新三甲硅烷基胺衍生物、其制備方法以及使用其的含硅薄膜的制作方法
【專利摘要】提供了新三甲硅烷基胺衍生物、用于制備其的方法和使用其的含硅薄膜，其中三甲硅烷基胺衍生物是具有熱穩(wěn)定性、高揮發(fā)性和高反應性并且在室溫下和壓力下呈液態(tài)(可以進行處理)的化合物，其可以通過多種沉積方法形成具有優(yōu)良物理和電學特性的高純度含硅薄膜。
【專利說明】
新Ξ甲括烷基胺衍生物、其制備方法從及使用其的含括薄膜
技術領域
[0001] 本發(fā)明設及到新Ξ甲娃烷基胺衍生物、用于制備其的方法和使用其的含娃薄膜， 并且更特別地設及具有熱穩(wěn)定性和高揮發(fā)性并在室溫和壓力下呈液態(tài)（可W進行處理）的 新Ξ甲娃烷基胺衍生物、用于制備其的方法和使用其的含娃薄膜。
【背景技術】
[0002] 通過半導體領域中的多種沉積方法，含娃薄膜被制成多種形狀，如娃膜、二氧化娃 膜、氮化娃膜、碳氮化娃膜、氮氧化娃膜等，并且被廣泛應用于許多領域中。
[0003] 特別地，歸因于其顯著優(yōu)良的阻擋性和抗氧化性，二氧化娃膜和氮化娃膜可W在 制造裝置中起絕緣膜、防擴散膜、硬質掩模、蝕刻停止層、巧晶層、間隔物、溝槽隔離物、金屬 間介電材料和保護層的作用。
[0004] 近期，多晶娃薄膜已經被用于薄膜晶體管(TFT)、太陽能電池等，并且因此，其應用 領域得到了改變。
[0005] 作為已知用于制造含娃薄膜的典型技術，存在通過使混合氣體形式的娃前體與反 應氣體反應在基底表面上形成膜或者通過在表面上直接反應形成膜的金屬有機化學氣相 沉積(M0CVD);W及在基底表面上物理或化學吸附氣體形式的娃前體，隨后依次引入反應氣 體形成膜的原子層沉積（ALD)。另外，用于制造薄膜的多種技術，如低壓化學氣相沉積 化PCVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、等離子體增強原子層沉積(PEALDK使用能 夠在低溫下沉積的等離子體)等被用于下一代半導體和顯示裝置制造工藝，由此被用于形 成超精細圖案和沉積在納米尺寸的厚度下具有均勻和優(yōu)良特性的超薄膜。
[0006] 如韓國專利特許公開No.KR 2007-0055898中所述的用于形成含娃薄膜的前體的 典型實例包括硅烷、硅烷氯化物、氨基硅烷和烷氧基硅烷，并且更具體地，硅烷氯化物如二 氯硅烷(Si也C12)和六氯二硅烷(CbSiSiCh); ^及；甲娃烷基胺(N(Si也)3)、雙-二乙基氨 基硅烷化2Si(N(C也C也)2)2)和二異丙基氨基硅烷化3SiN(i-C3H7)2)等被用于半導體和顯示 器的大規(guī)模生產。
[0007] 然而，根據(jù)由裝置的超高集成導致的裝置微型化、縱橫比的增加 W及裝置材料的 多樣化，需要形成具有均勻和薄的厚度W及在期望低溫下具有優(yōu)良電學特性的超精細薄膜 的技術，并且因此，在使用現(xiàn)有娃前體時，600或更高的高溫工藝、階梯覆蓋的劣化、蝕刻特 性W及薄膜的物理和電學特性成為問題，并且因此，需要開發(fā)優(yōu)良的新娃前體。

【發(fā)明內容】

[000引技術問題
[0009] 本發(fā)明的一個目的是提供新Ξ甲娃烷基胺衍生物。
[0010] 另外，本發(fā)明的另一個目的是提供作為用于薄膜沉積的前體化合物的新Ξ甲硅烷 基胺衍生物。
[OOW 此外，本發(fā)明的另一個目的是提供用于制備；甲娃烷基胺衍生物的方法。
[0012]另外，本發(fā)明的另一個目的是提供用于沉積含娃薄膜的組合物，其包含本發(fā)明的 Ξ甲娃烷基胺衍生物；用于制造含娃薄膜的方法;和通過使用本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生 物制造的含娃薄膜。
[oou]技術方案
[0014] 在一個一般方面中，本發(fā)明提供了運樣的新Ξ甲娃烷基胺衍生物:其能夠形成具 有優(yōu)良內聚性、高沉積速率和即使在低溫下也具有優(yōu)良的物理和電學特性的娃薄膜。
[0015] 本發(fā)明的新Ξ甲娃烷基胺衍生物由W下化學式1表示：
