本發(fā)明實施例涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置和方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲器包括易失性存儲器和非易失性存儲器。nandflash是flash內(nèi)存，即閃存的一種，屬于非易失性存儲設(shè)備。

在現(xiàn)有技術(shù)中，讀取nandflash中存儲數(shù)據(jù)的方法如下：當(dāng)發(fā)起某次讀取數(shù)據(jù)命令后，從存儲單元讀出的數(shù)據(jù)送入錯誤檢查和糾正(errorcorrectingcode，ecc)模塊，ecc模塊會對讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷。如果讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量超出既定量，ecc模塊會對讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行矯正操作。如果矯正后的數(shù)據(jù)的錯誤量依然超出既定量，則輸出此次讀取數(shù)據(jù)失敗的指示；如果讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量在既定量范圍內(nèi)，則將讀取到的數(shù)據(jù)作為該次讀取結(jié)果的結(jié)果并輸出。

上述讀取nandflash中存儲數(shù)據(jù)的方法不可靠，經(jīng)常出現(xiàn)讀取失敗的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置和方法，以優(yōu)化數(shù)據(jù)讀取過程，提高數(shù)據(jù)讀取的成功率。

一方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置，包括：

存儲單元，用于存儲數(shù)據(jù)；

錯誤檢測和糾正單元，用于對根據(jù)讀數(shù)據(jù)操作指令從所述存儲單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正，并根據(jù)判斷和矯正結(jié)果產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號或讀取失敗狀態(tài)信號，發(fā)送所述讀取失敗狀態(tài)信號至智能檢測單元，發(fā)送讀取成功狀態(tài)信號和讀取的數(shù)據(jù)至第第一數(shù)據(jù)選擇單元；

智能檢測單元，用于根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至所述存儲單元，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

第一數(shù)據(jù)選擇單元，用于根據(jù)所述讀取成功狀態(tài)信號，輸出所述錯誤檢測和糾正單元發(fā)送的所述讀取的數(shù)據(jù)。

另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法，包括：

當(dāng)接收到讀數(shù)據(jù)操作指令時，使存儲單元中的數(shù)據(jù)處于可讀狀態(tài)；

錯誤檢測和糾正單元讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)，對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正，并根據(jù)判斷和矯正結(jié)果產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號或讀取失敗狀態(tài)信號；

智能檢測單元根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

第一數(shù)據(jù)選擇單元根據(jù)所述讀取成功狀態(tài)信號，輸出所述讀取的數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案，可以根據(jù)錯誤檢測和糾正單元發(fā)出的讀取失敗狀態(tài)信號重新發(fā)送新得讀數(shù)據(jù)操作指令至存儲單元，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作。由于nandflash中的錯誤位多屬據(jù)臨界錯誤，在重復(fù)讀數(shù)據(jù)后大多數(shù)能夠正確讀出數(shù)據(jù)，因此可以大大提高nandflash使用過程中的可靠性，提高數(shù)據(jù)讀取的成功率，并且減小主芯片對于數(shù)據(jù)讀取裝置的檢查次數(shù)，降低負(fù)載和功耗。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例三提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例四提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實施例中的附圖，通過實施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實施例一

圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1，圖中箭頭可表示傳輸數(shù)據(jù)或者信號的流向，該裝置包括：

存儲單元10，用于存儲數(shù)據(jù)；

錯誤檢測和糾正單元20，用于對根據(jù)讀數(shù)據(jù)操作指令從所述存儲單元10讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正，并根據(jù)判斷和矯正結(jié)果產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號或讀取失敗狀態(tài)信號，發(fā)送所述讀取失敗狀態(tài)信號至智能檢測單元30，發(fā)送讀取成功狀態(tài)信號和讀取的數(shù)據(jù)至第一數(shù)據(jù)選擇單元40；

在讀取存儲單元10中存儲的數(shù)據(jù)時，先向存儲單元10發(fā)送讀數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括需要讀取的數(shù)據(jù)的，錯誤檢測和糾正單元20即可讀取到相應(yīng)的數(shù)據(jù)，然后對讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正。其中，錯誤檢測和糾正單元20具體可為ecc(errorcorrectingcode)模塊，對讀取到的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測判斷和矯正的具體過程為現(xiàn)有技術(shù)，可參考相關(guān)技術(shù)。當(dāng)錯誤檢測和糾正單元20產(chǎn)生讀取失敗信號時，說明此次讀取的數(shù)據(jù)不滿足條件；當(dāng)產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號時，說明此次讀取的數(shù)據(jù)滿足相應(yīng)的條件，可將讀取的數(shù)據(jù)輸出。

智能檢測單元30，用于根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至所述存儲單元10，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

