技術(shù)編號(hào)：11592397
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器，特別是涉及一種非易失性存儲(chǔ)器裝置及其實(shí)時(shí)自適應(yīng)讀取電壓調(diào)整的方法。背景技術(shù)與傳統(tǒng)的硬盤設(shè)備相比，閃存(FLASHmemory)具有快速讀/寫性能和低功耗等特性。閃存是一種常用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。閃存可以依據(jù)控制器所發(fā)出的讀取命令的讀取電壓參數(shù)來(lái)設(shè)定讀取電壓。閃存還可以依據(jù)讀取命令的地址來(lái)讀取數(shù)據(jù)電壓。閃存依照所述讀取電壓將該數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)給控制器。為了降低成本，閃存技術(shù)發(fā)展至越來(lái)越小的幾何形狀和越來(lái)越高的密度(每一個(gè)單元有更多位)，使得讀取錯(cuò)誤成為閃存可靠性的一...
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