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本申請要求于2016年3月2日提交的申請?zhí)枮?0-2016-0025147的韓國申請的優(yōu)先權(quán),其全文通過引用并入本文。
各種實施例總體涉及一種包括作為存儲媒介的非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置。
背景技術(shù):
最近,計算機環(huán)境范式已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)槠者m計算使得計算機系統(tǒng)可被隨時隨地使用。因此,諸如例如移動電話、數(shù)碼相機和筆記本電腦的便攜式電子裝置的使用已迅速增加。通常,這些便攜式電子裝置使用數(shù)據(jù)存儲裝置,其中數(shù)據(jù)存儲裝置使用存儲器裝置。數(shù)據(jù)存儲裝置被用于存儲待被用于便攜式電子裝置中的數(shù)據(jù)。
使用存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置具有以下優(yōu)點:由于沒有機械驅(qū)動部件,穩(wěn)定性和持久性優(yōu)良、信息存取速度高且功耗小。具有這些優(yōu)點的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例包括通用串行總線(usb)存儲器裝置、具有多種接口的存儲卡、通用閃速存儲(ufs)裝置和固態(tài)驅(qū)動器(ssd)。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
各種實施例涉及具有提高的讀取性能的數(shù)據(jù)存儲裝置。
在實施例中,數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括:非易失性存儲器裝置,其包括第一平面和第二平面;以及控制器,其被配置為向非易失性存儲器裝置提供用于同時讀取第一平面和第二平面的讀取命令、用于訪問第一平面的第一地址和用于訪問第二平面的第二地址,其中根據(jù)讀取命令、第一地址和第二地址,非易失性存儲器裝置從第一平面和第二平面的每個中讀取應(yīng)當(dāng)從第一平面和第二平面中讀取的所有頁面類型。
在實施例中,數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括:非易失性存儲器裝置,其包括存儲器單元區(qū)域,其中存儲器單元區(qū)域包括第一平面和第二平面,該第一平面包括由被聯(lián)接至相同的字線的存儲器單元配置的第一邏輯頁面和第二邏輯頁面,該第二平面包括由被聯(lián)接至相同的字線的存儲器單元配置的第一邏輯頁面和第二邏輯頁面;以及控制器,其被配置為向非易失性存儲器裝置提供讀取命令、用于訪問第一平面的第一邏輯頁面的第一地址和用于訪問第二平面的第二邏輯頁面的第二地址,其中非易失性存儲器裝置同時讀取第一平面的第一邏輯頁面和第二邏輯頁面與第二平面的第一邏輯頁面和第二邏輯頁面。
在實施例中,用于操作包括有包括第一平面和第二平面的非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置的方法可以包括:由控制器向非易失性存儲器裝置提供用于同時讀取第一平面和第二平面的讀取命令、用于訪問第一平面的第一地址和用于訪問第二平面的第二地址;以及根據(jù)讀取命令、第一地址和第二地址,由非易失性存儲器裝置從第一平面和第二平面的每個中讀取應(yīng)當(dāng)從第一平面和第二平面中讀取的所有頁面類型。
根據(jù)實施例,數(shù)據(jù)存儲裝置的讀取性能可以被提高。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的框圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的示例的簡圖。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的頁面地址和頁面類型的簡圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的待被以多平面、多頁面(mpmp)方案讀取的示例的表。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的另一示例的簡圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的頁面地址和頁面類型的簡圖。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的待被以mpmp方案讀取的頁面的示例的表。
圖8是示出控制非易失性存儲器裝置的mpmp讀取操作的控制器的控制流程的簡圖。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的在控制器的控制下執(zhí)行mpmp讀取操作的非易失性存儲器裝置的狀態(tài)的簡圖。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括數(shù)據(jù)存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括固態(tài)驅(qū)動器(ssd)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖。
圖12是示出圖11中所示的ssd控制器的示例配置的框圖。
圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括數(shù)據(jù)存儲裝置的計算機系統(tǒng)的框圖。
圖14示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括在數(shù)據(jù)存儲裝置中的非易失性存儲器裝置的框圖。
具體實施方式
在本發(fā)明中,在讀過以下結(jié)合附圖的示例性實施例之后,用于實現(xiàn)它們的優(yōu)點、特征及方法將會變得更顯而易見。然而,本發(fā)明可以不同的形式被實施并且不應(yīng)被解釋為限于本文所提出的實施例。而是,這些實施例被提供以用于充分詳細(xì)地描述本發(fā)明以使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。
在此應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明的實施例不限于附圖中所示出的細(xì)節(jié)并且附圖不必須按比例繪制并且在一些實例中,為了更清楚地描述本發(fā)明的某些特征,比例可能已經(jīng)被放大。盡管特定的術(shù)語被用于本文,但應(yīng)當(dāng)理解的是本文所使用的術(shù)語只是為了描述特定的實施例的目的而并不是為了限制本發(fā)明的范圍。
