路110以經(jīng)調(diào)整后的讀取電壓vt讀出對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111(例如對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1’)后，ecc譯碼器124在步驟s450中將對(duì)此讀出的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1’進(jìn)行糾錯(cuò)?？刂齐娐?21可以在步驟s460判斷ecc譯碼器124是否糾錯(cuò)成功。如果ecc譯碼器124糾錯(cuò)成功(對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1’的錯(cuò)誤位數(shù)量不超過(guò)容忍范圍)，則控制器120進(jìn)入步驟s430，亦即不執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。如果ecc譯碼器124糾錯(cuò)失敗，則控制器120進(jìn)入步驟s440，亦即再一次執(zhí)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。以下將以多層單元(mlc)閃存作為說(shuō)明范例，以說(shuō)明“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”的實(shí)施例。所述“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”可以參照以下實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明而類(lèi)推/擴(kuò)展到單層單元(slc)、三層單元(tlc)、四層單元(qlc)或其他類(lèi)型閃存。在此針對(duì)下頁(yè)(lowerpage)數(shù)據(jù)說(shuō)明控制器120對(duì)非易失性存儲(chǔ)電路110(例如mlc閃存)進(jìn)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”的實(shí)施例。多層單元閃存的讀取電壓(或稱(chēng)閾值電壓)vt包含上頁(yè)讀取電壓vtu1、上頁(yè)讀取電壓vtu2與下頁(yè)讀取電壓vtl。圖5與圖6是依照本發(fā)明一實(shí)施例說(shuō)明在進(jìn)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”時(shí)，多層單元閃存的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的分布示意圖。圖5與圖6所示橫軸表示電壓，縱軸表示分布量。比較圖2與圖5(或比較圖2與圖6)可以發(fā)現(xiàn)，單元所輸出的數(shù)據(jù)電壓已偏移至較低的電壓，造成常態(tài)分布曲線(xiàn)201偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)201”，常態(tài)分布曲線(xiàn)202偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)202”，常態(tài)分布曲線(xiàn)203偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)203”，以及常態(tài)分布曲線(xiàn)204偏移至常態(tài)分布曲線(xiàn)204”。當(dāng)非易失性存儲(chǔ)電路110以讀取電壓vt讀出的數(shù)據(jù)r1進(jìn)行ecc譯碼失敗時(shí)，控制器120的控制電路121可以控制計(jì)算電路122去進(jìn)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”。首先，控制器120的控制電路121可以在不同時(shí)間提供讀取電壓參數(shù)、左(或較低)讀取電壓參數(shù)與右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110分別依照所述讀取電壓參數(shù)、所述左讀取電壓參數(shù)與所述右讀取電壓參數(shù)將同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3。其中，所述讀取電壓參數(shù)包括下頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl)、第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1)與第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2)，所述左讀取電壓參數(shù)包括下頁(yè)左讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖5所示下頁(yè)左讀取電壓vtl-left)、第一上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)左讀取電壓vtu1-left)與第二上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)左讀取電壓vtu2-left)，而所述右讀取電壓參數(shù)包括下頁(yè)右讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖5所示下頁(yè)右讀取電壓vtl-right)、第一上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)右讀取電壓vtu1-right)與第二上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)右讀取電壓vtu2-right)。所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1包括下頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1l與上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u，所述左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2包括下頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2l與上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u，而所述右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3包括下頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3l與上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u?？刂破?20的控制電路121提供下頁(yè)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照所述下頁(yè)讀取電壓參數(shù)將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為下頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1l?？刂破?20的控制電路121還提供下頁(yè)左讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照該下頁(yè)左讀取電壓參數(shù)將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為下頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2l?？刂破?20的控制電路121更提供下頁(yè)右讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照該下頁(yè)右讀取電壓參數(shù)將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為下頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3l。在獲得下頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1l、下頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2l和下頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3l后，控制器120的計(jì)算電路122可以進(jìn)行下述計(jì)算?？刂破?20的計(jì)算電路122可以計(jì)算r12l＝r1lxorr2l而獲得計(jì)算結(jié)果r12l，以及計(jì)算r13l＝r1lxorr3l而獲得計(jì)算結(jié)果r13l，其中“xor”表示“異或”(exclusiveor)運(yùn)算?？