專利名稱：一種金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及單壁碳納米管的同步分離與組裝方法，特別涉及金屬性和 半導(dǎo)體性單壁碳的同步分離與組裝方法。
背景技術(shù)：
單壁碳納米管因其特殊的結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的物理化學(xué)性能，使其在很多領(lǐng) 域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，如納米場(chǎng)效應(yīng)管、場(chǎng)發(fā)射平面顯示器、納電子邏 輯器件、納米信息存儲(chǔ)器，化學(xué)、生物傳感器等等。有關(guān)碳納米管的研究 成為當(dāng)今納米科技領(lǐng)域非常重要的一個(gè)組成部分。
不同手性的單壁碳納米管，具有不同的物理和化學(xué)性質(zhì)，在單壁碳納米 管眾多的應(yīng)用中，如何有效的分離金屬性和半導(dǎo)體性的碳納米管一直是大 家追求的目標(biāo)。目前的單壁碳納米管合成技術(shù)得到的總是不同手性的金屬
性(33%)和半導(dǎo)體性(67%)碳納米管的混合產(chǎn)物。有效的從單壁碳納 米管體相混合物中分離出特殊手性的碳納米管對(duì)充分利用碳納米管的優(yōu)異 性能是非常重要的，這對(duì)制備納電子邏輯器件以及場(chǎng)效應(yīng)器件、傳感器等 都是必不可少的。近年來(lái)，利用不同手性碳納米管的化學(xué)反應(yīng)性能不同， 對(duì)金屬應(yīng)用性和半導(dǎo)體性碳納米管進(jìn)行了分離，取得了一定的進(jìn)展，此外 利用電場(chǎng)下不同碳納米管受力不同，對(duì)金屬性碳納米管進(jìn)行富集，也達(dá)到 了一定的分離效果。但是進(jìn)一步對(duì)不同手性的碳納米管進(jìn)行更可控更充分 的分離還是需要解決的問(wèn)題。
對(duì)碳納米管進(jìn)行有效的組裝對(duì)于提高納米管器件的制備以及使用也是 非常重要的。有效的控制碳管的排列方式，使其組裝成各種不同的器件設(shè) 計(jì)所需要的結(jié)構(gòu)是構(gòu)建納米管器件決定因素，也是現(xiàn)存的主要挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分 離與組裝方法，該金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 利用在特殊設(shè)計(jì)的多間隙納米電極上，不同手性的碳納米管在電場(chǎng)下受到 的介電泳作用力大小不同，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步 分離和組裝；該方法不僅簡(jiǎn)單、可控、高效，而且，能夠有效提高碳納米 管電子邏輯器件以及場(chǎng)效應(yīng)器件的性能和集成度，為碳納米管結(jié)構(gòu)的制備 和實(shí)用化提供了一條可行的途徑。
本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法包 括制備金電極的步驟；在電極上刻出間隙的步驟；將上述電極浸入到單 壁碳納米管的N, N—:甲基甲酰胺(N,N-dimethylformamide， DMF)溶液 的步驟；施加電場(chǎng)的步驟。
在本發(fā)明金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法中， 所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)在含厚度為 100nm 1000nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與 基底相連電極的高度為50~200nm。
在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極 上刻出2~18個(gè)長(zhǎng)1 " m~10 u m、寬500nm 1000 nm、深50nm~200 nm的間 隙。
在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，將所述電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管DMF溶液中。
在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為2 8V，頻率為l~10MHz，施加 時(shí)間為5 60分鐘。
在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻(UVLithography)在含厚度為 200nm 800nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基 底相連電極的高度為60~150nm。
在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法