如本文所使用的,術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項目的任何和所有的組合。將被理解的是,當(dāng)元件被稱作“在另一個元件上”、“連接至”或“聯(lián)接至”另一個元件時,其可以直接在其它元件上、連接或聯(lián)接至其它元件或者中間元件可以存在。如本文所使用的,除非上下文另外清楚地表明,否則單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式。
將被理解的是,盡管術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中使用以描述多個元件,但這些元件不被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語被用于區(qū)別一個元件與另一個元件。因此,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,下文所描述的第一元件也可以被稱為第二或第三元件。
附圖不必須按比例繪制,并且在一些實例中,為了清楚地說明實施例的特征,比例可能已經(jīng)被放大。
本文所使用的術(shù)語只是為了描述特定實施例的目的而并不是為了限制本發(fā)明。正如本文所使用的,除非上下文另外清楚地表明,否則單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解的是,在本說明中使用的術(shù)語“包含”、“包含有”、“包括”和“包括有”說明所述元件的存在但不排除一個或多個其它元件的存在或添加。
除非另有定義,否則包括本文所使用的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語的全部術(shù)語具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員通常所理解的意義相同的意義。將被進(jìn)一步理解的是,術(shù)語,諸如,例如通常使用的字典中定義的術(shù)語,應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境內(nèi)的意義相一致的意義,而不會以理想化或過于正式的意義來解釋,除非本文中明確地如此定義。
在下文的描述中,為了提供本發(fā)明的全面理解,大量特定的細(xì)節(jié)被陳述。本發(fā)明可以在不具有一些或所有這些特定細(xì)節(jié)的情況下被實施。在其它實例中,為了不會不必要地模糊本發(fā)明,眾所周知的進(jìn)程結(jié)構(gòu)和/或進(jìn)程沒有被詳細(xì)描述。
也應(yīng)注意,在一些實例中,正如對于在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員而言將會是顯而易見的,除非另外明確地指出,否則所描述的與一個實施例有關(guān)的特征或元件可以被單獨地使用或者與另一個實施例的其它特征或元件相結(jié)合使用。
在下文中,包括數(shù)據(jù)存儲裝置的本發(fā)明的各種實施例將會參照附圖被詳細(xì)描述。
現(xiàn)在參照圖1,根據(jù)本發(fā)明的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置100被提供。
根據(jù)圖1的實施例,數(shù)據(jù)存儲裝置100可以包括控制器200和非易失性存儲器裝置300。
數(shù)據(jù)存儲裝置100可以存儲待被諸如例如移動電話、mp3播放器、筆記本電腦、臺式電腦、游戲機、tv、車載信息娛樂系統(tǒng)等的主機裝置(未示出)訪問的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)存儲裝置100也可以被稱作存儲器系統(tǒng)。
根據(jù)與主機裝置電聯(lián)接的接口的協(xié)議,數(shù)據(jù)存儲裝置100可以被制成各種存儲裝置中的任意一種。例如,數(shù)據(jù)存儲裝置100可以被配置為諸如以下的各種存儲裝置的任意一種:例如,固態(tài)驅(qū)動器,mmc、emmc、rs-mmc和微型-mmc形式的多媒體卡,sd、迷你-sd和微型-sd形式的安全數(shù)字卡,通用串行總線(usb)存儲裝置,通用閃速存儲(ufs)裝置,個人計算機存儲卡國際協(xié)會(pcmcia)卡類型存儲裝置,外設(shè)組件互連(pci)卡類型存儲裝置,高速pci(pci-e)卡類型存儲裝置,標(biāo)準(zhǔn)閃存(cf)卡,智能媒體卡,記憶棒等。
數(shù)據(jù)存儲裝置100可以被制成諸如例如堆疊封裝(pop)、系統(tǒng)級封裝(sip)、片上系統(tǒng)(soc)、多芯片封裝(mcp)、板上芯片(cob)、晶圓級制造封裝(wfp)和晶圓級堆疊封裝(wsp)的各種封裝中的任意一種。
控制器200可以驅(qū)動編碼類型的指令或算法,(例如軟件),并可以分析并處理從主機裝置輸入的請求??刂破?00可以控制非易失性存儲器裝置300以處理來自主機裝置的請求??刂破?00可以產(chǎn)生用于控制非易失性存儲器裝置300的操作的控制信號,例如,命令、地址、控制時鐘信號等,并將產(chǎn)生的控制信號提供給非易失性存儲器裝置300。
非易失性存儲器裝置300可以作為數(shù)據(jù)存儲裝置100的存儲媒介操作。非易失性存儲器裝置300可以由諸如例如nand閃速存儲器裝置、nor閃速存儲器裝置、使用鐵電電容的鐵電隨機存取存儲器(fram)、使用隧穿磁阻(tmr)層的磁性隨機存取存儲器(mram)、使用硫系合金的相變隨機存取存儲器(pcram)以及使用過渡金屬氧化物的電阻隨機存取存儲器(reram)的各種類型的非易失性存儲器裝置中的任意一種配置。鐵電隨機存取存儲器(fram)、磁性隨機存取存儲器(mram)、相變隨機存取存儲器(pcram)以及電阻隨機存取存儲器(reram)是一種能夠?qū)Υ鎯ζ鲉卧S機訪問的非易失性隨機存取存儲器裝置。非易失性存儲器裝置300可以由nand閃速存儲器裝置與上述各種類型的非易失性隨機存取存儲器裝置的結(jié)合配置。在下文的描述中,由nand閃速存儲器裝置配置的非易失性存儲器裝置300將會被例示。
非易失性存儲器裝置300可以包括存儲器單元區(qū)域310和頁面緩沖區(qū)340。存儲器單元區(qū)域310可以包括多個平面(plane)。多個平面的每一個可以包括多個存儲塊。頁面緩沖區(qū)340可以包括多個頁面緩沖區(qū)340,其中每一個對應(yīng)于多個平面。