[0016] [化學式1]
[0017]
[001引在化學式1中，
[0019] R哺R2各自獨立地為氨、面素或(C1-C3)烷基。
[0020] 由本發(fā)明的化學式1表示的Ξ甲娃烷基胺衍生物在室溫和大氣壓下呈液態(tài)，并且 具有較優(yōu)的揮發(fā)性和優(yōu)良的反應性，由此容易形成薄膜。
[0021] 優(yōu)選地，在化學式1中，排除其中Ri和R2兩者均為甲基的情況，原因是由于當化學式 1中的Ri和R2兩者均為甲基時，Ξ甲娃烷基胺衍生物在室溫和大氣壓下呈液態(tài)，但仍然具有 低反應性。同時，本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物(排除其中Ri和R2兩者均為甲基的情況)是具 有較優(yōu)揮發(fā)性和優(yōu)良反應性的液態(tài)化合物，由此容易形成薄膜。
[0022] 另外，由于Si3N^角形平面分子結構具有Ξ個連接至中屯、氮原子的娃原子，因此 本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物具有高的熱穩(wěn)定性和低的活化能，由此具有優(yōu)良的反應性， 并且不產生非揮發(fā)性副產物，由此容易形成具有高純度的含娃薄膜。
[0023] 為了使根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方案的由化學式1表示的Ξ甲娃烷基胺衍生 物形成具有高熱穩(wěn)定性和反應性W及高純度的薄膜，優(yōu)選的是，在化學式1中，Ri和R2各自獨 立地為氨、面素或甲基，前提條件是排除其中Ri和R2兩者均為甲基的情況。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方案的化學式1可W選自W下化合物，但本發(fā)明并 不限于此：
[0025]
[0026] 另外，由本發(fā)明的化學式1表示的Ξ甲娃烷基胺衍生物可W優(yōu)選用作用于沉積含 娃薄膜的前體化合物。
[0027] 在另一個一般方面中，本發(fā)明提供了用于制備由化學式1表示的Ξ甲娃烷基胺衍 生物的方法，所述方法包括:通過在由W下化學式2表示的堿或(C1-C7)烷基裡的存在下使 由W下化學式3表示的化合物與由W下化學式4表示的化合物反應制備由W下化學式1表示 的Ξ甲娃烷基胺衍生物。
[002引[化學式1]
[0036] 在化學式1至4中，
[0037] R哺R2各自獨立地為氨、面素或(C1-C3)烷基；
[003引 R3至R5各自獨立地為(C1-C7)烷基，并且
[0039] χ?是面素。
[0040] 優(yōu)選地，在化學式1至4中，排除其中Ri和R2兩者均為甲基的情況。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方案的（C1-C7)烷基裡是裡與（C1-C7)烷基鍵合的 化合物，例如，甲基裡、叔下基裡、正下基裡等，并且優(yōu)選為正下基裡。
[0042] 在另一個一般方面中，本發(fā)明提供了用于制備由W下化學式1表示的Ξ甲娃烷基 胺衍生物的方法，所述方法包括:通過使金屬氨化物與由W下化學式5表示的化合物反應制 備由W下化學式1表示的Ξ甲娃烷基胺衍生物：
[00創(chuàng)[化學式。
[0047] 在化學式1或5中，
[004引R哺R2各自獨立地為氨、面素或(C1-C3)烷基;并且
[0049] X2或X3各自獨立地為氨或面素。
[0050] 優(yōu)選地，在化學式1或5中，排除其中Ri和R2兩者均為甲基的情況。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方案，金屬氨化物中的金屬可W是堿金屬或堿±金 屬，并且優(yōu)選為裡。
[0052] 只要本發(fā)明的制備方法中使用的溶劑不與起始物質反應，則其在一般有機溶劑中 不受限制，例如，所述溶劑可W是選自正己燒(η-己燒）、環(huán)己燒、正戊燒(η-戊燒）、二乙酸、 甲苯、四氨巧喃(THF)、二氯甲燒(DCM)和Ξ氯甲燒(氯仿）中的至少一種。