刂破?20的計(jì)算電路122可以計(jì)數(shù)計(jì)算結(jié)果r12l中邏輯1的位個(gè)數(shù)n12，以及計(jì)數(shù)計(jì)算結(jié)果r13l中邏輯1的位個(gè)數(shù)n13。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)計(jì)算結(jié)果r12l為“01001010”(以8位為例，但不限于此)，則計(jì)算結(jié)果r12l中邏輯1的位個(gè)數(shù)n12為3?？刂破?20的計(jì)算電路122可以依據(jù)位個(gè)數(shù)n12與位個(gè)數(shù)n13的關(guān)系而決定所述下頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整方向與調(diào)整量。在此說(shuō)明計(jì)算電路122如何依據(jù)位個(gè)數(shù)n12與位個(gè)數(shù)n13的關(guān)系來(lái)決定所述下頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl)的調(diào)整方向。當(dāng)n12-n13>0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)高下頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl往右移動(dòng)。當(dāng)n12-n13<0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)低下頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl往左移動(dòng)。若以圖5所示情境為例，位個(gè)數(shù)n12將小于位個(gè)數(shù)n13，致使控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)低下頁(yè)讀取電壓參數(shù)(將圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl往左移動(dòng))。在此說(shuō)明計(jì)算電路122如何依據(jù)位個(gè)數(shù)n12與位個(gè)數(shù)n13的關(guān)系來(lái)決定所述下頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖5所示下頁(yè)讀取電壓vtl)的調(diào)整量?；陂W存的特征數(shù)據(jù)(characterizationdata)、方程式(equation)或查找表(lookuptable)，計(jì)算電路122可以獲得下頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adjl，其中調(diào)整量adjl正比于|n12-n13|。舉例來(lái)說(shuō)，控制器120的計(jì)算電路122可以計(jì)算adjl＝kl*|n12-n13|，其中系數(shù)kl為實(shí)數(shù)，而獲得下頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adjl。系數(shù)kl可以視設(shè)計(jì)需求來(lái)決定。在此針對(duì)上頁(yè)(upperpage)數(shù)據(jù)說(shuō)明控制器120對(duì)非易失性存儲(chǔ)電路110(例如mlc閃存)進(jìn)行“實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整”的實(shí)施例。請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖6，控制器120的控制電路121提供第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)以及第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照所述第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)以及第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u?？刂破?20的控制電路121還提供第一上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)左讀取電壓vtu1-left)與第二上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)左讀取電壓vtu2-left)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照第一上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)與第二上頁(yè)左讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u。控制器120的控制電路121還提供第一上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)右讀取電壓vtu1-right)與第二上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)右讀取電壓vtu2-right)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110依照第一上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)與第二上頁(yè)右讀取電壓參數(shù)將該組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u。在獲得上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u、上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u和上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u后，控制器120的計(jì)算電路122可以進(jìn)行下述計(jì)算?？刂破?20的計(jì)算電路122可以比較上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u與上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u，以計(jì)數(shù)上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u與上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u之間位從邏輯1變至邏輯0的位個(gè)數(shù)na12以及位從邏輯0變至邏輯1的位個(gè)數(shù)nc12。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u為“01001010”而上頁(yè)左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2u為“01101100”(以8位為例，但不限于此)，則從邏輯1變至邏輯0的位個(gè)數(shù)na12為1，而從邏輯0變至邏輯1的位個(gè)數(shù)nc12為2。相類(lèi)似的計(jì)算方式，控制器120的計(jì)算電路122還可以比較上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u與上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u，以計(jì)數(shù)上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u與上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u之間位從邏輯0變至邏輯1的位個(gè)數(shù)na13以及位從邏輯1變至邏輯0的位個(gè)數(shù)nc13。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)上頁(yè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1u為“01001010”而上頁(yè)右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3u為“11100101”(以8位為例，但不限于此)，則從邏輯1變至邏輯0的位個(gè)數(shù)nc13為2，而從邏輯0變至邏輯1的位個(gè)數(shù)na13為4?？