當(dāng)智能檢測單元30接收到讀取失敗狀態(tài)信號時，可以發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至存儲單元10，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作，可以提高數(shù)據(jù)讀取的成功率。

其中，所述智能檢測單元30還用于：根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送參數(shù)調(diào)整指令至所述存儲單元10，以調(diào)整讀取所述存儲單元10時的數(shù)據(jù)偏移系數(shù)和溫度偏移系數(shù)。

當(dāng)智能檢測單元30發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至所述存儲單元10，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作時，可以發(fā)送參數(shù)調(diào)整指令至所述存儲單元10，以調(diào)整讀取所述存儲單元10時的數(shù)據(jù)偏移系數(shù)和溫度偏移系數(shù)，提高數(shù)據(jù)讀取的成功率。

第一數(shù)據(jù)選擇單元40，用于根據(jù)所述讀取成功狀態(tài)信號，輸出所述錯誤檢測和糾正單元20發(fā)送的所述讀取的數(shù)據(jù)。

若錯誤檢測和糾正單元20產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號，說明此次數(shù)據(jù)讀取成功，可以將錯誤檢測和糾正單元20發(fā)送的讀取的數(shù)據(jù)作為此次讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出。

本實施例提供的技術(shù)方案，可以根據(jù)錯誤檢測和糾正單元發(fā)出的讀取失敗狀態(tài)信號重新發(fā)送新得讀數(shù)據(jù)操作指令至存儲單元，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作。由于nandflash中的錯誤位多屬據(jù)臨界錯誤，在重復(fù)讀數(shù)據(jù)后大多數(shù)能夠正確讀出數(shù)據(jù)，因此可以大大提高nandflash使用過程中的可靠性，提高數(shù)據(jù)讀取的成功率，并且減小主芯片對于數(shù)據(jù)讀取裝置的檢查次數(shù)，降低負(fù)載和功耗。

實施例二

圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例是在實施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化。

在本實施例中，所述錯誤檢測和糾正單元20，還用于發(fā)送所述讀取失敗狀態(tài)信號至第二數(shù)據(jù)選擇單元50；

所述智能檢測單元30，具體用于根據(jù)接收到的當(dāng)前讀取失敗狀態(tài)信號判斷是否滿足預(yù)設(shè)截止條件，若是，則產(chǎn)生截止控制信號，發(fā)送至第一數(shù)據(jù)選擇單元40和第二數(shù)據(jù)選擇單元50，若否，則根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至所述存儲單元10，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

其中，所述預(yù)設(shè)截止條件為接收到的讀取失敗狀態(tài)信號的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)。

在本實施例的另一種實施例方式中，也可以將預(yù)設(shè)次數(shù)設(shè)置至無窮大，即當(dāng)智能檢測單元30接收到當(dāng)前讀取失敗狀態(tài)信號時，發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令至所述存儲單元10，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作。

所述第二數(shù)據(jù)選擇單元50，用于根據(jù)所述截止控制信號輸出讀取失敗狀態(tài)信號；

所述第一數(shù)據(jù)選擇單元40，還用于根據(jù)所述截止控制信號，輸出所述錯誤檢測和糾正單元20當(dāng)前發(fā)送的讀取的數(shù)據(jù)。

若智能檢測單元30產(chǎn)生截止控制信號，說明經(jīng)過預(yù)設(shè)次數(shù)的讀取，讀取的數(shù)據(jù)仍不滿足錯誤檢測和糾正單元20的判斷和矯正條件，可以將錯誤檢測和糾正單元20最后一次輸出的數(shù)據(jù)作為最終的讀取數(shù)據(jù)輸出，并輸出讀取失敗狀態(tài)信號。

進(jìn)一步的，參見圖2，所述錯誤檢測和糾正單元20，包括：

數(shù)據(jù)錯誤量判斷子單元201，用于判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量是否大于設(shè)定閾量；

在數(shù)據(jù)存儲的時候，會保存有存儲數(shù)據(jù)的校驗數(shù)據(jù)，例如奇偶校驗數(shù)據(jù)。在讀取存儲數(shù)據(jù)的時候，數(shù)據(jù)錯誤量判斷子單元201根據(jù)校驗數(shù)據(jù)判斷讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量是否大于設(shè)定閾量。

數(shù)據(jù)矯正子單元202，用于若所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量大于所述設(shè)定閾量，對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行矯正；

第一信號控制子單元203，用于若所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量不大于所述設(shè)定閾量，產(chǎn)生所述讀取成功狀態(tài)信號；