作為示例,存儲器單元區(qū)域310可以配置每一個包括兩(2)個存儲塊b1和b2的兩(2)個平面pl1和pl2。存儲塊b1和b2的每一個被例示為包括被布置在2個字線wl1和wl2與2個位線bl1和bl2彼此相交的區(qū)域處的4個存儲器單元。在存儲器單元區(qū)域310中的平面的數(shù)量、在每一個平面中的存儲塊的數(shù)量和在每一個存儲塊中的存儲器單元的數(shù)量可以根據(jù)設(shè)計被改變。
從操作的或物理的(或結(jié)構(gòu)的)角度來看,包括在存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元可以被配置成分層存儲器單元組或存儲器單元單元(memorycellunit)。例如,被聯(lián)接至相同字線wl并且待被同時讀取和編程的存儲器單元可以被配置成頁面pg。在下文的描述中,被配置成頁面pg的存儲器單元將會被稱作“頁面”。而且,待被同時擦除的存儲器單元可以被配置成存儲塊b。待被不同的頁面緩沖區(qū)pb1和pb2控制的存儲器單元可以被配置成不同的平面pl。
兩個平面存儲器單元架構(gòu),允許包括在不同的平面pl1和pl2中的存儲器單元被并行或單獨讀取或編程,這是因為其被各自對應(yīng)的頁面緩沖區(qū)pb1和pb2控制。特別地,pb1控制pl1并且pb2控制pl2。因此,包括在不同平面pl1和pl2中的存儲器單元可以被并行或單獨讀取或編程而不考慮它們的存儲塊和頁面地址。例如,盡管存儲塊地址和頁面地址彼此不同,但第一平面pl1的第一存儲塊b1的第一頁面pg1和第二平面pl2的第二存儲塊b2的第二頁面pg2可以被并行或單獨讀取或編程。
通過利用非易失性存儲器裝置300的存儲器單元區(qū)域310的這種特性,控制器200可以控制用于非易失性存儲器裝置300的mpmp讀取操作。如果非易失性存儲器裝置300被控制以執(zhí)行mpmp讀取操作,存儲在包括在不同的平面中的頁面中的數(shù)據(jù)可以被讀出而不考慮它們在各自的平面的每一個中的存儲塊和頁面地址,并且視需要可以被隨機輸出。mpmp讀取操作將參照下圖被詳細(xì)描述。
分別對應(yīng)于平面pl1和pl2的頁面緩沖區(qū)pb1和pb2可以根據(jù)操作模式作為寫入驅(qū)動器或讀出放大器來操作。例如,在編程操作中,頁面緩沖區(qū)pb1和pb2可以作為寫入驅(qū)動器來操作,用于將由控制器200提供的數(shù)據(jù)存儲在對應(yīng)的平面pl1和pl2的頁面中。又如,在讀取操作中,頁面緩沖區(qū)pb1和pb2可以作為讀出放大器來操作,其從對應(yīng)的平面pl1和pl2的頁面中讀出數(shù)據(jù)。盡管將參照圖9進(jìn)行描述,但頁面緩沖區(qū)pb1和pb2的每一個可以包括對應(yīng)于頁面類型的鎖存器。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的示例的簡圖。包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元的每一個可以由能夠存儲2位或更多位數(shù)據(jù)的多層單元(mlc)配置。在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元由每一個能夠存儲2位數(shù)據(jù)的2-位多層單元(2位-mlc)配置的情況下,存儲器單元可以被擦除并被編程以具有圖2中所示的閾值電壓分布。
即,存儲器單元可以被擦除以具有擦除狀態(tài)e的閾值電壓。而且,根據(jù)最低有效位(lsb)數(shù)據(jù)(或較低位數(shù)據(jù))和最高有效位(msb)數(shù)據(jù)(或較高位數(shù)據(jù)),存儲器單元可以被編程以具有多個編程狀態(tài)p1、p2和p3中的任意一個的閾值電壓。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的頁面地址和頁面類型的簡圖。圖3示例性地示出在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被如上參照圖2所述的2-位多層單元(2位-mlc)配置的情況下,頁面的配置(即頁面地址和頁面類型)。
根據(jù)存儲在其中的數(shù)據(jù)的類型,每一個存儲器單元可以配置不同類型的頁面。因為物理上,一個存儲器單元可以配置實質(zhì)上不同類型的頁面,所以頁面可以被稱作邏輯頁面。換言之,在存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為lsb數(shù)據(jù)的情況下,存儲器單元可以配置lsb頁面lpg(下文中稱作lsb頁面)或第一邏輯頁面。而且,在存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為msb數(shù)據(jù)的情況下,存儲器單元可以配置msb類型頁面mpg(下文中稱作msb頁面)或第二邏輯頁面。
根據(jù)此配置方案,聯(lián)接至第一字線wl1和各自的位線bl1和bl2的存儲器單元可以被配置為lsb頁面lpg和msb頁面mpg。而且,聯(lián)接至第二字線wl2和各自的位線bl1和bl2的存儲器單元可以被配置為lsb頁面lpg和msb頁面mpg。
第一字線wl1的lsb頁面lpg和msb頁面mpg和第二字線wl2的lsb頁面lpg和msb頁面mpg可以分配有不同的頁面數(shù)#pg(即頁面地址)。例如,第一字線wl1的lsb頁面lpg可以分配有作為第一頁面的頁面地址pg1,第一字線wl1的msb頁面mpg可以分配有作為第二頁面的頁面地址pg2,第二字線wl2的lsb頁面lpg可以分配有作為第三頁面的頁面地址pg3,并且第二字線wl2的msb頁面mpg可以分配有作為第四頁面的頁面地址pg4。
控制器200可以通過提供頁面地址訪問第一或第二字線的任一個的lsb頁面lpg或msb頁面mpg的任意一個。例如,通過提供頁面地址pg1,控制器可以訪問第一字線wl1的lsb頁面lpg。而且作為示例,通過提供頁面地址pg2,控制器可以訪問第一字線的msb頁面mpg。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例待被以mpmp方案讀取的頁面的示例的表。圖4示例性示出在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被如上參照圖2所述的2-位多層單元(2位-mlc)配置的情況下,待被以mpmp方案讀取的頁面。