[0053] 只要本發(fā)明的制備方法中的反應溫度用于一般有機合成，則所述溫度不受限制； 然而，反應溫度可W根據(jù)反應時間、反應物質和起始物質的量變化，其中反應需要在通過 NMR、GC等確認起始物質完全消耗之后完成。當反應完成時，可W通過過濾，隨后通過在減壓 下簡單蒸饋除去溶劑，并且然后可W通過一般方法如分饋、減壓下蒸饋等來分離和精煉期 望的物質。
[0054] 此外，在另一個一般方面中，本發(fā)明提供了用于沉積含娃薄膜的組合物和用于通 過使用上述Ξ甲娃烷基胺衍生物制造含娃薄膜的方法，所述組合物包含上述Ξ甲娃烷基胺 衍生物。
[0055] 本發(fā)明的用于沉積含娃薄膜的組合物可包含Ξ甲娃烷基胺衍生物作為用于薄膜 沉積的前體，并且用于沉積含娃薄膜的組合物中的Ξ甲娃烷基胺衍生物的含量可W在本領 域技術人員考慮到薄膜的成膜條件或者厚度、特性等可確定的范圍內。
[0056] 在另一個一般方面中，本發(fā)明提供了通過使用上述Ξ甲娃烷基胺衍生物制造的含 娃薄膜。
[0057] 本發(fā)明的含娃薄膜可W由一般方法制造，例如，金屬有機化學氣相沉積(M0CVD)、 原子層沉積(ALD)、低壓化學氣相沉積化PCVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、等離 子體增強原子層沉積(PEALD)等。
[0058] 本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物具有低活化能和高反應性，并且使非揮發(fā)性副產物 的產生最小化，使得通過使用本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物作為前體制造的含娃薄膜可W 具有高純度和優(yōu)良的物理和電學特性。
[0化9]有益效果
[0060] 本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和高反應性，使得通過使用所 述Ξ甲娃烷基胺衍生物作為前體制造的含娃薄膜可W具有高純度和顯著優(yōu)良的物理和電 學特性。
[0061] 另外，本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物可具有高含量的娃并且在室溫和大氣壓下呈 液態(tài)，由此容易儲存和處理，并且可具有高揮發(fā)性和高反應性W迅速地和容易地沉積，并且 可W沉積具有優(yōu)良內聚性和較優(yōu)的階梯覆蓋的薄膜。
[0062] 此外，通過使用本發(fā)明的Ξ甲娃烷基胺衍生物作為前體制造的含娃薄膜可W具有 高純度和顯著優(yōu)良的物理和電學特性。
【附圖說明】
[0063] 本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將通過結合附圖給出的優(yōu)選實施方案的W 下描述變得明顯，其中：
[0064] 圖1示出了通過由實施例3制備的Ξ甲娃烷基胺衍生物的熱重分析所獲得的結果。
[0065] 圖2示出了通過由實施例4制備的Ξ甲娃烷基胺衍生物的熱重分析所獲得的結果。
[0066] 圖3示出了通過由實施例4制備的Ξ甲娃烷基胺衍生物的蒸氣壓測量所獲得的結 果。
[0067]圖4示出了由實施例4進行的用于沉積含娃薄膜的方法。
[006引圖5示出了通過使用楠圓偏光儀(橫坐標:波數(shù)(cm-i))分析由實施例5制造的含娃 薄膜的膜厚度所獲得的結果。
[0069] 圖6示出了通過由實施例5制造的經沉積的含娃薄膜的紅外光譜分析所獲得的結 果。
[0070] 圖7示出了由實施例6進行的用于沉積含娃薄膜的方法。
[0071] 圖8示出了通過由實施例6進行的含娃薄膜的紅外光譜分析所獲得的結果。
【具體實施方式】
[0072] 下文中，將更詳細地參考W下示例性實施方案對本發(fā)明進行描述。然而，W下示例 性實施方案僅僅借助實施例描述本發(fā)明，但不限于此。
