專利名稱：真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空濺鍍?cè)O(shè)備，特別涉及真空濺鍍?cè)O(shè)備中的進(jìn)氣裝置。
背景技術(shù)：
真空鍍膜技術(shù)中的濺鍍法(Sputtering)，其原理是在一真空腔體中通入工作氣體 (通常為Ar或N2等惰性氣體)，并以基材為陽極，以靶材為陰極，使得工作氣體在高壓電場(chǎng) 作用下，會(huì)被解離成離子與電子，即形成等離子(Plasma)，而等離子中的正離子在高壓電場(chǎng) 中會(huì)加速移動(dòng)并轟擊靶材(Target)的表面，使靶材原子或團(tuán)簇(Cluster)濺飛出并沉積、 附著在目標(biāo)基材(Substrate)的表面上，以形成薄膜?，F(xiàn)用于通入工作氣體的裝置是由多條長(zhǎng)度不一的圓管組成。各圓管直立設(shè)置在真 空腔體中，且各圓管的起始端接在同一個(gè)氣體輸出管，并通過圓管的末端向真空腔體的不 同高度處輸出工作氣體。然而這種裝置由于各圓管長(zhǎng)度不同，導(dǎo)致由同一氣體輸出管通入的氣體在經(jīng)過不 同長(zhǎng)度的圓管后，在長(zhǎng)度短的圓管末端氣壓大一些，將輸出多一些的工作氣體；而長(zhǎng)度長(zhǎng)的 圓管末端氣壓小一些，將輸出少一些的工作氣體。從而使得真空腔體從上到下的氣體濃度 不均勻，并影響了鍍膜的效果。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可以提高工作氣體濃度的均勻性的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)
氣^^直ο一種真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置包括至少一個(gè)錐形管，所述錐形管 包括小端、與小端相對(duì)的大端、及位于所述小端與大端之間的錐面，氣體由所述小端通入所 述錐形管，所述大端封閉，沿所述錐形管的中心軸從所述小端至大端依次在所述錐面上等 間距設(shè)置有多個(gè)尺寸相同的出氣通孔。本發(fā)明提供的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置利用錐形管設(shè)計(jì)可以提高各出氣通孔之 間輸出氣體濃度的均勻性。


圖1為本發(fā)明提供的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置的分解圖。圖2為圖1中真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置的組合圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1及圖2，為本發(fā)明提供的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置100。所述真空濺鍍 設(shè)備的進(jìn)氣裝置100包括矩形殼10、氣體輸出管20及又形管30。所述又形管30包括入氣端31、第一錐形管32及第二錐形管33。所述入氣端31 與所述氣體輸出管20連通。工作氣體可以由所述入氣端31通入所述又形管30。
所述第一錐形管32可以是圓錐形管，也可以是棱錐形管。本實(shí)施方式中，所述第 一錐形管32是總長(zhǎng)為600毫米的圓錐形管。所述第一錐形管32包括第一小端320、第一大 端321、位于第一小端320與第一大端321之間的第一錐面323及分布在第一錐面323上的 多個(gè)出氣通孔322。所述第一小端320與所述第一大端321相對(duì)。所述第一小端320與所述入氣端31 相連通，所述第一大端321封閉。本實(shí)施方式中，所述第一小端320的直徑是3. 2毫米，第 一大端321的直徑是5. 6毫米。所述多個(gè)第一出氣通孔322尺寸相同。所述多個(gè)第一出氣通孔322沿所述第一錐 形管32的中心軸00’從第一小端320至第一大端321等間距設(shè)置。本實(shí)施方式中，所述第 一錐形管32包括15個(gè)圓形的第一出氣通孔322，所述第一出氣通孔322的直徑是0. 8毫 米，各第一出氣通孔322之間的距離是40毫米。所述第一出氣通孔322與第一小端320及 第一大端321的間距均是20毫米。所述多個(gè)第一出氣通孔322位于所述第一錐面323的 同一條母線上。當(dāng)然，所述第一出氣通孔322也可以采用其他形狀，所述第一出氣通孔322 也可以沿所述第一錐形管32中心軸00’等間距，但在第一錐面323的多條母線上交錯(cuò)排列， 例如螺旋形排列。所述第二錐形管33與所述第一錐形管32的結(jié)構(gòu)及尺寸相同。同樣的，所述第二 錐形管33包括第二小端330、第二大端331、位于第二小端330與第二大端331之間的第二 錐面333及分布在第二錐面333上的多個(gè)第二出氣通孔332。所述第二錐形管33的第二小端330與所述第一錐形管33的第一小端320、入氣端 31連通。所述第二錐形管33與所述第一錐形管32平行排列。本實(shí)施方式中，所述第二錐 形管33的中心軸MM’與所述第一錐形管32的中心軸00’的間距是200毫米。所述多個(gè)第 二出氣通孔332沿所述第二錐形管33的中心軸MM’從第二小端330至第二大端331等間 距設(shè)置。本實(shí)施方式中，所述第二錐形管33包括15個(gè)圓形的所述第二出氣通孔332。