根據(jù)mpmp方案,不同類型的頁面可以被同時從多個平面的每一個中讀取。即,待被從任意一個平面讀取的邏輯頁面可以不僅包括應(yīng)當(dāng)從相應(yīng)的平面讀取的邏輯頁面而且包括應(yīng)當(dāng)從其它平面讀取的邏輯頁面。
根據(jù)圖4的實施例,例如,當(dāng)lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)被從第一平面pl1中讀取并且msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)被從第二平面pl2讀取時,如果讀取操作根據(jù)mpmp方案被執(zhí)行,則lsb頁面lpg和msb頁面mpg可以被同時從第一平面pl1與第二平面pl2兩者中讀取。又如,當(dāng)msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1中讀取并且lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2中讀取時,如果讀取操作根據(jù)mpmp方案被執(zhí)行,則lsb頁面lpg和msb頁面mpg可以被從第一平面pl1與第二平面pl2兩者中讀取。
因此,根據(jù)mpmp方案,相同類型的頁面可以被同時從多個平面中的每一個中讀取。即,待被從任意一個平面中讀取的邏輯頁面可以僅包括應(yīng)當(dāng)被從相應(yīng)的平面讀取的邏輯頁面。
根據(jù)圖4的實施例,例如,當(dāng)lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作根據(jù)mpmp方案被執(zhí)行,則只有l(wèi)sb頁面lpg可以從第一平面pl1被讀取并且也只有l(wèi)sb頁面lpg可以從第二平面pl2被讀取。又如,當(dāng)msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則只有msb頁面mpg可以從第一平面pl1被讀取并且也只有msb頁面mpg可以從第二平面pl2被讀取。
依然參照圖4,當(dāng)lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作根據(jù)mpmp方案被執(zhí)行,那么lsb頁面lpg和msb頁面mpg兩者都可以從第一平面pl1和第二平面pl2兩者中被讀取。另外,當(dāng)msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作根據(jù)mpmp方案被執(zhí)行,那么lsb頁面lpg和msb頁面mpg兩者都可以從第一平面pl1和第二平面pl2兩者中被讀取。
因此,當(dāng)mpmp讀取操作被執(zhí)行時,應(yīng)當(dāng)從每一個頁面中被讀取的所有的頁面類型以相同的方式從各自的平面中被讀取。換言之,當(dāng)mpmp讀取操作被執(zhí)行時,包括在不同平面中且存儲在不同類型的頁面中的數(shù)據(jù)通過一次讀取操作被同時讀出。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的另一個示例的簡圖。在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被每一個能夠存儲3-位數(shù)據(jù)的3-位多層單元(3位-mlc)配置的情況下,存儲器單元可以被擦除并被編程以具有圖5中所示的閾值電壓分布。
即,存儲器單元可以被擦除以具有擦除狀態(tài)e的閾值電壓。而且,根據(jù)最低有效位(lsb)數(shù)據(jù)(或較低位數(shù)據(jù))、中間有效位(csb)數(shù)據(jù)(或中間位數(shù)據(jù))和最高有效位(msb)數(shù)據(jù)(或較高位數(shù)據(jù)),存儲器單元可以被編程以具有多個編程狀態(tài)p1、p2、p3、p4、p5、p6和p7中的任意一個的閾值電壓。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的頁面地址和頁面類型的簡圖。圖6示例性示出在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被如上參照圖5所述的3-位多層單元(3位-mlc)配置的情況下,頁面的配置(即頁面地址和頁面類型)。
每一個存儲器單元可以根據(jù)存儲在其中的數(shù)據(jù)的類型配置不同類型的頁面。因為物理上,一個存儲器單元可以配置實質(zhì)上不同類型的頁面,所以頁面可以被稱作邏輯頁面。換言之,在存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為lsb數(shù)據(jù)的情況下,存儲器單元可以配置lsb類型頁面lpg(下文中稱作lsb頁面)或第一邏輯頁面。在存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為csb數(shù)據(jù)的情況下,存儲器單元可以配置csb類型頁面cpg(下文中稱作csb頁面)或第二邏輯頁面。而且,在存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為msb數(shù)據(jù)的情況下,存儲器單元可以配置msb類型頁面mpg(下文中稱作msb頁面)或第三邏輯頁面。
根據(jù)這樣的配置方案,聯(lián)接至第一字線wl1和各自的位線bl1和bl2的存儲器單元可以被配置為lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg。而且,聯(lián)接至第二字線wl2和各自的位線bl1和bl2的存儲器單元可以被配置為lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg。
第一字線wl1的lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg和第二字線wl2的lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg可以分配有不同的頁面數(shù)#pg(即頁面地址)。例如,第一字線wl1的lsb頁面lpg可以分配有作為第一頁面的頁面地址pg1,第一字線wl1的csb頁面cpg可以分配有作為第二頁面的頁面地址pg2,第一字線wl1的msb頁面mpg可以分配有作為第三頁面的頁面地址pg3,第二字線wl2的lsb頁面lpg可以分配有作為第四頁面的頁面地址pg4,第二字線wl2的csb頁面cpg可以分配有作為第五頁面的頁面地址pg5,并且第二字線wl2的msb頁面mpg可以分配有作為第六頁面的頁面地址pg6。