[0073] W下實施例的所有化合物在無水和惰性氣氛下使用手套箱或Schlenk管進行操 作，產品通過1h核磁共振（醒R，400MHz叫1^3扣61(1，811圳1?5')、熱重分析（了64，1^81-11， LINSEIS)和氣相色譜(GC，7890A，Agilent Technologies)分析，經沉積的薄膜的厚度通過 楠圓偏光儀(M2000D，Woollam)測量，并且所述膜的組分通過紅外光譜（IFS66V/S&Hyperion 3000，B;ruker OpUks)和俄歇電子光譜儀(Microlab 350 Jhermo Electron)分析。
[0074] [實施例1 ]四甲基二娃氮燒的合成
[00巧]將80g(0.84mol)氯代二甲基硅烷(C出)2Si肥1和400ml正己燒放入1000ml火焰干燥 的Schl enk燒瓶中并且在無水和惰性氣氛下攬拌，并冷卻至-30 °C的溫度。向其中緩慢添加 72g(4.23mol)氨(N曲）同時將溫度維持在-30°C。在添加完成之后，使反應溶液的溫度緩慢 升至室溫，并且將反應溶液在室溫下攬拌6小時。過濾反應溶液之后，除去通過過濾獲得的 白色錠鹽（NH4C1)固體W得到濾液，并且在減壓下除去濾液中的溶劑W得到50.73g (0.38mol)的四甲基二娃氮燒（（（C出)2SiH)2NH)，產率為90%。
[0076] 1h NMR(C6D6中）：80.09((1，12山歴化51((：出）2))2,4.66(111，2山歴化81((：出）2))2);沸 點 99〇C
[0077] [實施例2]雙-四甲基甲娃烷基二氯甲娃烷基胺的合成
[007引將40g(0.30mol)通過上述實施例1合成的四甲基二娃氮燒（（（C出）2SiH)2NH)和 100ml有機溶劑(正己燒)放入2000ml火焰干燥的燒瓶中并且在無水和惰性氣氛下攬拌，并 且緩慢添加92.85g(0.30mol )2.29M正下基裡(n-C祖9Li)己燒（C抽14)溶液同時將溫度維持 在-15°C。在添加完成之后，使反應溶液的溫度緩慢升至室溫，并且將反應溶液攬拌6小時， 并向其中添加150ml四氨巧喃(0侶出)2)。向所述反應溶液中緩慢添加4.47邑(0.3311101片氯 硅烷（SiHCl3)同時將溫度維持在-20°C。在添加完成之后，使反應溶液的溫度緩慢升至25 °C，并將反應溶液攬拌8小時同時將溫度維持在25 °C。在反應完成之后，過濾反應混合物，并 且除去通過過濾得到的白色固體W獲得濾液，并且在減壓下除去濾液中的溶劑W獲得 55.75g(0.24mol)雙-四甲基甲娃烷基二氯甲娃烷基胺（（（C出）2HSi)2NSiHCl2)，產率為 80%。
[0079] 1h-醒R(C606中）：δΟ. 17(d，12H，（（CH3)2HSi )2NSiHCl2))，4.64(m，2H，（（CH3)2HSi) 2NSi 肥 l2)，6.09(s，lH，（（CH3)2HSi)2NSiWl2).
[0080] [實施例3]雙-二甲基甲娃烷基甲娃烷基胺的合成
[0081 ] 將55.7g(0.24mol)通過上述實施例2合成的雙-四甲基甲娃烷基二氯甲娃烷基胺 (((C曲)2HSi)2NSiHCl2)和200ml有機溶劑(THF)放入2000ml火焰干燥的燒瓶中并且在無水 和惰性氣氛下攬拌，并冷卻至-15°C的溫度。向其中緩慢添加4.77g(0.60mol)氨化裡化iH) 同時將溫度維持在-15°C。在添加完成之后，使反應溶液的溫度緩慢升至65°C并將反應溶液 攬拌12小時。在過濾反應溶液之后，除去通過過濾得到的白色固體W獲得濾液。通過減壓蒸 饋在減壓下除去濾液中的溶劑W獲得25.50g(0.16mol)雙-二甲基甲娃烷基甲娃烷基胺 (((CH3)2服i)2NSi出），產率為65%。
[0082] 1h-醒R (C6〇6 中）：δ0.16 (d，12H，（（（ C曲）2冊i) 2NS i曲）），4.49 (S，3H，（（（ C曲）2冊 i) 2NSi出）），4.69(m，2H，（（（C出）抽Si)2NSi出））；沸點115~120°C;GC分析結果>99%.