中，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極 上刻出3~15個(gè)長(zhǎng)2 " m 8 ii m、寬600nm~900 nm、深80nm~l80 nm的間隙。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，將所述電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管DMF溶液中。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為3 6V，頻率為2 8MHz，施加 時(shí)間為5 50分鐘。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)在含厚度為 250nm 500nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基 底相連電極的高度為80~120nm。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極 上刻出3~12個(gè)長(zhǎng)2 ii m~6 U m、寬700nm 850 nm、深120nm~160 nm的間 隙。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，將所述電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管DMF溶液中。在本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法 中，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為3 4.5V，頻率為3~6MHz，施 加時(shí)間為10~40分鐘。不同手性的單壁碳納米管的同步分離與組裝的基本原理為在電場(chǎng)強(qiáng) 度空間非均勻分布的電場(chǎng)中，單壁碳納米管在電場(chǎng)下相對(duì)于介質(zhì)分子(溶劑) 運(yùn)動(dòng)，這種效應(yīng)被稱為碳納米管的介電泳(dielectrophoresis， DEP)效應(yīng)(如 圖1)。碳納米管在電場(chǎng)下受到的介電泳力的大小和所加的電場(chǎng)的強(qiáng)度、頻 率、電場(chǎng)在空間的梯度分布、碳管本身的直徑和長(zhǎng)度以及碳管相對(duì)于介質(zhì) 分子的介電常數(shù)和電導(dǎo)率有關(guān)系。當(dāng)所用碳納米管溶液、外加電壓和電極 形狀都確定后，溶液中具有不同介電常數(shù)或電導(dǎo)率的碳納米管將會(huì)受到不 同大小的介電泳作用力。由于碳納米管的介電常數(shù)和電導(dǎo)率直接和碳管的 手性相關(guān)，所以根據(jù)受到不同大小的介電泳力而將碳納米管進(jìn)行手性分離，
金屬性碳納米管將先于半導(dǎo)體性碳納米管在電極上進(jìn)行組裝。同時(shí)通過(guò)多 間隙電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)得到電場(chǎng)在不同間隙中梯度分布，利用介電泳組裝的時(shí)間效應(yīng)就實(shí)現(xiàn)了對(duì)碳納米管的同步手性分離與組裝(如圖2)。多間隙電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)如圖3a所示，聚焦離子束的方法被用來(lái)在普通 光刻得到的微電極上制備多個(gè)納米尺度的間隙。電場(chǎng)在多間隙電極上是呈 梯度分布的，電場(chǎng)強(qiáng)度從最外端向中間間隙電場(chǎng)強(qiáng)度以約100倍的速度遞 減，而且電場(chǎng)在每一個(gè)間隙中分布時(shí)還存在邊緣效應(yīng)(如圖3b e)。介電泳 組裝的時(shí)間效應(yīng)是指碳納米管在多間隙電極結(jié)構(gòu)上的組裝機(jī)制是碳管先組 裝在兩端電場(chǎng)強(qiáng)度最大的間隙中，然后再逐漸向中間間隙組裝(如圖4)。 拉曼(Raman)光譜表征的結(jié)果證實(shí)了通過(guò)利用多間隙電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行單壁碳 納米管的介電泳組裝，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)碳管的同步手性分離(如圖5)。本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法不僅 簡(jiǎn)單、可控、高效，而且，能夠有效提高碳納米管電子邏輯器件以及場(chǎng)效 應(yīng)器件的性能和集成度，為碳納米管結(jié)構(gòu)的制備和實(shí)用化提供了一條可行 的途徑。


圖1是單壁碳納米管表面介電泳組裝示意圖。圖2是單壁碳納米管在含有5個(gè)間隙上進(jìn)行介電泳組裝得到的掃描電 子顯微鏡表征圖，圖中的標(biāo)尺為5pm。圖3是多間隙電極設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的示意圖(圖3a)和理論模擬得到的電場(chǎng) 強(qiáng)度在含有5個(gè)間隙的電極上的分布(圖3b e)。圖4是單壁碳納米管在不同組裝時(shí)間內(nèi)在五間隙電極上介電泳組裝的 掃描電子顯微鏡表征結(jié)果(圖4a c,組裝時(shí)間為30分鐘，5分鐘和20秒鐘)， 圖4d為多間隙電極上介電泳組裝時(shí)間效應(yīng)示意5是拉曼(Raman)光譜對(duì)多間隙電極對(duì)單壁碳納米管手性分離效果 的表征結(jié)果，圖中1、 2、 3、 2'、 l'分別代表不同的間隙號(hào)，對(duì)比不同間隙 中拉曼光譜G模式振動(dòng)峰可以證實(shí)對(duì)碳納米管的手性分離效果。圖6是對(duì)多間隙單壁碳納米管陣列結(jié)構(gòu)溫度傳感器的重復(fù)性(圖6a) 和靈敏度(圖6b)的表征結(jié)果。圖6b中a為相對(duì)靈敏度TCR (Temperature coefficient of resistance )值。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法包含 如下步驟(1 )在含100nm 1000nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為50~200nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極上刻出2 18個(gè)長(zhǎng)lP m 10 u m，寬500證~ 1000 nm，深為50nm~200 nm的間隙。