通過提供頁面地址pg1至pg6,控制器200可以分別訪問第一字線wl1的lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg以及第二字線wl2的lsb頁面lpg、csb頁面cpg和msb頁面mpg。例如,控制器200可以提供頁面地址pg1以訪問第一字線的lsb頁面lpg。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例待被以mpmp方案讀取的頁面的示例的表。圖7示例性示出在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被如上參照圖5所述的3-位多層單元(3位-mlc)配置的情況下,待被以mpmp方案讀取的頁面。
如果不同類型的頁面以mpmp方案從各自的平面中被讀取,則不同類型的頁面可以從平面的每一個中被同時讀取。即,待被從任意一個平面中讀取的邏輯頁面可以不僅包括應(yīng)當(dāng)從相應(yīng)的平面中被讀取的邏輯頁面,而且包括應(yīng)當(dāng)從其它平面中讀取的邏輯頁面。
根據(jù)圖7的實施例,例如,當(dāng)lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)被從第一平面pl1中讀取并且csb頁面cpg應(yīng)當(dāng)被從第二平面pl2中讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則lsb頁面lpg和csb頁面cpg可以從第一平面pl1中被讀取,而且lsb頁面lpg和csb頁面cpg也可以從第二平面pl2中被讀取。又如,當(dāng)csb頁面cpg應(yīng)當(dāng)被從第一平面pl1中讀取并且msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)被從第二平面pl2中讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則csb頁面cpg和msb頁面mpg可以從第一平面pl1中被讀取,而且csb頁面cpg和msb頁面mpg也可以從第二平面pl2中被讀取。再如,當(dāng)msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)被從第一平面pl1中讀取并且lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)被從第二平面pl2中讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則lsb頁面lpg和msb頁面mpg可以從第一平面pl1中被讀取,并且lsb頁面lpg和msb頁面mpg可以從第二平面pl2中被讀取。
如果相同類型的頁面以mpmp方案從各自的平面中被讀取,則相同類型的頁面可以從各自的平面中被讀取。即,待被從任意一個平面中讀取的邏輯頁面可以僅包括應(yīng)當(dāng)被從相應(yīng)的平面讀取的邏輯頁面。
根據(jù)圖7的實施例,例如,當(dāng)lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且lsb頁面lpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則只有l(wèi)sb頁面lpg可以從第一平面pl1被讀取并且也只有l(wèi)sb頁面lpg可以從第二平面pl2被讀取。又如,當(dāng)csb頁面cpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且csb頁面cpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則只有csb頁面cpg可以從第一平面pl1被讀取并且也只有csb頁面cpg可以從第二平面pl2被讀取。再如,當(dāng)msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第一平面pl1被讀取并且msb頁面mpg應(yīng)當(dāng)從第二平面pl2被讀取時,如果讀取操作以mpmp方案被執(zhí)行,則只有msb頁面mpg可以從第一平面pl1被讀取并且也只有msb頁面mpg可以從第二平面pl2被讀取。
如果多平面、多頁面(mpmp)讀取操作被執(zhí)行,則應(yīng)當(dāng)從平面的每一個中被讀取的所有頁面類型可以相同的方式從各自的平面中被讀取。換言之,如果mpmp讀取操作被執(zhí)行,則包括在不同平面中并且存儲在不同類型的頁面中的數(shù)據(jù)可以通過一次讀取操作被同時讀出。
圖8是示出控制器控制mpmp讀取操作在非易失性存儲器裝置中執(zhí)行的控制流程的簡圖。圖9是示出根據(jù)控制器的控制執(zhí)行mpmp讀取操作的非易失性存儲器裝置的狀態(tài)的簡圖。圖8和圖9示例性示出在包括在圖1的存儲器單元區(qū)域310中的存儲器單元被如上參照圖2所述的2-位多層單元(2位-mlc)配置的情況下,根據(jù)控制器200的控制待被執(zhí)行的非易失性存儲器裝置300的mpmp讀取操作。
mpmp讀取操作可以被分成啟動(set-up)階段psu、數(shù)據(jù)讀出階段pds和數(shù)據(jù)輸出階段pdo1和pdo2。
啟動階段psu可以被定義為控制器200控制非易失性存儲器裝置300以使mpmp讀取操作被執(zhí)行的階段。在啟動階段psu期間,控制器200作為向非易失性存儲器裝置300提供控制信號(例如,命令和地址)的主體來操作。非易失性存儲器裝置300可以作為接收控制信號的客體來操作。
控制器200可以向待對其執(zhí)行mpmp讀取操作的非易失性存儲器裝置300提供mpmp讀取命令rd_mpmp和地址add1與add2。
第一地址add1可以是用于訪問包括在第一平面pl1中的頁面的地址。例如,如圖8和圖9中所示,用于訪問第一平面pl1的第一存儲塊blk1的第一頁面pg1的第一地址add1被控制器200提供給非易失性存儲器裝置300。第二地址add2可以是用于訪問包括在第二平面pl2中的頁面的地址。例如,如圖8和圖9中所示,用于訪問第二平面pl2的第二存儲塊blk2的第四頁面pg4的第二地址add2被控制器200提供給非易失性存儲器裝置300。
數(shù)據(jù)讀出階段pds是,根據(jù)在啟動階段psu期間提供的控制信號,即,mpmp讀取命令rd_mpmp和地址add1與add2,非易失性存儲器裝置300在內(nèi)部執(zhí)行讀取操作的階段。在數(shù)據(jù)讀出階段pds期間,非易失性存儲器裝置300的各自的頁面緩沖區(qū)pb1和pb2可以讀出存儲在對應(yīng)于地址add1和add2的頁面中的數(shù)據(jù),并且可以將讀出的數(shù)據(jù)存儲在對應(yīng)于讀出的頁面的類型的鎖存器lcl和lcm中。
