一種晶圓承載定位機(jī)構(gòu)及安裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用的晶圓承載定位機(jī)構(gòu)及安裝方法，此機(jī)構(gòu)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)常溫或高溫工藝過(guò)程中，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積的應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備的晶圓承載陶瓷環(huán)與熱盤(pán)的間隙很大，在常溫狀態(tài)下，校準(zhǔn)傳片位置時(shí)需要用目測(cè)方法將陶瓷環(huán)與熱盤(pán)進(jìn)行對(duì)中放置，這種方式放置存在較大偏差，而且在獲得真空的過(guò)程中，陶瓷環(huán)可能發(fā)生位置偏移，影響傳片校準(zhǔn)，需重新放置。傳片校準(zhǔn)完成后，在高溫工藝狀態(tài)下，由于熱盤(pán)的膨脹，陶瓷環(huán)也會(huì)偏離原始位置，影響傳片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明以解決上述問(wèn)題為目的，設(shè)計(jì)了晶圓承載定位機(jī)構(gòu)及安裝方法，同時(shí)解決了現(xiàn)有設(shè)備在常溫和高溫(根據(jù)實(shí)際工藝要求)條件下，無(wú)法精確定位的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:一種晶圓承載定位機(jī)構(gòu)，包括熱盤(pán)及定位陶瓷環(huán)本體。所述熱盤(pán)上加工有環(huán)形凹槽；所述陶瓷環(huán)本體放置在熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)。
[0005]上述晶圓承載定位機(jī)構(gòu)安裝方法:在常溫狀態(tài)下，熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的外圈與陶瓷環(huán)本體的常溫定位面緊密貼合，陶瓷環(huán)本體的底面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽底面貼合，定位陶瓷環(huán)本體邊緣的底面與熱盤(pán)外圈表面留有一定間隙，是為了防止高溫狀態(tài)時(shí)，熱盤(pán)在縱向上的膨脹，頂起定位陶瓷環(huán)本體邊緣底面，使定位陶瓷環(huán)本體的底面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的底面分離；定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈留有間隙，保證常溫下熱盤(pán)與陶瓷環(huán)本體處于同心位置。當(dāng)溫度逐漸升高時(shí)，由于熱盤(pán)材料的膨脹系數(shù)比陶瓷環(huán)本體材料的膨脹系數(shù)大，因此熱盤(pán)膨脹速度快，定位陶瓷環(huán)本體膨脹速度慢，熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的外圈與定位陶瓷環(huán)本體的常溫定位面間隙逐漸增大，定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈間隙逐漸減小，達(dá)到工藝溫度時(shí)，定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈間隙基本為零或非常小，這樣保證了在高溫狀態(tài)下熱盤(pán)與陶瓷環(huán)本體處于同心位置。
[0006]本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)在于:
[0007]該機(jī)構(gòu)利用了不同材質(zhì)在同溫度下膨脹量的差異，使晶圓在常溫和高溫條件下均能被精確定位的機(jī)構(gòu)。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、易加工及拆裝方便、定位精度高、安全可靠的特點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜沉積的技術(shù)領(lǐng)域。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2為局部放大示意圖。
[0010]圖中零件標(biāo)號(hào)分別代表:
[0011]1、熱盤(pán)；2、定位陶瓷環(huán)本體；3、陶瓷環(huán)邊緣底面；4、陶瓷環(huán)高溫定位面；5、陶瓷環(huán)常溫定位面；6、陶瓷環(huán)底面；7、環(huán)形凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0012]實(shí)施例
[0013]參照?qǐng)D1-2，一種晶圓承載定位機(jī)構(gòu)，包括熱盤(pán)I及定位陶瓷環(huán)本體2。所述熱盤(pán)I上加工有環(huán)形凹槽7 ;所述陶瓷環(huán)本體2放置在熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7內(nèi)。