[0083] [實施例4]Ξ-二甲基甲娃烷基胺的合成
[0084] 將40g(0.30mol)通過上述實施例1合成的四甲基二娃氮燒（（（C出）2SiH)2NH)和 100ml有機溶劑(正己燒)放入2000ml火焰干燥的燒瓶中并且在無水和惰性氣氛下攬拌，并 緩慢添加92.85g(0.30mol)2.29M正下基裡(n-C4曲Li)己燒(C姐14)溶液同時將溫度維持在- 15°C。在添加完成之后，使反應溶液的溫度緩慢升至室溫，并且將反應溶液攬拌6小時，并且 向其中添加150ml四氨巧喃(0侶出)2)。向所述反應溶液中緩慢添加31.22g(0.33mol)氯代 二甲基硅烷（（C出)2Si肥1)同時將溫度維持在-20°C。在添加完成之后，將反應溶液的溫度緩 慢升至25°C并且將反應溶液攬拌8小時同時將溫度維持在25°C。在反應完成之后，過濾反應 混合物，并且除去通過過濾得到的白色固體W獲得濾液，并且在減壓下除去濾液中的溶劑 W獲得45.96g(0.24mol)S-二甲基甲娃烷基胺（（（C出)2服i)3N)，產率為80%。
[0085] 1h-NMR(C6D6中）：S0.21(d，18H，（（（Ol3)2HSi)3N)，4.73(s，3H，（（（ai3)2HSi)3N);2); 沸點152 °C ; GC分析結果>99.5 % .
[0086] [實施例5]通過等離子體增強原子層沉積(PEALD)使用Ξ甲娃烷基胺衍生物沉積 二氧化娃膜
[0087] 在一般等離子體增強原子層沉積(PEALD)設備中使用已知PEALD方法通過使用根 據(jù)本發(fā)明的實施例3和4的Ξ甲娃烷基胺衍生物作為用于形成二氧化娃膜的組合物進行成 膜評估。使用娃基底作為基底，使用具有等離子體的氧作為反應氣體，并且使用作為惰性氣 體的氣氣用于清除。下文中，圖4和表1特別地示出用于沉積二氧化娃薄膜的方法。
[0088] 表 1
[0089] [表U
[0090] 二氧化娃薄膜的沉積條件
[0091]
[0092] 經沉積的薄膜的厚度通過楠圓偏光儀進行測量，并且Si化薄膜的形成通過紅外光 譜儀進行分析。圖5示出了通過楠圓偏光儀分析所得的膜的厚度。確認了通過使用雙-二甲 基甲娃烷基甲娃烷基胺化合物沉積的薄膜的厚度為50.5A并且通過使用二甲基甲硅烷 基胺化合物沉積的薄膜的厚度為65.8 乂。確定了運些薄膜能夠有效地用于需要高沉積速 率的所有二氧化娃薄膜應用領域中。圖6示出了經沉積的薄膜的紅外光譜分析。示出了所有 薄膜作為二氧化娃薄膜形成，并且沒有觀察到雜質峰，如C-H、Si-〇H。
[0093] 也就是說，確認了通過本發(fā)明制備的新Ξ甲娃烷基胺衍生物在通過等離子體增強 原子層沉積(PEALD)形成具有高沉積速率的高純度二氧化娃薄膜中具有高的實用價值。
[0094] [比較例]通過等離子體增強原子層沉積(PEALD)使用已知的Ξ甲娃烷基胺衍生物 沉積二氧化娃膜
[00M]在與上述實施例5所操作的相同的沉積條件下通過使用已知的PEALD方法進行比 較例的成膜評估，不同之處在于使用W下表2中所示的已知的Ξ甲娃烷基胺衍生物，然后， 通過與上述實施例5所操作的相同的分析方法和條件分析經沉積的薄膜，并且獲得其分析 結果。下文中，圖4和表2特別地示出了用于沉積二氧化娃薄膜的方法。
[0096] 顯示出薄膜的厚度范圍為211至35.5A，運示出了與實施例3和4的S甲娃烷基 胺衍生物相比較低的沉積速率，并且所有薄膜作為二氧化娃膜形成。
[0097] 表 2 [009引[表 2]
[0099]二氧化娃薄膜的沉積條件
[0100]
[0101] [實施例6]通過等離子體增強原子層沉積(PEALD)使用Ξ甲娃烷基胺衍生物沉積 氮化娃膜