例如,對應(yīng)于第一平面pl1的第一頁面緩沖區(qū)pb1可以讀出被存儲在第一存儲塊blk1的第一頁面pg1中的數(shù)據(jù),并且可以將讀出的數(shù)據(jù)存儲在對應(yīng)于第一頁面pg1即lsb頁面的類型的lsb鎖存器lcl中。對應(yīng)于第二平面pl2的第二頁面緩沖區(qū)pb2可以讀出被存儲在第二存儲塊blk2的第四頁面pg4中的數(shù)據(jù),并且可以將讀出的數(shù)據(jù)存儲到對應(yīng)于第四頁面pg4即msb頁面的類型的msb鎖存器lcm中。
如上文提到的,如果不同類型的頁面以mpmp方案從各自的平面中被讀取,那么不同類型的頁面可以從每一個平面中被同時讀取。因此,例如,在第一平面pl1中,不僅應(yīng)當(dāng)根據(jù)第一地址add1從第一平面pl1被讀取的lsb類型的第一頁面pg1,而且應(yīng)當(dāng)根據(jù)第二地址add2從第二平面pl2中被讀取的第四頁面pg4的類型即msb類型的第二頁面pg2被同時讀取。因此,第一頁面緩沖區(qū)pb1可以讀出存儲在第一存儲塊blk1的第二頁面pg2中的數(shù)據(jù),并且可以將讀出的數(shù)據(jù)存儲在對應(yīng)于第二頁面pg2即msb頁面的類型的msb鎖存器lcm中。相似地,在第二平面pl2中,不僅應(yīng)當(dāng)根據(jù)第二地址add2從第二平面pl2中被讀取的msb類型的第四頁面pg4,而且應(yīng)當(dāng)根據(jù)第一地址add1從第一平面pl1中被讀取的第一頁面pg1的類型即lsb類型的第三頁面pg3被同時讀取。因此,第二頁面緩沖區(qū)pb2可以讀出存儲在第二存儲塊blk2的第三頁面pg3中的數(shù)據(jù),并且可以將讀出的數(shù)據(jù)存儲在對應(yīng)于第三頁面pg3即lsb頁面的類型的lsb鎖存器lcl中。
在數(shù)據(jù)讀出階段pds完成之后,數(shù)據(jù)輸出階段pdo1和pdo2被執(zhí)行。數(shù)據(jù)輸出階段pdo1和pdo2是存儲在頁面緩沖區(qū)的鎖存器中的數(shù)據(jù)被輸出至控制器200的階段。在數(shù)據(jù)輸出階段pdo1和pdo2期間,控制器200可以向待被輸出的數(shù)據(jù)被存儲于其中的非易失性存儲器裝置300提供控制信號(例如,數(shù)據(jù)輸出命令do和地址add1和add2)。
第一數(shù)據(jù)輸出階段pdo1被定義為從第一平面pl1中讀出的數(shù)據(jù)被輸出的階段。在第一數(shù)據(jù)輸出階段pdo1期間,根據(jù)控制器200提供的數(shù)據(jù)輸出命令do和第一地址add1,存儲在第一頁面緩存區(qū)pb1的lsb鎖存器lcl中的第一頁面pg1的數(shù)據(jù)d1和d2可以從非易失性存儲器裝置300輸出至控制器200。
第二數(shù)據(jù)輸出階段pdo2被定義為從第二平面pl2中讀出的數(shù)據(jù)被輸出的階段。在第二數(shù)據(jù)輸出階段pdo2期間,根據(jù)控制器200提供的數(shù)據(jù)輸出命令do和第二地址add2,存儲在第二頁面緩存區(qū)pb2的msb鎖存器lcm中的第四頁面pg4的數(shù)據(jù)d3和d4可以從非易失性存儲器裝置300輸出至控制器200。
根據(jù)本公開的實施例,只通過一次數(shù)據(jù)讀出操作,應(yīng)當(dāng)從各自的平面pl1和pl2被讀取的所有類型的頁面(lsb頁面和msb頁面)可以從平面pl1和pl2中被同時讀取。因此,解決由于以下事實所引起的問題是可能的:因為應(yīng)當(dāng)從各自的平面pl1和pl2讀取的頁面的類型彼此不同,數(shù)據(jù)讀取操作應(yīng)當(dāng)被執(zhí)行多次。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括數(shù)據(jù)存儲裝置1200的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000的框圖。
根據(jù)圖10的實施例,數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000可以包括主機裝置1100和數(shù)據(jù)存儲裝置1200。
數(shù)據(jù)存儲裝置1200可以包括控制器1210和非易失性存儲器裝置1220。數(shù)據(jù)存儲裝置1200可以被聯(lián)接至諸如例如移動電話、mp3播放器、筆記本電腦、臺式電腦、游戲機、tv、車載信息娛樂系統(tǒng)等主機裝置1100。數(shù)據(jù)存儲裝置1200也可以被稱作存儲器系統(tǒng)。
控制器1210可以包括主機接口單元1211、控制單元1212、存儲器接口單元1213、隨機存取存儲器1214和錯誤校正碼(ecc)單元1215。
控制單元1212可以響應(yīng)于來自主機裝置1100的請求控制控制器1210的一般操作??刂茊卧?212可以驅(qū)動用于控制非易失性存儲器裝置1220的固件或軟件。
控制單元1212可以控制非易失性存儲器裝置1220的mpmp讀取操作。如果非易失性存儲器裝置1220被控制以執(zhí)行mpmp讀取操作,則存儲在包括在不同平面中的頁面中的數(shù)據(jù)可以被讀出而不管其各自平面的存儲塊地址和頁面地址,并且可以視需要被隨機輸出。
隨機存取存儲器1214可以被用作控制單元1212的工作存儲器。隨機存取存儲器1214可以被用作臨時存儲從非易失性存儲器裝置1220中讀取出的數(shù)據(jù)或主機裝置1100提供的數(shù)據(jù)的緩沖存儲器。
主機接口單元1211可以連接主機裝置1100與控制器1210。例如,主機接口單元1211可以通過諸如例如通用串行總線(usb)協(xié)議、通用閃速存儲(ufs)協(xié)議、多媒體卡(mmc)協(xié)議、外設(shè)組件互連(pci)協(xié)議、高速pci(pci-e)協(xié)議、并行高級技術(shù)附件(pata)協(xié)議、串行高級技術(shù)附件(sata)協(xié)議、小型計算機系統(tǒng)接口(scsi)協(xié)議和串列scsi(sas)協(xié)議的多種接口協(xié)議中的一種與主機裝置1100通信。
存儲器接口單元1213可連接控制器1210與非易失性存儲器裝置1220。存儲器接口單元1213可以向非易失性存儲器裝置1220提供命令和地址。而且,存儲器接口單元1213可以與非易失性存儲器裝置1220交換數(shù)據(jù)。