刂破?20的計(jì)算電路122可以依據(jù)位個(gè)數(shù)na12與位個(gè)數(shù)na13的關(guān)系，而決定第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1)的調(diào)整方向與調(diào)整量?？刂破?20的計(jì)算電路122可以依據(jù)位個(gè)數(shù)nc12與位個(gè)數(shù)nc13的關(guān)系，而決定第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2)的調(diào)整方向與調(diào)整量。在此說(shuō)明計(jì)算電路122如何依據(jù)位個(gè)數(shù)na12與位個(gè)數(shù)na13的關(guān)系來(lái)決定所述第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1)的調(diào)整方向，以及如何依據(jù)位個(gè)數(shù)nc12與位個(gè)數(shù)nc13的關(guān)系來(lái)決定所述第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2)的調(diào)整方向。當(dāng)na12-na13>0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)高第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1往右移動(dòng)。當(dāng)na12-na13<0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)低第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1往左移動(dòng)。若以圖6所示情境為例，位個(gè)數(shù)na12將大于位個(gè)數(shù)na13，致使控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)高第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1往右移動(dòng))。當(dāng)nc12-nc13>0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)高第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2往右移動(dòng)。當(dāng)nc12-nc13<0時(shí)，控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)低該第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)，亦即將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2往左移動(dòng)。若以圖6所示情境為例，位個(gè)數(shù)nc12將大于位個(gè)數(shù)nc13，致使控制器120的計(jì)算電路122可以通知控制電路121去調(diào)高第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(將圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2往右移動(dòng))。在此說(shuō)明計(jì)算電路122如何依據(jù)位個(gè)數(shù)na12與位個(gè)數(shù)na13的關(guān)系來(lái)決定所述第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu1)的調(diào)整量，以及如何依據(jù)位個(gè)數(shù)nc12與位個(gè)數(shù)nc13的關(guān)系來(lái)決定所述第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)(對(duì)應(yīng)于圖6所示上頁(yè)讀取電壓vtu2)的調(diào)整量。基于閃存的特征數(shù)據(jù)、方程式或查找表，計(jì)算電路122可以獲得第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adju1以及第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adju2，其中調(diào)整量adju1正比于|na12–na13|，而調(diào)整量adju2正比于|nc12–nc13|。舉例來(lái)說(shuō)，控制器120的計(jì)算電路122可以計(jì)算adju1＝ku1*|na12-na13|而獲得第一上頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adju1，以及計(jì)算adju2＝ku2*|nc12-nc13|而獲得第二上頁(yè)讀取電壓參數(shù)的調(diào)整量adju2，其中系數(shù)ku1與系數(shù)ku2為實(shí)數(shù)。系數(shù)ku1與系數(shù)ku2可以視設(shè)計(jì)需求來(lái)決定。值得注意的是，在不同的應(yīng)用情境中，控制器120、控制電路121、計(jì)算電路122、數(shù)據(jù)緩沖器123及/或ecc譯碼器124的相關(guān)功能可以利用一般的編程語(yǔ)言(programminglanguages，例如c或c++)、硬件描述語(yǔ)言(hardwaredescriptionlanguages，例如veriloghdl或vhdl)或其他合適的編程語(yǔ)言來(lái)實(shí)現(xiàn)為軟件、固件或硬件?？蓤?zhí)行所述相關(guān)功能的軟件(或固件)可以被布置為任何已知的計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)(computer-accessiblemedias)，例如磁帶(magnetictapes)、半導(dǎo)體(semiconductors)存儲(chǔ)器、磁盤(pán)(magneticdisks)或光盤(pán)(compactdisks，例如cd-rom或dvd-rom)，或者可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)(internet)、有線(xiàn)通信(wiredcommunication)、無(wú)線(xiàn)通信(wirelesscommunication)或其它通信介質(zhì)傳送所述軟件(或固件)。所述軟件(或固件)可以被存放在計(jì)算機(jī)的可存取介質(zhì)中，以便于由計(jì)算機(jī)的處理器來(lái)存取/執(zhí)行所述軟件(或固件)的編程碼(programmingcodes)。另外，本發(fā)明的裝置和方法可以通過(guò)硬件和軟件的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。綜上所述，本發(fā)明諸實(shí)施例所提供非易失性存儲(chǔ)器裝置100及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法可以提供讀取電壓參數(shù)、左(或較低)讀取電壓參數(shù)與右(或較高)讀取電壓參數(shù)給非易失性存儲(chǔ)電路110，以使非易失性存儲(chǔ)電路110分別依照讀取電壓參數(shù)、左讀取電壓參數(shù)與右讀取電壓參數(shù)將同一組對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3?？刂破?20可以依照對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r1、左對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r2與右對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)r3的關(guān)系而適應(yīng)性決定所述讀取電壓參數(shù)(閾值電壓參數(shù))的調(diào)整方向與調(diào)整量。所述非易失性存儲(chǔ)器裝置100及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法可以實(shí)時(shí)自適應(yīng)地調(diào)整讀取電壓，以涵蓋所有的變異，例如頁(yè)對(duì)頁(yè)、字線(xiàn)對(duì)字線(xiàn)、塊對(duì)塊、芯片對(duì)芯片、信道對(duì)信道與驅(qū)動(dòng)器對(duì)驅(qū)動(dòng)器的變異。所述非易失性存儲(chǔ)器裝置100及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法可以有效地減少?gòu)姆且资源鎯?chǔ)電路110所讀取的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)111的錯(cuò)誤位數(shù)量。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12