[0014]上述晶圓承載定位機(jī)構(gòu)的安裝方法:在常溫狀態(tài)下，熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7的外圈與陶瓷環(huán)本體2的常溫定位面5緊密貼合。陶瓷環(huán)本體2的底面6與熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7底面貼合。定位陶瓷環(huán)本體2邊緣的底面3與熱盤(pán)I外圈表面留有一定間隙，是為了防止高溫狀態(tài)時(shí)，熱盤(pán)在縱向上的膨脹，頂起定位陶瓷環(huán)本體2邊緣底面，使定位陶瓷環(huán)本體2的底面6與熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7的底面分離。定位陶瓷環(huán)本體2的高溫定位面4與熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7內(nèi)圈留有間隙，保證常溫下熱盤(pán)I與陶瓷環(huán)本體2處于同心位置。當(dāng)溫度逐漸升高時(shí)，由于熱盤(pán)I材料的膨脹系數(shù)比陶瓷環(huán)本體2材料的膨脹系數(shù)大，因此熱盤(pán)I膨脹速度快，定位陶瓷環(huán)本體2膨脹速度慢，熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7的外圈與定位陶瓷環(huán)本體2的常溫定位面5間隙逐漸增大，定位陶瓷環(huán)本體2的高溫定位面4與熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7內(nèi)圈間隙逐漸減小，達(dá)到工藝溫度時(shí)，定位陶瓷環(huán)本體2的高溫定位面4與熱盤(pán)I的環(huán)形凹槽7內(nèi)圈間隙基本為零或非常小，這樣保證了在高溫狀態(tài)下熱盤(pán)I與陶瓷環(huán)本體2處于同心位置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓承載定位機(jī)構(gòu)，其特征在于:該定位機(jī)構(gòu)包括熱盤(pán)及定位陶瓷環(huán)本體，所述熱盤(pán)上加工有環(huán)形凹槽；所述陶瓷環(huán)本體放置在熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載定位機(jī)構(gòu)的安裝方法，其特征在于:該方法在常溫狀態(tài)下，熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的外圈與陶瓷環(huán)本體的常溫定位面緊密貼合，陶瓷環(huán)本體的底面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽底面貼合，定位陶瓷環(huán)本體邊緣的底面與熱盤(pán)外圈表面留有一定間隙，是為了防止高溫狀態(tài)時(shí)，熱盤(pán)在縱向上的膨脹，頂起定位陶瓷環(huán)本體邊緣底面，使定位陶瓷環(huán)本體的底面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的底面分離；定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈留有間隙，保證常溫下熱盤(pán)與陶瓷環(huán)本體處于同心位置，當(dāng)溫度逐漸升高時(shí)，由于熱盤(pán)材料的膨脹系數(shù)比陶瓷環(huán)本體材料的膨脹系數(shù)大，因此熱盤(pán)膨脹速度快，定位陶瓷環(huán)本體膨脹速度慢，熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的外圈與定位陶瓷環(huán)本體的常溫定位面間隙逐漸增大，定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈間隙逐漸減小，達(dá)到工藝溫度時(shí)，定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈間隙基本為零或非常小，這樣保證了在高溫狀態(tài)下熱盤(pán)與陶瓷環(huán)本體處于同心位置。
【專利摘要】晶圓承載定位機(jī)構(gòu)及安裝方法，解決了現(xiàn)有設(shè)備在常溫和高溫條件下，無(wú)法精確定位的問(wèn)題。該定位機(jī)構(gòu)，包括熱盤(pán)及定位陶瓷環(huán)本體。所述熱盤(pán)上加工有環(huán)形凹槽；所述陶瓷環(huán)本體放置在熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)。安裝方法：在常溫狀態(tài)下，熱盤(pán)的環(huán)形凹槽的外圈與陶瓷環(huán)本體的常溫定位面緊密貼合，陶瓷環(huán)本體的底面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽底面貼合，且定位陶瓷環(huán)本體邊緣的底面與熱盤(pán)外圈表面留有一定間隙。定位陶瓷環(huán)本體的高溫定位面與熱盤(pán)的環(huán)形凹槽內(nèi)圈留有間隙，保證常溫下熱盤(pán)與陶瓷環(huán)本體處于同心位置。本發(fā)明利用了不同材質(zhì)在同溫度下膨脹量的差異，使晶圓在常溫和高溫條件下均能被精確定位的機(jī)構(gòu)。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、拆裝方便、定位精度高及安全可靠的特點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜沉積的技術(shù)領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L21/687
【公開(kāi)號(hào)】CN105206559
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510519459
【發(fā)明人】柴智
【申請(qǐng)人】沈陽(yáng)拓荊科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月21日