(3) 把上述多間隙電極浸入到濃度為5mg/L 10mg/L的單壁碳納米管 的DMF溶液中，然后加上大小為2 8V，頻率為l~10MHz的交流電場(chǎng)組裝 5~60分鐘，氮?dú)獯蹈?。本發(fā)明的更加優(yōu)化的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組 裝方法包含如下步驟-(1) 在含200nm 800nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為60~150nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極上刻出3 15個(gè)長(zhǎng)2U m~8 u m ，寬600nm~900 nm ，深為80nm~ 180 nm的間隙。(3) 把上述多間隙電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管 的DMF溶液中，然后加上大小為3 6V，頻率為2 8MHz的交流電場(chǎng)組裝 5 50分鐘，氮?dú)獯蹈?。本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法包含如下步驟(1 )在含250nm 500nm 二氧化硅的Si02〃Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為80 120nm。 (2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極上刻出3 12個(gè)長(zhǎng)2u m~6 u m，寬700nm 850跳深為120nm 160 nm的間隙。(3) 把上述多間隙電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管 的DMF溶液中，然后加上大小為3 4.5V，頻率為3~6MHz的交流電場(chǎng)組 裝10 40分鐘，氮?dú)獯蹈?。[實(shí)施例1](1) 在含300nm 二氧化硅的Si02〃Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為100 nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極上刻出5個(gè)長(zhǎng)4pm， 寬800nm，深為150nm的間隙。(3) 把上述多間隙電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米管 的DMF溶液中，然后加上大小為4V，頻率為5 MHz的交流電場(chǎng)組裝30分鐘，氮?dú)獯蹈伞D2是通過(guò)掃描電子顯微鏡表征得到的結(jié)果，單壁碳納米管組裝在電 極間隙中，而且碳納米管的組裝密度從兩端向中間間隙遞減。利用拉曼光譜對(duì)五間隙電極中的每一個(gè)間隙進(jìn)行表征，同一間隙中的 碳納米管樣品至少在10個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行采樣，然后將光譜平均，對(duì)手性分 離效果進(jìn)行表征得到圖5所示的結(jié)果。[實(shí)施例2](1) 在含300nm 二氧化硅的Si02/Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為畫(huà)nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在電極上刻出9個(gè)長(zhǎng)4pm， 寬800 nm，深為150 nm的間隙，在另一電極上刻出5個(gè)長(zhǎng)4 pm，寬200 nm， 深為150nm的間隙。(3) 把上述九間隙和五間隙電極分別浸入到濃度為5mg/L 10mg/L的
單壁碳納米管的DMF溶液中，加上大小為4V，頻率為5MHz的交流電場(chǎng) 組裝30分鐘，氮?dú)獯蹈伞?4)掃描電子顯微鏡對(duì)步驟(3)得到的結(jié)果進(jìn)行表征，單壁碳納米 管組裝在電極間隙中，而且碳納米管的組裝密度從兩端向中間間隙遞減， 在九間隙電極上在中間電極上沒(méi)有碳納米管的組裝，在五間隙電極上由于 間隙寬度小于碳納米管長(zhǎng)度(500nm 2pm)，大部分碳納米管懸空橫跨過(guò)間 隙。這也為制備單壁碳納米管懸空結(jié)構(gòu)提供了有效途徑。[實(shí)施例3](1) 在含300nm 二氧化硅的Si02〃Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為100 nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在五個(gè)電極上都刻出5個(gè)長(zhǎng)6 pm，寬800nm，深為150nm的間隙。(3) 把上述多間隙電極浸入到濃度為5mg^L 10mg/L的單壁碳納米管 的DMF溶液中，然后加上大小為4V，頻率為5MHz的交流電場(chǎng)分別組裝 30分鐘、5分鐘、20秒鐘，氮?dú)獯蹈纱碚鲯呙桦娮语@微鏡對(duì)步驟(3)得到的結(jié)果進(jìn)行表征，得到圖4a c，證實(shí) 了單壁碳納米管在多間隙電極上的組裝順序是從兩邊間隙向中間間隙進(jìn)行 組裝。[實(shí)施例4](1) 在含300nm 二氧化硅的Si02//Si襯底上通過(guò)常規(guī)光刻(UV Lithography)的方法制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為100 nm。(2) 利用聚焦離子束(FIB)刻蝕的方法在三個(gè)電極上分別刻出5個(gè)、 3個(gè)和l個(gè)長(zhǎng)4pm,寬800nm，深為150nm的間隙。(3) 把上述3個(gè)間隙電極浸入到濃度為5mg/L~10mg/L的單壁碳納米 管的DMF溶液中，然后加上大小為4 V，頻率為5 MHz的交流電場(chǎng)組裝30分鐘，氮?dú)獯蹈?。