當(dāng)工作氣體從所述第一小端320向第一大端321擴(kuò)散時(shí)，由于第一小端320的管 徑較小，所以流動(dòng)速度較快，從而工作氣體來不及從形成在所述第一錐形管33側(cè)面的第一 出氣通孔322溢出，因此雖然靠近第一小端320的氣壓稍大，但氣體較難溢出，從而不至于 溢出較多的氣體。而越向第一大端321移動(dòng)時(shí)，隨著第一錐形管32的管徑越來越大，工作 氣體的流動(dòng)速度越來越慢，此時(shí)雖然氣體的壓力有所降低，但由于流動(dòng)速度慢了，所以工作 氣體較容易從形成在所述第一錐形管33側(cè)面的第一出氣通孔322溢出，從而不至于溢出過 少的氣體。通過第一錐形管33使得從所述第一小端320至第一大端321的各第一出氣通 孔322能夠溢出接近等量的氣體，從而提高各第一出氣通孔322之間氣體的均勻性，有利于 提高濺鍍的質(zhì)量。所述第二錐形管33工作過程與所述一個(gè)錐形管32工作過程相同。當(dāng)然，所述又形管30也可以根據(jù)需要只包括一個(gè)錐形管或包括多于兩個(gè)的錐形 管。所述矩形殼10包括本體11及蓋板12。所述本體11的頂部110包括通孔111，所 述又形管30的入氣端31穿過所述通孔111與所述氣體輸出管20連通。所述又形管30沿 所述矩形殼10長(zhǎng)邊方向容置在所述本體11內(nèi)。所述蓋板12上沿所述本體11的長(zhǎng)邊方向開設(shè)有多個(gè)蓋板氣孔120。所述多個(gè)蓋 板氣孔120分布在所述蓋板12兩側(cè)。本實(shí)施方式中，所述蓋板12包括30個(gè)圓形的蓋板氣孔。所述蓋板氣孔120與所述第一出氣通孔322及第二出氣通孔332對(duì)應(yīng)。所述蓋板氣孔 120與所述第一出氣通孔322及第二出氣通孔332之間利用短管90連通。本發(fā)明提供的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置利用錐形管設(shè)計(jì)可以提高各出氣通孔之 間輸出氣體濃度的均勻性?？梢岳斫獾氖牵瑢?duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做 出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置包括至少一個(gè)錐形管，所述錐形管包 括小端、與小端相對(duì)的大端、及位于所述小端與大端之間的錐面，氣體由所述小端通入所述 錐形管，所述大端封閉，沿所述錐形管的中心軸從所述小端至大端依次在所述錐面上等間 距設(shè)置有多個(gè)尺寸相同的出氣通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述真空濺鍍?cè)O(shè)備的 進(jìn)氣裝置包括兩個(gè)錐形管，所述兩個(gè)錐形管的小端連通。
3.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述錐形管是圓錐形管。
4.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述錐形管是棱錐形管。
5.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述等間距為沿所述 錐形管中心軸等間距。
6.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述多個(gè)出氣通孔位 于所述錐形管的同一條母線上。
7.如權(quán)利要求6所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述等間距為沿所述 母線等間距。
8.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述多個(gè)出氣通孔是 圓孔。
9.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述真空濺鍍?cè)O(shè)備的 進(jìn)氣裝置還包括一矩形殼，所述錐形管沿所述矩形殼長(zhǎng)邊方向容置在所述矩形殼內(nèi)，沿所 述矩形殼長(zhǎng)邊方向等間距設(shè)置多個(gè)與所述出氣通孔對(duì)應(yīng)的形狀相同的氣孔，所述氣孔與所 述對(duì)應(yīng)的出氣通孔連通。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置包括至少一個(gè)錐形管，所述錐形管包括小端、與小端相對(duì)的大端、及位于所述小端與大端之間的錐面，氣體由所述小端通入所述錐形管，所述大端封閉，沿所述錐形管的中心軸從所述小端至大端依次在所述錐面上等間距設(shè)置有多個(gè)尺寸相同的出氣通孔。本發(fā)明提供的真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置利用錐形管設(shè)計(jì)可以提高各出氣通孔之間輸出氣體濃度的均勻性。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102002675SQ20091030623
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者吳佳穎, 王仲培 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司