錯誤校正碼(ecc)單元1215可以ecc-編碼待被存儲在非易失性存儲器裝置1220中的數(shù)據(jù)。而且,錯誤校正碼(ecc)單元1215可以ecc-解碼從非易失性存儲器裝置1220中讀取出的數(shù)據(jù)。
非易失性存儲器裝置1220可以被用作數(shù)據(jù)存儲裝置1200的存儲媒介。非易失性存儲器裝置1220可以包括多個非易失性存儲器芯片(或管芯)nvm_1至nvm_k。
控制器1210和非易失性存儲器裝置1220可以被制成各種數(shù)據(jù)存儲裝置中的任意一種。例如,控制器1210和非易失性存儲器裝置1220可以被集成到一個半導(dǎo)體裝置中并且可以被制成mmc、emmc、rs-mmc和微型-mmc形式的多媒體卡,sd、迷你-sd和微型-sd形式的安全數(shù)字卡,通用串行總線(usb)存儲裝置,通用閃速存儲(ufs)裝置,個人計算機存儲卡國際協(xié)會(pcmcia)卡,標(biāo)準(zhǔn)閃存(cf)卡,智能媒體卡,記憶棒等中的任意一種。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括固態(tài)驅(qū)動器(ssd)2200的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2000的框圖。
根據(jù)圖11的實施例,數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2000包括主機裝置2100和固態(tài)驅(qū)動器(ssd)2200。
ssd2200可以包括ssd控制器2210、緩沖存儲器裝置2220、非易失性存儲器裝置2231至223n、電源2240、信號連接器2250和電源連接器2260。
ssd控制器2210可以響應(yīng)于來自主機裝置2100的請求訪問非易失性存儲器裝置2231至223n。
緩沖存儲器裝置2220可以臨時存儲待被存儲在非易失性存儲器裝置2231至223n中的數(shù)據(jù)。而且,緩沖存儲器裝置2220可以臨時存儲從非易失性存儲器裝置2231至223n中讀取出的數(shù)據(jù)。在ssd控制器2210的控制下,被臨時存儲在緩沖存儲器裝置2220中的數(shù)據(jù)可以被傳輸至主機裝置2100或者非易失性存儲器裝置2231至223n。
非易失性存儲器裝置2231至223n可以被用作ssd2200的存儲媒介。非易失性存儲器裝置2231至223n可以分別通過多個通道ch1至chn與ssd控制器2210聯(lián)接。一個或多個非易失性存儲器裝置可以被聯(lián)接至每一個通道。被聯(lián)接至每一個通道的非易失性存儲器裝置可以被聯(lián)接至相同的信號總線和數(shù)據(jù)總線。
電源2240可以將通過電源連接器2260輸入的電力pwr提供至ssd2200的內(nèi)部。電源2240可以包括輔助電源2241。輔助電源2241可以供應(yīng)電力以使得ssd2200在出現(xiàn)突然斷電時被正常終止。輔助電源2241可以包括具有能夠充電電力pwr的大電容的電容器。
ssd控制器2210可以通過信號連接器2250與主機裝置2100交換信號sgl。信號sgl可以包括命令、地址、數(shù)據(jù)等等。信號連接器2250可以根據(jù)主機裝置2100和ssd2200之間的接口方案由諸如例如并行高級技術(shù)附件(pata)、串行高級技術(shù)附件(sata)、小型計算機系統(tǒng)接口(scsi)、串列scsi(sas)、外設(shè)組件互連(pci)、高速pci(pci-e)和通用閃速存儲(ufs)協(xié)議中的一個的連接器配置。
圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖11中所示的固態(tài)驅(qū)動器(ssd)控制器2210的示例配置的框圖。
根據(jù)圖12的實施例,ssd控制器2210可以包括存儲器接口單元2211、主機接口單元2212、錯誤校正碼(ecc)單元2213、控制單元2214和隨機存取存儲器(ram)2215。
存儲器接口單元2211可以向非易失性存儲器裝置2231至223n提供諸如例如命令和地址的控制信號。而且,存儲器接口單元2211可以與非易失性存儲器裝置2231至223n交換數(shù)據(jù)。在控制單元2214的控制下,存儲器接口單元2211可以將從緩沖存儲器裝置2220中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)引導(dǎo)至各自的通道ch1至chn。而且,在控制單元2214的控制下,存儲器接口單元2211可以將從非易失性存儲器裝置2231至223n讀取出的數(shù)據(jù)傳輸至緩沖存儲器裝置2220。
主機接口單元2212可以提供與和某協(xié)議兼容的主機裝置2100的接口。例如,主機接口單元2212可以通過并行高級技術(shù)附件(pata)、串行高級技術(shù)附件(sata)、小型計算機系統(tǒng)接口(scsi)、串列scsi(sas)、外設(shè)組件互連(pci)、高速pci(pci-e)和通用閃速存儲(ufs)協(xié)議中的一個與主機裝置2100通信。此外,主機接口單元2212可以執(zhí)行支持主機裝置2100的磁盤仿真功能以將ssd2200識別為硬盤驅(qū)動器(hdd)。
控制單元2214可以分析并處理從主機裝置2100接收的信號sgl??刂茊卧?214可以根據(jù)用于驅(qū)動ssd2200的固件或軟件控制緩沖存儲器裝置2220和非易失性存儲器裝置2231至223n的操作。隨機存儲存儲器2215可用作用于驅(qū)動固件或軟件的工作存儲器。
控制單元2214可以控制非易失性存儲器裝置2231至223n的多平面、多頁面(mpmp)讀取操作。如果非易失性存儲器裝置2231至223n被控制以執(zhí)行多平面、多頁面(mpmp)讀取操作,則存儲在包括在不同的平面中的頁面中的數(shù)據(jù)可以被讀出而不管各自的平面的存儲塊地址和頁面地址,并且視需要可以被隨機輸出。
在被存儲在緩沖存儲器裝置2220中的數(shù)據(jù)中,錯誤校正碼(ecc)單元2213可以產(chǎn)生待被傳輸至非易失性存儲器裝置2231至223n的校驗數(shù)據(jù)。產(chǎn)生的校驗數(shù)據(jù)可以和數(shù)據(jù)一起被存儲在非易失性存儲器裝置2231至223n中。錯誤校正碼(ecc)單元2213可以檢測從非易失性存儲器裝置2231至223n中讀取出的數(shù)據(jù)中的一個或多個錯誤。當(dāng)檢測的錯誤在可校正的范圍內(nèi)時,錯誤校正碼(ecc)單元2213可以校正所檢測的錯誤。
圖13是示出根據(jù)安裝的實施例的包括數(shù)據(jù)存儲裝置3300的計算機系統(tǒng)3000的框圖。