在超高真空系統(tǒng)中利用KeitWey4200半導(dǎo)體測(cè)量系統(tǒng)對(duì)步驟(3)得到 的樣品分別進(jìn)行熱傳感測(cè)試。圖6是對(duì)多間隙單壁碳納米管陣列結(jié)構(gòu)溫度 傳感器的重復(fù)性(圖6a)和靈敏度(圖6b)的表征結(jié)果。從圖中可以看出， 單壁碳納米管陣列溫度傳感器有不同間隙個(gè)數(shù)越多，傳感器的TCR絕對(duì)值 越大，靈敏度越高，而且標(biāo)稱電阻值也越大。此外多間隙溫度傳感器還顯 示了對(duì)溫度響應(yīng)較高的重復(fù)性和穩(wěn)定性。由此可見(jiàn)，本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組 裝方法不僅簡(jiǎn)單、可控、高效，而且，能夠有效提高碳納米管電子邏輯器 件以及場(chǎng)效應(yīng)器件的性能和集成度，為碳納米管結(jié)構(gòu)的制備和實(shí)用化提供 了一條可行的途徑。
權(quán)利要求
1、一種金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法，其特征在于，包括如下步驟制備金電極的步驟；在電極上刻出間隙的步驟；將上述電極浸入到單壁碳納米管的DMF溶液的步驟；施加電場(chǎng)的步驟。
2、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻在含厚度為100nm 1000nm 二 氧化硅的Si(VSi襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高 度為50 200nm。
3、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束刻蝕的方法在電極上刻出 2~18個(gè)長(zhǎng)1 u m~10 u m、寬500nm 1000 nm、深50nm~200 nm的間隙。
4、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為2 8V，頻率為1 10MHz，施加 時(shí)間為5~60分鐘。
5、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻在含厚度為200nm 800nm二氧化硅的SiCVSi襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為6(M50nm。
6、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束刻蝕的方法在電極上刻出 3~15個(gè)長(zhǎng)2 u m 8 u m、寬600nm 卯0 nm、深80nm 180 nm的間隙。
7、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為3~6V，頻率為2 8MHz，施加 時(shí)間為5~50分鐘。
8、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，所述制備金電極的步驟是通過(guò)常規(guī)光刻在含厚度為250nm 500nm二氧 化硅的Si(VSi襯底上制備金電極，金通過(guò)鈦粘結(jié)層與基底相連電極的高度 為80 120nm。
9、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與 組裝方法，其特征在于，在電極上蝕刻間隙的步驟是通過(guò)聚焦離子束刻蝕的方法在電極上刻出 3-12個(gè)長(zhǎng)2um 6um、寬700nrn 850 nm、深120nm~160 nm的間隙。
10、 如權(quán)利要求1所述的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離 與組裝方法，其特征在于，在加電場(chǎng)的步驟中，施加的電場(chǎng)大小為3 4.5V，頻率為3 6MHz，施 加時(shí)間為10~40分鐘。
11、 如權(quán)利要求1 權(quán)利要求10的任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的金屬性和半 導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法，其特征在于，在所述的將上述電極浸入到單壁碳納米管的DMF溶液的步驟中，將所 述電極浸入到濃度為5mg/L 10mg/L的單壁碳納米管DMF溶液中。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法，該金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法包括如下步驟通過(guò)常規(guī)光刻在含二氧化硅的襯底上制備金電極的步驟；利用聚焦離子束在電極上刻出若干個(gè)間隙的步驟；將上述電極浸入到單壁碳納米管的DMF溶液的步驟；施加大小為2～8V、頻率為1～10Hz的電場(chǎng)的步驟。本發(fā)明的金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法不僅簡(jiǎn)單、可控、高效，而且，能夠有效提高碳納米管電子邏輯器件以及場(chǎng)效應(yīng)器件的性能和集成度，為碳納米管結(jié)構(gòu)的制備和實(shí)用化提供了一條可行的途徑。
文檔編號(hào)C01B31/02GK101148253SQ20061011321
公開(kāi)日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2006年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者劉忠范, 吳忠云, 童廉明, 卓 陳 申請(qǐng)人:北京大學(xué)