第二信號控制子單元204，用于若所述矯正后的數(shù)據(jù)的錯誤量大于所述設(shè)定閾量，產(chǎn)生所述讀取失敗狀態(tài)信號；

若所述矯正后的數(shù)據(jù)的錯誤量不大于所述設(shè)定閾量，產(chǎn)生所述讀取成功狀態(tài)信號；

數(shù)據(jù)輸出子單元205，用于輸出所述讀取的數(shù)據(jù)至所述第一數(shù)據(jù)選擇單元40。

本實施例提供的技術(shù)方案，智能檢測單元根據(jù)接收到的當(dāng)前讀取失敗狀態(tài)信號判斷數(shù)據(jù)讀取失敗的次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)，再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作，并將讀取失敗狀態(tài)信號和讀取的數(shù)據(jù)輸出，方便外部讀取數(shù)據(jù)的程序根據(jù)輸出的狀態(tài)信號和數(shù)據(jù)使用輸出的數(shù)據(jù)，可以提高nandflash使用過程中的可靠性，并且減小主芯片對于數(shù)據(jù)讀取裝置的檢查次數(shù)，降低負(fù)載和功耗。

實施例三

圖3是本發(fā)明實施例三提供的一種基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖。該方法適用于需要從nandflash存儲介質(zhì)中讀取存儲的數(shù)據(jù)的情況，可由配置于上述實施例一或?qū)嵤├械臄?shù)據(jù)讀取裝置來執(zhí)行，所述裝置可由軟件和/或硬件實現(xiàn)。參見圖3，本實施例提供的基于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法具體包括：

s310、當(dāng)接收到讀數(shù)據(jù)操作指令時，使存儲單元中的數(shù)據(jù)處于可讀狀態(tài)；

s320、錯誤檢測和糾正單元讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)，對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正，并根據(jù)判斷和矯正結(jié)果產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號或讀取失敗狀態(tài)信號；

s330、智能檢測單元根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

s340、第一數(shù)據(jù)選擇單元根據(jù)所述讀取成功狀態(tài)信號，輸出所述讀取的數(shù)據(jù)。

進(jìn)一步的，所述智能檢測單元根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作，包括：

根據(jù)當(dāng)前讀取失敗狀態(tài)信號判斷是否滿足預(yù)設(shè)截止條件，若是，則產(chǎn)生截止控制信號，若否，則根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作，以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作；

第二數(shù)據(jù)選擇單元根據(jù)所述截止控制信號，輸出讀取失敗狀態(tài)信號；

第一數(shù)據(jù)選擇單元根據(jù)所述截止控制信號，輸出當(dāng)前讀取的數(shù)據(jù)。

其中，所述預(yù)設(shè)截止條件為產(chǎn)生的讀取失敗狀態(tài)信號的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)。

進(jìn)一步的，在所述智能檢測單元根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送新的讀數(shù)據(jù)操作指令以再次觸發(fā)數(shù)據(jù)讀取操作之前，還包括：

智能檢測單元根據(jù)所述讀取失敗狀態(tài)信號發(fā)送參數(shù)調(diào)整指令至所述存儲單元，以調(diào)整讀取所述存儲單元時的數(shù)據(jù)偏移系數(shù)和溫度偏移系數(shù)。

進(jìn)一步的，所述錯誤檢測和糾正單元讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)，對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷和矯正，并根據(jù)判斷和矯正結(jié)果產(chǎn)生讀取成功狀態(tài)信號或讀取失敗狀態(tài)信號，包括：

判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量是否大于設(shè)定閾量；

若所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量大于所述設(shè)定閾量，對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行矯正；

若所述讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量不大于所述設(shè)定閾量，產(chǎn)生所述讀取成功狀態(tài)信號；

若所述矯正后的數(shù)據(jù)的錯誤量大于所述設(shè)定閾量，產(chǎn)生所述讀取失敗狀態(tài)信號。

本實施例提供的技術(shù)方案，可以提高nandflash使用過程中的可靠性，，可以提高讀取數(shù)據(jù)的成功率。

實施例四

圖4是本發(fā)明實施例四提供的一種于nandflash的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖。所述方法是在接收到外部讀數(shù)據(jù)操作指令后順序執(zhí)行，參見圖4，所述方法包括：

s410、使存儲單元中的數(shù)據(jù)處于可讀狀態(tài)；

s420、讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)；

s430、判斷讀取的數(shù)據(jù)的錯誤量是否大于設(shè)定閾量，若否，跳轉(zhuǎn)至s490；

s440、對所述讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行矯正；

s450、判斷矯正后的數(shù)據(jù)的錯誤量是否大于設(shè)定閾量，若否，跳轉(zhuǎn)至s490；

s460、產(chǎn)生讀取失敗狀態(tài)信號；

s470、判斷產(chǎn)生的讀取失敗的狀態(tài)信號的次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)，若否，跳轉(zhuǎn)至s410；

s480、輸出讀取失敗狀態(tài)信號；

s490、輸出當(dāng)前讀取的數(shù)據(jù)。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。