根據(jù)圖13的實施例,計算機系統(tǒng)3000可以包括被電聯(lián)接至系統(tǒng)總線3700的網(wǎng)絡(luò)適配器3100、中央處理單元(cpu)3200、數(shù)據(jù)存儲裝置3300、隨機存取存儲器(ram)3400、只讀存儲器(rom)3500和用戶接口3600。數(shù)據(jù)存儲裝置3300可以是或包括圖1中所示的數(shù)據(jù)存儲裝置100、圖10中所示的數(shù)據(jù)存儲裝置1200和圖11中所示的ssd2200。
網(wǎng)絡(luò)適配器3100可以提供計算機系統(tǒng)3000和外部網(wǎng)絡(luò)之間的連接。中央處理單元3200可以執(zhí)行用于驅(qū)動存在于ram3400上的操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序的一般計算處理。
數(shù)據(jù)存儲裝置3300可以存儲計算機系統(tǒng)3000中所需的一般數(shù)據(jù)。例如,用于驅(qū)動計算機系統(tǒng)3000的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、各種程序模塊、程序數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)可以被存儲在數(shù)據(jù)存儲裝置3300中。
ram3400可以被用作計算機系統(tǒng)3000的工作存儲器。一經(jīng)啟動,被從數(shù)據(jù)存儲裝置3300中讀取出的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、各種程序模塊和驅(qū)動程序所需的程序數(shù)據(jù)可以被加載在ram3400上。在操作系統(tǒng)驅(qū)動前被激活的基本輸入/輸出系統(tǒng)(bios)可以被存儲在rom3500中。在計算機系統(tǒng)3000和用戶之間的信息交換可以通過用戶接口3600實施。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括在數(shù)據(jù)存儲裝置中的非易失性存儲器裝置300的框圖。
根據(jù)圖14的實施例,非易失性存儲器裝置300可以包括存儲器單元陣列310、行解碼器320、列解碼器330、數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340、電壓發(fā)生器350和控制邏輯360。
存儲器單元陣列310可以包括被布置在字線wl1至wlm和位線bl1至bln彼此相交的區(qū)域處的存儲器單元mc。盡管未示出,但存儲器單元陣列310可以由多個平面以與圖1中所示的存儲器單元區(qū)域310相同的方式配置。
行解碼器320可以通過字線wl1至wlm與存儲器單元陣列310聯(lián)接。行解碼器320可以根據(jù)控制邏輯360的控制操作。行解碼器320可以解碼由外部裝置(未示出)提供的地址。行解碼器320可以基于解碼的結(jié)果選擇并驅(qū)動字線wl1至wlm。例如,行解碼器320可以將由電壓發(fā)生器350提供的字線電壓提供給字線wl1至wlm。
數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以通過位線bl1至bln與存儲器單元陣列310聯(lián)接。數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以包括分別對應(yīng)于位線bl1至bln的讀取/寫入電路rw1至rwn。數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以根據(jù)控制邏輯360的控制來操作。數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以根據(jù)操作模式作為寫入驅(qū)動器或讀出放大器來操作。例如,數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以作為寫入驅(qū)動器來操作,用于在寫入操作中將由外部裝置提供的數(shù)據(jù)存儲在存儲器單元陣列310中。又如,數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340可以作為讀出放大器來操作,用于在讀取操作中從存儲器單元陣列310中讀取出數(shù)據(jù)。
列解碼器330可以根據(jù)控制邏輯360的控制來操作。列解碼器330可以解碼由外部裝置提供的地址?;诮獯a的結(jié)果,列解碼器330可以將分別對應(yīng)于位線bl1至bln的數(shù)據(jù)讀取/寫入塊340的讀取/寫入電路rw1至rwn與數(shù)據(jù)輸入/輸出線(或數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖區(qū))聯(lián)接。
電壓發(fā)生器350可以產(chǎn)生待被用在非易失性存儲器裝置300的內(nèi)部操作中的電壓。由電壓發(fā)生器350產(chǎn)生的電壓可以被施加于存儲器單元陣列310的存儲器單元。例如,在編程操作中產(chǎn)生的編程電壓可以被施加于待對其執(zhí)行編程操作的存儲器單元的字線。又如,在擦除操作中產(chǎn)生的擦除電壓可以被施加于待對其執(zhí)行擦除操作的存儲器單元的阱區(qū)。又例如,在讀取操作中產(chǎn)生的讀取電壓可以被施加于待對其執(zhí)行讀取操作的存儲器單元的字線。
基于由外部裝置提供的控制信號,控制邏輯360可以控制非易失性存儲器裝置300的一般操作。例如,控制邏輯360可以控制非易失性存儲器裝置300的操作,諸如,例如,非易失性存儲器裝置300的讀取、寫入和擦除操作。而且,當(dāng)多平面、多頁面(mpmp)讀取操作被外部裝置請求時,控制邏輯360可以控制如圖9中所示的待被執(zhí)行的內(nèi)部操作。
雖然上文已經(jīng)描述了多個實施例,但在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員將會理解的是,所述實施例僅是本發(fā)明的示例。因此,本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)被限定于所述實施例。
在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以做出多種改變和變型,這對相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員而言將是顯而易見的。