[0102] 在一般等離子體增強原子層沉積(PEALD)設備中使用已知PEALD方法通過使用根 據(jù)本發(fā)明的實施例3的Ξ甲娃烷基胺衍生物作為用于形成氮化娃膜的組合物進行成膜評 估。使用娃基底作為基底，使用具有等離子體的氮作為反應氣體，并且使用相同的氮氣用于 清除。下文中，圖7和表3特別地示出了用于使氮化娃薄膜沉積的方法。
[0103] 表3
[0104] [表 3]
[0105] 氮化娃薄膜的沉積條件
[0106]
[0107] 經沉積的薄膜的厚度通過楠圓偏光儀進行測量，并且SiN薄膜的形成和薄膜的組 分通過紅外光譜儀和俄歇電子光譜儀進行分析。在平板晶片上的500次循環(huán)中，薄膜的厚度 為巧0.1 A々
[0108] 另外，如圖8所示，示出了所有經沉積的薄膜作為氮化娃膜形成，并且觀察到包含 少量的例如N-H、S i -H的鍵。
[0109] 另外，經沉積的薄膜的蝕刻速率通過使用緩沖氧化物蝕刻劑(B0E)溶液(300:1)進 行確定。經沉積的氮化娃薄膜化0.04A/#的速率被蝕刻，而作為比較樣品的通過在1000 °c下的熱解沉積方法沉積的二氧化娃薄膜(熱氧化物）W0.34A/辛少的速率被蝕刻，并且使 用二氯硅烷通過在770 °C下的低壓化學氣相沉積化PCVD)所沉積的氮化娃薄膜W 0.021/穢的速率被蝕刻。
[0110] 也就是說，確認了通過本發(fā)明制備的新Ξ甲娃烷基胺衍生物在通過等離子體增強 原子層沉積(PEALD)形成具有高沉積速率和優(yōu)良抗蝕刻性的高純度氮化娃薄膜中具有高的 實用價值。
【主權項】
1. 一種由以下化學式1表示的三甲硅烷基胺衍生物： [化學式1]在化學式1中， R1和R2各自獨立地為氫、鹵素或(Cl-C3)烷基。2. 根據(jù)權利要求1所述的三甲硅烷基胺衍生物，其中R1和R2兩者為氫、??素或甲基。 1枏抿切未Il悪龍1所怵的二甲硅梡甚胳析Φ物.由所怵仆堂忒1洗白WT仆合@4. 一種用于制備由以下化學式1表示的三甲硅烷基胺衍生物的方法，包括： 通過在由以下化學式2表示的堿或(C1-C7)烷基鋰的存在下使由以下化學式3表示的化 合物與由以下化學式4表示的化合物反應制備所述由以下化學式1表示的三甲硅烷基胺衍 生物： [化學式1][化學式2] N(R3)(R4)(Rs) [化學式3]在化學式1至4中， R1和R2各自獨立地為氫、鹵素或(C1-C3)烷基，排除其中R1和R 2兩者均為甲基的情況； R3至R5各自獨立地為(Cl-C7)烷基，并且 X1是鹵素。5. -種用于制備由以下化學式1表示的三甲硅烷基胺衍生物的方法，所述方法包括： 通過使金屬氫化物與由以下化學式5表示的化合物反應制備所述由以下化學式1表示 的三甲硅烷基胺衍生物： [化學式1]在化學式1或5中， R1和R2各自獨立地為氫、鹵素或(C1-C3)烷基，排除其中R1和R 2兩者均為甲基的情況;并 且 X2或X3各自獨立地為氫或鹵素。6. -種用于沉積含硅薄膜的組合物，包含根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的三甲硅烷 基胺衍生物。7. -種用于通過使用根據(jù)權利要求6所述的用于沉積含硅薄膜的組合物制造含硅薄膜 的方法。8. -種通過使用根據(jù)權利要求6所述的用于沉積含硅薄膜的組合物制造的含硅薄膜。
【文檔編號】C07F7/10GK106029680SQ201580009063
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年1月8日
【發(fā)明人】張世珍, 李相道, 金宗炫, 金成基, 金度延, 楊炳日, 昔壯衒, 李相益, 金銘云
【申請人】Dnf有限公司